DE102009006886B4 - Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung - Google Patents
Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009006886B4 DE102009006886B4 DE102009006886A DE102009006886A DE102009006886B4 DE 102009006886 B4 DE102009006886 B4 DE 102009006886B4 DE 102009006886 A DE102009006886 A DE 102009006886A DE 102009006886 A DE102009006886 A DE 102009006886A DE 102009006886 B4 DE102009006886 B4 DE 102009006886B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- semiconductor region
- containing crystalline
- crystalline semiconductor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
- H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
- H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
- H10D84/0144—Manufacturing their gate insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
- H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
- H10D84/0151—Manufacturing their isolation regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
- H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
- H10D84/0165—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including complementary IGFETs, e.g. CMOS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
- H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
- H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/201—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates the substrates comprising an insulating layer on a semiconductor body, e.g. SOI
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
- H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
- H10D84/013—Manufacturing their source or drain regions, e.g. silicided source or drain regions
- H10D84/0133—Manufacturing common source or drain regions between multiple IGFETs
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009006886A DE102009006886B4 (de) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung |
| US12/693,227 US8361858B2 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-25 | Reduction of thickness variations of a threshold semiconductor alloy by reducing patterning non-uniformities prior to depositing the semiconductor alloy |
| JP2011546705A JP5781944B2 (ja) | 2009-01-30 | 2010-01-27 | スレッショルド調節半導体合金を堆積させるのに先立ちパターニング不均一性を低減することによる前記半導体合金の厚みばらつきの低減 |
| CN201080014774.XA CN102388451B (zh) | 2009-01-30 | 2010-01-27 | 形成半导体器件的方法 |
| PCT/EP2010/000490 WO2010086152A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-27 | Reduction of thickness variations of a threshold adjusting semiconductor alloy by reducing patterning non-uniformities prior to depositing the semiconductor alloy |
| KR1020117020213A KR101587200B1 (ko) | 2009-01-30 | 2010-01-27 | 반도체 합금을 증착하기 이전에 패터닝 비-균일성들을 감소시킴으로써 임계치 조정용 반도체 합금의 두께 변화들의 감소 |
| US13/671,468 US20130161695A1 (en) | 2009-01-30 | 2012-11-07 | Reduction of thickness variations of a threshold semiconductor alloy by reducing patterning non-uniformities prior to depositing the semiconductor alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009006886A DE102009006886B4 (de) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102009006886A1 DE102009006886A1 (de) | 2010-08-19 |
| DE102009006886B4 true DE102009006886B4 (de) | 2012-12-06 |
Family
ID=42338499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102009006886A Active DE102009006886B4 (de) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8361858B2 (https=) |
| JP (1) | JP5781944B2 (https=) |
| KR (1) | KR101587200B1 (https=) |
| CN (1) | CN102388451B (https=) |
| DE (1) | DE102009006886B4 (https=) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009021489B4 (de) * | 2009-05-15 | 2012-01-12 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Erhöhen der Abscheidegleichmäßigkeit für eine zur Schwellwerteinstellung in einem aktiven Gebiet vorgesehene Halbleiterlegierung |
| DE102009021484B4 (de) | 2009-05-15 | 2014-01-30 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Höhere Gleichmäßigkeit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Herstellen von STI-Strukturen nach dem Aufwachsprozess |
| DE102009046877B4 (de) | 2009-06-30 | 2012-06-21 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Erhöhung der Selektivität während der Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch einen nassen Oxidationsprozess |
| DE102009055394B4 (de) * | 2009-12-30 | 2012-06-14 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Verfahren und Halbleiterbauelement mit Erhöhung der Abscheidegleichmäßigkeit für eine Kanalhalbleiterlegierung durch Bilden einer Vertiefung vor der Wannenimplantation |
| DE102010028459B4 (de) * | 2010-04-30 | 2018-01-11 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Reduzierte STI-Topographie in Metallgatetransistoren mit großem ε durch Verwendung einer Maske nach Abscheidung einer Kanalhalbleiterlegierung |
| DE102010040064B4 (de) | 2010-08-31 | 2012-04-05 | Globalfoundries Inc. | Verringerte Schwellwertspannungs-Breitenabhängigkeit in Transistoren, die Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε aufweisen |
| DE102010063296B4 (de) * | 2010-12-16 | 2012-08-16 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Herstellungsverfahren mit reduzierter STI-Topograpie für Halbleiterbauelemente mit einer Kanalhalbleiterlegierung |
| DE102011005639B4 (de) | 2011-03-16 | 2016-05-25 | GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG | Reduzieren der Defektrate während des Abscheidens einer Kanalhalbleiterlegierung in ein in-situ-abgesenktes aktives Gebiet |
| DE102011076695B4 (de) * | 2011-05-30 | 2013-05-08 | Globalfoundries Inc. | Transistoren mit eingebettetem verformungsinduzierenden Material, das in durch einen Oxidationsätzprozess erzeugten Aussparungen ausgebildet ist |
| US8508001B2 (en) | 2011-08-25 | 2013-08-13 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor device with work function adjusting layer having varied thickness in a gate width direction and methods of making same |
| US8377773B1 (en) | 2011-10-31 | 2013-02-19 | Globalfoundries Inc. | Transistors having a channel semiconductor alloy formed in an early process stage based on a hard mask |
| KR102277398B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2021-07-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR102707542B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2024-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| US10141430B1 (en) * | 2017-07-27 | 2018-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin structures with uniform threshold voltage distribution and method of making the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040129982A1 (en) * | 2000-05-25 | 2004-07-08 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and manufacturing method |
| US20060105533A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Chong Yung F | Method for engineering hybrid orientation/material semiconductor substrate |
| US20070181977A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-08-09 | Amberwave Systems Corporation | Solutions for integrated circuit integration of alternative active area materials |
| US20080079086A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-04-03 | Hyung-Suk Jung | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20080237634A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | International Business Machines Corporation | Crystallographic recess etch for embedded semiconductor region |
| DE102008063402A1 (de) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verringerung der Schwellwertspannungsfluktuation in Transistoren mit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Verringern der Abscheideungleichmäßigkeiten |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5595526A (en) * | 1994-11-30 | 1997-01-21 | Intel Corporation | Method and apparatus for endpoint detection in a chemical/mechanical process for polishing a substrate |
| US6180978B1 (en) | 1997-12-30 | 2001-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Disposable gate/replacement gate MOSFETs for sub-0.1 micron gate length and ultra-shallow junctions |
| US6617226B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR100398041B1 (ko) | 2000-06-30 | 2003-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 에피 채널 형성 방법 |
| US6762469B2 (en) * | 2002-04-19 | 2004-07-13 | International Business Machines Corporation | High performance CMOS device structure with mid-gap metal gate |
| JP2004266064A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7381690B1 (en) * | 2003-09-25 | 2008-06-03 | Ppt Research Inc | Stable aqueous slurry suspensions |
| US6995456B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-02-07 | International Business Machines Corporation | High-performance CMOS SOI devices on hybrid crystal-oriented substrates |
| JP4836416B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-12-14 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7439139B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-10-21 | Seliskar John J | Fully-depleted castellated gate MOSFET device and method of manufacture thereof |
| US7438760B2 (en) | 2005-02-04 | 2008-10-21 | Asm America, Inc. | Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition |
| US7696574B2 (en) * | 2005-10-26 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Semiconductor substrate with multiple crystallographic orientations |
| EP1946358A4 (en) * | 2005-11-09 | 2009-03-04 | Advanced Tech Materials | COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS ON WHICH DIELECTRIC MATERIAL WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT |
| DE102006035669B4 (de) * | 2006-07-31 | 2014-07-10 | Globalfoundries Inc. | Transistor mit einem verformten Kanalgebiet, das eine leistungssteigernde Materialzusammensetzung aufweist und Verfahren zur Herstellung |
| DE102006051492B4 (de) | 2006-10-31 | 2011-05-19 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Halbleiterbauelement mit NMOS- und PMOS-Transistoren mit eingebettetem Si/Ge-Material zum Erzeugen einer Zugverformung und einer Druckverformung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements |
| KR101378987B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2014-03-28 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 인장성 스트레인 및 압축성 스트레인을 생성시키기 위한 임베드된 Si/Ge 물질을 갖는 NMOS 및 PMOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 디바이스 |
| US7687862B2 (en) * | 2008-05-13 | 2010-03-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices with active regions of different heights |
-
2009
- 2009-01-30 DE DE102009006886A patent/DE102009006886B4/de active Active
-
2010
- 2010-01-25 US US12/693,227 patent/US8361858B2/en active Active
- 2010-01-27 KR KR1020117020213A patent/KR101587200B1/ko active Active
- 2010-01-27 CN CN201080014774.XA patent/CN102388451B/zh active Active
- 2010-01-27 JP JP2011546705A patent/JP5781944B2/ja active Active
-
2012
- 2012-11-07 US US13/671,468 patent/US20130161695A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040129982A1 (en) * | 2000-05-25 | 2004-07-08 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and manufacturing method |
| US20060105533A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Chong Yung F | Method for engineering hybrid orientation/material semiconductor substrate |
| US20070181977A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-08-09 | Amberwave Systems Corporation | Solutions for integrated circuit integration of alternative active area materials |
| US20080079086A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-04-03 | Hyung-Suk Jung | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20080237634A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | International Business Machines Corporation | Crystallographic recess etch for embedded semiconductor region |
| DE102008063402A1 (de) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verringerung der Schwellwertspannungsfluktuation in Transistoren mit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Verringern der Abscheideungleichmäßigkeiten |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| WIDMANN, D., MADER, H., FRIEDRICH, H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen. 2. Auflage. Berlin : Springer, 1996. S. 186-189. - ISBN 3-540-59357-8 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102009006886A1 (de) | 2010-08-19 |
| CN102388451A (zh) | 2012-03-21 |
| KR101587200B1 (ko) | 2016-02-02 |
| JP5781944B2 (ja) | 2015-09-24 |
| US20130161695A1 (en) | 2013-06-27 |
| US20100193881A1 (en) | 2010-08-05 |
| US8361858B2 (en) | 2013-01-29 |
| KR20110113647A (ko) | 2011-10-17 |
| CN102388451B (zh) | 2015-07-15 |
| JP2012516555A (ja) | 2012-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102009006886B4 (de) | Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung | |
| DE102009010883B4 (de) | Einstellen eines nicht-Siliziumanteils in einer Halbleiterlegierung während der FET-Transistorherstellung mittels eines Zwischenoxidationsprozesses | |
| DE102009055392B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements | |
| DE102009021489B4 (de) | Erhöhen der Abscheidegleichmäßigkeit für eine zur Schwellwerteinstellung in einem aktiven Gebiet vorgesehene Halbleiterlegierung | |
| DE102009039418B4 (de) | Einstellung der Austrittsarbeit in Gate-Stapeln mit großem ε, die Gatedielektrika mit unterschiedlicher Dicke enthalten | |
| DE102011077661B4 (de) | Metallgateelektrodenstrukturen und Verfahren zu deren Herstellung durch eine Reduzierung des Gatefüllaspektverhältnisses in einer Austauschgatetechnologie | |
| DE102010063296B4 (de) | Herstellungsverfahren mit reduzierter STI-Topograpie für Halbleiterbauelemente mit einer Kanalhalbleiterlegierung | |
| DE102010001406B4 (de) | Austausch-Gate-Verfahren auf der Grundlage eines früh aufgebrachten Austrittsarbeitsmetalls | |
| DE102010042229B4 (de) | Verfahren zum Steigern der Integrität eines Gatestapels mit großem ε durch Erzeugen einer gesteuerten Unterhöhlung auf der Grundlage einer Nasschemie und mit den Verfahren hergestellter Transistor | |
| DE102009055393B4 (de) | Verfahren zur Herstellung und Halbleiterbauelement mit besserem Einschluss von empfindlichen Materialien einer Metallgateelektrodenstruktur mit großem ε | |
| DE102011004320B4 (de) | Verfahren zur Herstellung komplementärer Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε und epitaktisch hergestellten Halbleitermaterialien in den Drain- und Sourcebereichen | |
| DE102010002450B4 (de) | Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε und angepassten Kanalhalbleitermaterialien | |
| DE102010064281B4 (de) | Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch Erzeugen eines Hartmaskenschichtstapels und Anwenden eines plasmaunterstützten Maskenstrukturierungsprozesses | |
| DE102008063402B4 (de) | Verringerung der Schwellwertspannungsfluktuation in Transistoren mit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Verringern der Abscheideungleichmäßigkeiten | |
| DE102009021484B4 (de) | Höhere Gleichmäßigkeit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Herstellen von STI-Strukturen nach dem Aufwachsprozess | |
| DE102008059648A1 (de) | Gateelektrodenstruktur mit großem ε, die nach der Transistorherstellung unter Anwendung eines Abstandshalters gebildet wird | |
| DE102012213825A1 (de) | Verhinderung eines ILD-Verlustes in Austauschgatetechnologien durch Oberflächenbehandlung | |
| DE102010028459B4 (de) | Reduzierte STI-Topographie in Metallgatetransistoren mit großem ε durch Verwendung einer Maske nach Abscheidung einer Kanalhalbleiterlegierung | |
| DE102011080440B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε mittels einer frühen Deckschichtanpassung | |
| DE102011076695B4 (de) | Transistoren mit eingebettetem verformungsinduzierenden Material, das in durch einen Oxidationsätzprozess erzeugten Aussparungen ausgebildet ist | |
| DE102011080589B4 (de) | Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch Erzeugen einer nitridbasierten Hartmaskenschicht | |
| DE102011003385B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit verformungsinduzierendem Halbleitermaterial | |
| DE102008049717B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements als Transistor mit einem Metallgatestapel mit großem ε und einem kompressiv verspannten Kanal | |
| DE102009010846B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Gateelektrodenstruktur mit großem ε zum Erhöhen deren Integrität durch Einschluss einer Metalldeckschicht nach der Abscheidung | |
| DE102009047311A1 (de) | Verbesserung der Gateflächeneigenschaften zwischen einer Kanalhalbleiterlegierung und einem Gatedielektrikum mittels eines Oxidationsprozesses |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130307 |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., SANTA CLARA, US Free format text: FORMER OWNERS: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., SUNNYVALE, CALIF., US; AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG, 01109 DRESDEN, DE |
|
| R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE |
|
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021823400 Ipc: H10D0084830000 |