DE102009023404A1

DE102009023404A1 - Elektrische Sicherung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung

Info

Publication number: DE102009023404A1
Application number: DE102009023404A
Authority: DE
Inventors: Yoshitaka Kawasaki Kubota
Original assignee: NEC Electronics Corp
Current assignee: Renesas Electronics Corp
Priority date: 2008-06-03
Filing date: 2009-05-29
Publication date: 2010-05-20
Also published as: CN101599479A; US20090231020A1; JP2009295673A; CN101599479B; US8178943B2; JP5430879B2

Abstract

Elektrische Sicherung mit einer Polysiliziumschicht; einer Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einem ersten Metallkontakt und einem zweiten Metallkontakt, die über der Silizidschicht angeordnet sind, wobei sie zueinander beabstandet sind, wobei die elektrische Sicherung so konfiguriert ist, dass die Silizidschicht nach dem Abtrennen aus einer Region direkt unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt ist.

Description

Die vorliegende Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr.2008-145769 , deren Inhalt hierin als Referenz enthalten ist.
HINTERGRUND
TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrische Sicherung, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung.
STAND DER TECHNIK
Es sind Techniken zum vorläufigen Montieren von Sicherungen auf Halbleitervorrichtungen und Abtrennen oder Durchbrennen der Sicherungen bekannt, um den Widerstand von für die Halbleitervorrichtungen verwendeten Widerstände einzustellen, oder um irgendwelche defekte Elemente abzutrennen und diese durch normale Elemente zu ersetzen.
Bekannte Verfahren zum Abtrennen der Sicherungen umfassen diejenigen der Laserbestrahlung eines Teils jeder Sicherung, und diejenigen, einen Strom durch diese hindurch fließen zu lassen.
Die offengelegte japanische Patentveröffentlichung 2007-266061 beschreibt eine elektrische Sicherung (e-Sicherung), die so konfiguriert ist, dass sie eine Silizidschicht auf einer Polysiliziumschicht hat, wobei ein Teil des Umfangsteils angren zend an die Kontaktregion durch eine Nicht-Silizid-Region konfiguriert ist. Da Metallatome durch Elektromigration in die Nicht-Silizid-Region wandern können, so dass beschrieben wurde, dass die elektrische Sicherung, die einmal durch Elektromigration abgetrennt worden ist, daran gehindert werden kann, dass sie einen Rückfluss verursacht.
Die offengelegte japanische Patentveröffentlichung 2007-73576 beschreibt ein Sicherungselement, bei dem es möglich ist, dass wenigsten ein Teil eines Metallmaterials, welches einen Metallsilizidschicht bildet, die über einer Siliziumschicht ausgebildet ist, nach der Abtrennung sich zu einer Kontakteilseite hinbewegt, und möglich ist, dass sich der andere Kontaktteil mit der Siliziumschicht verbindet.
Gemäß dem in der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung 2007-266061 beschriebenen Verfahren ist die Silizidschicht nur durch eine leichte Elektromigration getrennt, so dass das Verfahren nichts anderes als das Abtrennen der Silizidschicht ist, während die Kontakte und die Silizidschicht miteinander in Kontakt aufrechterhalten werden. Das Verfahren diente daher nur zur Herstellung geringer Änderungen in dem Widerstand zwischen den Zuständen vor und nach der Abtrennung der Sicherung, und um die Entscheidung nur in einem begrenzten Grad der Genauigkeit zu treffen. Andererseits beschreibt die offengelegte japanische Patentveröffentlichung 2007-73576 eine Konfiguration, bei der der Kontakt zum Anschließen an die Siliziumschicht nach dem Abtrennen zugelassen ist. Da der Kontakt in dieser Konfiguration mit der Silizidschicht vor der Abtrennung verbunden ist, und mit der Silizidschicht: nach der Abtrennung verbunden ist, kann angenommen werden, dass die Sicherung hinsichtlich Änderungen des Widerstandes zwischen dem Zustand vor und nach der Abtrennung erhöht werden kann. Das in der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung 2007-73576 beschriebene Verfahren ist jedoch immer noch nichts anderes als dass ein Metallmaterial, welches die Silizidschicht bildet, nur einen engen Teil der Abtrennung durch eine leichte Elektromigration verursachen kann, so dass zu erwarten ist, dass der abgetrennte Teil seine Verbindung infolge von Migration der Silizidschicht wieder einnimmt. Auch diese Konfiguration leidet daher an dem Problem, dass nur ein begrenzter Grad der Genauigkeit bei der Beurteilung erzielt werden kann.
ZUSAMMENFASSUNG
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine elektrische Sicherung geschaffen mit: einer Polysiliziumschicht; einer Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einem ersten Metallkontakt und einem zweiten Metallkontakt, die über der Silizidschicht angeordnet sind, wobei diese voneinander beabstandet sind, wobei die elektrische Sicherung so konfiguriert ist, dass vor der Abtrennung der erste Metallkontakt und der zweite Metallkontakt mit der Silizidschicht verbunden sind und nach der Abtrennung die Silizidschicht aus einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch eine Halbleitervorrichtung geschaffen mit einer elektrischen Sicherung, die ein Substrat enthält, wobei eine Polysiliziumschicht über dem Substrat ausgebildet ist; auf der Polysiliziumschicht eine Silizidschicht ausgebildet ist; und über der Silizidschicht ein erster Metallkontakt und ein zweiter Metallkontakt auf der Silizidschicht voneinander beabstandet angeordnet sind, wobei die elektrische Sicherung so konfiguriert ist, dass vor dem Abtrennen der erste Metallkontakt und der zweite Metallkontakt mit der Silizidschicht verbunden sind und nach der Abtrennung die Silizidschicht aus einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch ein Verfahren zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung vorgesehen, die aufweist eine Polysiliziumschicht, eine Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einen ersten Metallkontakt und einen zweiten Metallkontakt, die über der Silizidschicht ausgebildet sind, wobei sie voneinander beabstandet sind, wobei das Verfahren aufweist: Fließen lassen eines Stroms zwischen dem ersten Metallkontakt und dem zweiten Metallkontakt, um eine Migration der Silizidschicht von einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt, in Richtung auf den ersten Metallkontakt, zu induzieren, wodurch die Silizidschicht von der Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus der Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt wird.
Die elektrische Sicherung ist hierbei so konfiguriert, dass sie durch Fließen lassen eines Stroms zwischen dem ersten Metallkontakt und dem zweiten Metallkontakt als Ergebnis der Migration der Silizidschicht aus der Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes in Richtung auf den ersten Metallkontakt, um sich selbst aus der Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes zu entfernen, und als ein Ergebnis des Stopfens der Silizidschicht in die Region gerade unterhalb des ersten Metallkontaktes, abgetrennt wird. Die Silizidschicht wandert ferner zu einer Position weg von dem zweiten Metallkontakt über die Region rechts unterhalb des ersten Metallkontaktes hinausgehend, so dass sie sich selbst auch aus der Region zwischen dem ersten Metallkontakt und dem zweiten Metallkontakt entfernt. Daraus folgt, dass die Silizidschicht weit über den ersten Metallkontakt hinausgehend wandert, gesehen von der Position des zweiten Metallkontaktes.
Infolge dieser Konfiguration können Änderungen in dem Widerstand der Sicherung zwischen den Zuständen vor und nach dem Abtrennen unterscheidbarer ausgeführt werden, und es kann die Möglichkeit der Widerverbindung reduziert werden, so dass der Zustand der Abtrennung der Sicherung in einer exakteren Art und Weise beurteilt werden kann.
Anzumerken ist, dass auch jegliche beliebige Kombinationen der vorstehend beschriebenen Bestandteile und jegliches Austauschen der Ausdrücke der vorliegenden Erfindung unter dem Verfahren, der Vorrichtung usw. als Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung effektiv sein können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Zustand der Abtrennung der Sicherung auf eine exakte Weise beurteilt werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung gewisser bevorzugter Ausfüh rungsformen anhand der begleitenden Zeichnungen im Einzelnen hervor, in welchen zeigt:
1 eine Ansicht im Schnitt zur Erläuterung einer Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
2 eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Abtrennvorganges der elektrischen Sicherung in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3A und 3B Schnittansichten zur Erläuterung der Abtrennzustände der elektrischen Sicherung in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4A und 4B Draufsichten zur Erläuterung der Konfigurationen der elektrischen Sicherungen einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
5 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Konfiguration der Halbleitervorrichtung in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
6 eine grafische Darstellung des Widerstandes einer elektrischen Sicherung vor dem Abtrennen und nach dem Abtrennen unter unterschiedlichen Bedingungen;
7 eine Ansicht im Schnitt einer Konfiguration der Halbleitervorrichtung mit einer unter der Bedingung gemäß dem Beispiel 1 abgetrennten elektrischen Sicherung;
8A und 8B Schnittansichten zur Erläuterung der Abtrennvorgänge einer elektrischen Sicherung in einer herkömmlichen elektrischen Sicherung; und
9 ein Blockschaltbild zur Erläuterung einer Konfiguration der Halbleitervorrichtung, die die elektrische Sicherung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Vor dem Beschreiben der vorliegenden Erfindung wird der Stand der Technik im Einzelnen unter Bezugnahme auf die 8A und 8B erläutert, um das Verständnis der vorliegenden Erfindung zu erleichtern.
Eine bekannte beispielhafte elektrische Sicherung, die durch Strom abgetrennt ist, ist eine solche, bei der die Elektromigration verwendet wird, die durch Migration von Metallatomen in einer Silizidschicht verursacht wird. Die 8A und 8B stellen einen Mechanismus zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung bestehend aus einer Silizidschicht dar. 8A zeigt einen Zustand vor dem Abtrennen. Eine Silizidschicht 14 ist hierbei über einer Polysiliziumschicht 12 ausgebildet und über der Silizidschicht 14 sind Kontakte 18 und 22 ausgebildet. Die Kontakte 18 sind mit einer Verbindung 16 verbunden und die Kontakte 22 sind mit einer Verbindung 20 verbunden. Diese Komponenten bilden eine elektrische Sicherung 11. In diesem Zustand sind die Kontakte 18 und die Kontakte 22 mit der Silizidschicht 14 verbunden. Wenn Strom durch die so konfigurierte elektrische Sicherung 11 von der Verbindung 16 in Richtung auf die Verbindung 20 fließen darf, fließt der Strom sequenziell durch die Verbindung 16, die Kontakte 18, die Silizidschicht 14, die Kontakte 22 und die Verbindung 20. Hierbei fließen Elektronen von der Verbindung 20 zur Verbindung 16. Genauer gesagt, die Elektronen wandern in der Silizidschicht 14 von, in der Zeichnung gesehen, links nach rechts. Die Silizidschicht 14 wandert daher zu den Kontakten 18, wie dies in der 8B dargestellt ist, und dadurch wird die Silizidschicht 14 abgetrennt. Der Strom, von dem erwartet wird, dass er in der Richtung von der Verbindung 16 zur Verbindung 20 fließt, kann nun durch die Polysiliziumschicht 12 fließen. Als Folge davon variiert der Widerstand in einer Region zwischen den Kontakten 18 und den Kontakten 22, und dadurch kann die Abtrennung der elektrischen Sicherung 11 beurteilt werden.
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf erläuternde Ausführungsformen beschrieben. Für den Fachmann ist klar zu erkennen, dass viele alternative Ausführungsformen unter Verwendung der Lehren der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden können, und dass die Erfindung nicht auf die zu erläuternden Zwecken dargestellten Ausführungsformen begrenzt ist.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die anhängenden Zeichnungen erläutert. Anzumerken ist, dass in allen Zeichnungen ähnliche Bauteile mit ähnlichen Bezugsziffern bezeichnet sind und die Erläuterungen derselben nicht wiederholt werden.
1 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung einer Konfiguration einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die Halbleitervorrichtung 100 enthält ein Substrat (nicht dargestellt), wie beispielsweise ein Siliziumsubstrat, eine Polysiliziumschicht 102, die auf diesem ausgebildet ist, eine Silizidschicht 104, die auf der Polysiliziumschicht 102 ausgebildet ist, erste Metallkontakte 108 und zweite Metallkontakte 112, die über der Silizidschicht 104 zueinander beabstandet angeordnet sind, eine erste Verbindung 106, die über den ersten Metallkontakten 108 ausgebildet ist, und eine zweite Verbindung 110, die über den zweiten Metallkontakten 112 ausgebildet ist. Die erste Verbindung 106, die ersten Metallkontakte 108, die Silizidschicht 104, die Polysiliziumschicht 102, die zweiten Metallkontakte 112 und die zweite Verbindung 110 bilden hierbei eine elektrische Sicherung 101. 1 ist eine Zeichnung, die einen Zustand vor dem Abtrennen der elektrischen Sicherung 101 darstellt.
Die ersten Metallkontakte 108 und die zweiten Metallkontakte 112 können unter Verwendung von beispielsweise einem Ti/TiN-Sperrmetall und Wolfram gebildet sein. Die ersten Metallkontakte 108 und die zweiten Metallkontakte 112 sind jeweils mit der Silizidschicht 104 verbunden. Die Silizidschicht 104 kann typischerweise durch Nickelsilizid, Kobaltsilizid, Titansilizid oder dergleichen gebildet sein. Die erste Verbindung 106 ist mit den ersten Metallkontakten 108 verbunden. Die zweite Verbindung 110 ist mit den zweiten Metallkontakten 112 verbunden.
2 ist eine Zeichnung zur Erläuterung eines Abtrennvorgangs der elektrischen Sicherung 101, indem man Strom durchfließen lässt.
An die Verbindung 106 ist eine hohe Spannung angelegt, während die zweite Verbindung 110 an Masse liegt, und es kann von der ersten Verbindung 106 zur zweiten Verbindung 110 ein Strom fließen. Der Strom fließt daher nacheinander durch die erste Verbindung 106, die ersten Metallkontakte 108, die Silizidschicht 104, die zweiten Metallkontakte 112 und die zweite Verbindung 110. Da Elektronen in der Richtung entgegengesetzt zur Stromfließrichtung fließen, fließen Elektronen auch in der Silizidschicht 104 in der Richtung von den zweiten Metallkontakten 112 zu den ersten Metallkontakten 108. Bei dieser Ausführungsform ist der Strom zum Abtrennen der elektrischen Sicherung 101 höher als üblich gesetzt worden. Daher bewegt sich die Silizidschicht 104 schnell mit dem Fließen der Elektronen. Durch Anlegen einer derart übermäßigen Leistung bewegt sich die Silizidschicht 104 schnell in Richtung auf die ersten Metallkontakte 108 und entfernt sich daraus folgend selbst aus einer Region direkt unterhalb der zweiten Metallkontakte 112 und aus der Region zwischen den zweiten Metallkontakten 112 und den ersten Metallkontakten 108.
3A ist eine Zeichnung zur Erläuterung eines Zustandes, bei dem ein Teil der Silizidschicht 104 direkt unterhalb der zweiten Metallkontakte 112 zu den ersten Metallkontakten 108 wandert, um dadurch die zweiten Metallkontakte 112 in direkten Kontakt mit der Polysiliziumschicht 102 zu bringen. Bei diesem Vorgang ist der Modus des Kontaktes, der zwischen dem zweiten Metallkontakt 112 und der Silizidschicht 104 an einem Teil, der in der Zeichnung durch eine gestrichelte Kreislinie umgeben ist, errichtet wird, ein ohmscher Kontakt vor der Abtrennung, aber wandelt sich in einen Schottky-Kontakt nach der Abtrennung um, so dass eine Änderung in dem Widerstand der elektrischen Sicherung 101 vor und nach der Abtrennung unterscheidbar gemacht werden kann. Die Konfiguration ist auch im Hinblick darauf von Vorteil, dass sie die Wiederverbindung verhindert, da die Silizidschicht 104 in die Region gerade unterhalb der ersten Metallkontakte 108 gestopft ist, um sich selbst aus der Region zwischen den ersten Metallkontakten 108 und den zweiten Metallkontakten 112 zu entfernen.
3B ist eine Zeichnung zur Erläuterung eines Zustandes, bei dem nicht nur ein Teil der Silizidschicht 104 direkt unterhalb der zweiten Metallkontakte 112 zu den ersten Metallkontakten 108 wandert, sondern auch untere Teile der zweiten Metallkontakte 112 zusammen zu den ersten Metallkontakten 108 wandern. Als Ergebnis der Wanderung der unteren Teile der zweiten Metallkontakte 112 zu den ersten Metallkontakten 108 sind die zweiten Metallkontakte 112 nun von der Silizidschicht 104 und der Polysiliziumschicht 102 elektrisch abgetrennt. Die elektrische Sicherung 101 ist hierbei in einem vollständig abgetrennten Zustand an einem Teil, der durch die gestrichelte Kreislinie in der Zeichnung umgeben ist, so dass Änderungen in dem Widerstand der elektrischen Sicherung 101 vor und nach der Abtrennung auch in diesem Fall unterscheidbar gemacht werden können.
Infolge dieser Konfiguration kann der Widerstand der elektrischen Sicherung 101 nach der Abtrennung auf das bis zu 1 × 10²-fache oder darüber des Widerstandes vor der Abtrennung angehoben werden.
Die 4A und 4B sind Draufsichten zur Erläuterung der Konfigurationen der elektrischen Sicherung dieser Ausführungsform, wobei 4A einen Zustand vor der Abtrennung und 4B einen Zustand nach der Abtrennung darstellt.
In dieser Ausführungsform sind die ersten Metallkontakte 108 und die zweiten Metallkontakte 112 jeweils an einem Ende und am anderen Ende einer langgestreckten rechteckigen Silizidschicht 104 vorgesehen. Genauer gesagt, hat die Silizidschicht 104 an den Bereichen, wo die ersten Metallkontakte 108 und die zweiten Metallkontakte 112 ausgebildet sind, und an der Region dazwischen eine im Wesentlichen konstante Breite D. Infolge dieser Konfiguration kann die Silizidschicht bei dem Vorgang des Abtrennens der elektrischen Sicherung 101 aus der Region direkt unterhalb des zweiten Metallkontaktes 112 leichter entfernt werden. Die Anzahl der vorgesehenen ersten Metallkontakte 108 und zweiten Metallkontakte 112, die vorstehend beispielsweise mit zwei angegeben ist, ist nicht besonders begrenzt.
Die 5 ist eine schematische Zeichnung zur Erläuterung einer Konfiguration der Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Jede zweite Verbindung 110 der Halbleitervorrichtung 100 ist mit einem Ende jeder Beurteilungsschaltung (Entscheidungsschaltung) 150 verbunden. Das andere Ende jeder Beurteilungsschaltung 150 ist an Masse angelegt. Jede erste Verbindung 106 ist mit einer Stromleitung verbunden. Die Beurteilungsschaltung 150 kann hierbei so konfiguriert sein, dass sie das Abtrennen der elektrischen Sicherung 101 beurteilt, wenn der spezifische Widerstand nach dem Abtrennen als das 1 × 10²-fache oder darüber des spezifischen Widerstandes vor der Abtrennung ermittelt wird.
9 ist ein Blockschaltbild zur Erläuterung einer Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100 (Halbleiterchip), die die elektrische Sicherung 101 gemäß dieser Ausführungsform enthält.
Auf dem Halbleiterchip sind vorgesehen eine Speicherregion, wie beispielsweise bestehend aus einem DRAM (dynamischer Direktzugriffsspeicher) oder SRAM (statischer Direktzugriffsspeicher); eine Logik-Region (Logic); ein DAC (Digital-Analog-Wandler); ein ADC (Analog-Digital-Wandler); ein Hochgeschwindigkeits-IO und so weiter. Am Umfang der Speicherregion bestehend aus dem DRAM oder SRAM, sind eine Anzahl von elektrischen Sicherungen 101 vorgesehen, mit dem Ziel redundante Bits anstatt von fehlerhaften Bits zu aktivieren. Die Funktionsweise der Halbleitervorrichtung 100 wird nach der Beendigung der Wafer-Bearbeitungen bestätigt, und jedes darin detektierte fehlerhafte Bit wird durch ein redundantes Bit ausge tauscht, indem eine elektrische Sicherung 101, die mit einem fehlerhaften Bit verbunden ist, abgetrennt wird. Als Folge daraus enthält die Halbleitervorrichtung 100 eine Mischung aus abgetrennten/durchgebrannten elektrischen Sicherungen 101 und verbundenen/intakten elektrischen Sicherungen 101.
[Beispiele]
Die Halbleitervorrichtung 100, wie in der 1 dargestellt, wurde hergestellt und Strom konnte zwischen der ersten Verbindung 106 und der zweiten Verbindung 110 fließen, um die Sicherung abzutrennen/durchzubrennen. Beim Beispiel 1 war der Strom, der zum Abtrennen der Sicherung zugeführt wurde, ungefähr dreimal so groß wie der beim Beispiel 2 zugeführte.
6 ist eine Zeichnung zur Erläuterung des Widerstandes der elektrischen Sicherung 101 vor dem Abtrennen und des Widerstandes derselben nach dem Abtrennen beim Beispiel 1 und Beispiel 2. Es wurde herausgefunden, dass der Widerstand der elektrischen Sicherung 101 vor dem Abtrennen ungefähr 100 Ω betrug, während der Widerstand nach dem Abtrennen unter der Bedingung des Beispiels 1 anstieg, und zwar auf ungefähr eine Höhe von 10 MΩ, was eine Erhöhung um das ungefähr 1 × 10⁵-fache betrug, verglichen mit dem Widerstand vor der Abtrennung. Andererseits betrug der Widerstand, der nach dem Abtrennen unter der Bedingung des Beispieles 2 beobachtet wurde, ungefähr 1 kΩ, schaffte eine Erhöhung nur um das Zehnfache, verglichen mit dem Widerstand vor der Abtrennung.
7 ist eine Schnittansicht, die eine Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100 mit der elektrischen Sicherung 101, die unter der Bedingung des Beispieles 1 abgetrennt worden ist, zeigt.
In der Zeichnung zeigen die hellen Teile das Metall an. In der Zeichnung bezeichnen die Teile, welche von einer gestrichelten Kreislinie umgeben sind, die Silizidschicht 104. Wie aus der Zeichnung zu ersehen ist, ist die elektrische Sicherung 101 so konfiguriert, dass es möglich ist, dass die Silizidschicht 104 sich selbst aus der Region gerade unterhalb der zweiten Metallkontakte 112 und aus der Region zwischen den zweiten Metallkontakten 112 und den ersten Metallkontakten 108 entfernt, nachdem eine übermäßige Leistung angelegt worden ist. Es ist auch klar zu erse hen, dass die Silizidschicht 104 in die Region gerade unterhalb der ersten Metallkontakte 108 gestopft wird.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die vorstehend unter Bezugnahme auf die anhängenden Zeichnungen beschrieben worden sind, dienen nur als Beispiel, können auch verschiedene andere Konfigurationen als die vorstehend beschrieben annehmen.
Es ist klar zu ersehen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende Ausführungsform begrenzt ist, dass sie ohne Abweichen vom Umfang und Geist der Erfindung modifiziert und geändert werden kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2008-145769 [0001]
- JP 2007-266061 [0005, 0007]
- JP 2007-73576 [0006, 0007, 0007]

Claims

Elektrische Sicherung mit: einer Polysiliziumschicht; einer Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einem ersten Metallkontakt und einem zweiten Metallkontakt, die über der Silizidschicht angeordnet sind, wobei Sie voneinander beabstandet sind, wobei die elektrische Sicherung so konfiguriert ist, dass vor dem Abtrennen der erste Metallkontakt und der zweite Metallkontakt mit der Silizidschicht verbunden sind, und nach dem Abtrennen die Silizidschicht aus einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt ist.
Elektrische Sicherung nach Anspruch 1, die so konfiguriert ist, dass nach dem Abtrennen der zweite Metallkontakt mit der Polysiliziumschicht verbunden ist, während er von der Silizidschicht getrennt ist.
Elektrische Sicherung nach Anspruch 1, die so konfiguriert ist, dass nach dem Abtrennen der zweite Metallkontakt von der Silizidschicht und von der Polysiliziumschicht elektrisch getrennt ist.
Elektrische Sicherung nach Anspruch 1, die so konfiguriert ist, dass sie nach dem Abtrennen einen Widerstand hat, der 1 × 10²-mal so groß oder größer als der spezifische Widerstand vor dem Abtrennen ist.
Elektrische Sicherung nach Anspruch 2, die so konfiguriert ist, dass sie nach dem Abtrennen einen Widerstand hat, der 1 × 10²-mal so groß oder größer als der Widerstand vor dem Abtrennen ist.
Elektrische Sicherung nach Anspruch 3, die so konfiguriert ist, dass sie nach dem Abtrennen einen Widerstand hat, der 1 × 10²-mal so groß oder größer als der Widerstand vor dem Abtrennen ist.
Halbleitervorrichtung mit einer elektrischen Sicherung mit einem Substrat; einer Polysiliziumschicht, die über dem Substrat ausgebildet ist; einer Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einem ersten Metallkontakt und einem zweiten Metallkontakt, wobei die Silizidschicht über der Silizidschicht ausgebildet ist, wobei diese voneinander beabstandet sind, wobei die elektrische Sicherung so konfiguriert ist, dass vor dem Abtrennen der erste Metallkontakt und der zweite Metallkontakt mit der Silizidschicht verbunden sind, und nach der Abtrennung die Silizidschicht aus einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt entfernt ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, weiterhin mit einer Entscheidungsschaltung, die entscheidet, ob die elektrische Sicherung abgetrennt ist oder nicht, wobei die Entscheidungsschaltung entscheidet, dass die elektrische Schaltung abgetrennt ist, wenn der Widerstand nach dem Abtrennen 1 × 10²-mal so groß oder größer als der Widerstand vor dem Abtrennen ist.
Verfahren zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung, die aufweist eine Polysiliziumschicht, eine Silizidschicht, die über der Polysiliziumschicht ausgebildet ist; und einen ersten Metallkontakt und einen zweiten Metallkontakt, die über der Silizidschicht angeordnet sind, wobei sie voneinander beabstandet sind, wobei das Verfahren aufweist: Zulassen, dass ein Strom zwischen dem ersten Metallkontakt und dem zweiten Metallkontakt fließt, um eine Migration der Silizidschicht aus einer Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus einer Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt in Richtung auf den ersten Metallkontakt zu, zu induzieren, um dadurch die Silizidschicht auch aus der Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus der Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt zu entfernen.
Verfahren zum Abtrennen einer elektrischen Sicherung nach Anspruch 9, wobei in dem Schritt des Zulassens, dass ein Strom zwischen dem ersten Metallkontakt und dem zweiten Metallkontakt fließt, die elektrische Sicherung abgetrennt wird als Ergebnis der Migration der Silizidschicht aus der Region gerade unterhalb des zweiten Metallkontaktes und aus der Region zwischen dem zweiten Metallkontakt und dem ersten Metallkontakt in Richtung auf den ersten Metallkontakt zu, um in die Region gerade unterhalb des ersten Metallkontaktes gestopft zu sein.