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Die vorliegende Erfindung betrifft Ultraschalltransducer. Insbesondere wird ein Verfahren zur Herstellung der Trägerschicht geschaffen.
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Eindimiensionale Anordnungen von Transducern sind mit Systemkanälen durch ein Flexmaterial verbunden. Das Flexmaterial ist mit den Elementen der Anordnung ausgerichtet. Hinter den Elementen und dem Flex befindet sich ein akustisches Trägermaterial. Das akustische Trägermaterial dämpft Schallenergie, begrenzt eine Reflexion von Signalen, die nicht von einem abgetasteten Gewebe stammen. Das Flexmaterial ist dünn genug, um Reflexionen zu verhindern.
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Für zweidimensionale Anordnungen kann das Flexmaterial keine ausreichende Leitungsdichte liefern. Es sind Alternativen vorgeschlagen worden, wie beispielsweise Z-Achsen Leiter. Der akustische Träger wird gebildet mit Leitern, die sich entlang der Bereichsdimension durch das Trägermaterial erstrecken. Die Ausrichtung und das Halten dieser Leiter während der Bildung des Trägermaterials ist jedoch schwierig. Die Dichte der Drähte auf der Rückseite des Trägermaterials ist immer noch hoch, was Schwierigkeiten bei der Verbindung mit sich bringt.
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Ein weiteres Problem besteht in der Anzahl an Kabeln zu dem Ultraschallbildgebungssystem. Um die Anzahl von Kabeln zu begrenzen werden Schaltungen in dem Ultraschallsondengehäuse positioniert. Die Schaltungen sind mit den Elementen verbunden, wie beispielsweise mit Z-Achsen Leitern in dem Träger. Die Schaltungen kombinieren Signale von einer Mehrzahl von Elementen wie beispielsweise durch teilweises Strahlformen oder Multiplexen. Die Kombination reduziert die erforderliche Anzahl von Kabeln zu dem Bildgebungssystem. Die Querverbindung der Elektroden der Elemente zu dem Schaltkreis kann jedoch schwierig sein.
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Jedes Element einer Anordnung ist mit zwei leitenden Pfaden verbunden. Die leitenden Pfade können Verbindungen zu Schaltungen innerhalb einer Sonde, Verbindungen von den Schaltungen zu dem Kabel und Verbindungen von dem Kabel zu Strahlformern in dem Bildgebungssystem aufweisen. Es kann Tausende von Querverbindungen innerhalb der Schaltungen, tausende mehr für Element-zu-Flex, Tausende mehr für Flex-zu-Schaltung und mehr für Schaltung-zu-Kabel Querverbindungen geben. Die Anzahl an Verbindungen kann groß sein, was Störeffekte verstärkt, die Wahrscheinlichkeit für einen Kurzschluss erhöht, und teure Herstellungsverfahren erfordert.
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US 5 329 498 A betrifft einen Ultraschalltransducer mit einem Transducermaterial, das eine Mehrzahl von Elementen bildet, Elektroden auf jedem der Elemente und einem akustisch dämpfenden Trägermaterial
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US 2005/0 237 858 betrifft eine rekonfigurierbare lineare Anordnung von Sensoren, wobei die Größe und der Abstand der Sensorelemente als Funktion eines Abstands von einem Strahlzentrum eingestellt werden kann.
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US 2004/0 054 289 A1 betrifft eine Ultraschalltransduceranordnung mit einer flexiblen Schaltung an die eine Ultraschalltransduceranordnung und integrierte Schaltungen während der Herstellung der Ultraschalltransduceranordnung angebracht werden.
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Einleitend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele beschrieben, die Verfahren, Träger, Transducer und Systeme enthalten zur automatischen akustischen Dämpfung von Ultraschallenergie. Ein oder mehrere Chips, integrierte Schaltungen oder Halbleiter werden in den Träger eingebettet.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden planare Blätter von Trägermaterial mit integrierten Schaltungen innerhalb von Löchern in den Blättern gebildet. Bahnen (Traces) verbinden die integrierte Schaltung mit Elektroden oder mit freigelegten leitfähigen Oberflächen. Eine Mehrzahl von planaren Blättern kann hergestellt werden unter Verwendung einer Waveverarbeitung, wie beispielsweise Aufnehmen und Platzieren von Chips in einem Wafer des Trägermaterials und einer IC Neuverteilung zum Bilden der Bahnen. Die unterschiedlichen Blätter werden aus dem Wafer geschnitten und benachbart zueinander gestapelt. Der Transducer wird mit freigelegten Elektroden oder leitfähigen Flächen des Trägers verbunden.
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Gemäß einem ersten Aspekt hat ein Ultraschalltransducer ein Transducermaterial, das eine Mehrzahl von Elementen bildet, Elektroden auf jedem der Elemente, und ein akustisch dämpfendes Trägermaterial. Eine integrierte Schaltung ist in das akustisch dämpfende Trägermaterial eingebettet.
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Gemäß einem zweiten Aspekt wird ein Träger bereitgestellt für eine akustische Dämpfung von Energie von einer Rückseite eines Transducers. Das Trägermaterial hat eine erste Oberfläche für einen Kontakt mit der Rückseite des Transducers. Ein Halbleiter hat einen aktiven Schaltkreis und ist innerhalb des Trägermaterials ausgebildet.
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Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Verfahren geschaffen zum Erzeugen eines Trägers für eine Ultraschalltransduceranordnung. Ein Blatt aus einem akustisch dämpfenden Material wird gebildet. Ein Chip wird innerhalb des Blatts platziert. Leiter werden von dem Chip zu einer Leitung (Anschluss) des Blatts gebildet.
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Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden Ansprüche definiert, und nichts in diesem Abschnitt soll eine Beschränkung dieser Ansprüche darstellen. Weitere Aspekte und Vorteile der Erfindung werden im Folgenden in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsbeispielen diskutiert, und können später unabhängig und in Kombination beansprucht werden.
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Die Komponenten und die Figuren sind nicht notwendiger Weise maßstabsgetreu, sondern heben stattdessen die Prinzipien der Erfindung hervor. Darüber hinaus werden in den Figuren gleiche Bezugszeichen für entsprechende Teile in verschiedenen Ansichten verwendet.
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1 zeigt ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Erzeugen eines Trägers für eine Ultraschalltransduceranordnung;
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2 und 3 zeigen alternative Ansätze zum Bilden eines Blatts in einem Waferausführungsbeispiel; und
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4 bis 8 zeigen Verarbeitungsschritte und eine Struktur für das Waferausführungsbeispiel;
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9 bis 12 zeigen Verarbeitungsschritte und eine Struktur für ein alternatives Blockausführungsbeispiel;
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13 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Transduceranordnung mit Kühlkanälen in dem Träger;
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14 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Scheibe zur Verwendung in einer Anordnung einer transesophagealen Sonde;
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15 und 16 zeigen alternative Ausführungsbeispiele eines Leiterplans in einer Transduceranordnung; und
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17 zeigt alternative Ausführungsbeispiele von Querverbindungen zwischen Trägerscheiben einer Transduceranordnung.
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Die Anzahl an Verbindung entlang des leitfähigen Pfads für ein gegebenes Element kann reduziert werden, indem eine Halbleitertypherstellung oder in ein Trägermaterial eingebettete Schaltungen verwendet werden. Sägen, Schneiden und Laminieren werden mit Halbleiter IC Neuverteilungstechnologien kombiniert. Die Halbleitertypherstellung kann billigere und dichtere Querverbindungen ermöglichen, was eine große Elementzahl unterstützt.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel erzeugt das Verarbeiten für eine multidimensionale Anordnung Module mit einer Einzel-Element-Breite und Multi-Element-Azimuth Länge. Leiter von den eingebetteten Schaltungen werden gebildet durch Photolithographie oder eine andere integrierte Schaltungstechnik, wodurch eine dichte Neuverteilung von dem Schaltkreiseingabeabstand zu dem Elementabstand geschaffen wird. Die Module können laminiert werden, um einen vollständigen Träger oder einen Transducer mit Träger zu erzeugen.
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1 zeigt ein Verfahren zum Erzeugen eines Trägers für eine Ultraschalltransduceranordnung. Der Träger kann mit einem Transducermaterial verwendet werden, um einen Ultraschalltransducer zu bilden. Der Träger dient für einen Betrieb mit einer mehrdimensionalen Transduceranordnung, kann jedoch mit einer eindimensionalen Anordnung arbeiten.
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Das Verfahren wird in der gezeigten Reihenfolge durchgeführt. Alternativ kann eine andere Reihenfolge verwendet werden. Beispielsweise wird der Schritt 20 zum Schneiden von Scheiben durchgeführt vor oder als Teil des Schritts 12 zum Bilden eines Blatts. Weitere, andere oder weniger Schritte können vorgesehen werden. Beispielsweise wird das Blatt um den Chip herum gebildet oder eingefügt ohne dass Löcher in dem Blatt gebildet werden müssen, wie beispielsweise durch Gießen oder Formen.
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Viele Ausführungsformen sind möglich. Die 2 bis 8 zeigen ein Waferprozesstyp-Ausführungsbeispiel. Die 9 bis 12 zeigen ein Blockprozess-Ausführungsbeispiel. Beide Ausführungsbeispiele enthalten einige oder alle Schritte gemäß 1. Andere Ausführungsbeispiele können verwendet werden, wie beispielsweise ein Formen oder Gießen des Trägermaterials um oder benachbart zu mehreren Seiten von einem oder von mehreren Chips.
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In Schritt 12 wird ein Blatt 32 eines akustisch dämpfenden Materials gebildet. Gießen, Formen, Abscheiden oder ein anderer Prozess können verwendet werden. Gemäß einem Auführungsbeispiel, wie in 2 gezeigt, wird ein Stab 30 oder ein Zylinder aus Trägermaterial verwendet. Der Stab wird gebildet durch Formen von beladenem Epoxid, wie Wolfram beladenes Epoxid. Andere Trägermaterialien, enthaltend Festkörper, Polymere, halbfeste Materialien oder Epoxidverbindungen, können verwendet werden. Kein oder andere Beladungsmaterialien können verwendet werden. Die Dichte des Beladematerials oder das Grundträgermaterial können variieren, beispielsweise kann sich die akustische Dämpfung von einer Seite des Stabs 30 zu der anderen Seite hin ändern.
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Das Blatt 32 ist als ein Wafer ausgebildet. Ein Wafer wird von dem Stab 30 geschnitten. Das Schneiden erfolgt mit einer Wafersäge, einer Würfelsäge (Dicing-Säge), einer ID-Säge oder einem anderen Waferausbildungsprozess. Die Dicke oder die Höhe des Wafers ist ungefähr gleich einem Elementenabstand. Beispielsweise dient der Träger zur Verwendung mit einer mehrdimensionalen Anordnung, die in Elevationsrichtung 400 Mikrometer Elementabstand aufweist. Der Wafer wird geschnitten, um ungefähr 400 Mikrometer aufzuweisen, beispielswesie 360 bis 420 Mikrometer. Andere Dicken können verwendet werden, einschließlich eine Höhe größer als 1, 2 oder mehr Elementabstände in Elevationsrichtung (Höhenrichtung) oder Azimuthrichtung (Seitenrichtung). Der Wafer kann geschnitten werden, um größer zu sein als die erforderliche Dicke, um dann nach einem Abschneiden von dem Stab 30 auf die Spezifikation geschliffen werden. Das Blatt 32 wird auf einer er Waferfolie (Waferband) oder einem anderen Waferhalter positioniert.
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In dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Stab 30 mit einer Mehrzahl von Drähten 36 ausgebildet, die sich von oben nach unten oder innerhalb des Stabs 30 erstrecken. Die Drähte 36 sind aus Gold, Kupfer, Flexmaterial mit Bahnen oder andere Leiter. Die Drähte 36 sind in einer Mehrzahl von Mustern verteilt. Jedes Muster entspricht einem Stück (Scheibe oder auch Slice genannt) 50, das für eine Reihe von Elementen 58 (nicht gezeigt) zu verwenden ist. 2 zeigt das Blatt 32 mit fünf Stücken 50 von Trägern. Ein Satz von Drähten 36a für jedes Stück 50 ist an einem Elementenabstand, wie beispielsweise einem Elevation- oder Azimuthabstand. Ein Draht 36a ist für jedes Element der Reihe, die mit dem Stück 50 zu verwenden ist, vorgesehen. Ein anderer Satz von Drähten 36b für jedes Stück 50 befindet sich an einem Abstand für eine Verbindung mit Kabeln oder anderen elektronischen Bauteilen, beispielsweise einer Systemquerverbindungs-PC-Karte 60 (nicht gezeigt).
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Wenn das Blatt 32 als Wafer ausgebildet ist, bewirkt das in Scheiben schneiden des Stabs 30 auch ein in Scheiben schneiden der Drähte 36. Die Drähte 36 erstrecken sich durch das Watt 32.
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Gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel, wie in 3 gezeigt, enthält der Stab 30 keine Drähte 36. Stattdessen hat der Stab 30 keine zusätzlichen Komponenten. Andere Zusätze als Drähte können vorgesehen werden. Anstelle der Drähte 36 in dem Stab 30 können Einsätze 42 verwendet werden. Die Einsätze 42 werden aus einem Trägermaterial gebildet, beispielsweise das Gleiche oder ein anderes Trägermaterial, das für den Stab 30 verwendet wird. Andere Materialien können vorgesehen werden, beispielsweise Kunststoff oder Epoxid. Die Einsätze 42 enthalten Leiter, beispielsweise Drähte 36a, 36b, Patches, Kugeln (Balls) oder Elektroden. Die Leiter erstrecken sich in, aber nicht vollständig durch den Einsatz 42. Alternativ erstrecken sich die Leiter den ganzen Weg durch den Einsatz 42 hindurch. Der Einsatz 42 hat eine Dicke, die gleich oder ähnlich der Dicke des Blatts 32 ist, beispielsweise etwas weniger.
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Die Leiter haben den oben für die Drähte 36 diskutierten Abstand. Die Leiter auf einem gegebenen Einsatz 42 sind für unterschiedliche Stücke 50. Wenn das Blatt 32 in Scheiben geschnitten wird, erstrecken sich die Schnitte durch den Einsatz 42, wodurch die unterschiedlichen Leiter getrennt und freigelegt werden. Alternativ werden unterschiedliche Einsätze 42 für unterschiedliche Stücke 50 bereitgestellt. Mehrere Einsätze 42 können verwendet werden, wobei nur einer gezeigt ist. Ein Einsatz 42 kann verwendet werden, wo zwei oder mehrere gezeigt sind, beispielsweise als ein Einsatz 42, der sich entlang dreier Stückabschnitte des Blatts 32 erstreckt.
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In Schritt 14 werden die Löcher 34, 40 in dem Blatt 32 gebildet. Die Löcher 34, 40 werden Die-gestanzt. Andere Techniken zum Bilden der Löcher können verwendet werden. Beispielsweise werden die Löcher gebildet durch Formen, Schneiden, Gießen oder Ätzen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel sind die Löcher 34, 40 in dem Stab 30. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen werden die Löcher 34, 40 in dem Blatt 32 ausgebildet.
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Die Löcher 34 sind größenmäßig an einen Chip 44 angepasst (nicht gezeigt). Die Löcher 34 erstrecken sich durch das Blatt 32, haben aber eine Form und Abmessungen die gleicher oder wenig größer sind als ein Chip 44. Die Löcher 40 sind an Einsätze 42 größenmäßig angepasst.
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Wenn unterschiedlich große Einsätze 42 verwendet werden, werden unterschiedlich große Löcher 40 verwendet. Die Löcher werden basierend auf den Stücken 50, die von dem Blatt 32 auszubilden sind, positioniert und orientiert. Andere relative Positionen und Orientierungen, als gezeigt, können verwendet werden.
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In Schritt 16 werden ein oder werden mehrere Chips 44 innerhalb des Blatts 32 platziert. 4 zeigt ein Beispiel, bei dem drei Chips 44 in jeder Region, die zu einem Stuck 50 gehört, positioniert werden. Wenige oder mehr Chips 44 pro Stück 50 oder pro Blatt 32 können verwendet werden. Einsätze 42 werden ebenfalls in dem Blatt 32 platziert. Weniger oder mehr Einsätze 42 pro Stück 50 oder pro Blatt 32 können verwendet werden.
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Die Chips 44 und die Einsätze 42, falls vorhanden, werden durch eine Aufnahme- und Platzierungsverarbeitung (Pick-and-Place Verarbeitung) platziert. Die Chips 44 werden mit den aktiven Komponenten nach unten weisend positioniert zur Befestigung an dem oder zum Schutz durch das Waferband oder einen Halter. Die aktive Oberfläche ist in der gleichen Ebene wie der Boden des Blatts 32 vorgesehen. Die chipaktive Oberfläche kann optional bedeckt werden mit einer Schutzschicht, die später entfernt oder während des Neuverteilungsprozesses weggeätzt wird. Ein anderes jetzt bekanntes oder später bekannt werdendes Verfahren zum Platzieren der Chips 44 und der Einsätze 42 in den Löchern 34, 40 kann verwendet werden. Eine automatisierte oder manuelle Platzierung kann verwendet werden.
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Die Chips 44 und/oder die Einsätze 42 haben eine Dicke, die größer oder gleich oder kleiner als die Dicke des Blatts 32 ist. Beispielsweise ist die Dicke der Chips 44 und die der Einsätze 42 ungefähr gleich, aber um 5–10% kleiner. Die Chips 44 und die Einsätze 42 erstrecken sich nicht aus den Löchern 34, 40 heraus. Die verbleibenden Bereiche der Löcher 34, 40 werden mit Epoxid als Verfüllung gefüllt. Abziehen (Squeegeeing) oder ein anderer Prozess kann verwendet werden, um eine flache Oberfläche oben auf dem Blatt 32 zu bilden. Da die aktive Oberfläche des Chips 44 nach unten positioniert ist, ist die Wahrscheinlichkeit, dass das Epoxid die aktive Oberfläche kontaktiert, gering. Alternativ erstrecken sich die Chips 44 und/oder die Einsätze 42 aus den Löchern 34, 40 heraus und sind poliert, geschliffen oder weggeätzt, um eine planare Oberfläche mit dem Blatt 32 zu bilden. Das Verfüllen kann vorgesehen werden, um irgendwelche Lücken zu füllen.
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Das Verfüllmaterial härtet aus, wodurch ein Verbundblatt gebildet wird. Sobald er ausgehärtet ist, kann das Blatt 32 von dem Rahmen, dem Band oder einem anderen Halter entfernt werden. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen erfolgen weitere Verarbeitungen vor einem Entfernen.
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In Schritt 18 werden Leiter 46 von den Chips 44 zu Linien 48 des Blatts 32 ausgebildet (siehe 5). Die Linien 48 entsprechend Rändern der Stücke, die von dem Blatt 32 zu schneiden sind. Die Linien 48 sind zu den Einsätzen 42 oder Drähten 36a, 36b ausgerichtet, um die Drähte 36a, 36b oder leitfähige Oberflächen freizulegen, wenn das Schneiden erfolgt. Die Leiter 46 sind mit Anschlüssen, Lötkugeln oder anderen Leitern auf den Chips 44 und Drähten 36 des Elements verbunden und liefern leitfähige Oberflächen. Die Leiter 46 erstrecken sich von dem Chip über irgendwelche Füller über das akustische Trägermaterial und auf den Drähten 36 oder leitfähigen Flächen.
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Die Leiter 46 werden gebildet durch Abscheidung, Photolitographie, Ätzen, Plattieren und/oder andere Halbleiterverarbeitungstechniken. Beispielsweise wird eine planare IC Neuverteilungsverarbeitung verwendet. Die Leiter 46 werden für die unterschiedlichen Stücke 50 des Blatts 32 gemustert. Obwohl sie auf dem Blatt 32 gezeigt sind, können die Leiter 46 innerhalb eines geschichteten Blatts 32 vorgesehen werden.
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Da unterschiedliche Anordnung und/oder Chips 44 unterschiedliche Verbindungskonfigurationen oder Abstände haben können, werden die Leiter 46 gemustert, um an die Unterschiede angepasst zu werden. Beispielsweise ist der Abstand von Eingängen des Chips 44 kleiner als der Abstand der Elemente 58, die mit dem Chip 44 zu verbinden sind, dann fächern sich die Leiter 46 auf. Eine andere Neuverteilung kann verwendet werden. Die Neuverteilung erlaubt die Verwendung von modulen Chips mit unterschiedlichen Anordnungen.
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Für einen elektrischen oder mechanischen Schutz kann das Blatt 32 mit einem Isolator beschichtet sein. Beispielsweise ist das gesamte Blatt 32 Spin-Coated. Die Beschichtung befindet sich auf einer nach oben gerichteten Fläche, nach unten gerichteten Fläche oder auf beiden. Gemäß alternativen Ausführungsbeispielen wird keine Beschichtung vorgesehen.
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In Schritt 20 wird eine oder werden mehrere Stücke 50 aus dem Blatt 32 herausgeschnitten. Der Schnitt bildet einen Würfel (Dice), beispielsweise mittels einer Diamantsäge oder einer anderen Halbleiterschneidtechnik. Die Schnitte erfolgen entlang der Linien 48. Die Schnitte legen die Leiter entlang der Linien 48 frei, beispielsweise die Drähte 36 der Einsätze 42. Die freigelegten Leiter haben einen Bereich zum Kontaktieren der Elektroden, anderer Leiter oder Elemente des Transducers. Gemäß alternativen Ausführungsbeispielen legen die Schnitte die Drähte 36 nicht frei, und die Drähte 36 werden später freigelegt durch Schleifen.
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Jedes Stück 50 enthält einen oder mehrere Chips 44, die Neuverteilungs-Leiter 46 und freigelegte Randoberflächenleiter 52. In dem in 5 gezeigten Beispiel enthält jedes Stück drei Chips 44. Die Leiter 46 verbinden die freigelegten Randoberflächenleiter 52 mit den Eingängen der Chips 44 und die Ausgänge der Chips 44 mit anderen freigelegten Randoberflächenleitern 52.
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Die Stücke 50 sind größenmäßig ausgebildet für eine Positionierung benachbart zu einer Anordnung. Beispielsweise hat jedes Stück 50 eine Größe, um die gesamte Azimuthreihe der Elemente zu bedecken, aber nur eine Spalte von Elevationselementen. Die Chips 44 sind von der Elementseite des Stücks 50 mit einem ausreichenden Abstand beabstandet, um eine gewünschte akustische Dämpfung bereitzustellen, beispielsweise ungefähr 5–10 mm. Irgendwelche Abstände können vorgesehen werden von den Chips 44 zu anderen Rändern, einschließlich ein oder mehr Ränder der Chips 44, der nicht von dem Trägermaterial des Blatts 32 bedeckt werden.
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In Schritt 22 ist eine Mehrzahl von Scheiben 50 aufeinandergestapelt. 6 zeigt einen Stapel, der einen Trägerblock 54 bildet. Bezüge, ein Rahmen oder eine andere Struktur richten die Stücke 50 aus. Eine Isolationsbeschichtung, Epoxid oder ein Trägermaterial isolieren die Leiter eines Stücks 50 von anderen Stücken 50.
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Der Trägerblock 54 liefert eine Oberfläche von freigelegten Elementkontakten 52, beispielsweise von den freigelegten Drähten 36a. Alternativ wird der Trägerblock 54 geschliffen, um die Elementkontakte 52 freizulegen. Die Elementkontakte 52 sind voneinander elektrisch isoliert durch das Trägermaterial und/oder ein Isolationsmaterial. Die Elementkontakte 52 sind auf der Oberfläche verteilt entsprechend der Elementverteilung des Transducers. Jeder Elementkontakt 52 kann verwendet werden als eine Elektrode einer Anordnung (eines Arrays) oder für eine Verbindung mit den Elementelektroden. Wenn jedes Stück 50 einer einzelnen Reihe von Elementen 58 in einer Dimension entspricht, ist eine ausreichende Anzahl von Stücken 50 für die Anzahl an Elementen 58 in der anderen Dimension vorgesehen. Stücke 50 mit freigelegten Elementkontakten 52 für zwei oder mehrere Reihen können verwendet werden. Stücke 50, die sich um weniger als eine Gesamtbreite der Anordnung erstrecken, können verwendet werden.
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Die gestapelten Stücke 50 werden in Schritt 24 laminiert. Wärme oder ein anderer Aktivator können für die Laminierung verwendet werden. Epoxid oder andere Bindemittel können verwendet werden. Gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel hält eine starre Struktur oder eine Klammer den Stapel 54 während der Verwendung zusammen.
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7 zeigt das Hinzufügen einer Schicht von Transducermaterial 56. Die Schicht des Transducermaterials 56 ist ein festes piezoelektrisches Keramik-, Verbund- oder anderes Transducer-(Wandler)Material. Die Schicht kann Elektroden und/oder Anpassungsschichten enthalten. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die Schicht an den Trägerblock 54 gebondet, und dann werden Elemente 58 durch Würfeln (Dicing) (in Würfel schneiden) gebildet. Nebenelemente können ebenso gebildet werden. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen werden die Elemente 58 gebildet vor einem Bonden an den Trägerstapel 54. Die Elemente 58 und entsprechende Kerben sind zu den Elementkontakten 52 ausgerichtet. Eine Erdungsebene kann über oder unter jeder Anpassungsschicht enthalten sein, um die Oberseite der Elemente 58 zu erden.
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8 zeigt eine Verbindung einer Systemquerverbindungskarte 60 (Platine). Der Trägerblock 54 ist geschliffen, um die systemseitigen Leitungsflächen 52 auf einer Rückseite des Trägerblocks 54 freizulegen. Alternativ legt das in Scheiben schneiden in der Aktion 20 die leitfähigen Oberflächen 52 frei. Die Oberflächen 52 sind auf dem Trägerblock 54 angeordnet, um angepasst zu sein an die Leiter in der Karte 60, beispielsweise unter Verwendung eines Lötens vom Flip-Chip Typ. Die Querverbindungsplatine 60 wird gebondet, gepresst oder anderweitig mit dem Trägerblock 54 verbunden. Durch das Ausrichten werden die Leiter der Karte 60 mit den Leitern des Trägerblocks 54, die durch die Chips 44 ausgegeben werden, verbunden.
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17 zeigt unterschiedliche Ausführungsbeispiele von Verbindungen für die Verbindungskarte 60. Ein Ausführungsbeispiel ist für analoge Verbindungen und andere für digitale Signalverbindungen. Andere analoge, digitale oder beide Verbindungen können verwendet werden. Die Stücke 50 werden von der Rückseite aus, die zu der Verbindung zu der Verbindungskarte 60 gehört, gestapelt. Die Kontakte 80 verbinden die Karte 60 mit den Chips 44. Für eine digitale Implementierung werden Paare von Kontakten 80 von unterschiedlichen Stücken 50 in einer Verkettung (Daisy Chain) oder anderen Formaten verbunden. Eine Reihe repräsentiert einen Eingang für den Bereich des Stücks 50, der durch den Chip 44 behandelt wird, und eine andere Reihe repräsentiert einen Ausgang für den Bereich des Stücks 50, der durch den Chip 44 behandelt wird. Jeder Ausgang ist eine Teilsummierung oder Nebenanordnungssummierung (beispielsweise summiert in Azimuth, aber nicht in Elevation). Der Eingang von einem Stück kann summiert werden mit dem Ausgang, wodurch eine Nebenanordnungssummierung bereitgestellt wird in Azimuth- und Elevationsrichtung. Der Kontakt 82 für eine gegebene Nebenanordnung ist schwebend (gefloatet) oder geerdet. Ein anderer Kontakt 82 ist der Ausgang zu dem System. Für ein analoges Ausführungsbeispiel ist jeder Kontakt 80 eine Teilnebenanordnung (beispielsweise summiert in Azimuth aber nicht in Elevation). Gruppen von Kontakten 80 sind miteinander verbunden, um eine Nebenanordnung zu bilden (beispielsweise dargestellt durch die „H” Konfiguration). Die vollständigen Nebenanordnungssignale werden mit dem System verdrahtet. Andere Kontakte 88 werden verwendet für Energie, Erden und/oder Steuersignale. Diese Kontakte 88 sind gezeigt als nur einer pro Chip 44, aber mehrere können vorgesehen werden. Die Verbindungsplatine 60 liefert die Verdrahtung für die Verkettungs-H-Verbindungen und/oder Enerige/Masse/Steuerungs-Verbindungen. Andere Konfigurationen können verwendet werden.
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Die Chips 44 reduzieren die Kanalanzahl für jedes gegebene Stück 50. Ein Multiplexen, ein Sub-Array Mischen, ein Teilstrahlformen, Kombinationen davon oder andere Techniken zur Kanalreduktion können verwendet werden. Eingegebene Elementdaten werden auf weniger Ausgänge kombiniert. Die Ausgangsdaten sind analog oder digital. Die Ausgangsdaten werden der Verbindungskarte 60 bereitgestellt. Die Verbindungskarte 60 ist eine PC-Platine oder PC-Karte aus Isolierungsmaterial mit Signalleitungen (Traces) und/oder Durchkontaktierungen (Vias). Aktive oder passive Schaltungen können auf der Verbindungskarte 60 bereitgestellt sein. Beispielsweise sind Kondensatoren vorgesehen für ein Energiespeichern oder eine DC Entkopplung.
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Die Verbindungskarte 60 verbindet die Ausgänge der Chips 44 mit Kabeln, beispielsweise Koaxialkabel, die mit der Verbindungskarte 60 verbunden sind. Steuerungssignale, Energie und/oder Sendewellenformen können durch oder mittels der Verbindungskarte 60 an die Chips 44 geliefert werden, indem eine oder mehrere Leiter 46 verwendet werden. Die Verbindungskarte 60 kann Signale von einem Stück 50 an einen Chip 44 eines anderen Stücks 50 liefern, beispielsweise für das Durchführen einer weiteren Kanalreduktion. Beispielsweise wird ein Teilstrahlformen vorgesehen durch Kombinieren von Signalen von unterschiedlichen Elevationsreihen von Elementen.
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Die 9–12 zeigen ein alternatives Ausführungsbeispiel zum Implementieren des Verfahrens gemäß 1. Das Blatt von Trägermaterial wird gebildet aus einem Block in Schritt 12. 9 zeigt einen Block 54 eines Trägermaterials, der für einen Betrieb mit einer mehrdimensionalen Transduceranordnung größenmäßig ausgebildet und geformt ist. Andere Größen als gezeigt können verwendet werden, beispielsweise größere Dimensionen in Richtung Höhe, aufgrund des später beschriebenen Schneidens. Der Block 54 ist aus Epoxid, jedoch können andere akustische Dämpfungsmaterialien verwendet werden.
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Der Block 54 enthält eine Mehrzahl von Drähten 62. Die Drähte 62a sind auf der Schall- oder Transducerseite. Die Drähte 62b sind auf der Systemseite. Als eine Alternative zu den Drähten 62 können Bahnen (Traces) auf einem flexiblen Material oder andere Leitungen verwendet werden. Die Drähte 62a erstrecken sich entlang der gesamten Höhe des Blocks 54 und sind mit einem Elementabstand, beispielsweise 0,2 mm beabstandet. Die Drähte 62b auf der Systemseite erstrecken sich entlang der gesamten Höhe und sind beabstandet entsprechend zu Systemseitenverbindungen zwischen einer Verbindungskarte 60 und Chips 44 (nicht gezeigt) in dem Trägen. Wenn die Chips 44 (nicht gezeigt) die Kanalanzahl reduzieren, können weniger Drähte 62b notwendig sein. Die Drähte 62 sind auf dem äußeren Rand, können aber innerhalb des Blocks 54 für ein späteres Freilegen durch Schleifen eingebettet sein.
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10 zeigt die Hinzufügung einer Schicht von Transducermaterial 56 zu dem Block 54. Die akustische Seite des Blocks 54 ist geschliffen, um flache Oberflächen auf den Drähten 62a bereitzustellen. Das Transducermaterial 56 ist an den Block 54 gebondet oder anderweitig mit diesem Verbunden.
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Das Transducermaterial 56 wird gewürfelt, um Elemente und/oder Sub-Elemente zu bilden. Einige der Kerben 64 erstrecken sich durch das Transducermaterial 56 und dem Block 54, wodurch Stücke 50 gebildet werden. Das Würfeln wird durchgeführt mit einer Diamantkorn-ID-Säge, jedoch können andere Schneidevorrichtungen verwendet werden. Das Schneiden trennt die Drähte 62 in Elevationsrichtung, während der Kontakt der Drähte 62a mit den Elementen 58, die durch das Würfeln gebildet worden sind, aufrechterhalten bleibt. 12 zeigt die resultierenden Stücke 50. Die Stücke 50 können, im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel gemäß den 2 bis 8 Transducermaterial 56 auf jedem Stück 50 vor einem Stapeln enthalten. Dieses Konstruktionsverfahren erfordert nicht das Anwenden von Transducermaterial 56 für jedes Stück 50. Die Anordnung von Transducermaterial 56 kann als Gesamtstück am Ende angebracht werden, unabhängig davon wie der Block 54 konstruiert ist.
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In den Schritten 14 und 16 gemäß 1 werden Löcher 34 in den Stücken 50 gebildet, und Chips 44 werden in den Löchern 34 platziert. Leiter werden in Schritt 18 gebildet. Mit Schritt 12 tritt Schritt 20 auf. Die Stücke 50 werden gestapelt und in den Schritten 22 und 24 laminiert.
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Andere Ausführungsbeispiele können bereitgestellt werden zum Bilden der Stücke 50. Beispielsweise werden die Stücke individuell gebildet, ohne dass sie aus einem Block oder Wafer herausgeschnitten werden.
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8 zeigt einen Ultraschalltransducer 70. Nach dem Stapeln und Laminieren wird der Trägerblock 54 aus Dämpfungsmaterial mit eingebetteten Chips 44 versehen. Der Trägerblock 54 wird mit einem Transducermaterial 56 verwendet, um den Ultraschalltransducer 70 zu bilden. Der Ultraschalltransducer 70 enthält das Transducermaterial 56, Elektroden auf den Elementen 58, den Trägerblock 54 und die Verbindungskarte 60. Weitere, andere oder weniger Komponenten können vorgesehen werden. Beispielsweise sind Anpassungsschichten, ein Erdungsebenen-Anschluss, eine Linse, ein Gehäuse, Koaxialkabel und/oder drahtlose Sendeempfänger enthalten. Als ein anderes Beispiel ist ein Flexmaterial mit Bahnen oder ein Kabelverbinder mit dem Trägerblock 54 verbunden ohne Verbindungskarte 60.
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Das Transducermaterial 56 wird geschnitten oder trenngeschliffen (diced) oder in einer Mehrzahl von Elementen 58 ausgebildet. Die Elemente 58 sind in einer, zwei oder einer anderen mehrdimensionalen Anordnung von Elementen 58 beabstandet. Für eine mehrdimensionale Anordnung von Elementen 58 sind die Elemente 58 in einem rechteckigen Gitter in Elevations- und Azimuthrichtung beabstandet. Andere Gitter können verwendet werden. Die Elemente 58 sind einzelschicht- oder mehrschichtpiezoelektrische Elemente 58 mit oder ohne Sub-Dicing. Andere Typen von Transducermaterial (beispielsweise nichtpiezoelektrisch) sind möglich. Nach dem Bilden des Blocks 50 kann irgendein Typ von Transducer angebracht werden. Beispielsweise wird ein CMUT mit rückseitigen Durchkontaktierungen an dem Block 54 angebracht.
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Jedes Element 58 enthält Elektroden auf gegenüberliegenden Flächen des Elements 58. Eine Elektrode ist zwischen dem Transducermaterial 56 und dem Trägerblock 54 positioniert. Die andere Elektrode befindet sich auf der Seite des Elements 58, wo akustische Signale gesendet und von dem Patienten empfangen werden. Die Elektroden sind auf den Elementen aufgebracht, die durch Leiter auf Flexmaterial gebildet (beispielsweise Erdungsebene auf der Seite des Elements zum Senden und Empfangen), durch Drähte 62 gebildet, durch leitfähige Oberflächen 52 oder einen anderen Leiter des Trägerblocks 54 oder durch andere Technik Die Elektroden benachbart zu dem Trägerblock 54 sind voneinander elektrisch isoliert, beispielsweise durch Schneiden (Dicing) in ein Muster, das an das Elementmuster angepasst ist.
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Der Trägerblock 54 dient zur akustischen Dämpfung von Energie von einer Rückseite des Transducers 70. Akustische Energie, die durch das Transducermaterial 56 hindurch geht oder sich von dem Transducermaterial 56 weg von dem Patienten ausbreitet, wird gedämpft. Die Dämpfung begrenzt oder vermeidet Reflexionen von Schallenergie, die ausreichend stark sind, um eine unerwünschte Interferenz in elektrischen Signalen, die durch die Umwandlung erzeugt werden, zu erzeugen. Der Trägerblock 54 verhindert oder begrenzt einen Signalbeitrag durch Echos, die nicht von dem Patienten stammen.
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Der Trägerblock 54 ist irgendein jetzt bekanntes oder später entwickeltes Material zum Dämpfen bei einer gewünschten Schallfrequenz, beispielsweise 1–20 MHz. Der Trägerblock 54 enthält ein Festkörper- oder Verbundmaterial zum Dämpfen. Das Material kann formbar, gießbar und/oder maschinell bearbeitbar sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird ein Verbundmaterial aus Epoxid und/oder mehreren Füllern, wie beispielsweise Wolfram verwendet.
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Der Trägerblock 54 enthält die Fläche 72 für einen Kontakt mit der Rückseite des Transducermaterials 54. Die Fläche 72 enthält eine Mehrzahl von voneinander beabstandeten oder elektrisch isolierten, freigelegten Leitern 52 für eine Verbindung mit den Elektroden und/oder Elementen 58. Alternativ erfolgt die elektrische Isolierung durch Schneiden (Dicing).
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Der Trägerblock 54 enthält einen oder mehrere Halbleiter, beispielsweise die Chips 44. Die Halbleiter enthalten aktive Schaltkreise, beispielsweise Transistoren. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist der Halbleiter eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC), jedoch können andere integrierte Schaltungen verwendet werden (beispielsweise ein herkömmlicher Prozessor). Der Halbleiter reduziert die Anzahl an Informationskanälen, die mit einem Bildgebungssystem kommunizieren. Irgendeine Reduktionstechnik kann verwendet werden. Beispielsweise führt der Halbleiter ein Multiplexen durch unter Verwendung von Zeit- und/oder Frequenzmultiplexen. Als ein anderes Beispiel enthält der Halbleiter Pulsgeber, beispielsweise Schalter zum Erzeugen von Wellenformen. Sende- und/oder Empfangsstrahlformkomponenten können beispielsweise Verzögerungen, Phasendreher, Verstärker, Summierer oder andere Komponenten enthalten für ein relatives Verzögern und Apodisieren von Sende- und Empfangsaperturen. Für Empfangsstrahlformen kann eine Summierung verwendet werden, um eine Sub-Apertur der Anordnung von Elementen 58 teilweise strahlzuformen. Gemäß einem anderen Beispiel enthält der Halbleiter einen Mischer oder Schalter mit einem Verstärker zum Mischen von Signalen von unterschiedlichen Elementen 58 auf weniger Kanäle. Der Halbleiter kann einen Schaltkreis enthalten, der ein anderer ist als für eine Kanalreduktion, beispielsweise Analog-zu-Digitalkonverter, Steuerungen, Sende/Empfangs-Schalter und/oder Filter.
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Der Halbleiter ist betreibbar für eine spezifische Anordnung (Array) und/oder ein Bildgebungssystem. Beispielsweise implementiert der Halbleiter ein Teil- oder Nebenanordnungsstrahformen für eine Anordnung von Elementen 58 bei einem spezifischen Abstand für eine gegebene Bandbreite und Betriebsfrequenz. Alternativ ist der Halbleiter konfiguriert, um mit unterschiedlichen Elementabständen, Bildgebungssystem, Frequenzen und/oder Bandbreiten zu arbeiten. Durch die Konfigurierbarkeit kann der gleiche Halbleiter mit unterschiedlichen Anordnungen arbeiten. Wenn mehrere Anordnungen vorgesehen werden, können die Produktionskosten der integrierten Schaltung reduziert werden, da der gleiche Chip 44 mit irgendeiner der Anordnungen verwendet werden kann.
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Der Halbleiter ist innerhalb des Trägermaterials, wie eine integrierte Schaltung, die in das akustisch dämpfende Trägermaterial eingebettet ist. Das Trägermaterial des Trägerblocks 54 ist zwischen dem Halbleiter und der Oberfläche 72 oder dem Transducermaterial 54. Beispielsweise wird eine Separation von ungefähr 5–10 mm oder eine andere Separation vorgesehen. Eine Seite des Chips 44 ist benachbart zu oder verbunden mit dem Trägermaterial. Das Trägermaterial kann auch benachbart zu einer oder zu zwei anderen Seiten sein, beispielsweise die Seiten, die mit der einen Seite verbunden sind. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Trägermaterial benachbart zu oder umgibt vier Seiten des Chips 44. Für die Stücke 50 ist das Trägermaterial benachbart zu zwei Sätzen von gegenüberliegenden Seiten. Die anderen zwei Seiten sind benachbart zu anderen Chips, jedoch getrennt durch Epoxid oder eine oder mehrere Isolationsschichten. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel umgibt das Trägermaterial sechs Seiten oder den gesamten Chip 44. Das Trägermaterial kann sich vollständig entlang der Seiten erstrecken oder benachbart nur zu einem Bereich einer oder mehrerer der Seiten sein. Der Begriff „innerhalb” des Trägerblocks 54 kann mindestens einen Bereich des Chips 44 umfassen, der außerhalb oder auf dem Rand des Trägerblocks 54 freigelegt ist.
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Ein Chip 44 in dem gesamten Trägerblock 54 kann vorgesehen sein. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen können mehr als ein Chip 44 in dem Trägerblock 54 eingebettet sein. Beispielsweise bildet eine Mehrzahl von Stücken 50 den Trägerblock 54. Jedes Stück 50 enthält einen oder mehrere Chips 44. Integrierte Schaltungen sind bereitgestellt in dem Trägerblock 54 für die Elemente 58, die zu jedem Stück 50 gehören. Beispielsweise ist jedes Stück ausgerichtet zu einer Reihe von Elementen 58 in der Azimuth- oder Elevationsdimension. Die eingebettete integrierte Schaltung jedes Stücks 50 führt eine Kanalreduktion für die jeweilige Reihe von Elementen 58 durch.
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Der Trägerblock 54 enthält auch eine Mehrzahl von Bahnen oder Leitern 46 innerhalb des schalldämpfenden Trägermaterials. Die Leiter 46 sind aufgebrachte Bahnen (Traces), beispielsweise zu den Stücken 50 gehörend. Alternativ sind die Leiter 46 Drähte, ein Flexmaterial oder eine andere Vorrichtung, die in dem Trägerblock 54 gebildet wird durch Formen oder durch einen anderen Prozess. Die Leiter 46 können unterschiedliche Bereiche umfassen, beispielsweise Bahnen, die mit Anschlüssen, Drähten, Elektroden oder einem anderen Leiter verlötet oder verbunden sind. Die Leiter 46 können Bereiche enthalten für eine Freilegung auf einer Flache des Trägerblocks 54 und Bereiche zum Kontaktieren von Eingangs/Ausgangs-Anschlüssen des Chips 44.
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Die Leiter 46 verbinden die Elemente 58 oder entsprechende Elektroden mit dem Chip 44 oder Eingängen der integrierten Schaltung. Die Leiter 46 erstrecken sich von dem Halbleiter durch das oder auf dem Trägermaterial zu den Elementen 58. Gemäß einem Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Leiter 46 zu den leitfähigen Flachen 52 auf der Fläche 72 des Trägerblocks 54.
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Die Leiter 46 werden umverteilt von dem Elementabstand der leitfähigen Flächen 52 zu einem Abstand von Eingängen auf der integrierten Schaltung des Chips 44. Die Abstände sind verschieden, können jedoch auch gleich sein. Beispielsweise sind unter Verwendung des Ausführungsbeispiels mit Stücken 50 die leitfähigen Flächen 52 auf der Oberfläche 72 in einer Reihe freigelegt. Die Leiter 46 verbinden die leitfähigen Oberflächen 52 jeder Reihe mit dem jeweiligen Halbleiterchip 44. Die Leiter 46 können in Richtung Chip 44 zusammen oder auseinander fächern. Bei einer Ein-Chip-pro-Stück Lösung können die Leiter 46 auseinander fächern, um einen größeren Chip unterzubringen. Da unterschiedliche Muster von Leitern 46 verwendet werden können, kann der gleiche Chip 44 mit unterschiedlichen Elementabständen verwendet werden. Unterschiedliche Chips 44 können mit dem gleichen Elementabstand verwendet werden.
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Andere Leiter 46 erstrecken sich von dem Halbleiter durch das oder auf dem Trägermaterial zu einer Rückseite des Trägerblocks 54, können sich jedoch zu einer Seite erstrecken. Vier Flächen sind verfügbar für einen Kontakt mit den Stücken. Die Transduceranordnungsseite und die Systemverbindungsseite sind primäre Flächen, aber alle vier Flächen des Blocks 54, die orthogonal zu den Stücken sind, können Kontakte haben. Beispielsweise zeigen die 15 und 16 Erdungskontakte 70 auf den Seiten der Scheiben 50, die verwendet werden können für ein Erden der Anordnung oder für andere Zwecke. Als ein anderes Beispiel erstrecken sich die Leiter 46 für die Energie zu dem Chip 44, Steuerungssignale für den Chip 44 oder Ausgänge von dem Chip 44 zu der Oberfläche, die dem Transducermaterial 56 gegenüberliegt. Aufgrund der Kombination von Kanälen, die durch die integrierte Schaltung durchgeführt wird, können weniger Leiter 46 bereitgestellt werden.
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Die 15 und 16 zeigen Seitenkontakte 70. Die Kontakte 70 sind mit anderen Kontakten 46 und/oder dem Chip 44 verbunden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel dienen die Kontakte 70 zur Erdung. 16 zeigt einen rumgewickelten leitfähigen Film 72 zum Erden der vorderen Seite der Anordnung 56. Der leitfähige Film 72 ist mit Kontakten 70 verbunden durch Druck, leitfähigem Kleber, Lötstellen oder durch einen anderen Prozess. Die Kontakte 70 können auf einer oder auf zwei Seiten sein. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen dient ein oder dienen mehrere Seitenkontakte 70 zum elektrischen Erden des Blocks 54 zu einer externen Abschirmung. Keine oder mehrere Kontakte 70 können auf der Seite verwendet werden.
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13 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel des Transducers 70 mit Kühlung. Die Transducer 70 enthalten eine oder mehrere Röhren 80 in dem Trägerblock 54. Die Röhren 80 erstrecken sich durch oder nur teilweise in den Trägerblock 54. Die Röhren 80 werden gebildet nach einem Stapeln und Laminieren, oder werden gebildet durch Löcher, die separat in jedem Stück 50 erzeugt werden. Die Röhren 80 sind gerade, können jedoch verbunden oder gewinkelt sein. Die Röhren 80 sind hohl. Druckgas oder Fluid verläuft durch die Röhren 80 zur aktiven Kühlung. Alternativ kann eine passive Kühlung bereitgestellt werden. Die Röhren 80 können in einer Linie sein. In alternativen oder zusätzlichen Ausführungsbeispielen sind die Röhren 80 mit einem thermisch leitfähigen Material, wie beispielsweise Metall gefüllt. Das Füllmaterial leitet Wärme von den Chips 44 zu einer thermischen Senke oder Pumpe weg.
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14 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel eines Stücks 50. Wenn der Raum hinter dem Transducermaterial 56 und den Elementen 58 beschränkt ist, wie beispielsweise in einer transesofagealen Sonde, können die Chips 44 irgendwo innerhalb des Trägermaterials positioniert werden. Die Leiter 46 erlauben ein Weiterleiten der Signale von den Elementen 58. Das Stück 50 wird mit dem Transducermaterial 56, wie gezeigt gebildet. Alternativ wird das Stück 50 ohne Transducermaterial 56 gebildet, und das Material 56 wird nach dem Stapeln hinzugegeben.
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Obwohl die Erfindung im Vorangegangenen unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, soll verstanden werden, dass viele Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne den Bereich der Erfindung zu verlassen. Es ist folglich beabsichtigt, dass die vorangegangene detaillierte Beschreibung lediglich zur Verdeutlichung und nicht als Einschränkung dient.