JP5371300B2 - 改良形超音波トランスデューサ、バッキングおよびバッキング作製方法 - Google Patents
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Description
図2および3は、ウェハの1実施形態においてシートを形成するための択一的なアプローチを示しており、
図4〜8は、ウェハの1実施形態に対する処理ステップおよび構造を示しており、
図9〜12は、択一的なブロックの1実施形態に対する処理ステップおよび構造を示しており、
図13は、バッキングに冷却チャネルを有するトランスデューサアレイの1実施形態を示しており、
図14は、経食道プローブのアレイに使用されるスライスの1実施形態を示しており、
図15および16は、トランスデューサアレイにおいて引き回される導体の択一的な実施形態を示しており、
図17は、トランスデューサアレイのバッキングスライス間を相互接続する択一的な実施形態を示している。
ここに示された素子に対する導体パスに沿った接続の数は、バッキング材料に埋め込まれる回路または半導体タイプの作製法を使用することによって低減することができる。ここではソーイング、ダイシングおよびラミネーションと、半導体集積回路リディストリビーション技術とが組み合わされる。半導体タイプの作製法により、より一層安価で密度の高い相互接続が可能になり、高い素子数がサポートされる。
例えば、スライスを切断するステップ20は、ステップ12のシート形成の前またはその一部として行うことができる。
付加的なステップ、別のステップを設けるか、またはステップを少なくすることも可能である。例えば、シートはチップまたはインサート部の周りに形成される。これは、キャスティングまたはモールディングなどにより、シートに開口部を設ける必要なしに行われる。
択一的にはチップ44および/またはインサート部42は、開口部34,40の外に延びて、ラッピング、研磨またはエッチングによって除去されてシート32に平坦な面が形成される。溝埋めは、任意のギャップを充填するために行われる。
アナログの実施形態に対して、各コンタクト80は、部分的なサブアレイである(例えば、アジマスに和がとられるが、エレベーションに和はとられない)。
コンタクト80のグループは一緒に接続されてサブアレイを形成する(例えば「H」字形の構成で示されている)。完成したサブアレイ信号は、システムに接続される。別のコンタクト88は、給電、接地および/または制御信号に使用される。これらのコンタクト88は、チップ44当たりに1つしかしめされていないが、より多くのコンタクトを設けることができる。相互接続ボード60には、上記のディジーチェーン、「H」字形接続および/または給電/接地/制御接続のためのワイヤが設けられている。別の構成を使用することも可能である。
トランスデューサ70には、バッキングブロック54に1つ以上のチューブ80が含まれている。チューブ80は、貫通するかまたはバッキングブロック54の一部分だけに延在している。チューブ80は、スタッキングおよびラミネートの後に形成されるか、または各スライス50に作製される孔によって形成される。チューブ80は直線であるが、相互接続するか、角度を付けることも可能である。チューブ80は中空である。押し込み式のガスまたは流体が、チューブ80を通り、アクティブな冷却が行われる。択一的にはパッシブな冷却が設けられる。チューブ80は線上に並んでいても、並んでいなくてもよい。択一的または付加的な実施形態において、チューブ80は金属などの熱伝導性材料で充填される。この充填物は、チップ44から熱を取り除いて熱排出部または熱ポンプに導く。
Claims (13)
- トランスデューサ材料(56)を有し、また複数の素子(58)と、各素子(58)における電極と、音響減衰バッキング材料(54)とを含む超音波トランスデューサにおいて、
集積回路(44)が、前記音響減衰バッキング材料(54)に埋め込まれており、
前記の音響減衰バッキング材料(54)には複数のスライス(50)が含まれており、ここで当該のスライス(50)のうちの第1のスライスは集積回路(44)を有しておりかつ別のスライス(50)は別の集積回路を有しており、ここでこれらの集積回路(44)は、当該集積回路(44)が前記スライス(50)の前記音響減衰バッキング材料(54)により少なくとも4つの側面において包囲されるように、各前記スライス(50)の開口部(34)内に設けられており、
前記音響減衰バッキング材料(54)は、前記集積回路(44)の第1側面と前記トランスデューサ材料(56)との間に設けられており、前記集積回路(44)の少なくとも第2、第3および第4側面に隣接し、前記第4側面は前記第1側面の反対側にあり、前記第2側面は前記第3側面の反対側にあり、
前記音響減衰バッキング材料(54)内の複数の導体(46)により、前記集積回路(44)と電極とが接続されており、ここで前記複数の導体(46)は前記複数の素子(58)それぞれに対応しており、前記スライス(50)の導体(46)は、前記素子(58)から、当該素子(58)のピッチとはピッチの異なる前記集積回路(44)の入力に接続されており、
前記集積回路(44)は受信ビームフォーマ、サブアレイビームフォーマ、ミキサ、あるいはこれらの組み合わせの少なくとも1つを含んでおり、前記集積回路(44)における導体出力は素子の数未満である、
ことを特徴とする超音波トランスデューサ。 - 前記集積回路(44)には、特定用途集積回路(44)が含まれる、
請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記特定用途向け集積回路(44)には、送信ビームフォーマ、受信ビームフォーマ、トランスミッタ、サブアレイビームフォーマ、マルチプレクサ、ミキサまたはこれらの組み合わせの少なくとも1つが含まれる、
請求項2に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記集積回路(44)には、異なる素子ピッチおよびイメージングシステムで動作可能なコンフィギュラブル集積回路が含まれる、
請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記素子(58)には、エレベーションおよびアジマスにおける多次元配置構成が含まれており、
各スライス(50)は、エレベーションおよびアジマス次元における素子(58)の行に揃えられている、
請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記音響減衰バッキング材料(54)には、混入式のエポキシが含まれる、
請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - トランスデューサの背面からのエネルギーを音響減衰するためのバッキングにおいて、
該バッキングは、
前記トランスデューサの背面にコンタクトするための第1の面(72)を有するバッキング材料(54)と、
能動回路を有し、前記バッキング材料(54)内に設けられている半導体(44)であって、前記半導体(44)の第1側面と前記トランスデューサとの間に前記バッキング材料(54)が設けられ、前記バッキング材料(54)は前記半導体(44)の少なくとも第2、第3および第4側面に隣接し、前記第4側面は前記第1側面の反対側にあり、前記第2側面は前記第3側面の反対側にある半導体(44)と、
前記半導体(44)からバッキング材料(54)を通過してまたは当該バッキング材料の上を通って、第1の面(72)に平行にかつ当該の第1の面上に露出する第1の複数の導体面(52)まで延在する第1の複数の導体(46)と、
前記半導体(44)からバッキング材料(54)を通過してまたは当該バッキング材料の上を通って、前記第1の面とは反対側の第2の面に延在する第2の複数の導体(46)と、を有しており、
受信ビームフォーマ、サブアレイビームフォーマ、ミキサ、あるいはこれらの組み合わせの少なくとも1つを含んでいる前記能動回路のために、前記第2の複数の導体は前記第1の複数の導体よりも少ない、
ことを特徴とするバッキング。 - 前記半導体(44)には、送信ビームフォーマ、受信ビームフォーマ、トランスミッタ、サブアレイビームフォーマ、マルチプレクサ、ミキサまたはこれらの組み合わせの少なくとも1つが含まれる、
請求項7に記載のバッキング。 - 前記バッキング材料(54)は、前記半導体(44)の第1側面と第1の面(72)との間に設けられており、かつ前記半導体(44)の少なくとも第2および第3側面に隣接している、
請求項7に記載のバッキング。 - 前記バッキング材料(54)には複数のスライス(50)が含まれており、
当該の複数のスライス(50)のうちの第1のスライス(50)は、前記半導体(44)を有しており、
別のスライス(50)は、別の半導体(44)を有しており、
前記複数のスライスのうちの1つずつのスライス(50)は、第1の面にて行方向に露出された導体を有しており、該導体は、複数の行を含む多次元パターンに分配されており、
複数のトレース(46)により、各行の導体(46)が相応する半導体(44)に接続されている、
請求項7に記載のバッキング。 - 前記音響減衰バッキング材料(54)には、混入式エポキシが含まれる、
請求項7に記載のバッキング。 - 第1の導体(46)は前記集積回路(44)の第1側面から前記トランスデューサ材料(56)まで延在し、第2の導体(46)は前記集積回路(44)の第2側面から延在して前記バッキング材料(54)の一方の側面にコンタクトを形成し、第3の導体(46)は前記集積回路(44)の第3側面から延在して前記バッキング材料(54)の他方の側面にコンタクトを形成し、第4の導体(46)は前記集積回路(44)の第4側面から前記トランスデューサ材料(56)の反対側の面まで延在する、
請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記半導体(44)からバッキング材料(54)を通過してまたは当該バッキング材料の上を通って、第3の面に延在し、当該第3の面にコンタクトを形成する第3の複数の導体(46)と、
前記半導体(44)からバッキング材料(54)を通過してまたは当該バッキング材料の上を通って、第4の面に延在し、当該第4の面にコンタクトを形成する第4の複数の導体(46)と、
をさらに有する、
請求項7に記載のバッキング。
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WO2008012748A2 (en) * | 2006-07-24 | 2008-01-31 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Ultrasound transducer featuring a pitch independent interposer and method of making the same |
KR101397100B1 (ko) * | 2010-06-28 | 2014-05-20 | 삼성전자주식회사 | 초음파 프로브 및 그 제조방법 |
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WO2014123556A1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | Sound Technology Inc. | Ultrasound device |
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US10001459B2 (en) * | 2015-02-27 | 2018-06-19 | General Electric Company | System and method for phased array edge card |
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KR102444289B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2022-09-16 | 삼성전자주식회사 | 인터포저, 이를 채용한 초음파 프로브, 및 인터포저를 제조하는 방법 |
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US20200107816A1 (en) * | 2018-10-09 | 2020-04-09 | General Electric Company | Electrical interconnect for use in an ultrasound transducer |
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JPS63207300A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Toshiba Corp | 超音波プロ−ブ |
JP2545861B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1996-10-23 | 富士通株式会社 | 超音波探触子の製造方法 |
JPH04218765A (ja) * | 1990-03-26 | 1992-08-10 | Toshiba Corp | 超音波プローブ |
JPH04132498A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Olympus Optical Co Ltd | 超音波センサ装置 |
US5593888A (en) * | 1992-07-21 | 1997-01-14 | H&H Eco Systems, Inc. | Method for accelerated bioremediation and method of using an apparatus therefor |
US5329498A (en) * | 1993-05-17 | 1994-07-12 | Hewlett-Packard Company | Signal conditioning and interconnection for an acoustic transducer |
JPH0710973U (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-14 | 富士通テン株式会社 | 集積回路基板の実装構造 |
US5559388A (en) | 1995-03-03 | 1996-09-24 | General Electric Company | High density interconnect for an ultrasonic phased array and method for making |
FR2740933B1 (fr) | 1995-11-03 | 1997-11-28 | Thomson Csf | Sonde acoustique et procede de realisation |
US5857974A (en) | 1997-01-08 | 1999-01-12 | Endosonics Corporation | High resolution intravascular ultrasound transducer assembly having a flexible substrate |
US6043590A (en) * | 1997-04-18 | 2000-03-28 | Atl Ultrasound | Composite transducer with connective backing block |
JPH1111062A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Nippon Steel Corp | Icカードの製造方法 |
US5997479A (en) | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Hewlett-Packard Company | Phased array acoustic systems with intra-group processors |
JP4408974B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2010-02-03 | 株式会社東芝 | 超音波トランスジューサ及びその製造方法 |
US6324907B1 (en) | 1999-11-29 | 2001-12-04 | Microtronic A/S | Flexible substrate transducer assembly |
JP4521126B2 (ja) * | 2000-02-02 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 二次元アレイ型超音波プローブ |
US6648826B2 (en) | 2002-02-01 | 2003-11-18 | Sonosite, Inc. | CW beam former in an ASIC |
JP3612312B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2005-01-19 | アロカ株式会社 | 超音波探触子及びその製造方法 |
US7714432B2 (en) * | 2002-07-26 | 2010-05-11 | Intel Corporation | Ceramic/organic hybrid substrate |
US6856175B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-02-15 | General Electric Company | Ultrasound transmitter with voltage-controlled rise/fall time variation |
JP3566957B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-09-15 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7443765B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-10-28 | General Electric Company | Reconfigurable linear sensor arrays for reduced channel count |
US20070189761A1 (en) * | 2003-12-04 | 2007-08-16 | Wojtek Sudol | Implementing ic mounted sensor with high attenutation backing |
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US20060058655A1 (en) | 2004-08-24 | 2006-03-16 | Sonosite, Inc. | Ultrasonic transducer having a thin wire interface |
JP2006135195A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック多層基板の製造方法、並びにこの製造方法に用いられるセラミックグリーンシート |
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