DE102011086822A1 - Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung - Google Patents

Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung Download PDF

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Abstract

Eine Schaltkreisplatte ist hermetisch versiegelt und in einem Stahlgehäuse untergebracht, welches eine Metallbasis und eine Metallabdeckung umfasst, wobei die Abdeckung, die gegenüber einer ersten Plattenoberfläche angeordnet ist, einen großen flachen Abschnitt, der gegenüber einem Verbindergehäuse angeordnet ist, und einen kurzen flachen Abschnitt, der gegenüber einem wärmeerzeugenden Bauteil angeordnet ist, aufweist, und wobei die Wärme, die von dem wärmeerzeugenden Bauteil erzeugt wird, direkt an einen Wärmeübertragungsbasisabschnitt der Basis über einen Wärmeübertragungsmechanismus und ein Wärmeübertragungsfümaterial übertragen wird. Eine Oberflächenbehandlung, bei der die Wärmeabstrahlungskoeffizienten beiderseitig 0,7 bis 1,0 betragen, an der Oberfläche des wärmeerzeugenden Bauteiles und der gegenüberliegenden Oberfläche der Abdeckung angelegt wird und Abstrahlung und Wärmeübertragung von dem kurzen flachen Abschnitt effizient an dem kurzen flachen Abschnitt der Abdeckung durchgeführt werden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verbesserungen von Plattenunterbringungsgehäusen bei elektronischen Schaltkreisplatten, beispielsweise für an einem Fahrzeug angeordnete elektronische Steuereinrichtungen und betrifft insbesondere eine verbesserte Struktur für ein Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung, bei der die Wärme, die von wärmeerzeugenden Bauteilen, die an einer Schaltkreisplatte angeordnet sind, effizient an ein Stahlgehäuse mittels Wärmeübertragung und Strahlung abgestrahlt wird, um eine Wärmeabführung von dem Gehäuse mittels sowohl einer Basis als auch einer Abdeckung, die das Stahlgehäuse ausbilden, durchzuführen.
  • 2. Beschreibung des Stand der Technik
  • Eine Schaltkreisplatte, die mit wärmeerzeugenden Bauteilen versehen ist, wird hermetisch abgedichtet und in einem Stahlgehäuse untergebracht, das aus einer Basis und einer Abdeckung besteht, die Wärme, die von wärmeerzeugenden Bauteilen erzeugt wird, wird durch in Kontakt bringen der Basis und der Abdeckung über ein Wärmeübertragungsmaterial übertragen und die erzeugte Wärme wird dazu gebracht indirekt als die abgestrahlte Wärme an die innere Oberfläche der Basis oder des Gehäuses abgeführt zu werden, wobei die innere Oberfläche schwarz beschichtet ist und demgemäß ein Temperaturanstieg der wärmeerzeugenden Bauteile unterdrückt wird.
  • Beispielsweise wird gemäß dem Stand der Technik gemäß der „elektronischen Steuereinrichtung zur Motorsteuerung”, die in dem folgenden Patentdokument 1 offenbart ist, eine Schaltkreisplatte, die mit einer Vielzahl an wärmeerzeugenden Bauteilen versehen ist, hermetisch abgedichtet und in einem Stahlgehäuse untergebracht, welches aus einer Abdeckung (als eine „Basis” in der Patentanmeldung bezeichnet) und einem Gehäuse (als eine „Abdeckung” in Patentanmeldung bezeichnet) besteht und die erzeugt Wärme eines wesentlichen wärmeerzeugenden Bauteiles, das an der Abdeckungsseite (Basisseite) vorgesehen ist, wird durch in Kontakt bringen der Abdeckung (Basis) mit einem Wärmeübertragungsmaterial übertragen. Zur selben Zeit wird die erzeugte Wärme dazu gebracht indirekt als die abgestrahlte Wärme durch Beschichten der inneren Oberfläche der Abdeckung (Basis) in schwarz abgestrahlt zu werden und die erzeugte Wärme eines kleinen wärmeerzeugenden Bauteiles, das an der Gehäuseseite (Abdeckungsseite) vorgesehen ist, wird ferner dazu gebracht indirekt an die innere Oberfläche des Gehäuses (Abdeckung), das in Schwarz beschichtet ist, als die abgestrahlte Wärme abgeführt zu werden; und demgemäß wird ein Temperaturanstieg des wärmeerzeugenden Bauteiles unterdrückt.
  • Zusätzlich wird gemäß einem weiteren Stand der Technik, gemäß der „Elektronikeinrichtung”, die im folgenden Patentdokument 2 offenbart ist, eine Schaltkreisplatte, die mit einem wärmeerzeugenden Bauteil versehen ist, hermetisch abgedichtet und in einem Stahlgehäuse untergebracht, welches aus einer Basis und einem Gehäuse besteht (als die „Abdeckung” in der vorliegenden Anmeldung bezeichnet) und die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteiles, das an der Gehäuseseite (Abdeckungsseite) vorgesehen ist, wird durch in Kontakt bringen mit der Basis, die an der gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet ist, über ein Wärmeübertragungsmaterial übertragen. In diesem Fall wird jede Wärmeabstrahlung an die innere Oberfläche der Basis oder des Gehäuses (Abdeckung) nicht in Betracht gezogen. Im Übrigen ist das Gehäuse (Abdeckung) in einer ungleichmäßigen Form eines großen flachen Abschnittes und eines kurzen flachen Abschnittes geformt und das wärmeerzeugende Bauteil ist gegenüber dem großen flachen Abschnitt angeordnet.
  • Ferner wird gemäß einem weiteren Stand der Technik gemäß der „Anbringstruktur einer elektronischen Platte”, die in dem folgenden Patentdokument 3 offenbart ist, das Konzept einer thermischen Weiche (engl.: thermal via) und eines isolierten Vorsprunges gezeigt. Die thermische Weiche dient als ein Wärmeübertragungsdurchgangsloch, welches zum Übertragen und Abführen der erzeugten Wärme eines wärmeerzeugenden Bauteiles, das an einer Oberfläche einer Schaltkreisplatte angeordnet ist, an eine Wärmeübertragungsbasis vorgesehen ist, die an der anderen Oberfläche der Schaltkreisplatte vorgesehen ist und der isolierte Vorsprung stellt einen kleinen Spalt dar, welcher zum Füllen mit einem Wärmeübertragungsmaterial vorgesehen ist.
  • Ferner wird als ein weiterer Stand der Technik, gemäß einer „elektronischen Platteneinrichtung”, die in dem folgenden Patentdokument 4 offenbart ist, das Konzept eines Abschnittes, der durch eine Platte (im folgenden als ein „Abschnitt bezeichnet, der durch eine Platte verläuft”) und eines isolierten Vorsprunges gezeigt. Der Abschnitt, der durch eine Platte verläuft, ist zum Übertragen und Abfuhren der erzeugten Wärme des wärmeerzeugenden Bauteiles, das an einer Oberfläche einer Schaltkreisplatte vorgesehen ist, an einen zentralen Vorsprungsabschnitt einer Wärmeübertragungsplatte, die an der anderen Oberfläche der Schaltkreisplatte vorgesehen ist, vorgesehen und der isolierte Vorsprung stellt einen kleinen Spalt dar, welcher zum Füllen mit einem Wärmeübertragungsmaterial vorgesehen ist. Im Übrigen ist das Gehäuse des Patentdokumentes 4 in seiner Ausführung derart, dass die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteiles durch in Kontakt bringen mit beiden Seiten der Basisseite und der Abdeckungsseite über Wärmeübertragungsmaterialien übertragen wird, wobei die Abdeckung in einer ungleichmäßigen Form mit einem großen flachen Abschnitt und einem kurzen flachen Abschnitt geformt ist und das wärmeübertragende Bauteil gegenüber dem kurzen flachen Abschnitt angeordnet ist.
  • [Dokumente Aus dem Stand der Technik]
  • [Patentdokument]
    • [Patentdokument 1] JP 4091568 (1, Paragraph Nr. [0006])
    • [Patentdokument 2] nicht geprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung JP 2007-184428 (1, 2, Paragraph Nr. [0030))
    • [Patentdokument 3] nicht geprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung JP 2009-124023 (3, Zusammenfassung)
    • [Patendokument 4] nicht geprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung JP 2010-123787 (3, Zusammenfassung, 6, Paragraph Nr. [0040]) [von der Erfindung lösende Probleme]
  • In dem vorgenannten Patentdokument 1 „elektronische Steuereinrichtung zur Motorsteuerung” wird die erzeugte Wärme des wesentlichen wärmeerzeugenden Bauteiles übertragen und abgeleitet an nur die Abdeckung (als die „Basis” in der vorliegenden Anmeldung bezeichnet) und Wärmeabstrahlung an die Gehäuseseite (als die „Abdeckung” in der vorliegenden Anmeldung bezeichnet) wird nicht in Betracht gezogen. Daher besteht ein Problem dahingehend, dass eine ausreichende Wärmeabführung nicht in dem Fall durchgeführt werden kann, bei dem die Abdeckungsseite (Basisseite) sich in einem Hochtemperaturumfeld befindet und die Gehäuseseite (Abdeckungsseite) sich in einem Niedrigtemperaturumfeld befindet.
  • Ferner existiert ein Nachteil dahingehend, dass das wesentliche wärmeerzeugende Bauteil im Allgemeinen größer ist als das andere kleine wärmeerzeugende Bauteil und daher die Dickenabmessung an der Abdeckungsseite (Basisseite) ansteigt und Probleme dahingehend existieren, dass, falls Variationen in der Höhenabmessung des wärmeerzeugenden Bauteiles auftreten, die Dickkenabmessung des Wärmeübertragungsmateriales fluktuiert, Wärmeübertragungseigenschaften sich wesentlich verändern und eine Spannung bei einem Lötverbindungsanschluss erzeugt wird.
  • Ferner wird die Höhenabmessung des Gehäuses (Abdeckung) durch die Höhenabmessung eines externen Verbindungsverbinders bzw. Verbindungsanschlusses (engl.: connection connector) reguliert und die Abmessung zwischen dem kleinen wärmeerzeugenden Bauteil und der inneren Oberfläche des Gehäuses (Abdeckung) steigt an und daher existiert ein Problem, dass die Wärmeabstrahlungseigenschaften sich verschlechtern.
  • In dem Fall der „Elektronikeinrichtung” des vorgenannten Patentdokumentes 2 wird das wärmeerzeugende Bauteil an der Schaltkreisplattenoberfläche angeordnet, welche gegenüber dem Gehäuse (als die „Abdeckung” in der vorliegenden Anmeldung bezeichnet) angeordnet ist und verläuft durch die Schaltkreisplatte, um Wärmeübertragung und Wärmeabführung hin zu der Basisseite durchzuführen. Daher steigt die Dickenabmessung der Basisseite nicht an, Wärmeübertragungseigenschaften verändern sich nicht, sogar wenn Variationen in der Höhenabmessung des wärmeerzeugenden Bauteiles auftreten, und Belastung auf einen Lötverbindungsanschluss nicht erzeugt wird. Jedoch wird die Wärmeabstrahlung an die Gehäuseseite (Abdeckungsseite) nicht in Betracht gezogen und daher existiert ein Problem dahingehend, dass ein Temperaturanstieg des wärmeerzeugenden Bauteiles nicht ausreichend in dem Gehäuse unterdrückt werden kann, bei dem die Umstände der Gehäuseseite höher im Hinblick auf die Temperatur sind als die Umstände der Basisseite (Abdeckungsseite).
  • Ferner ist das Gehäuse der „Anbringstruktur der elektronischen Platte” des vorgenannten Patentdokumentes 3 auch ähnlich und Wärmeübertragung und Wärmeabführung an die Basis werden durchgeführt; jedoch wird die Wärmeabführung durch Wärmeabstrahlung an die Abdeckung nicht in Betracht gezogen. Daher besteht ein Problem dahingehend, dass ein Temperaturanstieg des wärmeerzeugenden Bauteiles nicht ausreichend in dem Fall unterdrückt werden kann, in dem die Umstände der Basisseite im Hinblick auf die Temperatur höher sind als die Umstände der Abdeckungsseite.
  • Ferner wird in dem Fall der „elektronischen Platteneinrichtung” des vorgenannten Patentdokumentes 4 die von dem wärmeerzeugenden Bauteil erzeugte Wärme an beide Seiten der Basisseite und der Abdeckungsseite übertragen und abgeführt. Falls Variationen in der Höhenabmessung des wärmeerzeugenden Bauteiles bestehen, fluktuiert die Dickenabmessung des Wärmeübertragungsmateriales und demgemäß tritt ein Nachteil auf, dass sich Wärmeübertragungseigenschaften wesentlich verändern und Belastungen an einem Lötverbindungsanschluss erzeugt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINGUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um das oben genannte Problem zu lösen und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung zu Verfügung zu stellen, bei der die Wärmeabführung durch Wärmeübertragung und die Wärmeabführung durch Abstrahlung von einem wesentlichen wärmeerzeugenden Bauteil gemeinsam verwendet werden, um gute wärmeabführende Eigenschaften zu erhalten.
  • [Mittel zur Lösung der Problems]
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung zur Verfügung gestellt, wobei das Plattenunterbringungsgehäuse zum Unterbringen einer Schaltkreisplatte, welche mit einem wärmeerzeugenden Bauteil und einem externen Verbindungsverbinder (engl.: connection connector) an einer ersten Plattenoberfläche davon versehen ist, vorgesehen ist, wobei die Schaltkreisplatte hermetisch abgedichtet ist und in einer eingeklemmten Beziehung in einem Gehäuse gehalten wird, welches eine Metallbasis und eine Metallabdeckung umfasst und die Schaltkreisplatte die Endoberfläche eines Harzverbindergehäuses dazu bringt an der Seite des Gehäuses hervorzustehen; wobei die Basis eine Materialdicke aufweist, welche eine Dickenabmessung aufweist, die gleich oder mehr als die Materialdicke der Abdeckung ist, wobei die Basis mit Anbringfüßen zum Zweck des Fixierens und um an einer Oberfläche, an der sie anzubringen sind, angeordnet zu werden, versehen ist und die Basis gegenüber der zweiten Plattenoberfläche der Schaltkreisplatte angeordnet ist; wobei die Abdeckung einen großen flachen Abschnitt, welcher gegenüber der ersten Plattenoberfläche der Schaltkreisplatte angeordnet ist und gegenüber dem Verbindergehäuse angeordnet ist und einen kurzen flachen Abschnitt, welcher gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil angeordnet ist, aufweist; wobei die Abdeckung und die Basis Umfangsabschnitte (engl.: outline peripheral portions), die in Kontakt miteinander über ein Dichtmittel gelangen und Teilumfangsabschnitte (engl.: partial peripheral portions), die in Kontakt mit einem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuses über das Dichtmittel gelangen, aufweisen, wobei das wärmeabstrahlende Bauteil thermisch in Bezug auf einen Wärmeübertragungsbasisabschnitt der Basis über einen Wärmeübertragungsmechanismus und einen kleinen Spaltabschnitt, in welchen ein Wärmeübertragungsfüllmaterial gefüllt ist, gekoppelt ist und wobei das wärmeerzeugende Bauteil einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten aufweist, welcher 0,7 bis 1,0 beträgt; und wobei der kurze flache Abschnitt, welcher die innere Oberfläche der Abdeckung darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil mit dem Spalt dazwischen angeordnet ist, an der Oberfläche behandelt (engl.: surface-finished) ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  • [Vorteilhafter Effekt der Erfindung]
  • Gemäß dem Plattenunterbringungsgehäuse für die an einem Fahrzeug angeordnete elektronische Einrichtung der vorliegenden Erfindung wird die Schaltkreisplatte in einer eingeklemmten Beziehung mittels der Metallbasis und der Metallabdeckung gehalten; Wärmeübertragung und Wärmeabführung an die Metallbasis und Abstrahlung und Wärmeabführung an die Metallabdeckung werden gemeinsam für das wärmeerzeugende Bauteil verwendet, bei dem der Leistungsverbrauch hoch ist; und wie für die Abstrahlung und die Wärmeabführung an die Abdeckung wird eine Spaltabmessung an dem kurzen flachen Abschnitt der Abdeckung reduziert und eine Oberflächenbehandlung bzw. Oberflächenvergütung (engl.: surface-finishing), welche den Wärmeabstrahlungskoeffizienten dazu bringt gemeinsam anzusteigen, wird angewendet. Demgemäß tritt, sogar wenn ein Unterschied in den Temperaturen an der äußeren Oberfläche der Abdeckung und der äußeren. Oberfläche der Basis besteht, ein Effekt auf, dass im Mittel eine stabile Wärmeableitung durchgeführt werden kann.
  • Das vorgenannte und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden starker aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlich, wenn diese in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen herangezogen wird.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Draufsicht, die ein Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine rechte Seitenansicht von 1;
  • 3 ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie III-III, die in 1 gezeigt ist, gemacht wurde;
  • 4 ist eine Vorderansicht von 1;
  • 5 ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie V-V, die in 1 gezeigt ist, gemacht wurde;
  • 6 ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie VI-VI, die in 1 gezeigt ist, gemacht wurde;
  • 7 ist eine Ansicht von lediglich der in 1 gezeigten Abdeckung;
  • 8 ist ein Kennliniendiagramm, das die Kennlinien von Temperaturanstiegen für ein Gehäuse gemäß 1 zeigt;
  • 9 ist eine Ansicht, die eine Liste von gemessenen Parametern aus 8 zeigt.
  • 10 ist eine Schnittansicht, die einen Wärmeübertragungsmechanismus in einem Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete elektronische Einrichtung gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 11 ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie XI-XI; die in 10 gezeigt ist, gemacht wurde;
  • 12 ist eine Draufsicht des Wärmeübertragungsmechanismus, der in 10 gezeigt ist;
  • 13 ist eine Draufsicht des Wärmeübertragungsmechanismus, der in 10 gezeigt ist.
  • 14 ist eine Schnittansicht, die einen Wärmeübertragungsmechanismus in einem Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 15(A) ist eine Ansicht, die eine Abdeckung in einem Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete elektronische Einrichtung gemäß Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung zeigt und 15(B) und 15(C) sind Schnittansichten, die jeweils einen isolierten Basisabschnitt zeigen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsform 1.
  • Im Folgenden erfolgt eine detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen: 1, welche eine Draufsicht des Plattenunterbringungsgehäuses für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung ist, 2, welche eine Seitenansicht von rechts der 1 ist, 3, welche eine Schnittansicht gemäß der Linie III-III von 1 ist, 4, welche eine Seitenansicht von unten von 1 ist, 5, welche eine Schnittansicht gemäß der Linie V-V von 1 ist, 6, welche eine Schnittansicht gemäß der Linie VI-VI von 1 ist, und 7, welches eine Ansicht eines einzelnen Gegenstandes einer Abdeckung von 1 ist. Jedoch werden in den jeweiligen Zeichnungen identische oder gleiche Elemente und Abschnitte mit den gleichen Bezugszeichen, die diesen zugeordnet sind, bezeichnet.
  • In 1 und 2 umfasst ein Plattenunterbringungsgehäuse 10 vorwiegend eine Metallabdeckung 20 und eine Metallbasis 30; und eine Schaltkreisplatte 40, die mit einer gestrichelten Linie gezeigt ist, wird in einer eingeklemmten Beziehung mittels der Abdeckung 20 und der Basis 30 gehalten, um hermetisch versiegelt zu sein und um in dem Gehäuse untergebracht zu sein.
  • Die Basis 30 wird an einer Oberfläche angeordnet und befestigt über Anbringbeine 31, 32, die links und rechts angeordnet sind (nicht in der Zeichnung gezeigt); und die Materialdicke der Basis 30 weist eine Dickenabmessung auf, die nicht geringer ist als Materialdicke der Abdeckung 20, um das Gehäusegewicht abzustützen.
  • Ferner wird ein externer Verbindungsverbinder 42 (welcher in 3 später beschrieben wird) an die Schaltkreisplatte 40 gelötet; und die Endoberfläche des Harzverbindergehäuses 41, in welche eine Vielzahl an externen Verbindungsverbindern 42 eingepasst werden und fixiert werden, ist an der Seite des Gehäuses (der Unterseite, die in 1 gezeigt ist) exponiert.
  • Im Übrigen umfasst die Abdeckung 20 einen großen flachen Abschnitt 22, der gegenüber dem Verbindergehäuse 41 angeordnet ist und einen kurzen flachen Abschnitt 21, der gegenüber einem wärmeerzeugenden Bauteil 43a, (welches später in 3 beschrieben wird) angeordnet ist.
  • In 3. umfassen die Abdeckung 20 und die Basis 30 drei umgebende Umfangsabschnitte (engl. outline peripheral portions) 23, 33, welche in Kontakt miteinander über wasserdichtes Dichtmittel 11a gelangen und Teilumfangsabschnitte 24, 34, die in Kontakt mit dem Umfang des Verbindergehäuses über das Dichtmittel 11b, 11c gelangen; und die Schaltkreisplatte 40 wird in einer eingeklemmten Beziehung mittels der drei Umfangsabschnitte 23, 33 gehalten.
  • Ein Ende des äußeren Verbindungsverbinders 42 wird gelötet und mit der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40 verbunden; das wärmeerzeugende Bauteil 43a, welches einen hohen Leistungsverbrauch aufweist, und ein erstes kleines wärmeerzeugendes Bauteil 43b, welches einen relativ kleinen Leistungsverbrauch aufweist, werden an der ersten Plattenoberfläche 43 angeordnet; und die ersten Plattenoberfläche 43 wird gegenüber der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 angeordnet.
  • In der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 wird ein teilweiser Bereich des kurzen flachen Abschnittes 21, welcher gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a angeordnet ist, oberflächenbehandelt (engl.: surface-finished) um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von nicht weniger als 0,7 vorzusehen.
  • Ein kleines wärmeerzeugendes Bauteil 44b, in welchem der Leistungsverbrauch relativ gering ist, wird an der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40 angeordnet und die zweiten Plattenoberfläche 44 wird gegenüber der inneren Oberfläche der Basis 30 angeordnet. Die innere Oberfläche der Basis 30 wird mit einer thermisch leitenden schwarzen Farbe beschichtet und ein Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 wird an einem partiellen Bereich der Basis 30 ausgebildet und, wie in 6 gezeigt, wird die Wärme, die von dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a erzeugt wurde, an den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 über einen Wärmeübertragungsmechanismus 12 und ein Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 übertragen. Im Übrigen wird ein Detail des Wärmeübertragungsmechanismus 12 später unter Bezugname auf 10 bis 13 oder auf 14 beschrieben.
  • In 4. und 5 umfasst die Abdeckung gefaltete Teile 25a bis 25b (25c ist nicht in der Zeichnung gezeigt) an vier Ecken, welche später in 7 beschrieben werden. Wie in 4 gezeigt werden die gefalteten Teile 25a bis 25d (25a und 25b sind nicht in der Zeichnung gezeigt) gefaltet und demgemäß werden die Abdeckung 20 und die Basis 30 verbunden bzw. integriert.
  • Ferner sind die drei umgebenen Umfangsabschnitte 23, 33, der Abdeckung 20 und die Basis 30 und die Teilumfangsabschnitte 24, 34 in einer konvexen und konkaven Oberfläche ausgebildet, wobei mit dem wasserfesten Dichtmittel 11a, 11b, 11c, wie in 5 und 3 gezeigt, beschichtet wird.
  • In 6 ist der Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35, der an der Basis 30 vorgesehen ist, an dem oberen linken Eckenabschnitt, wie in 1 gezeigt, vorgesehen; und die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteils 43a wird an den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 über den Wärmeübertragungsmechanismus 12 und das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 (wird später beschrieben) übertragen und die erzeugte Wärme wird an die gesamte Basis 30 abgeführt, um eine Wärmeabführung durchzuführen.
  • Ferner wird die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteils 43a von dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 an die Abdeckung 20 über das Dichtmittel 11a übertragen und wird als Ganzes an die Abdeckung 20 abgeführt, um eine Wärmeabführung durchzuführen.
  • In 7 sind von den gefalteten Teilen 25a bis 25d (25c ist nicht in der Zeichnung gezeigt), die an den vier Ecken der Abdeckung 20 vorgesehen sind, die gefalteten Teile 25c und 25d in 4 gezeigt und die gefalteten Teile 25a und 25b in 6 gezeigt.
  • Von gefalteten Teilen 25a bis 25d werden die gefalteten Teile 25a, 25b mit einem ungeladenen Loch (engl. unloaded hole) 26a, 26b ausgebildet und, wenn das Loch der inneren Oberfläche oder die gesamte innere und äußere Oberfläche der Abdeckung 20 mit elektrostatischer schwarzer Basisfarbe beschichtet wird, werden tragende Aufhängungen (nicht in der Zeichnung gezeigt) durch die ungeladenen Löcher 26a, 26b hindurchgeführt und demgemäß kann die Abdeckung 20 in einer stabilen Stellung getragen werden.
  • Im Übrigen ist es möglich, ungeladene Löcher 26c, 26d anstatt der ungeladenen Löcher 26a, 26b auszubilden; jedoch, um ein Aufhängen in einer falschen Richtung zu vermeiden, werden die ungeladenen Löcher ausgebildet, um auf zwei Punkte begrenzt zu sein.
  • Zusätzlich ist eine Spaltabmessung zwischen der inneren Oberfläche des großen flachen Abschnittes 22 der Abdeckung 20 und der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40 und die Spaltabmessung zwischen der inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes 21 und der ersten Plattenoberfläche 43 mit einem Höhenunterschied des 1,5 bis 2,5-fachen ausgebildet und die Oberflächen, die den Höhenunterschied aufweisen, werden mittels eines steilen Gradienten verbunden, welcher einen Neigungswinkel von nicht weniger 45 Grad aufweist.
  • Daher wird ein hohes Bauteil hin zu dem hohen flachen Abschnitt 22 versetzt, so das der Spalt zwischen dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a und dem kurzem flachen Abschnitt 21 verkürzt wird und ein Oberflächenbereich der Abdeckung 20 erhöht wird, um die wärmeableitenden Eigenschaften zu verbessern.
  • Im folgenden wird ein Betrieb und ein Effekt des Plattenunterbringungsgehäuses 10 der an dem Fahrzeug angeordneten elektronischer Einrichtung gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf 8, welche ein Kennliniendiagramm von Temperaturanstiegen ist, und unter Bezugnahme auf 9, welche eine Ansicht ist, die eine Liste von messbaren Parametern zu den in 8 gezeigten Kennlinien zeigt, beschrieben.
  • In 8 stellt die Beziehung zwischen dem Temperaturanstiegswert, der durch die Längsachse verkörpert wird, und dem Leistungsverbrauch, der durch die Querachse verkörpert wird, die Beziehung zwischen Leistungsverbrauch entsprechend einer angelegten Versorgungsspannung und einem maximalen Temperaturanstiegswert der äußeren Oberflächentemperatur des wärmeerzeugenden Bauteils dar.
  • Die angelegte Versorgungsspannung ist eine variable Versorgungsspannung, die an einem Leistungsschaltkreis und einem Steuerschaltkreisbauteil (nicht gezeigt in der Zeichnung), das an der Schaltkreisplatte 40 bei einer vorgegebenen Umgebungstemperatur angeordnet wird, anliegt und betreffend den Fall, bei dem das Plattenunterbringungsgehäuse 10, in dem die Schaltkreisplatte 40 untergebracht ist, an einem vorgegebenen Ort angeordnet und befestigt wird.
  • Von den vier in 8 gezeigten Kennlinien hängen verschiedenen Punkte, die als normal und als Beispiele 1 bis 3 beschrieben werden, von einem in 9 gezeigten Parameterunterschied ab.
  • In 9 beschreibt ein als normal beschriebener Punkt den Fall, in dem die Abdeckung 20, die aus Aluminium hergestellt wurde, und die Basis 30, die aus Aluminium hergestellt wurde, verwendet werden und die Oberflächen der Abdeckung 20 und der Basis 30 in einem Aluminiumbasismaterial gehalten werden, welches nicht dunkel beschichtet ist und in diesem Fall beträgt der Verbrauchswert 3,7 W, bei welchem der Temperaturanstiegswert einen zulässigen Temperaturanstiegswert von 30°C einnimmt.
  • Im Übrigen ist die Oberfläche des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a schwarz und seine flachen Oberflächenabmessungen betragen 15 × 20 mm; wohingegen der Freiraumspalt zwischen der inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes 21 der Abdeckung 20 und der Oberfläche des wärmeerzeugenden Bauteils 43a 10 mm beträgt. Ferner beträgt die Abmessung des kleinen Spaltabschnittes G1, der mit dem Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 zu füllen ist, 0,5 mm.
  • In einem als Beispiel 1 beschriebenen Beispiel wird die innere und äußere Oberfläche der Abdeckung 20 in einem nicht wärmeübertagenden Schwarz in Vergleich zu einem normalen Produkt beschichtet und der Koeffizient der Wärmeabstrahlung in diesem Experiment beträgt 0.8.
  • In diesem Fall weist der Leistungsverbrauch einen Wert von 5,1 W auf, bei dem der Temperaturanstiegswert einen zulässigen Temperaturanstiegswert von 30°C einnimmt und ein verbesserter Effekt von 138% wird verglichen mit dem normalen Produkt erhalten.
  • In einem als Beispiel 2 beschriebenen Beispiel werden die innere und äußere Oberfläche der Abdeckung 20 und der Basis 30 mit einem nicht wärmeübertragenden Schwarz in Vergleich zu dem normalen Produkt beschichtet und beide Wärmeabstrahlungskoeffizienten betragen 0.8.
  • In diesem Fall weist der Leistungsverbrauch einen Wert von 4,9 W auf, bei dem der Temperaturanstiegswert den zulässigen Temperaturanstiegswert von 30°C einnimmt und ein verbesserter Effekt von 132% wird verglichen mit dem normalen Produkt erhalten.
  • In diesem Zusammenhang jedoch verschlechtert sich der verbesserte Effekt auf 96% im Vergleich zu dem von Beispiel 1 und dies begründet sich damit, dass der Wärmeübertragungswiderstand auf Grund der nicht wärmeübertragenden schwarzen Beschichtung ansteigt, wenn. Wärmeübertragung an die Basis 30 mittels des Wärmeübertragungsmechanismus 12 durchgeführt wird.
  • In einem als Beispiel 3 beschriebenen Beispiel wird die innere Oberfläche der Basis 30 mit einem nicht wärmeübertragenden Schwarz im Vergleich zu dem normalen Produkt beschichtet und der Koeffizient der Wärmeabstrahlung in diesem Experiment beträgt 0,8.
  • In diesem Fall weist der Leistungsverbrauch einen Wert von 3,5 W auf, wobei der Temperaturanstiegswert den zulässigen Temperaturanstiegwert von 30°C einnimmt und der verbesserte Effekt verschlechtert sich auf 94% im Vergleich zu dem des normalen Produktes.
  • Dies begründet sich damit, dass der Wärmeübertragungswiderstand auf Grund der nicht wärmeübertragenden schwarzen Beschichtung ansteigt, wenn Wärmeübertragung an die Basis 30 mittels des Wärmeübertragungsmechanismus 12 durchgeführt wird.
  • Im Übrigen beträgt die Beschichtungsfarbe der äußeren Oberflächen der Abdeckung 20 und der Basis 30 bevorzugt glänzendes Weiß in dem Fall, in dem eine Hochtemperaturwärmequelle in der Nähe der äußeren Oberflächen vorliegt; jedoch in dem Fall der Anordnungsumstände, in denen die Wärmeableitung von den äußeren Oberflächen der Abdeckung 20 und der Basis 30 durchgeführt wird, ist es vorteilhaft die äußeren Oberflächen in schwarz wie die inneren Oberflächen zu beschichten. Der Koeffizient der Wärmeabstrahlung der Oberfläche mittels der schwarzen Beschichtung ist bevorzugt in der Nähe von 1,0; jedoch wenn die Verfügbarkeit auf dem Markt und der tatsächliche Effekt in Betracht gezogen werden, ist es geeignet, dass sich der Wärmeabstrahlungskoeffizient in dem Bereich von 0,7 bis 1,0 befindet.
  • Ferner wird wärmeleitende schwarze Farbe umfassend Metalloxid oder ein keramikbasiertes Übertragungsfüllmaterial für die innere Oberfläche der Basis 30 verwendet und demgemäß, wenn die Wärmeübertragung an die Basis 30 mittels des Wärmeübertragungsmechanismus 12 durchgeführt wird, steigt der Wärmeübertragungswiderstand nicht an, Wärmeabführung mittels Wärmeübertragung und Wärmeabführung durch Abstrahlung werden gemeinsam verwendet, und verbesserte und noch exzellentere Eigenschaften verglichen mit dem Beispiel 1 können erhalten werden.
  • Ferner verwendet das Dichtmittel 11a, das zwischen dem umgebenden Umfangsabschnitt 23 der Abdeckung 20 und dem umgebenen Umfangsabschnitt 33 der Basis 30 aufgetragen wird, Silikonharzmaterial umfassend Wärmeübertragungsfüllmaterial wie in dem Wärmeübertragungsfüllmaterial 13, das zwischen dem Wärmeübertragungsmechanismus 12 und dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 gefüllt und beschichtet wird; und demgemäß wird die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteils 43a nicht nur über den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 an die Basis 30 abgeführt, sondern auch an die Abdeckung 20 über das Dichtmittel 11a. Folglich werden die Wärmeabführungseigenschaften verbessert. In diesem Fall, in dem Fall, in dem die inneren Oberflächen der umgebenden Umfangsabschnitte 23, 33 nicht beschichtet sind oder beschichtet sind, ist es effektiv thermisch leitende Farbe zu verwenden.
  • In der vorgenannten Beschreibung ist zumindest die innere Oberfläche der Abdeckung 20 vollständig beschichtet; jedoch, in dem Fall, indem die Anzahl an ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen 43b, die an der ersten Plattenoberfläche 43 vorgesehen ist, gering ist und die ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteile 43b keine Wärmeerzeugung erwirken, kann ein Teil der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 schwarz beschichtet sein.
  • Der beschichtete Bereich in diesem Fall ist bevorzugt eingestellt, um nicht geringer als 15 × 20 mm zu sein, d. h., der Oberflächenbereich des wärmeerzeugenden Bauteils 43a und nicht mehr als die Abmessung von (10 + 15 + 10) × (10 + 20 + 10) = 35 × 40 mm in Anbetracht einer Spaltabmessung von 10 mm, welches die Abmessung zwischen der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 und dem wärmeerzeugenden Bauteil 43 ist.
  • Die vorgenannte Beschreibung beschreibt die Abdeckung 20 und die Basis 30, welche durch Blechmetallbearbeitung von Aluminiumplattenmaterial hergestellt werden; jedoch kann zumindest eines oder beide mittels eines Aluminiumformgießvorganges hergestellt werden.
  • Ferner ist es möglich, dass die gefalteten Teile 25a bis 25d, die an vier Ecken der Abdeckung 20 vorgesehen sind, weggelassen werden, Gewindelöcher an vier Ecken der Abdeckung 20 oder der Basis 30 vorgesehen werden, ein ungeladenes Loch an jeder der vier Ecken der Basis 30 oder der Abdeckung 20 an der gegenüberliegenden Seite vorgesehen wird, und beide mittels vier Schrauben schraubfixiert und befestigt werden.
  • Im Übrigen weist das wärmeerzeugende Bauteil 43a im Allgemeinen eine dünne und flache Struktur auf, um die Wärmeabstrahlungseigenschaften zu verbessern, jedoch, in dem Fall, indem ein spezielles wärmeerzeugendes Bauteil verwendet wird, welches auch ein großes Bauteil ist und einen relativ hohen Leistungsverbrauch zusätzlich zu dieser Sorte des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a aufweist, wird das spezielle wärmeerzeugende Bauteil unter dem großem flachen Abschnitt 22 angeordnet, Wärmeübertragung und Abführung an die Basis 30 werden über den Wärmeübertragungsmechanismus 12 und das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 wie in dem Fall wärmeerzeugenden Bauteiles 43 durchgeführt, und die innere Oberfläche des großen flachen Abschnittes 22 wird mit schwarzer Farbe beschichtet; und demgemäß können die Wärmeübertragungseigenschaften verbessert werden.
  • Es ist aus der vorgenannten Beschreibung ersichtlich, dass gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die an einem Fahrzeug angeordnete elektronische Einrichtung vorgesehen ist, wobei das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die Schaltkreisplatte 40 verwendet wird, welche mit dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a und dem externen Verbindungsverbinder 43 an der ersten Plattenoberfläche 43 davon versehen wird, wobei die Schaltkreisplatte 40 hermetisch abgedichtet wird und in einer eingeklemmten Beziehung in dem Gehäuse gehalten wird, welches die Metallbasis 30 und Metallabdeckung 20 umfasst und die Schaltkreisplatte 40, die die Endoberfläche des Harzverbindergehäuses 41 ausbildet, an der Seite des Gehäuses exponiert ist. Die Basis 30 weist eine Materialdicke auf, welche eine Dickenabmessung gleich oder größer als die Materialdicke der Abdeckung ist, wobei die Basis mit Anbringbeinen 31, 32 zum Zweck, dass diese an einer Oberfläche fixiert und angeordnet werden, und die Basis 30 gegenüber der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40 angeordnet wird; wobei die Abdeckung den großen flachen Abschnitt 22, der gegenüber der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40 angeordnet ist und der gegenüber dem Verbindergehäuse 41 angeordnet ist und den kurze flache Abschnitt 21, welcher gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a angeordnet ist, aufweist; die Abdeckung 20 und die Basis 30 weisen umgebende Unfangsabschnitte 23, 33, die in Kontakt miteinander über das wasserdichte Dichtmittel 11 gelangen, und die Teilumfangsabschnitte 24, 34, die in Kontakt mit dem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuses 41 über Dichtmittel 11b, 11c gelangen, auf; wobei das wärmeerzeugende Bauteil 43a thermisch in Bezug auf den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 der Basis 30 mittels des Wärmeübertragungsmechanismus 12 und den kleinen Spaltabschnitt G1, in den das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt ist, gekoppelt ist und die Qualität des Materiales oder der Farbton des externen Materiales des wärmeerzeugenden Bauteiles 43 einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 aufweist; und der kurze flache Abschnitt 21, welcher die innere Oberfläche der Abdeckung 20 darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil 43 mit einem Spalt dazwischen angeordnet ist, oberflächenbehandelt ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  • Die Spaltabmessung zwischen der inneren Oberfläche des großen flachen Abschnittes 22 der Abdeckung 20 und der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40 und die Spaltabmessung zwischen der inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes 21 und der ersten Plattenoberfläche 43 werden mit einem Höhenunterschied des 1,5 bis 2,5 fachen ausgebildet und die Oberflächen, die den Höhenunterschied aufweisen, werden mittels eines steilen Gradienten, der einen Neigungswinkel von nicht weniger als 45 Grad aufweist, verbunden.
  • Wie oben beschrieben, existiert unter Bezugnahme auf Anspruch 2 der vorliegenden Erfindung nicht weniger als der vorgegebenen Höhenunterschied zwischen dem großen flachen Abschnitt 22 und dem kurzen flachen Abschnitt 21 der Abdeckung 20 und der große flache Abschnitt 22 und der kurz flache Abschnitt 21 werden mit nicht weniger als dem vorgegebenen steilen Gradienten verbundnen.
  • Daher ist der obige Aufbau dadurch gekennzeichnet, das das große Bauteil zu dem großen flachen Abschnitt 22 versetzt ist, so dass der Spalt zwischen dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a und dem kurzem flachen Abschnitt 21 verkürzt werden kann und der Oberflächenbereich der Abdeckung 20 erhöht wird, um in der Lage zu sein die Wärmeabführungseigenschaften zu verbessern.
  • Die Oberflächenbehandlung, die an der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 angewendet wird, ist eine, bei welcher eine dunkle Basisbeschichtung angelegt wird oder eine dunkle Basisfarbe gesprüht wird, aufgestempelt (engl.: stamp-coated) oder mittels einer Bürste aufgetragen wird; und ein Bereich der Oberflächenbehandlung weist einen Bereich, in dem ein flacher Bereich gegenüber des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a als die untere Begrenzung festgelegt ist, und einen flachen Bereich, in dem eine Spaltabmessung zu dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a sich in vier Richtungen in Bezug auf den unteren Grenzbereich erstreckt, als die obere Grenze festgelegt ist, auf.
  • Wie oben beschrieben, stellt sich unter Bezug auf Anspruch 3 der vorliegenden Erfindung der Bereich der Oberflächenbehandlung, die an die innere Oberfläche der Abdeckung 20 anzulegen ist, so dar, dass die Oberfläche gegenüber des wärmeerzeugenden Bauteiles als untere Begrenzung festgelegt wird und die sich erstreckende gegenüberliegende Oberfläche, die mittels der Spaltabmessung hinzugefügt wird, als die obere Grenze festgelegt wird.
  • Daher kennzeichnet sich die obige Ausführung dadurch aus, dass die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a effizient an die Abdeckung 20 abgeführt werden kann, während der Betrag, der zum Streichen oder Anhaften der Lage verwendet wird, unterdrückt wird und die Oberflächenbehandlung mittels einfacher Werkzeugausstattung durchgeführt werden kann.
  • Die erste Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40 wird mit einer Vielzahl der ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteile 43b, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Kapazität, die jeweils gegenüber der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind, versehen; die Oberflächenbehandlung, die an der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 anzulegen ist, ist vollständig mit schwarzer Farbe an zumindest der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 durchgeführt; und die Abdeckung 20 ist mit den gefalteten Teilen 25a bis 25d versehen, die an der Basis 30 an vier Ecken davon befestigt werden und einige der gefalteten Teile 25a bis 25d sind mit dem ungeladenen Loch 26a, 26b versehen, in welches eine tragende Aufhängung eingeführt wird, wenn die Abdeckung 20 vollständig beschichtet wird.
  • Wie oben beschrieben, ist unter Bezugnahme auf Anspruch 5 der vorliegenden Erfindung die innere Oberfläche der Abdeckung 20 vollständig mit schwarzer Farbe beschichtet und einige gefalteten Teile 25a bis 25d zum Abdichten und Befestigen der Abdeckung 20 und der Basis 30 sind mit dem ungeladenen Loch 26a, 26b versehen, in das die tragende Aufhängung eingeführt wird.
  • Daher gekennzeichnet sich der obige Ausbau dadurch aus, dass, wenn die Vielzahl an verstreuten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen 43b, 44b an der Schaltkreisplatte 40 angeordnet werden, die Oberflächenbearbeitung an der inneren Oberfläche der Abdeckung 20 einfach ist und die Abdeckung 20 in einer stabilen Stellung vollständig beschichtet wird.
  • Die zweite Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40 wird mit einer Vielzahl der zweiten kleinen wärmeerzeugenden Bauteile 44b, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Kapazität dienen, die jeweils gegenüber der inneren Oberfläche der Basis 30 mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind, versehen und die gesamte innere Oberfläche der Basis 30 wird mit einer thermisch leitenden schwarzen Farbe umfassend Metalloxid oder ein keramikbasiertes Wärmeübertragungsfüllmaterial beschichtet, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  • Wie oben beschrieben wird gemäß Anspruch 6 der vorliegenden Erfindung die gesamte innere Oberfläche der Basis 30 mit beispielsweise hoch thermisch leitender schwarzer Farbe beschichtet, welches eine keramikbasierte Farbe ist.
  • Daher ist der obige Aufbau dadurch gekennzeichnet, das die thermische Leitfähigkeit des wärmeerzeugenden Bauteiles, welches einen hohen Verbrauch aufweist und dessen Wärme an die innere Oberfläche der Basis 30 über den Wärmeübertragungsmechanismus 12 und das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 übertragen wird, nicht von der Farbe blockiert, mit der die inner Oberfläche der Basis 30 beschichtet ist; und die erzeugte Wärme des zweiten kleinen wärmeerzeugenden Bauteils 44b, das an der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40 angeordnet wird, kann effizient an die inner Oberfläche der Basis 30 abgeführt werden.
  • Der Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 ist an einer Position in der Nähe des umgebenen Umfangsabschnittes 33 der Basis 30 angeordnet; das Dichtmittel 11a, das in Oberflächen zu füllen ist, die in Kontakt mit umgebenen Umfangsabschnitten 23, 33, der Abdeckung 20 und Basis 30 gelangen, ist das gleiche Material wie das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 das zwischen das wärmeerzeugende Bauteil 43a und den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 gefüllt wird und das Dichtmittel 11a ist ein Silikonharz umfassend Wärmeübertragungsfüllmaterial, welches elektrisch nicht leitend ist; und die inneren Oberflächen der umgebenden Umfangsabschnitte 23, 33 der Abdeckung 20 und der Basis 30 werden nicht beschichtet oder werden mit thermisch leitender Farbe beschichtet.
  • Wie oben beschrieben wird gemäß Anspruch 7 der vorliegenden Erfindung der Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35 des wärmeerzeugenden Bauteiles 43 an dem umgebenen Umfangsabschnitt 33 der Basis 30 vorgesehen und die umgebenen Umfangsabschnitte 23, 33 der Basis 30 und die Abdeckung 20 werden mittels des wärmeübertragenden Dichtmittels 11a, 11b, 11c wasserdicht gemacht.
  • Daher kennzeichnet sich der obige Aufbau dadurch aus, das die erzeugte Wärme des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a durch in Kontakt bringen mit sowohl der Basis 30 als auch der Abdeckung 20 übertragen wird und die Wärmeabführungseigenschaften verbessert werden.
  • Ausführungsform 2.
  • Im Folgenden erfolgt eine Beschreibung von 10 und 11, welche Querschnittsansichten sind und 12, 13, welche Draufsichten sind, welche jeweils einen Wärmeübertragungsmechanismus 12A eines Plattenunterbringungsgehäuses für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Im Übrigen ist 11 eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie XI-XI, in die in 10 gezeigt ist, gemacht wurde, und identische Bezugszeichen zu denen der vorherigen Zeichnungen stellen dieselben oder entsprechende Elemente dar. Ferner stellt Ausführungsform 2 ein Detail des Wärmeübertragungsmechanismus 12 von Ausführungsform 1 dar, Beschreibungen von anderen Bezugszeichen werden direkt in diese Ausführungsform eingeschlossen oder mittels eines zugeordneten Bezugszeichens A bezeichnet.
  • In 10 und 11 ist eine Elektronikplatte (engl.: electronic board) 40A an einem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A angeordnet, welcher eine Vielzahl von isolierten Vorsprungsabschnitten 36A, 36A aufweist, wobei ein kleiner Spaltabschnitt G1 mittels der Höhenabmessung des isolierten Vorsprungabschnittes 36A festgelegt ist und an der gegenüberliegenden Oberfläche der Elektronikplatte 40A ist ein wärmeerzeugendes Bauteil 43Aa, welches eine wärmeabführende Elektrode 46A und Oberflächenverbindungselektroden 45 aufweist, vorgesehen.
  • Eine Vielzahl der Oberflächenverbindungselektroden 45, die links und rechts des wärmeerzeugenden Bauteiles 43Aa angeordnet sind, ist in einer Vielzahl an Verkabelungsmustern 48c jeweils mit einer Lötpaste 50 versehen, wobei die Verkabelungsmuster 48c an einer ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40A vorgesehen sind.
  • Die wärmeableitende Elektrode 46A des wärmeerzeugenden Bauteiles 43Aa ist auf einem ersten Wärmeübertragungsmuster 48a mittels der Lötpaste 50 angeordnet, wobei das erste Wärmeübertragungsmuster 48a an der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40A vorgesehen ist. In diesem Zusammenhang zeigt 11 jedoch einen Zustand bevor die Lötpaste 50 erhitzt und geschmolzen wird und tatsächlich wird die Schaltkreisplatte 40 an der inneren Oberfläche der Basis nach dem Löten durch Erwärmen und Schmelzen angeordnet.
  • Ein zweites Wärmeübertragungsmuster 48b ist auf einer zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40A vorgesehen und das erste Wärmeübertragungsmuster 48a und das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b sind mittels einer plattierten Schicht 47b (wird später in 10 beschrieben) verbunden. Im Übrigen ist ein leeres Fenster 52 (wird später in 13 beschrieben) in dem zweiten Wärmeübertragungsmuster 48b vorgesehen und der isolierte Vorsprungsabschnitt 36A kommt in Kontakt mit dem leeren Fenster 52.
  • Ein Lötstopplack (engl.: solder resist film) 49 wird auf die erste Plattenoberfläche 43 und die zweite Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40A aufgedruckt, außer an Abschnitten, an denen die Lötpaste 50 aufgebracht und gelötet wird, und dem gemäß wird überschüssiges Lötmittel daran gehindert herauszufließen und Kupferfolienmuster (engl.: copper foil pattern) werden am Oxidieren und Korrodieren gehindert.
  • Ein Wärmeübertragungsfüllmaterial 13, welches ein Silikonharz ist, das elektrisch nicht leitend ist und beispielsweise Metalloxid oder ein keramikbasiertes Wärmeübertragungsfüllmaterial umfasst, wird zwischen die Leiterplatte 40A und den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A gefüllt und aufgetragen, wobei die Schaltkreisplatte 40A gegenüber dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A mit einem kleinen Spaltabmaß von beispielsweise 0,55 mm zu dem isolierten Vorsprungsabschnitt 36A angeordnet ist.
  • Im Übrigen wird in dem Fall, in dem der Lötstopplack 49 nicht thermisch leitend ist, der Lötstopplack 49 nicht an einem Abschnitt gegenüber des Wärmeübertragungsbasisabschnittes 35A vorgesehen; und das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b gerät direkt in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A über das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13.
  • In 10 ist ein Wärmeübertragungsdurchgangloch 47a, welches durch die Schaltkreisplatte 40A verläuft, zwischen dem ersten Wärmeübertragungsmuster 48a und dem zweiten Wärmeübertragungsmuster 48b vorgesehen; und eine plattierte Schicht 47b ist an der inneren Umfangsoberfläche des Wärmeübertragungsdurchgangslochs 47a ausgebildet.
  • Im Übrigen, wie später in 12 und 13 beschrieben wird, sind die Wärmeübertragungsdurchgangslöcher 47a in mehrfacher Anzahl vorgesehen, um Wärme zwischen dem ersten Wärmeübertragungsmuster 47a und dem zweiten Wärmeübertragungsmuster 48b zu übertragen, und die Wärmeübertragungslöcher 47a sind ebenfalls elektrisch leitend.
  • Ferner, um eine Verbindung zwischen den Schichten der verschiedenen Schaltkreismuster (engl.: circuit patttern) durchzuführen, ist eine große Anzahl an Via-Löchern (engl. via holes) 57a in der Schaltkreisplatte 40A ausgebildet, und diese Schaltkreismuster sind elektrisch mittels plattierter Schichten 57b verbunden, die jeweils an dem inneren Umfang des Via-Loches 57a vorgesehen sind.
  • Der Lötstopplack 49 ist nicht an einigen oder an allen Via-Löchern 57a vorgesehen; und demgemäß werden luftdurchlässige Eigenschaften zwischen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A sichergestellt und ein hermetischer Raum an der Abdeckungsseite 20 und ein hermetischer Raum an der Basisseite stehen in Verbindung, um keinen großen Temperaturunterschied zu erzeugen.
  • Der Lötstopplack 49 ist an im Wesentlichen der gesamten Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A ausgebildet und daher ist es wesentlich den Wärmeabstrahlungskoeffizienten davon zu verbessern. Insbesondere ist der Lötstopplack 49 auch an einem Abschnitt aufgetragen bzw. beschichtet, an dem ein Kupferfolienmuster durch Ätzen entfernt wurde und Harzbasismaterial exponiert ist; und daher, falls thermische Leitfähigkeit und der Wärmeabstrahlungskoeffizient des Lötstopplacks 49 hoch sind, kann der Wärmeabstrahlungskoeffizient der inneren Oberflächen der Abdeckung 20 und der Basis 30 verbessert werden.
  • Die thermische Leitfähigkeit und der Wärmeabstrahlungskoeffizient des Lötstapplacks 49 weisen bevorzugt so hohe Wert wie möglich auf; jedoch, ausgehend von einer umfassenden Betrachtungsweise der Verfügbarkeit auf dem Markt und des Temperaturanstiegsunterdrückungseffektes, ist es geeignet einen auszuwählen, welcher ein auf dunkler Farbe basierender Lötstopplack ist, umfassend Metalloxid und ein auf Keramik basierendes Wärmeübertragungsfüllmaterial und aufweisend einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,6 bis 1,0.
  • In 12, ist das erste Wärmeübertragungsmuster 48a ein Kupferfolienmuster, das an der Bauteilanbringoberfläche der elektronischen Platte 40A vorgesehen ist und der größte Teil davon ist mit der Lötpaste 50 an einer Position beschichtet, an der die wärmeabführende Elektrode 46A des wärmeabstrahlenden Bauteiles 43A angelötet und verbunden ist.
  • Im Übrigen ist eine große Anzahl der wärmeübertragenden Durchgangslöcher 47a innerhalb des ersten Übertragungsmusters 48a angeordnet und an Positionen vorgesehen, an denen die Lötpaste 50 nicht aufgetragen wurde; und diese Bereiche sind mit dem Lötstopplack 49, in 10 und 11 gezeigt, beschichtet oder sind damit nicht beschichtet.
  • Ferner wird die Lötpaste 50 auf Signallektrodenanschlussflächen 51 aufgetragen, die mit dem Verkabelungsmuster 48c zu verbinden sind und die Oberflächenverbindungselektroden 45 des wärmeerzeugenden Bauteiles 43Aa werden an die Signalelektrodenanschlussflächen 51 gelötet.
  • In 13 wird das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b durch das Kupferfolienmuster der Schaltkreisplatte 40A ausgebildet und das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b wird durch Wärme an das erste Wärmeübertragungsmuster 48a der gegenüberliegenden Oberfläche mittels einer großen Anzahl der Wärmeübertragungsdurchgangslöcher 47a übertragen und damit verbunden.
  • Eine Vielzahl an leeren Fenstern 52, 52 ist an Positionen angeordnet, die den Positionen entsprechen, mit welchen die isolierten Vorsprungsabschnitte 36A, 36A in Kontakt kommen und das Kupferfolienmuster wird abgeschnitten und das auf Harz basierende Material wird exponiert. In diesem Zusammenhang kann jedoch derart ausgebildet werden, dass der Lötstopplack 49, der eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, an der gesamten Oberfläche des zweiten Wärmeübertragungsmusters 48b umfassend die leeren Fenster 52 vorgesehen ist und die isolierten Vorsprungsabschnitte 36A, 36A in Kontakt mit dem auf Harz basierenden Material über den Lötstopplack 49 gelangen.
  • Wie aus der vorgenannten Beschreibung ersichtlich ist, wird gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die an dem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung zu Verfügung gestellt, wobei des Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die Schaltkreisplatte 40A ist, welche an der ersten Plattenoberfläche 43 davon mit dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Aa und dem externen Verbindungsverbinder 42 angeordnet wird, wobei die Schaltkreisplatte 40A hermetisch versiegelt wird und in einer eingeklemmten Beziehung in dem Gehäuse gehalten wird, welches die Metallbasis 30 und die Metallabdeckung 20 umfasst, und die Schaltkreisplatte 40 bringt die Endoberfläche des Harzverbindergehäuses 41 dazu an der Seite des Gehäuses hervorzustehen. Die Basis 30 weist eine Materialdicke auf, welche eine Dickenabmessung aufweist, die gleich oder größer als die Materialdicke der Abdeckung ist, wobei die Basis 30 mit den Anbringbeinen 31, 32 versehen ist, damit diese an der anzuordnenden Oberfläche befestigt und installiert werden können, wobei die Basis 30 an der anzubringenden Oberfläche über Anbringbeine 31, 32 fixiert und angeordnet wird und die Basis 30 gegenüber der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40A angeordnet ist; wobei die Abdeckung 20 den großen flachen Abschnitt 22, der gegenüber der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40A angeordnet ist und gegenüber dem Verbindergehäuse 41 angeordnet ist, und den kurze flachen Abschnitt 21, welcher gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Aa angeordnet ist, aufweist; wobei die Abdeckung 20 und die Basis 30 die umgebenden Umgangsabschnitte 23, 33, die in Kontakt miteinander über das wasserdichte Dichtmittel 11a geraten, und die Teilumfangsabschnitte 23 und 24, die in Kontakt mit dem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuses 41 über das Dichtmittel 11b, 11c, geraten, aufweist; wobei das wärmeerzeugende Bauteil 43Aa in Bezug auf den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A der Basis 30 über den Wärmeübertragungsmechanismus 12A mittels der Wärmeübertragungsdurchgangslöcher 47a, die durch Schaltkreisplatte 40A verlaufen, und den kleinen Spaltabschnitt G1, in welchen das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt wird, thermisch gekoppelt ist und wobei die Qualität des Materiales oder der Farbton des externen Materiales des wärmeerzeugenden Bauteiles 43Aa einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 aufweist; und wobei der kurze flache Abschnitt 21, welcher die innere Oberfläche der Abdeckung 20 darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Aa mit einem Spalt dazwischen angeordnet ist, oberflächenbehandelt ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  • Der Wärmeübertragungsmechanismus 12A umfasst eine Vielzahl an Wärmeübertragungsdurchgangslöchern 47a, die jeweils die plattierte Schicht 47b zur thermischen Kopplung des ersten Wärmeübertragungsmusters 48a, welches an der ersten Plattenoberfläche 43 vorgesehen ist und an welches die wärmeabführende Elektrode 46A des wärmeerzeugenden Bauteils 43Aa gelötet ist, und das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b, welches an der zweiten Plattenoberfläche 44 vorgesehen ist, aufweisen; wobei der Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35A mit dem isolierten Vorsprungsabschnitt 36A zum Ausbilden des kleinen Spaltabschnittes G1, in welchen das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt und aufgetragen (engl.: coated) ist, versehen ist; und wobei die Schaltkreisplatte 40A mit den Via-Löchern 57a ausgebildet ist, welche die vordere und hintere Oberfläche davon verbinden, um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden, und wobei einige der Via-Löcher 57a und die vordere und hintere Oberflächen der Schaltkreisplatte 40A außer die Lötmittelverbindungsabschnitte mit dem Lötstopplack 49 versehen sind, so dass der Wärmeabstrahlungskoeffizient 0,6 bin 1,0 beträgt.
  • Wie oben beschrieben wurde, umfasst der Wärmeübertragungsmechanismus 12A unter Bezugnahme auf Anspruch 8 der vorliegenden Erfindung die Wärmeübertragungsdurchgangslöcher 47a, welche thermisch das erste Wärmeübertragungsmuster 48a und das zweite Wärmeübertragungsmuster 48b verbinden, die an der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A vorgesehen sind, den einen hohen Wärmeabstrahlungskoeffizienten aufweisenden Lötstopplack 49, der auf der Schaltkreisplatte 40A ausgebildet ist und luftdurchlässigen Eigenschaften werden zwischen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A durch die Via-Löcher 57a aufrecht erhalten.
  • Daher kennzeichnet sich der obige Aufbau dadurch aus, dass die direkte Wärmeübertragung von der ersten Plattenoberfläche 43 an die zweite Plattenoberfläche 44 und die Wärmeabstrahlungseigenschaften von dem Lötstopplack 49, der an im Wesentlichen der gesamten Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A ausgebildet ist, verbessert werden; und ein Temperaturunterschied zwischen hermetischen Räumen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A reduziert vereinheitlicht wird; und, sogar wenn ein Temperaturunterschied an der äußeren Oberfläche der Abdeckung 20 oder der äußeren Oberfläche der Basis 30 auftritt, wird die Wärmeabführung an entweder die Niedrigtemperaturseite verbessert bzw. kann im Mittel eine stabile Wärmeabführung durchgeführt werden, ohne von nur einer Wärmeabführung abhängig zu sein.
  • Ausführungsform 3
  • Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 14 beschrieben. 14 ist eine Schnittansicht, die einen Wärmeübertragungsmechanismus in einem Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung zeigt. Im Übrigen stellt Ausführungsform 3 ein Detail des Wärmeübertragungsmechanismuses 12 von Ausführungsform 1 dar, weshalb Erklärungen der übrigen Bezugszeichen direkt in diese Ausführungsform eingeschlossen werden bzw. mit einem Bezugsbuchstaben B, der hier zugeordnet wird, bezeichnet werden.
  • In 14 ist ein wärmeerzeugendes Bauteil 43Ba an einer ersten Plattenoberfläche 43 einer Schaltkreisplatter 40B befestigt, wobei das wärmeerzeugende Bauteil 43Ba ein wärmeerzeugendes Element 43Bb, das an einem Würfelblock (engl. die pad) 46B angeordnet ist, der als ein Wärmeübertragungselement dient, und einen Vielzahl an Oberflächenverbindungselektroden 45, 45 umfasst; und die Oberflächenverbindungselektroden 45, 45 werden an die Verkabelungsmuster 48c, die an der ersten Plattenoberfläche 43 der Schalkreisplatte 40B vorgesehen sind, gelötet und mit diesen verbunden.
  • Ein Plattendurchgangsabschnitt 53 ist in der Schaltkreisplatte 40B ausgebildet und ein zentraler Vorsprungsabschnitt 37, der einstückig mit einem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B ausgebildet ist, wird in den Plattendurchgangsabschnitten 53 eingeführt und die Endoberfläche des zentralen Vorsprungabschnittes 37 ist gegenüber des Würfelblocks 46B angeordnet, der in das wärmeerzeugende Bauteil 43Ba mit einem kleinen Spaltabschnitt G2 dazwischen eingeschlossen ist.
  • Im Übrigen zeigt der Plattendurchgangsabschnitt 53 in dieser Ausführungsform ein Fallbeispiel, in welchem eine Durchgangslochplattierung, welche elektrisch die Kupferfolie der vorderen Oberfläche und die Kupferfolie der hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B verbindet, ausgebildet ist.
  • Auf der anderen Seite ist eine Vielzahl an isolierten Vorsprungsabschnitten 36B, 36B, die jeweils eine Höhe von 0,5 mm aufweisen, einstückig mit dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B ausgebildet und die Vorsprungsabschnitte 35B, 36B liegen an der hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B an; und demgemäß wird der kleine Spaltabschnitt G2 zwischen dem Würfelblock 46B und dem zentralen Vorsprungsabschnitt 37 ausgebildet und ein kleiner Spaltabschnitt G1 wird zwischen den gegenüberliegenden Oberflächen der Schaltkreisplatte 40B und dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B ausgebildet. Ein Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 wird in kleine Spaltabschnitte G1, G2 gefüllt und aufgetragen.
  • Im Übrigen sind die anstoßenden Oberflächen (engl.: butting surfaces) der isolierten Vorsprungsabschnitte 36B, 36B und die Schaltkreisplatte 40B in dieser Ausführungsform Isolierbasismaterialien, bei welchen Kupferfolienmuster wie in dem Fall von 13 entfernt wurden; jedoch können inselförmige Anschlussflächen, die von den anderen Verkabelungsmustern abgetrennt wurden als die anstoßenden Oberflächen zur Verfügung gestellt werden.
  • Eine Vielzahl der Oberflächenverbindungselektronen 45, die an der rechten und linken Seite des wärmeerzeugenden Bauteils 43Ba angeordnet ist, ist auf einer Vielzahl der Verkabelungsmuster 36c jeweils mittels Lötpaste 50 angeordnet, wobei die Verkabelungsmuster 48C an der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40B vorgesehen werden. In diesem Zusammenhang zeigt 14 jedoch einen Zustand bevor die Lötpaste 50 erwärmt und geschmolzen wird und die Schaltkreisplatte 40B tatsächlich an der inneren Oberfläche der Basis 30 nach dem Löten durch Erwärmen und Schmelzen angeordnet wird.
  • Ein Lötstopplack 49 wird auf die erste Plattenoberfläche 43 und eine zweite Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40B außer an Abschnitten, an welchen die Lötpaste 50 angelegt und aufgelötet wird, aufgedruckt; und demgemäß wird überschüssiges Lötmittel daran gehindert herauszufließen und die Kupferfolienmuster werden am Oxidieren und Korrodieren gehindert.
  • Ferner ist, um eine Verbindung zwischen den Schichten der verschiedenen Schaltkreismustern auszubilden, eine große Anzahl an Via-Löchern 57a in der Schaltkreisplatte 40B ausgebildet; und solche Schaltkreismuster werden elektrisch mittels plattierter Schichten 57b verbunden, die jeweils an dem inneren Umfang des Via-Lochs 57a vorgesehen sind.
  • Der Lötstopplack 49 ist nicht an einigen oder an keinem dieser Via-Löchern 57a vorgesehen und demgemäß werden luftdurchlässige Eigenschaften zwischen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40A sichergestellt und ein hermetischer Raum an der Abdeckungsseite 20 und ein hermetischer Raum an der Basisseite 30 werden miteinander in Verbindung gebracht, um keinen nennenswerten Temperaturunterschied zu erzeugen.
  • Der Lötstopplack 49 ist an im Wesentlichen der gesamten Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B ausgebildet; und daher ist es wesentlich den Koeffizienten der thermischen Leitfähigkeit und den Wärmeabstrahlungskoeffizienten davon wie in dem Fall von Ausführungsform 2 zu verbessern.
  • Wie aus der vorgenannten Beschreibung ersichtlich ist, wird gemäß Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung zur Verfügung gestellt, wobei das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die Schaltkreisplatte 40B ist, welche mit dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Ba und dem externen Verbindungsverbinder 42 an der ersten Plattenoberfläche 43 davon angeordnet ist, wobei die Schaltkreisplatte 40B hermetisch versiegelt ist und in einer eingeklemmten Beziehung in dem Gehäuse gehalten wird, welches die Metallbasis 30 und die Metallabdeckung 20 umfasst, und wobei die Schaltkreisplatte 40B die Endoberfläche des Harzverbindergehäuses 41 dazu bringt an der Seite des Gehäuses vorzustehen. Die Basis 30 weist einen Materialdicke auf, welche eine Dickenabmessung gleich oder größer als die Materialdicke der Abdeckung aufweist, wobei die Basis 30 mit Anbringbeinen 31, 32 zum Zwecke der Fixierung und Anordnung an einer Oberfläche, an der anzuordnen ist, versehen ist, wobei die Basis 30 an der Oberfläche, an der anzuordnen ist, über Anbringbeine 31, 32 befestigt und angeordnet wird, und wobei die Basis 30 gegenüber der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40B angeordnet ist; wobei die Abdeckung 20 den großen flachen Abschnitt 22, welcher gegenüber der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40B angeordnet ist und welcher gegenüber dem Verbindergehäuse 41 angeordnet ist und den kurzen flachen Abschnitt, welcher gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Ba angeordnet ist, aufweist; wobei die Abdeckung 20 und die Basis 30 die umgebenen Umfangsabschnitte 23, 33, die in Kontakt miteinander über das wasserdichte Dichtmittel 11a gelangen, und die Teilumfangsabschnitte 24, 34, die in Kontakt mit dem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuses 41 über das Dichtmittel 11b, 11c gelangen, aufweisen; wobei das wärmeerzeugende Bauteil 43Ba thermisch in Bezug auf den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B der Basis 30 über den Wärmeübertragungsmechanismus 12B mittels des Plattendurchgangsabschnittes 53 gekoppelt ist, der durch die Schaltkreisplatte 40B und kleine Spaltabschnitte G1, G2, in welche das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt ist, verläuft und die Qualität des Materiales oder die Farbtönung des äußeren, Materiales des wärmeerzeugenden Bauteiles 43Ba einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 aufweist; und wobei der kurze flache Abschnitt 21, welcher die innere Oberfläche der Abdeckung 20 darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Ba mit einem Spalt dazwischen angeordnet ist, oberflächenbehandelt ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 zur Verfügung zu stellen.
  • Der Wärmeübertragungsmechanismus 12B wird durch den Plattendurchgangsabschnitt 53 ausgebildet, in welchen der zentrale Vorsprungsabschnitt 37, der an dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B ausgebildet ist, eingeführt wird und ist gegenüber dem Würfelblock 46B des wärmeerzeugenden Bauteils 43Ba angeordnet; wobei der Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B mit dem isolierten Vorsprungsabschnitt 36B zum Ausbilden der kleinen Spaltabschnitte G1, G2 ausgebildet ist, in welche das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt und beschichtet wird; und wobei die Schaltkreisplatte 40B mit den. Via-Löchern 57a versehen ist, welche mit der vorderen und hinteren Oberfläche davon in Verbindung stehen, um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden, und wobei einige der Via-Löcher 57a und die vordere und hintere Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B außer den Lötmittelverbindungsabschnitten mit dem Lötstopplack 49 versehen sind, so dass der Wärmeabstrahlungskoeffizient 0,6 bis 1,0 beträgt.
  • Wie oben beschrieben umfasst in Bezugnahme auf Anspruch 9 der vorliegenden Erfindung der Wärmeübertragungsmechanismus 12B den Plattendurchgangsabschnitt 53, in welchem der zentrale Vorsprungsabschnitt 57, der an dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B ausgebildet ist, gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43Ba angeordnet ist, den einen hohen Wärmeabstrahlungskoeffizienten aufweisenden Lötstopplack 49, der an der Schaltkreisplatte 40B ausgebildet ist und luftdurchlässige Eigenschaften werden zwischen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B durch die Via-Löcher 57a aufrechterhalten.
  • Daher kennzeichnet sich der obige Aufbau dadurch aus, dass direkte Wärmeübertragung von dem wärmeerzeugenden. Bauteil 43Ba an den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35B und Wärmeabstrahlungseigenschaften von dem Lötstopplack 49, der an im Wesentlichen der gesamten Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B ausgebildet ist, verbessert werden; und ein Temperaturunterschied zwischen den hermetischen Räumen der vorderen und hinteren Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B reduziert und vereinheitlicht wird, und, sogar wenn ein Temperaturunterschied zwischen der äußeren Oberfläche der Abdeckung 20 und der äußeren Oberfläche der Basis 30 auftritt, wird die Wärmeabführung zu jeder Niedrigtemperaturseite verbessert und eine im Mittel stabile Wärmeabführung kann durchgeführt werden, ohne nur von einer Wärmeabführung abhängig zu sein.
  • Ausführungsform 4
  • Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 15(A), 15(B), 15(C) beschrieben. 15(A) ist eine Ansicht die eine Abdeckung in einem Plattenunterbringungsgehäuse für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung gemäß Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung zeigt, und 15(B) und 15(C) sind Schnittansichten, die jeweils einen isolierten Basisabschnitt zeigen. Im Übrigen stellt Ausführungsform 4 ein Detail des Abschnittes dar, in welchem die Abdeckung 20 und die Basis 30 der Ausführungsform 1 aneinander befestigt sind. Beschreibungen der anderen Bezugszeichen werden direkt in diese Ausführungsform übernommen oder mit dem Bezugszeichen B, dass ihnen zugeordnet wird, kenntlich gemacht. Ferner ist 15(A) eine Ansicht in Vogelperspektive der inneren Oberfläche einer Abdeckung 20A, 15(B) ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, in welcher die Abdeckung 20 und die Basis 20A und eine Basis 30A miteinander integriert sind; und 15(C) ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, in welcher eine Abdeckung 20B und eine Basis 30B gemäß einer weiteren Ausführungsform miteinander verbunden sind.
  • In 15(A) weist die Abdeckung 20A einen kurzen flachen Abschnitt 21, einen großen flachen Abschnitt 22, einen umgebenen Umfangsabschnitt 23, einen Teilumfangsabschnitt 24 und gefaltete Teile 25a bis 25d auf, die an vier Ecken vorgesehen sind; und die gesamten inneren Oberflächen des kurzen flachen Abschnittes 21 und des großen flachen Abschnittes 22 oder zumindest ein Teilbereich des kurzen flachen Abschnittes 21 ist mit schwarzer Basisfarbe beschichtet. Jedoch sind Abschnitte der vier Ecken umfassend die gefalteten Teile 25a bis 25d (mit einer Schraffur gezeigt) unbeschichtete Abschnitte, welche nicht beschichtet sind.
  • In 15(B) werden die Basis 20A und die Basis 30A durch falten der gefalteten Teile 25a bis 25d (25b bis 25d sind nicht in der Zeichnung gezeigt) miteinander verbunden; jedoch stellen die Oberflächen, die in Kontakt mit der Abdeckung 20A und der Basis 20B geraten, isolierte Basisabschnitte 28 dar und ein Abdichtungsspalt G zum Beschichten mit Dichtmittel 11a bis 11c (siehe 3) wird mittels des isolierten Basisabschnittes 28 sichergestellt. Die Oberflächen, die in Kontakt mit dem isolierten Basisabschnitten 28 gelangen, sind nicht beschichtete Abschnitte, die mit der Schraffur in 15(A) gezeigt werden; und die Abdeckung 20A steht in elektrisch leitendem Kontakt mit der Basis 30A über die unbeschichteten Abschnitte.
  • In 15(C) werden die Abdeckung 20B und die Basis 30B mittels einer Fixierschraube 39 geklemmt und fixiert, ohne von den gefalteten Teilen 25a bis 25d abhängig zu sein. Gestanzte Abschnitte 29 sind an den vier Ecken der Abdeckung 20B anstatt der gefalteten Teile 25a bis 25d vorgesehen; und eine inneres Gewinde ist an dem inneren Umfang des gestanzten Abschnittes 29 vorgesehen, um mit der Fixierschraube 39 verschraubt zu werden. Die isolierten Basisabschnitte 38 sind an vier Ecken der Basis 30B vorgesehen und ein Dichtungsspalt G zum Beschichten mit Dichtmittel 11a bis 11c (siehe 3) wird mittels der isolierten Basisabschnitte 38 sichergestellt. Die Oberflächen, die in Kontakt mit den isolierten Basisabschnitten 38 gelangen, sind unbeschichtete Abschnitte, welche nicht beschichtet sind; und die Abdeckung 20B steht in elektrisch leitendem Kontakt mit der Basis 30B über die unbeschichteten Abschnitte.
  • Wie aus der vorgenannten Beschreibung gemäß Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung ersichtlich ist, wird das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die an dem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung zu Verfügung gestellt, wobei das Plattenunterbringungsgehäuse 10 für die Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B ist, welche mit dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a, 43Aa, 43Ba und dem externen Verbindungsverbinder 42 an der ersten Plattenoberfläche 43 davon versehen ist, wobei die Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B, hermetisch versiegelt ist und in einer eingeklemmten Beziehung in dem Gehäuse gehauen wird, welches aufweist die Metallbasis 30A, 30B, und die Metallabdeckung 20A, 20B und die Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B, welche die Endoberfläche des Harzverbindergehäuses 41 dazu bringt an der Seite des Gehäuses hervorzustehen. Die Basis 30A, 30B weist eine Materialdicke auf, welche eine Dickenabmessung aufweist, welche gleich oder größer als die Materialdicke der Abdeckung 20A, 20B ist, wobei die Basis 30A, 30B, mit den Anbringbeinen 31, 32 zum Zwecke der Fixierung und Anordnung an einer anzuordnenden Oberfläche versehen ist, wobei die Basis 30A, 30B an der anzuordnenden Oberfläche mittels der Anbringbeine 31, 32 fixiert und installiert wird und wobei die Basis 30A, 30B gegenüber der zweiten Plattenoberfläche 44 der Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B angeordnet ist; wobei die Abdeckung 20A, 20B, den großen flachen Abschnitt 22, welcher gegenüber der ersten Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B angeordnet ist und welcher gegenüber dem Verbindergehäuse 41 angeordnet ist, und den kurzen flachen Abschnitt 21, welcher gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a, 43Aa, 43Ba angeordnet ist, aufweist; wobei die Abdeckung 20A 20B und die Basis 30A, 30B umgebende Umfangsabschnitte 23, 33, die in Kontakt miteinander über das wasserdichte Dichtmittel 11a gelangen, und die Teilumfangsabschnitte 24, 34, die in Kontakt mit dem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuses 41 über Dichtmittel 11b, 11c, gelangen, aufweisen; wobei das wärmeerzeugende Bauteil 43a, 43Aa, 43Ba thermisch in Bezug auf den Wärmeübertragungsbasisabschnitt 35, 35A, 35B der Basis 30A, 30B über den Wärmeübertragungsmechanismus 12, 12A, 12B mittels der Wärmeübertragungsdurchgangslöcher 47a oder den Plattendurchgangsabschnitt 53, der durch die Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B und die kleinen Spaltabschnitte G1, G2, in welche das Wärmeübertragungsfüllmaterial 13 gefüllt wird, verläuft, gekoppelt ist und wobei die Materialqualität oder der Farbton des externen Materials des wärmeerzeugenden Bauteiles 43a, 43A, 43Ba einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 aufweist; und der kurze flache Abschnitt 21, welcher die innere Oberfläche der Abdeckung 20A, 20B darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a, 43Aa, 43Bb mit dem Spalt dazwischen angeordnet ist, oberflächenbehandelt ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 zur Verfügung zu stellen.
  • Die erste Plattenoberfläche 43 der Schaltkreisplatte 40, 40A, 40B ist mit einer Vielzahl an ersten kleinen wärmeerzeugenden. Bauteilen 43b, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Kapazität dienen, die jeweils gegenüber der inneren Oberfläche der Abdeckung 20A, 20B mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind, versehen; und die an der inneren Oberfläche der Abdeckung 20A, 20B anzulegende Oberflächenbehandlung wird an Oberflächen angelegt, die gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil 43a, 43Aa, 43Ba angeordnet sind, und an den ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen 43b oder der gesamten inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes 22 angelegt. Die Oberflächenbehandlung wird an zumindest einer Verbindungskontaktierungsoberfläche mit der Basis 30A, 30B nicht durchgeführt, sogar wenn die Oberflächenbehandlung an die gesamte innere Oberfläche 20A, 20B durchgeführt wird. Mehrere Punkte der Abdeckung 20A, 20B oder der Basis 30A, 30B werden zu Kontaktoberflächen in Bezug auf die Basis 30A, 30B oder die Abdeckung 20A, 20B, um die isolierten Basisabschnitte 28, 38 zum Ermitteln der Dickenabmessung des Dichtmittels 11a vorzusehen und die Kontaktoberfläche wird nicht mit der schwarzen Farbe beschichtet, um in elektrischem Kontakt zu stehen und leitend zu sein.
  • Wie oben unter Bezugnahme auf Anspruch 4 der vorliegenden Erfindung beschrieben, ist die innere Oberfläche der Abdeckung 20A, 20B weitestgehend mit der schwarzen Farbe beschichtet und das Dichtmittel 11a bis 11c zwischen der Abdeckung 20A, 20B und der Basis 30A, 30B wird in der Spaltabmessung mittels des nicht beschichteten isolierten Basisabschnittes 28, 38 ermittelt.
  • Daher kennzeichnet sich der obige Aufbau dadurch aus, das die Dickenabmessung des Dichtmittels 11a bis 11c konstant wird und die Abdeckung 20A, 20B elektrisch integriert ist und elektrisch in Kontakt mit der Basis 30A, 30B steht; und demgemäß werden das Brechen eines Elektronikbauteiles aufgrund von elektrostatischer Induktion und das Auftreten von fehlerhaftem Betrieb eines Steuerschaltkreises unterdrückt. Während die derzeit bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben wurden, muss verstanden werden, dass diese Offenbarungen zum Zwecke der Darstellung gemacht wurden und dass verschiedenen Veränderungen und Modifizierungen gemacht werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung wie in den Ansprüchen dargelegt abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 4091568 [0007]
    • JP 2007-184428 [0007]
    • JP 2009-124023 [0007]
    • JP 2010-123787 [0007]

Claims (9)

  1. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für eine an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung, wobei das Plattenunterbringungsgehäuse (10) zum Unterbringen einer Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) verwendet wird, welche mit einem ersten wärmeerzeugenden Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) und einem externen Verbindungsverbinder (42) an einer ersten Plattenoberfläche (43) davon versehen wird, wobei die Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) hermetisch versiegelt ist und in einer eingeklemmten Beziehung in einem Gehäuse gehalten wird, welches eine Metallbasis (30, 30A, 30B) und eine Metallabdeckung (20, 20A, 20B) umfasst und wobei die Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) die Endoberfläche eines Harzverbindergehäuses (41) dazu bringt an der Seite des Gehäuses hervorzustehen, wobei die Basis (30, 30A, 30B) eine Materialdicke aufweist, welche eine Dickenabmessung aufweist, die gleich oder mehr als die Materialdicke der Abdeckung (20, 20A, 20B) beträgt, wobei die Basis (30, 30A, 30B) versehen ist mit Anbringbeinen (31, 32) zum Zwecke der Fixierung und Anordnung an einer anzubringenden Oberfläche, und wobei die Basis (30, 30A, 30B) gegenüber einer zweiten Plattenoberfläche (44) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) angeordnet ist; wobei die Abdeckung (20, 20A, 20B) einen großen flachen Abschnitt (22), welcher gegenüber der ersten Plattenoberfläche (43) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) angeordnet ist und welcher gegenüber des Verbindergehäuses (41) angeordnet ist, und einen kurzen flachen Abschnitt (21), welcher gegenüber des wärmeerzeugenden Bauteils (43a, 43Aa, 43Ba) angeordnet ist, aufweist; wobei die Abdeckung (20, 20A, 20B) und die Basis (30, 30A, 30B) umgebende Umfangsabschnitte (23, 33), die in Kontakt miteinander über ein Dichtmittel (11a) gelangen, und Teilumfangsabschnitte (24, 34), die in Kontakt mit einem Umfangsabschnitt des Verbindergehäuse über das Dichtmittel (11b, 11c) gelangen, aufweisen; wobei das wärmeerzeugende Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) thermisch in Bezug auf einen Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35, 35A, 35B) über einen Wärmeübertragungsmechanismus (12, 12A, 12B) und einen kleinen Spaltabschnitt (G1, G2), in welchen ein Wärmeübertragungsfüllmaterial (13) gefüllt ist, gekoppelt ist und das wärmeerzeugende Bauteil (43a), (43Aa, 43Ba) einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 aufweist; und wobei der kurze flache Abschnitt (21), welcher die innere Oberfläche der Abdeckung (20, 20A, 20B) darstellt und gegenüber von zumindest dem wärmeerzeugenden Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) mit einem Spalt dazwischen angeordnet ist, oberflächenbehandelt ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  2. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach Anspruch 1, bei dem ein Spaltabmaß zwischen der inneren Oberfläche des großen flachen Abschnittes (22) der Abdeckung (20, 20A, 20B) und der ersten Plattenoberfläche (43) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) und ein Spaltabmaß zwischen der inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes (21) und der ersten Plattenoberfläche (43) mit einem 1,5 bis 2,5-fachen Höhenunterschied ausgebildet ist und die Oberflächen, welche den Höhenunterschied aufweisen, mittels eines steilen Gradienten, welcher einen Neigungswinkel von nicht weniger als 45 Grad aufweist, verbunden sind.
  3. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Oberflächenbehandlung die an der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A, 20B) angewendet wird, eine ist, bei der eine dunkle Basislage angeheftet wird oder eine dunkle Basisfarbe aufgesprüht wird, aufgestempelt wird oder mittels einer Bürste aufgetragen wird; und ein Bereich der Oberflächenbehandlung einen Bereich aufweist, in welchem ein flacher Bereich gegenüber des wärmeerzeugenden Bauteiles (43A, 43Aa, 43Ba) als die untere Grenze festgelegt ist und ein flacher Bereich, in dem ein Spaltabmaß zu dem wärmeerzeugenden Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) sich in vier Richtungen in Bezug auf den unteren Grenzbereich erstreckt, als die obere Grenze festgelegt ist.
  4. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die erste Plattenoberfläche (43) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) mit einer Vielzahl an ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen (43b) versehen ist, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Leistung dienen, die jeweils gegenüber der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A, 20B) mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind; wobei die Oberflächenbehandlung, die an der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A, 20B) an Oberflächen angewendet wird, die gegenüber dem wärmeerzeugenden Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) und den ersten wärmeerzeugenden Bauteilen (43b) angewendet wird oder an der gesamten inneren Oberfläche des kurzen flachen Abschnittes (21) angewendet wird und wobei die Oberflächenbehandlung an zumindest einer Verbindungskantaktoberfläche zu der Basis (30, 30A, 30B) nicht angelegt wird, sogar wenn die Oberflächenbehandlung an der gesamten inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A, 20B) angelegt wird; und wobei mehrere Punkte der Abdeckung (20, 20A, 20B) oder der Basis (30, 30A, 30B) zu Kontaktoberflächen in Bezug auf die Basis (30, 30A, 30B) oder die Abdeckung (20, 20A, 20B) werden, um isolierte Basisabschnitte (28, 38) zum Ermitteln einer Dickenabmessung des Dichtmittels (11a) vorzusehen und wobei die Kontaktoberfläche nicht mit schwarzer Farbe beschichtet ist, um in elektrischer Verbindung zu stehen und leitend zu sein.
  5. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die erste Plattenoberfläche (43) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) mit einer Vielzahl an ersten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen (43b) versehen ist, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Kapazität dienen, welche jeweils gegenüber der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A) mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind; wobei die Oberflächenbehandlung, die an der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A) anzuwenden ist, vollständig mit schwarzer Farbe an zumindest der inneren Oberfläche der Abdeckung (20, 20A) beschichtet wird; und wobei die Abdeckung (20, 20A) mit gefalteten Teilen (25a, 25b, 25c, 25d) versehen ist, die verstemmt werden und die an der Basis (30, 30A) an vier Ecken befestigt werden, und wobei einige der gefalteten Teile (25a, 25b, 25c, 25d) mit einem ungeladenen Loch (26a, 26b), in welches eine tragende Aufhängung einführbar ist, wenn die Abdeckung vollständig beschichtet ist, versehen sind.
  6. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die zweite Plattenoberfläche (44) der Schaltkreisplatte (40, 40A, 40B) mit einer Vielzahl an zweiten kleinen wärmeerzeugenden Bauteilen (44b) versehen ist, die als wärmeerzeugende Bauteile mit niedriger Kapazität dienen, die jeweils gegenüber den inneren Oberfläche der Basis (30, 30A, 30B) mit einem Spalt dazwischen angeordnet sind und wobei die gesamte innere Oberfläche der Basis (30, 30A, 30B) mit thermisch leitender schwarzer Farbe umfassend Metalloxid oder ein keramikbasiertes Wärmeübertragungsfüllmaterial beschichtet ist, um einen Wärmeabstrahlungskoeffizienten von 0,7 bis 1,0 vorzusehen.
  7. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35, 35A, 35B) an einer Position in der Nähe des umgebenden Umfangsabschnittes (33) der Basis (30, 30A, 30B) angeordnet ist, wobei das Dichtmittel (11a), das in die Oberflächen zu füllen ist, die in Kontakt mit den umgebenden Umfangsabschnitten (23, 33) der Abdeckung (20, 20A, 20B) und der Basis (30, 30A, 30B) gelangen, das gleiche Material wie das Wärmeübertragungsfüllmaterial (13) ist, das zwischen das wärmeerzeugende Bauteil (43a, 43Aa, 43Ba) und den Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35, 35A, 35B) zu füllen ist und wobei das Dichtmittel (11a) Silikonharz ist, umfassend ein Wärmeübertragungsfüllmaterial, welches elektrisch nicht leitend ist; und wobei die inneren Oberflächen der umgebenen Umfangsabschnitte (23, 33) der Abdeckung (20, 20A, 20B) und der Basis (30, 30A, 30B) nicht beschichtet sind oder mit thermisch leitender Farbe beschichtet sind.
  8. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Wärmeübertragungsmechanismus (12A) eine Vielzahl an Wärmeübertragungsdurchgangslöchern (47a) umfasst, die jeweils eine plattierte Schicht zum thermischen Koppeln eines ersten Wärmeübertragungsmusters (48a), welches an der ersten Plattenoberfläche (43) vorgesehen ist und an welches eine wärmeabführende Elektrode (46A) des wärmeerzeugenden Bauteiles (43Aa) gelötet ist, und eines zweiten Wärmeübertragungsmuster (48b), welches an der zweiten Plattenoberfläche (44) vorgesehen ist, aufweisen; wobei der Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35A) mit einem isolierten Vorsprungsabschnitt (36A) zum Ausbilden des kleinen Spaltabschnittes (G1) versehen ist, in welchen das Wärmeübertragungsfüllmaterial (13) gefüllt und aufgetragen wird; und wobei die Schaltkreisplatte (40A) mit Via-Löchern (57a) versehen ist, welche die vordere und hintere Oberfläche davon miteinander verbinden, um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden und wobei einige der Via-Löcher (57a) und die vordere und hinter Oberfläche der Schaltkreisplatte (40A) außer die Lötmittelverbindungsabschnitte mit einem Lötstopplack (49) versehen sind, der so ausgebildet ist, dass der Wärmeabstrahlungskoeffizient 0,6 bis 1,0 trägt.
  9. Plattenunterbringungsgehäuse (10) für die an einem Fahrzeug angeordnete Elektronikeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Wärmeübertragungsmechanismus (12B) durch einen Plattendurchgangsabschnitt (53) gebildet wird, in welchem ein zentraler Vorsprungsabschnitt (37), der an dem Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35B) ausgebildet ist, eingeführt wird und der gegenüber einem Würfelblock (46B) des wärmeerzeugenden Bauteiles (43Ba) angeordnet ist; wobei der Wärmeübertragungsbasisabschnitt (35B) mit einem isolierten Vorsprungsabschnitt (36B) zum Ausbilden von kleinen Spaltabschnitten (G1, G2) versehen ist, in welche das Wärmeübertragungsfüllmaterial (13) gefüllt und aufgetragen wird; und wobei die Schaltkreisplatte (40B) mit Via-Löchern (57a) versehen ist, welche die vordere und hintere Oberfläche davon verbinden, um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden, und wobei einige der Via-Löcher (57a) und die vordere und hintere Oberfläche der Schaltkreisplatte 40B außer die Lötverbindungsabschnitte mit einem Lötstopplack (49) versehen sind, der so ausgebildet ist, das der Wärmeabstrahlungskoeffizient 0,6 bis 1,0 beträgt.
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