JP2007266061A - eヒューズおよびeヒューズの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】斜線で示した部分がシリサイド(領域)1であり、シリサイド領域1は、シリサイド領域1は、第1コンタクト領域7と第1コンタクト領域7よりも長手方向の幅が細いヒューズ領域8と、ヒューズ領域8を挟んで第1コンタクト領域7と対向して設けられた第2コンタクト領域9とから構成され、第2コンタクト領域9のヒューズ領域8と接している側とは反対側に隣接した位置(非ヒューズ接続側)などに非シリサイド領域2を設ける。
【選択図】図3−1
Description
まず、この発明の実施の形態にかかるeヒューズの構成について説明する。図1は、この発明の実施の形態にかかるeヒューズを示す概略断面図である。図1において、ポリシリコン(Poly Si)層3内の上層側に形成されたシリサイド1に隣接する周辺に非シリサイド領域2を設ける。
つぎに、この発明の実施の形態にかかるeヒューズの製造方法について説明する。図5−1〜図5−6は、この発明の実施の形態にかかるeヒューズの製造工程を示す説明図である。
図6〜図10は、この発明の実施の形態にかかるeヒューズの平面図の別の一例を示す平面図である。図6は、第2コンタクト領域9の周辺を囲む領域、特に非ヒューズ領域側に対する両サイドの領域(以後「サイド領域」という)を非シリサイド領域2としている。これによって、サイド領域へ金属原子が移動した場合にも対応することができる。図6では、非ヒューズ領域とサイド領域の両方を非シリサイド領域2としているが、サイド領域のみであってもよい。図6において、非シリサイド領域2の幅をどのくらいにするかについては、設計時においてeヒューズの性能などを考慮して決定すればよい。
第2のコンタクト領域と、
前記第1のコンタクト領域と前記第2のコンタクト領域の間に設けられ、前記第1コンタクト領域と前記第2のコンタクト領域とを接続するヒューズ領域と、
を備えたeヒューズであって、
前記第2のコンタクト領域に隣接する周辺の少なくとも一部の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とするeヒューズ。
第2のコンタクト領域と、
前記第1のコンタクト領域と前記第2のコンタクト領域の間に設けられ、前記第1コンタクト領域と前記第2のコンタクト領域とを接続するヒューズ領域と、
を備えたeヒューズであって、
前記ヒューズ領域に隣接する周辺の少なくとも一部の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とするeヒューズ。
前記第1の工程において形成されたポリシリコン層の上の所定の位置に酸化シリコン層を形成する第2の工程と、
前記第2の工程に続いて、前記ポリシリコン層および前記酸化シリコン層の上に金属膜を形成する第3の工程と、
前記第3の工程において形成した金属膜に対してアニール処理を施し、前記ポリシリコン層の上層にシリサイドを形成する工程と、
を含んだことを特徴とするeヒューズの製造方法。
2 非シリサイド領域
3 ポリシリコン層
4−1,4−2 コンタクト(群)
5−1,5−2 配線部
6 ゲート酸化膜
7 第1コンタクト領域
8 ヒューズ領域
9 第2コンタクト領域
10 酸化シリコン(SiO2)
11 フォトレジスト
12 コバルト(Co)
Claims (10)
- 第1のコンタクト領域と、
第2のコンタクト領域と、
前記第1のコンタクト領域と前記第2のコンタクト領域の間に設けられ、前記第1コンタクト領域と前記第2のコンタクト領域とを接続するヒューズ領域と、
を備えたeヒューズであって、
前記第2のコンタクト領域に隣接する周辺の少なくとも一部の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とするeヒューズ。 - 前記第2のコンタクト領域のうち、前記ヒューズとつながっている側(以下「ヒューズ領域側」という)に隣接する領域を非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項1に記載のeヒューズ。
- 前記第2のコンタクト領域のうち、前記ヒューズとつながっている側(以下「ヒューズ領域側」という)と反対側(以下「非ヒューズ接続側」という)に隣接する領域を非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項1または2に記載のeヒューズ。
- 前記非ヒューズ接続側に隣接する領域であって、前記ヒューズ領域の長手方向に対する幅と略同一の幅の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項3に記載のeヒューズ。
- 前記非ヒューズ接続側に隣接する領域であって、前記ヒューズ領域の長手方向に対する幅と略同一の幅の領域で、かつ前記ヒューズ領域の延長上の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項3に記載のeヒューズ。
- 第2のコンタクト領域の前記ヒューズ接続側、前記非ヒューズ接続側に対する両サイド側の少なくともいずれかを非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のeヒューズ。
- 前記ヒューズ領域に隣接する周辺の少なくとも一部の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のeヒューズ。
- 前記第1コンタクト領域および前記第2コンタクト領域の少なくともいずれかは多角形の形状であり、その一辺がヒューズ領域と接続されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のeヒューズ。
- 第1のコンタクト領域と、
第2のコンタクト領域と、
前記第1のコンタクト領域と前記第2のコンタクト領域の間に設けられ、前記第1コンタクト領域と前記第2のコンタクト領域とを接続するヒューズ領域と、
とを備えたeヒューズであって、
前記ヒューズ領域に隣接する周辺の少なくとも一部の領域を非シリサイド領域としたことを特徴とするeヒューズ。 - ポリシリコン層を形成する第1の工程と、
前記第1の工程において形成されたポリシリコン層の上の所定の位置に酸化シリコン層を形成する第2の工程と、
前記第2の工程に続いて、前記ポリシリコン層および前記酸化シリコン層の上に金属膜を形成する第3の工程と、
前記第3の工程において形成した金属膜に対してアニール処理を施し、前記ポリシリコン層の上層にシリサイドを形成する工程と、
を含んだことを特徴とするeヒューズの製造方法。
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