DE102010051007A1 - Nebenschlusswiderstand und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Nebenschlusswiderstand und Herstellungsverfahren dafür Download PDF

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Abstract

Ein Nebenschlusswiderstand wird offenbart, der die Position, wo der Spannungsdetektionsanschluss eingebaut ist, genau festlegen kann, der weiter hervorragend ist, und eine kleine und kompakte Struktur und verbesserte Zweckmäßigkeit vorsehen kann. Der Nebenschlusswiderstand weist ein Widerstandsmaterial, ein Paar aus Elektrodenmaterial eines anderen Materials als des Widerstandsmaterials, und ein Paar aus Detektionsanschlussmaterial aus anderem Material als das Elektrodenmaterial auf, wobei das Detektionsanschlussmaterial zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial angeordnet und befestigt ist. Das Detektionsanschlussmaterial ist mit einem vorstehenden Teil versehen. Das Widerstandsmaterial ist säulenförmig. Das Detektionsanschlussmaterial und das Elektrodenmaterial sind an beiden Enden des Widerstandsmaterials in Längsrichtung befestigt, so dass sie jeweils gegenüberliegen. Jede Verbindungsfläche von jedem Material wird berührt und durch Diffusionsverbindung verbunden.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Widerstand und insbesondere auf einen Nebenschluss- bzw. Shunt-Widerstand, der aus einem Metallmaterial besteht, welcher Widerstandslegierungsmaterial für den Widerstandskörper verwendet.
  • Technischer Hintergrund
  • Hochpräzisionsnebenschlusswiderstände werden zum Überwachen von Strömen der elektrischen Ladung und Entladung von Batterien verwendet, und um von vornherein Probleme mit Batterien zu vermeiden. Da diese Nebenschlusswiderstände in der Detektionsgenauigkeit hervorragend sind, eine geringe Temperaturdrift und keine übermäßige Wärmeerzeugung aufweisen, selbst wenn ein großer Strom angelegt wird, wird ein Nebenschlusswiderstand, der mit einer geeigneten Form vorgesehen ist, für eine Verwendung in einem Feld vorgeschlagen, wo ein ultrageringer Widerstandswert von 1 mΩ oder weniger erforderlich ist ( japanische veröffentlichte Patentanmeldung 2009-216620 ).
  • Die Detektionsgenauigkeit des Stroms kann verbessert und die Temperaturdrift verringert werden, abhängig von einer Position, an der der Spannungsdetektionsanschluss installiert wird, und auch vom Widerstandsmaterial und der Struktur des Widerstandes. Der Nebenschlusswiderstand ist nicht von der Bauart, die auf einer gedruckten Leiterplatte wie ein herkömmlicher Flachchip-Widerstand befestigt ist, sondern ist ein Widerstand, der zylindrische Stromanschüsse (Elektroden) hat, wobei die Anschüsse direkt mit Kabeln verbunden sind und die Spannungsdetektionsanschlüsse sind auf den Verbindungs- bzw. Anschlussraum des Widerstandes geschweißt. Solches Schweißen wird durch Widerstandsschweißen oder Hartlöten und so weiter durchgeführt, wenn der Widerstand verwendet wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Zu lösende Aufgaben
  • Im Fall von Widerständen jedoch, die verwendet werden, nachdem Spannungsdetektionsanschlüsse an den Verbindungsraum des Widerstands geschweißt wurden, werden Unterschiede im Allgemeinen durch die Schweißposition bewirkt. Beim Widerstand, wo ein ultrageringer Widerstandswert von 1 mΩ oder weniger gefordert wird, geht der Widerstand des Widerstandskörpers gegen den Widerstand des Elektroden-(Anschluss-)Materials, wie beispielsweise Kupfer. Im Allgemeinen gibt es Unterschiede in der Position, an der der Spannungsdetektionsanschluss auf die Elektrode geschweißt ist, und diese Unterschiede bewirken Unterschiede der detektierten Spannungen an dem Spannungsdetektionsanschluss.
  • Die vorliegende Erfindung wurde aufgrund der oben erwähnten Umstände gemacht. Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Nebenschluss- bzw. Shunt-Widerstand und ein Herstellungsverfahren dafür vorzusehen, welches die Genauigkeit der Position, an der der Spannungsdetektionsanschluss installiert wird, hervorragend festlegen kann und eine kleine und kompakte Struktur und eine verbesserte Zweckmäßigkeit vorzusehen.
  • Mittel zum Lösen der Aufgaben
  • Der Nebenschlusswiderstand der vorliegenden Erfindung wird charakterisiert durch ein Widerstandsmaterial; ein Paar aus Elektrodenmaterial aus einem anderen Material als das Widerstandsmaterial; ein Paar aus Detektionsanschlussmaterial aus einem anderen Material als das Elektrodenmaterial, wobei das Detektionsanschlussmaterial zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial angeordnet und fixiert wird.
  • Das Herstellungsverfahren des Nebenschlusswiderstandes der vorliegenden Erfindung wird gekennzeichnet durch: Vorbereiten eines Widerstandsmaterials, eines Paars aus dem Elektrodenmaterial, das aus einem andere Material ist als das Widerstandsmaterial, und eines Paars aus dem Detektionsmaterial, das aus einem anderen Material ist als das Paar aus dem Elektrodenmaterial; und durch Anordnen des Detektionsanschlussmaterials zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial, und durch Fixieren einer Endfläche des Detektionsanschlussmaterials an eine Endfläche des Widerstandsmaterials und einer anderen Endfläche des Detektionsanschlussmaterials an eine Endfläche des Elektrodenmaterials in der Längsrichtung des Widerstandsmaterials, so dass sich diese Endflächen einander gegenüber liegen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, indem das Detektionsanschlussmaterial, das einen vorstehenden Teil hat, als Spannungabfühlanschluss als ein Flächenelement eines Verbindungsteils zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial angeordnet wird, wobei die Installation eines früheren Spannungsabfühlanschlusses an der Elektrode unnötig wird, und wobei der Anschluss von der Spannungsdetektionsschaltkreisseite angeschlossen ist, die Spannungsdetektion des Widerstandsmaterials an der nächsten bzw. engsten Position möglich. Daher steigt, da das Detektionsanschlussmaterial mit der Endfläche des Widerstandsmaterials verbunden ist, die Genauigkeit der Spannungsdetektionsanschlussposition, und die Genauigkeit der Stromdetektion nimmt zu. Daher wird, sogar beim Widerstand mit ultrageringem Widerstand von ca. 0,1 mΩ, ohne einen Einfluss der Widerstandskomponente des Elektrodenmaterials aufzunehmen, das Abfühlen des Stromes mit einem hochgenauen Widerstandswert und einem niedrigen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, den das Widerstandsmaterial besitzt, möglich.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht des Nebenschlusswiderstandes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist ein erklärendes Diagramm der Spannungsdetektionsposition des Widerstandes.
  • 3A ist ein Graph zur Widerstandsänderungsrate entsprechend der Spannungsdetektionsposition.
  • 3B ist ein Graph zum Temperaturkoeffizienten des Widerstandes entsprechend der Spannungsdetektionsposition.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht des Widerstandes, der mit Innengewindeschrauben in den Elektroden vorgesehen ist.
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht, wobei die Stromanschlüsse an dem Widerstand der 4 durch Schraubenbefestigungen befestigt sind.
  • 6A6D sind verschiedene Arten von perspektivischen Ansichten, wobei die Widerstände mit Verbindungsteilen an den Stromanschlüssen der Elektroden durch Schrauben mit Außengewinden, flache Abschnitte, Hülsen, und so weiter vorgesehen sind.
  • 7 ist eine perspektivische Explosionsansicht des Widerstandes gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden unten mit Bezugnahme auf die 17 beschrieben. Gleiche oder entsprechende Teile oder Elemente werden mit den gleichen Bezugszeichen über die Ansichten hinweg bezeichnet und erklärt.
  • 1 zeigt den Nebenschlusswiderstand gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Nebenschlusswiderstand 10 wird mit einem säulenförmigen Widerstandsmaterial 11 vorgesehen, das aus einem Widerstandslegierungsmaterial, wie beispielsweise Manganin usw. besteht, mit einem Paar aus säulenförmigem Elektrodenmaterial 12, 12, das aus einem hochleitenden Metallmaterial, wie beispielsweise Kupfer usw. besteht, welches aus einem anderen Material ist, als das Widerstandsmaterial, und einem Paar von scheibenförmig geformtem Anschlussmaterial 13, 13, das aus einem hoch leitenden Metallmaterial, wie beispielsweise Kupfer usw. besteht, welches ein anderes Material ist als das Elektrodenmaterial. Das Detektionsanschlussmaterial 13 wird mit dem vorstehenden Teil 13a als ein Spannungsdetektionsanschluss vorgesehen, mit dem ein Anschluss des Spannungsdetektionsschaltkreises durch Schweißen und so weiter verbunden ist.
  • Wie in der Zeichnung gezeigt, wird das Detektionsanschlussmaterial 13 zwischen das Widerstandsmaterial 11 und das Elektrodenmaterial 12 platziert. Und eine Endfläche des scheibenförmigen Detektionsanschlussmaterials 13 wird an einer Endfläche des Widerstandsmaterials 11 angebracht, und eine andere Endfläche des Detektionsanschlussmaterials 13 wird an einer Endfläche des säulenförmigen Elektrodenmaterials 13 angebracht. Das Detektionsanschlussmaterial 13 und das Elektrodenmaterial 12 sind an beiden Endflächen des Widerstandsmaterials 11 in seiner Längsrichtung angebracht, so dass diese Endflächen einander gegenüberliegen. Hier wird eine Verbindung zwischen dem Widerstandsmaterial 11 und dem Detektionsanschlussmaterial 13 hergestellt, und eine weitere Verbindung zwischen dem Elektrodenmaterial 12 und dem Detektionsanschlussmaterial 13, so dass jede Verbindungsfläche berührt wird und durch Diffusionsverbindung und so weiter miteinander verbunden wird. Als eine Folge wird eine elektrisch und mechanisch starke und gleichmäßige Verbindungsoberfläche gebildet.
  • Als ein Beispiel ist der Durchmesser des säulenförmigen Widerstandsmaterials näherungsweise 8 mm ∅ und seine Länge ist etwa 10 mm. Entsprechend kann der Widerstand erhalten werden, der einen Widerstandswert von ungefähr 0,1 mΩ hat und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von ungefähr +/–50 ppm hat. Weiter ist die Dicke des Detektionsanschlussmaterials 13 ungefähr 0,7 mm, die Endfläche des vorstehenden Teils 13a ist die gleiche Fläche wie die Endfläche des Detektionsanschlussmaterials 13. Daher wird es beim vorstehenden Teil 13a als Spannungsdetektionsanschluss möglich, die direkte Spannung basierend auf dem Widerstandswert und dem Temperaturkoeffizienten des Widerstandsmaterials 11 zu detektieren, ohne den Einfluss des Widerstandes des Kupfermaterials des Elektrodenmaterials 13 aufzunehmen.
  • 2 zeigt ein Modell, bei dem mit beiden Endflächen eines quadratischen säulenförmigen Widerstandskörpers mit ungefähr 0,1 mΩ, quadratische säulenförmige Kupferelektroden mit der gleichen Querschnittsgröße verbunden sind. 3(a) zeigt ein Simulationsergebnis des Widerstandsänderungsverhältnisses ΔR entsprechend der Spannungsdetektionsposition (Entfernung X vom Inneren der Elektrode). Und 3(b) zeigt ein Simulationsergebnis des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes entsprechend der Spannungsdetektionsposition (Abstand X vom Inneren der Elektrode), wenn angenommen wird, dass der Temperaturkoeffizient des Widerstandsmaterials Null ist.
  • Aus diesen Ergebnissen wird klar, dass in dem Fall, dass der Widerstandskörper einen Widerstandswert von ungefähr 0,1 mΩ hat, die Widerstandskomponente des Kupfermaterials und der hohe Temperaturkoeffizient des Widerstandes des Kupfermaterials der Elektrode beeinflusst werden, wenn der Abstand X vom Inneren der Elektrode zunimmt. Dann wird die detektierte Spannung am Spannungsdetektionspunkt X größer als die Spannung zwischen beiden Endseiten des Widerstandskörpers selbst, und der Temperaturkoeffizient des Widerstandes wird größer als der Temperaturkoeffizient des Widerstandes des Widerstandskörpers selbst. Das heißt, es sollte klar sein, dass Veränderungen der Detektionsposition X in großem Maß die hohe Genauigkeit der Spannungsdetektion beeinflussen. Gemäß dem Nebenschlusswiderstand 10 der vorliegenden Erfindung sind, da die Spannungsdetektionsposition an der Position fixiert ist, wo der Abstand X vom Inneren der Elektrode fast Null ist, die Veränderungen der Widerstandsänderungsrate und des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes extrem gering.
  • Der Nebenschlusswiderstand 10 wird durch einen säulenförmigen Nebenschlusswiderstand charakterisiert. Das heißt, das Widerstandsmaterial 11 und das Elektrodenmaterial 12 sind säulenförmig, und das dünne scheibenförmige Detektionsanschlussmaterial 13 wird dazwischen angeordnet, so dass es säulenförmig ist und insgesamt den gleichen Durchmesser hat. Das säulenförmige Material ist hervorragend bei der Materialausbeute, günstig, einfach zu bearbeiten und eine hohe Abmessungsgenauigkeit kann leicht erhalten werden. Als Widerstandsmaterial 11 und/oder das Elektrodenmaterial 12 ist es auch möglich, quadratisches säulenförmiges Material zu verwenden. Wenn jedoch quadratisches säulenförmiges Material verwendet wird, ist es notwendig Fräsbearbeitung zu verwenden, um die Abmessungsgenauigkeit zu erhalten. Auf der anderen Seite kann, da das säulenförmige Material durch Extrudierbearbeitung bzw. Strangpressbearbeitung und Drahtziehen hergestellt wird, die Fräsbearbeitung, die langwierig ist, und das Entfernen von Zunder bzw. Walzhaut nicht notwendig sein.
  • Weiter wird der Nebenschlusswiderstand 10 durch eine Struktur charakterisiert, die das Detektionsanschlussmaterial 13 zwischen den Endflächen des Widerstandsmaterials 11 und des Elektrodenmaterials 12 anordnet, wobei ihre jeweiligen Endflächen sich gegenseitig berühren. Durch Einsatz von Diffusionsverbindung etc. als Verbindungsverfahren und Anpassen der Struktur, so dass sich die jeweiligen Endflächen berühren, können die Materialkosten auf ein Minimum gesenkt werden, gibt es viele vorteilhafte Punkte in den elektrischen Eigenschaften, da die Stromflüsse direkt sind, und es ist möglich, sie klein und kompakt zu machen und eine einfache Struktur kann erhalten werden.
  • Weiter wird der Nebenschlusswiderstand 10 durch eine Struktur charakterisiert, die das Detektionsanschlussmaterial 13 zwischen dem Widerstandsmaterial 11 und dem Elektrodenmaterial 12 anordnet. Kupfermaterial, welches einen geringen Widerstand hat, ist ein geeignetes Material für das Detektionsanschlussmaterial 13. Zum Beispiel ist es zum einen wünschenswert, dass Nickel auf Kupfer plattiert bzw. beschichtet ist. Da keine Vakuumatmosphäre benötigt wird für eine Diffusionsverbindung, wenn Nickel auf Kupfer aufgebracht bzw. beschichtet wird, wird die Diffusionsverbindung unter einer Atmosphäre wie Stickstoff oder Argon einfach, und dies führt zu einer höheren Produktivität.
  • Weiter wird, für den Fall, in dem der Spannungsdetektionsanschluss hinterher durch Hartlöten angebracht wird, wie im Stand der Technik gezeigt ist, der Schaden durch die Konzentration der Belastung groß und der Detektionsfehler durch die Detektionsposition wird groß. Solche problematischen Elemente werden gemäß der Struktur der vorliegenden Erfindung abgelegt.
  • Weiter wird, wie in 4 gezeigt ist, es durch Installieren einer Schraube mit Außengewinde oder einer Schraube mit Innengewinde an der Endfläche 12a des Elektrodenmaterials 13, das aus Kupfer besteht, möglich, die Anschlüsse einfach mit den Verkabelungen etc. zu verbinden. Wenn die Struktur des Nebenschlusswiderstandes nur von runder, säulenförmiger Form ist, wird das Verbinden mit den Anschlüssen und Verkabelungen schwierig. Um es zu erleichtern, wird durch Installieren von Schrauben usw. an beide Enden der Elektroden 12 und 12, die Zweckmäßigkeit stark verbessert.
  • 5 zeigt ein Beispiel der Verbindung mit Anschlüssen, die an den Enden der Kabel und so weiter vorgesehen sind. Der Anschluss 16 ist mit dem Leiter des Kabels verbunden, der in der Figur nicht gezeigt ist, und der Anschluss 16 ist an der Schraube mit Innengewinde 15, die im Elektrodenmaterial 12 ausgebildet ist, durch die Schraube 17 fixiert. Weiter ist es möglich, den vorstehenden Teil 13a des Detektionsanschlussmaterial 13 zu verwenden, indem ein Drahtanschluss des Spannungsdetektionsschaltkreises (in der Figur nicht gezeigt) durch Schweißen etc. verbunden wird. Oder, indem der vorstehende Teil 13a in ein Durchgangsloch, das in dem (in der Figur nicht gezeigten) Befestigungsträger vorgesehen ist, eingeführt wird und verbunden wird mit Verdrahtungsmustern im Schaltkreis zur Detektion der Spannung, kann der vorstehende Teil 13a mit verschiedenen Betriebsarten und Strukturen verwendet werden.
  • 6 zeigt verschiedene Beispiele der Verbindung mit Stromanschlüssen. Wie in den 6A und 6B gezeigt, können die Anschlüsse und Verkabelungen usw. durch Vorsehen einer Schraube mit Außengewinde 18, 18a an beiden Enden des Elektrodenmaterials 12 und mit Muttern befestigt sein. Weiter können, wie in 6C gezeigt ist, die Anschlüsse und Verkabelungen und so weiter durch gepresstes Elektrodenmaterial 12 fixiert werden, das aus säulen- bzw. zapfenförmigem Kupfer besteht, wodurch der Flachteil 19 gebildet wird, worin ein Öffnungsloch 19a gebildet wird, und durch Verwendung einer Schraube und Mutter. Wie weiter in 6D gezeigt ist, können durch Verwendung von einer Hülse 20 und durch Pressverbindung bzw. Pressschweißen die Elektrodenmaterialien 12 und die Enddrähte von Kabeln fixiert und verbunden werden.
  • Daher kann gemäß dem oben erwähnten Nebenschlusswiderstand 10 die Spannungsdetektion des Widerstandsmaterials 11 an der nächsten Position möglich sein, in dem der Spannungsdetektionsanschluss ein Verbindungsteil wird, wodurch der Installationsprozess des Spannungsdetektionsanschlusses auf die Elektrode unnötig wird, und wobei ein Anschluss des Spannungsdetektionsschaltkreises mit dem Verbindungsteil 13 verbunden ist. Weiter steigt durch das Schweißen des Detektionsanschlussmaterials 13 auf die Endfläche des Widerstandsmaterials 11, die Genauigkeit der Spannungsdetektionsanschlussposition, und auch die Genauigkeit der Spannungsdetektion steigt. Dann wird trotz Widerständen mit einem ultrageringen Widerstand von ungefähr 0,1 mΩ, ohne dass der Einfluss der Widerstandskomponente des Elektrodenmaterials überhaupt aufgenommen wird, die Stromdetektion mit hoher Genauigkeit und einem niedrigen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes möglich.
  • Weiter wird, da das Detektionsanschlussmaterial 13 ein Teil der Elektrode wird, sich dieses niemals von den Verbindungsteilen lösen, weist eine hervorragende Haltbarkeit auf und die Veränderung des Widerstandes über die Zeit hinweg wird gering. Und da es keinen überlappenden Teil der Elektrode und des Widerstandsmaterials gibt, und da der Widerstand insgesamt säulenförmig geformt ist, und das Elektroden- und Widerstandsmaterial über die gesamte Verbindungsfläche verschweißt bzw. verbunden sind, werden dann ein glatter Stromweg und ein Wärmeabstrahlungsweg erhalten und die Verbindungsstärke mit der Elektrode und dem Widerstand ist ebenfalls hoch.
  • Weiter kann, da der Strompfad zwischen beiden Elektroden direkt ist, der Widerstandswert gemäß der Größe des Widerstandsmaterials 11 berechnet werden, sogar dann, wenn keine Simulation nach dem Finite-Elemente-Verfahren verwendet wurde, und hoch genaue Widerstände können leicht erzeugt werden. Das heißt, durch Bestimmen der Größen von Widerstandskörper und Kupferelektrode unter Berücksichtigung des erforderlichen Widerstandswertes und der Wärmeerzeugung wird es einfacher, kleine Nebenschlusswiderstände zu entwickeln. Weiter wird, da das Derstellen von Schrauben mit Außen- oder Innengewinde auf der Elektrode möglich sein kann, das Verbinden mit Anschlüssen und Verkabelungen einfach sein, um den Widerstand zweckdienlich zu machen.
  • Als nächstes wird der Herstellungsprozess des Nebenschlusswiderstandes 10 mit Bezug auf 7 beschrieben. Als erstes werden ein Widerstandsmaterial 11, ein Paar von Elektrodenmaterialien 12 und 12 aus einem anderen Material als das Widerstandsmaterial, und ein Paar von Detektionsanschlussmaterialien 13 und 13 aus einem anderen Material als dem Elektrodenmaterial vorbereitet. Dies geschieht für das Widerstandsmaterial 11 durch Schneiden langer Stangen von Material von Manganin usw. in säulenförmiges Widerstandsmaterial 11 einer vorbestimmten Länge, welches an beiden Enden Endflächen, d. h. Schnittflächen aufweist. In Bezug auf das Elektrodenmaterial 12 wird, durch ähnliches Schneiden langer Stangen von Material von Kupfer in vorbestimmte Längen, ein säulenförmiges Elektrodenmaterial 12 gebildet, welches Endflächen an beiden Enden, d. h. Schnittflächen, aufweist. Das Detektionsanschlussmaterial 13, welches einen Scheibenteil und eine hervorstehenden Teil 13a aufweist, der vom Scheibenteil vorsteht, wird gebildet, indem die Kupferplatte bzw. -scheibe aus dem Blechzustand in Form gestanzt wird und so weiter. Weiter kann Pressen oder Ätzen verwendet werden, um die Kupferscheibe zu bearbeiten.
  • Obwohl das Detektionsanschlussmaterial 13 beispielsweise aus Kupfer besteht, kann eines verwendet werden, so dass eine metallischer Film, wie beispielsweise Nickel auf der Oberfläche des Kupfers gebildet wird. Durch Bilden des Nickelfilms auf dem Kupfer wird die Diffusionsverbindung einfach, das Verbinden in Stickstoffatmosphäre wird möglich und führt zu einer höheren Produktivität. Das Bilden des metallischen Films auf der Oberfläche des Detektionsanschlussmaterials 13 kann durchgeführt werden durch Verwendung einer vorbearbeiteten Kupferplatte mit einem Metallfilm darauf, oder durch Bearbeiten der Kupferplatte zur Form und durch Bilden eines metallischen Films darauf. Weiter weist das Verfahren des Bildens des metallischen Films Elektrolyt- und Nicht-Elektrolyt-Beschichtung und so weiter auf.
  • Als nächstes werden die Oberflächen des Materials, das geschweißt werden soll, geschliffen. Die Oberflächen, die geschweißt werden sollen sind: beide Endflächen des Widerstandsmaterials 11, eine Endfläche des Elektrodenmaterials 12 und beide Endflächen des Detektionsanschlussmaterials 13, die an das Widerstandsmaterial 11 und das Elektrodenmaterial 12 geschweißt werden. Weiter sollte, wie beim Detektionsanschlussmaterial 13, das mit einem metallischen Film darauf bedeckt ist, die Oberfläche geschliffen werden, bevor der Metallfilm aufgebracht bzw. beschichtet wird. Durch Schleifen unter Verwendung von Schleifmaterial, so dass die Verbindungsfläche nahezu eine Spiegeloberfläche ist, wird die Verbindung stärker. Und an beiden Endflächen des Widerstandsmaterials 11 in Längsrichtung wird der Platten- bzw. Scheibenteil des Detektionsanschlussmaterials 13 zwischen dem Widerstandsmaterial 11 und dem Elektrodenmaterial 12 angeordnet und eine Endfläche des Detektionsanschlussmaterials 13 wird an einer Endfläche des Widerstandsmaterials 11 angebracht und eine andere Endfläche des Detektionsanschlussmaterials 13 wird an einer Endfläche des Elektrodenmaterials 12 in Längsrichtung des Widerstandsmaterials 11 durch Diffusionsverbindung und so weiter fixiert, so dass diese Endflächen einander gegenüberliegen.
  • In Bezug auf eine Diffusionsverbindung werden, indem in einer Reihe das Elektrodenmaterial 12, das Detektionsanschlussmaterial 13, das Widerstandsmaterial 11, das Detektionsanschlussmaterial 13 und das Elektrodenmaterial 12 angeordnet werden und axial Druck aufgebracht wird und Wärme von 500–900°C, Atome im Material gegenseitig an der Schnittstelle diffundieren, und eine starke, homogene, verbundene Oberfläche über die gesamte Oberfläche wird geformt. Auch gibt es Widerstandsschweißen als anderes Verfahren. Wenn Widerstandsschweißen verwendet wird, werden in Reihe das Elektrodenmaterial 12, das Detektionsanschlussmaterial 13, das Widerstandsmaterial 11, das Detektionsanschlussmaterial 13 und das Elektrodenmaterial 12 angeordnet und es wird axial Druck aufgebracht und ein konstanter Strom wird in axialer Richtung angelegt, und die Materialien werden miteinander verbunden, hauptsächlich durch die Kontaktwiderstandswärmeerzeugung zwischen den Materialien.
  • Durch Einsatz von Diffusionsverbindung oder Widerstandsschweißen ist es in jedem Fall wünschenswert, dass ein Verbindungsverfahren verwendet wird, das die gesamten Oberflächen davon verbinden kann. Für das Verbinden von Metallmaterialien gibt es die Möglichkeit, Elektronenstrahlschweißen einzusetzen. Obwohl Elektronenstrahlschweißen den Verbindungsteil durch den Elektronenstrahl in der Umgebung davon verschweißen kann, wird dennoch, da das Elektronenstrahlschweißen nicht in der Lage sein kann, die mittlere Fläche zu verschweißen, die Möglichkeit einer Veränderung der Stromverteilung groß.
  • Als eine Folge ist der Nebenschlusswiderstand 10, der in 1 gezeigt ist, vollständig. Da die Widerstandswertgenauigkeit durch die Abmessungsgenauigkeit des Widerstandsmaterials 11 bestimmt wird, welches säulenförmiges Material verwendet, wird die Bearbeitung einfach, und es wird ausreichend Genauigkeit ohne Anpassung erhalten. Wenn es nötig ist, können Anpassungsprozesse durch das Schleifen des Widerstandsmaterials 11 durchgeführt werden. Weiter kann, wenn dies notwendig ist, das Bearbeiten des Endteils der Elektrode, wie beispielsweise Gewindeschneiden und so weiter, wie in 4 oder 6 gezeigt ist, durchgeführt werden.
  • Gemäß dem obigen Prozess kann, da die Elektroden und Spannungsdetektionsanschüsse des Nebenschlusswiderstands auf einmal gebildet werden, das Produkt, welches einfach zu handhaben ist, zweckmäßig ist und nicht weiter einer äußeren Bearbeitung unterzogen werden muss, durch einfache Herstellungsverfahren erzeugt werden.
  • In dem obigen Ausführungsbeispiel wurde ein Beispiel eines säulenförmigen Nebenschlusswiderstandes beschrieben, der die gleichen Durchmesser des scheibenförmigen Detektionsanschlussmaterials aufweist, des säulenförmigen Elektrodenmaterials und des säulenförmigen Widerstandsmaterials. Diese Durchmesser müssen jedoch nicht notwendigerweise die gleichen sein. Und diese Materialien sind nicht notwendigerweise säulenförmig, sondern ein Teil oder alle Teile können möglicherweise quadratische Säulen sein.
  • Obwohl ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erklärt wurde, ist die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf das obige Ausführungsbeispiel eingeschränkt und zahlreiche Veränderungen und Modifikationen können innerhalb des Umfangs des technischen Konzepts der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung kann auf geeignete Weise auf einen Strom detektierenden Widerstand anwendbar sein, der aus Metallmaterial besteht, der Widerstandslegierungsmaterial für den Widerstandskörper verwendet und insbesondere für den Nebenschlusswiderstand in der Region eines besonders niedrigen Widerstandes von 1 mQ oder weniger.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2009-216620 [0002]

Claims (8)

  1. Nebenschlusswiderstand, der Folgendes aufweist: ein Widerstandsmaterial; ein Paar eines Elektrodenmaterials, welches ein anderes Material als das Widerstandsmaterial ist; ein Paar aus Detektionsanschlussmaterial, welches ein anderes Material als das Elektrodenmaterial ist; wobei das Detektionsanschlussmaterial zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial angeordnet und befestigt ist.
  2. Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 1, wobei eine Verbindung zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Detektionsanschlussmaterial und eine weitere Verbindung zwischen dem Elektrodenmaterial und dem Detektionsanschlussmaterial so ausgeführt ist, dass jede Verbindungsfläche berührt und diffusionsverbunden wird.
  3. Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 1, wobei das Detektionsanschlussmaterial mit einem vorstehenden Teil versehen ist.
  4. Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 1, wobei das Detektionsanschlussmaterial und das Elektrodenmaterial an beiden Endflächen des Widerstandsmaterials in Längsrichtung befestigt ist, so dass diese Endflächen jeweils einander gegenüberliegen.
  5. Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 1, wobei das Widerstandsmaterial säulenförmig ist.
  6. Herstellungsverfahren für einen Nebenschlusswiderstand, welches Folgendes aufweist: Vorbereiten eines Widerstandsmaterials, eines Paares aus Elektrodenmaterial, welches ein anderes Material als das Widerstandsmaterial ist und eines Paares aus Detektionsanschlussmaterial, welches ein anderes Material als das Elektrodenmaterial ist; und Anordnen des Detektionsanschlussmaterials zwischen dem Widerstandsmaterial und dem Elektrodenmaterial und Befestigen einer Endfläche des Detektionsanschlussmaterials an einer Endfläche des Widerstandsmaterials und einer weiteren Endfläche des Detektionsanschlussmaterials an einer Endfläche des Elektrodenmaterials in Längsrichtung des Widerstandsmaterials, so dass diese Endflächen einander jeweils gegenüberliegen.
  7. Herstellungsverfahren für den Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 6, wobei das Widerstandsmaterial säulenförmig ist.
  8. Herstellungsverfahren für den Nebenschlusswiderstand nach Anspruch 6, wobei das Widerstandsmaterial, das Elektrodenmaterial und das Detektionsanschlussmaterial durch Diffusionsverbindung befestigt sind.
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