DE102008028554A1 - Halbleiterbauelement mit reduziertem Kapazitätstoleranzwert - Google Patents

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Abstract

Ein Halbleiterbauelement besitzt eine Kapazität, deren Zahlenwert für eine Bauelementfunktion relevant ist. Die Kapazität wird durch eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement gebildet, wobei das erste und zweite Kodensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet werden, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das eine Kapazität besitzt, z. B. ein Analog-Digital-Wandler oder eine Filtervorrichtung, dessen Bauelementfunktion wesentlich von einem Zahlenwert der Kapazität beeinflusst wird.
  • HINTERGRUND
  • Die Bauelementfunktionen von Halbleiterbauelementen werden wesentlich von dem Zahlenwert inhärenter kapazitiver Elemente beeinflusst, wobei diese Zahlenwerte von Verfahrensparametern der jeweiligen Herstellungsschritte des Halbleiterbauelementes beeinflusst werden, die zur Ausbildung dieser kapazitiven Elemente führen. Deshalb kann in derartigen Halbleiterbauelementen die Bauelementfunktion erheblich von Verfahrensparameterschwankungen abhängig sein, deren Steuerung in ausreichend genauer Weise schwierig ist.
  • Ein erster Typ eines Kondensatorelements, das von Relevanz sein kann, ist ein MOS-Kondensatorelement, das sich bei der Ausbildung einer MOS(Metalloxid-Halbleiter)-Struktur bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements des MOS-Typs ergibt. Insbesondere wird der Kapazitätswert eines Kondensatorelements dieses Typs im Wesentlichen von der exakten Dicke einer auf einem Halbleitersubstrat angeordneten Oxidschicht und dem Unterlegen einer nachträglich aufgebrachten Metallschicht bestimmt.
  • Ein zweiter in Frage kommender Typ eines Kondensatorelements ist ein sogenanntes MIM-Kondensatorelement, welches ein spezifisch ausgestaltetes Kondensatorelement ist, das aus einer zugeordneten dielektrischen Schicht und einer Metallschicht besteht. Diese Schichten werden in dem sogenannten BEOL(Back-End-Off-Line)-Verfahren zum elektrischen Verbinden der entsprechenden Transistor- und Widerstandselemente ausgebildet, die zuvor in dem sogenannten FEOL(Front-End-Off-Line)-Verfahren hergestellt wurden.
  • Ein dritter Typ des relevanten Kondensatorelements wird durch Verwendung bestehender Verdrahtungslagen gebildet, z. B. VPP-Strukturen, GRID-Strukturen oder Sandwichstrukturen.
  • Bei sämtlichen dieser oben genannten Kondensatorelemente ergibt sich in den jeweiligen Verfahrensschritten eine typische Schwankung des Kapazitätswertes von nicht weniger als 15%. Jedoch sollte bei Halbleiterbauelementen, deren Funktion im Wesentlichen von dem Kapazitätswert derartiger Kondensatorelemente abhängt, ein Schwankungswert der linearen Kapazität nicht mehr als ca. 10% betragen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das eine für die Funktion signifikante Kapazität besitzt, wobei die prozess-bestimmte Toleranz (Schwankung) des Kapazitätswertes reduziert wird, um so eine verbesserte Bauelementfunktion bzw. Bauelementzuverlässigkeit in kostengünstiger Weise zu erhalten.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung weist die relevante Kapazität des Halbleiterbauelements eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement auf, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet werden, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen. Insbesondere können mehr als zwei Kondensatorelemente parallel geschaltet sein, wobei jedes der mehr als zwei Kondensatorelemente einen entsprechenden Kapazitätswert aufweist, der derart ausgewählt ist, dass ein Gesamttoleranzwert der resultierenden funktionsbestimmenden Kapazität minimiert wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform werden ein ersten Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird. Insbesondere wenn der erste Fertigungstoleranzwert gleich dem zweiten Fertigungstoleranzwert ist, wird der erste Kapazitätswert gleich dem zweiten Kapazitätswert ausgewählt.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung sind das jeweilige erste und zweite sowie, falls vorgesehen, weitere Kondensatorelemente von unterschiedlichem Typ insoweit als sie aus unterschiedlichen Herstellungsschritten hervorgehen, d. h. einem FEOL-Schritt einerseits und einem BEOL-Schritt andererseits. Insbesondere kann eines der Kondensatorelemente ein MOS-Element sein, während ein anderes ein BEOL-Kondensatorelement des VPP- oder GRID- oder Sandwichtyps ist. Ferner kann insbesondere das erste Kondensatorelement eine MIM-Kondensatorelement sein, während ein anderes Kondensatorelement vom VPP- oder GRID- oder Sandwichtyp ist, d. h. eines Typs, der aus der gewöhnlichen Verdrahtungsstruktur des Halbleiterbauelements hervorgeht, der nicht speziell zugeordnet ist, um eine Kapazität zum Zweck der Verarbeitung eines Analog- oder Mischsignals oder einer Radiofrequenz vorzusehen.
  • In einer weiteren Ausführungsform können die zur Gesamtkapazität des Bauelements beitragenden Kondensatorelemente im Wesentlichen vom selben Typ sein, jedoch unterschiedliche Typen von dielektrischen Schichten enthalten. Beispielsweise können sämtliche oder ein Teil von ihnen MIM-Kondensatorelemente sein, die jeweils mehrere Typen dielektrischer Schichten enthalten.
  • In einer weiteren Ausführungsform können sämtliche der Kondensatorelemente am BEOL vorgesehen sein, jedoch einerseits vom GRID-Typ und andererseits vom VPP-Typ sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform können sämtliche oder mindestens ein Teil der die Gesamtkapazität bildenden mehreren Kondensatorelemente MOS-Kondensatorelemente sein, jedoch unterschiedliche Typen von Oxidschichten enthalten.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung können ferner die oben erwähnten Kombinationen von Kondensatorelementen, die in unterschiedlichen Verfahrensschritten hergestellt werden, oder Kondensatorelementen, die im Wesentlichen in derselben Verfahrensstufe ausgebildet werden, jedoch mit unterschiedlichen dielektrischen Materialien bzw. Oxiden, miteinander in hochentwickelten Mehrkondensator-Halbleiterbauelementen kombiniert werden, wobei die Schwankung des Gesamtkapazitätswertes wesentlich reduziert ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst das Halbleiterbauelement einen spannungsgesteuerten Oszillator, wobei die Oszillatorfrequenz von dem Zahlenwert der Kapazität bestimmt wird. In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Bauelement einen Analog-Digital-Wandler, wobei die Umwandlungseigenschaften von dem Zahlenwert der Kapazität bestimmt werden.
  • Ferner umfasst ein weiteres Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einen Filterabschnitt, wobei die Filterkennlinie von dem Zahlenwert der Kapazität bestimmt wird. In sämtlichen dieser Bauelemente und weiteren Halbleiterbauelementen für Analog- oder Mischsignalverarbeitungs- oder Hochfrequenzgeräte können die obigen Ausführungsformen entsprechend den jeweiligen Herstellungsverfahrensschritten angewendet werden, um mehrere Kondensatorelemente in geeigneter Weise zu verbinden, mit dem Zweck, die Fertigungstoleranz der Gesamtkapazität zu reduzieren.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im folgenden beispielhaft anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • 1 zeigt eine graphische Darstellung, aus welcher der vorteilhafte Effekt der Erfindung hervorgeht;
  • 2A bis 2E zeigen mehrere Querschnitte einer BEOL-Metallisierungsstruktur eines Halbleiterbauelements gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, und 2F ist ein Schaltbild der resultierenden Gesamtkapazität;
  • 3A zeigt eine schematische Querschnittdarstellung eines Halbleiterbauelements gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; und
  • 3B ist ein Schaltbild der resultierenden Gesamtkapazität.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG ERLÄUTERNDER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1 zeigt drei graphische Darstellungen 1, 2, und 3, die die jeweilige Gesamtabweichung von entsprechenden Gesamtkapazitäten darstellen, welche durch das parallele Verbinden unkorrelierter Kondensatoren (Cap) A und B entstehen, wobei von drei unterschiedlichen Voraussetzungen für die Abweichung (Fertigungstoleranz) des Kondensators B ausgegangen wird, wie nahe der Oberseite der Figur angegeben. Für die Auswertung dieser graphischen Darstellungen wird angenommen, dass die Gesamtschwankung gemäß einer Gauß-Verteilung ausgewertet wird, d. h. durch Summieren der Abweichungsquadrate der Teilkapazitätswerte.
  • Es soll ersichtlich sein, dass die Gesamtabweichung im Vergleich zu der Abweichung des „besseren" (ersten) Kondensators A verbessert werden kann, selbst wenn die Abweichung des zweiten Kondensators B höher ist als die des ersten Kondensators. Ferner wird deutlich, dass die Gesamtabweichung vom Verhältnis des Wertes der einzelnen Kondensatoren abhängt, wobei das optimale Kapazitätsverhältnis abhängig ist von den Abweichungswerten beider Kondensatoren (Teilkapazitäten) A und B.
  • Um diesbezüglich die Vorteile auszuschöpfen, die durch die Erfindung erreicht werden können, ist es wichtig, die Abweichungen bzw. verfahrensabhängigen Schwankungen der parallel zu verbindenden mehreren Kondensatorelemente auszuwerten, um die Gesamtkapazität mit erhöhter Genauigkeit auszubilden. Bleibt man bei der Annahme, dass bei den meisten der relevanten FEOL- und BEOL-Verfahrensschritte, die zur Ausbildung von Teilkapa zitäten angewendet werden können, die jeweiligen Verfahrenstoleranzschätzwerte vergleichbar sind (z. B. ca. 15%), so können die Kapazitätswerte sämtlicher mitwirkender parallel geschalteter Kondensatoren vorzugsweise annähernd identisch sein (unter Vernachlässigung weiterer Faktoren, die für das Dimensionieren der Gesamtkapazität von Bedeutung sein können).
  • 2A bis 2E zeigen mehrere senkrechte Querschnitte der Metallisierungsschichtstruktur (VPP-Kondensatoren und MIM-Kondensatoren) eines Halbleiterbauelements, wobei die Schichten, die zum sogenannten FEOL gehören, nicht gezeigt sind. In sämtlichen dieser Figuren sind lediglich die jeweiligen Metallschichten (z. B. Aluminium) und Kontaktlöcher der VPP-Struktur gezeigt, während für die MIM-Kondensatoren die dielektrische Schicht gezeigt ist (s. Beschreibung unten).
  • Die BEOL-Struktur des Halbleiterbauelements ist in der 2A in einer ersten senkrechten Querschnittdarstellung gezeigt, und in den 2B bis 2E in weiteren senkrechten Querschnittdarstellungen, in mehreren Schnittebenen rechtwinklig zur Schnittebene der 2A. Die mehreren Metallschichten sind zur Ausbildung einer Parallelschaltung eines ersten Kondensators C1 (MIM-Kondensator) und eines zweiten Kondensators C2 (VPP-Kondensator) verbunden, s. insbesondere 2A und 2F. Es ist eine Ausführungsoption des spezifischen Layouts, die Zahlenwerte von C1 und C2 in geeigneter Weise so zu bestimmen, dass die bestmögliche Reduktion der Kapazitätsabweichung erreicht wird, d. h. die genaueste Gesamtkapazität, die bei den gegebenen Verfahrensschrittschwankungen der BEOL-Schritte realisiert werden kann.
  • Die BEOL-Metallisierungsstruktur weist eine im Wesentlichen herkömmliche VPP-Kondensatorstruktur C2 auf, umfassend alter nierende Säulen 4 bzw. 5 von horizontal angeordneten und senkrecht gestapelten streifenförmigen Metallschichten, die elektrisch verbunden sind, indem sie Durchgangskontaktierungen (Vias) aufweisen. In diesem Beispiel ist eine obere Metallschicht 6 mit den jeweiligen Säulen 4 verbunden. Andererseits sind die Säulen 5 miteinander sowie mit einer überlagerten zweiten oberen Metallschicht 11 durch eine externe Drahtverbindung 12 verbunden (2A). Wie am besten in 2A erkennbar, besitzt der VPP-Kodensator eine im Wesentlichen kammähnliche Struktur alternierender, senkrecht ausgerichteter Kondensator-„Platten", die von den jeweiligen Säulen 4 und 5 aus Metallstreifen/Via-Säulen gebildet sind.
  • Auf der Oberfläche der unteren oberen Metallschicht 6 ist eine erste leitende Schicht angeordnet, die als Bodenelektrode 7 des MIM-Kondensators C1 dient. In einem Beispiel besteht die obere Metallschicht 6 aus Aluminium, während die leitende Schicht TiN ist. Auf dieser unteren MIM-Kondensatorplatte 7 ist eine Isolierschicht 8 vorgesehen, und auf dieser ist eine zweite leitende Schicht 9 angeordnet, die als eine zweite (obere) Elektrode des MIM-Kondensators C1 dient. Diese obere Kondensatorelektrode 9 wird über Vias 10 mit der oberen Metallschicht 11 verbunden. In diesem Beispiel kann die leitende Schicht 9 aus TiN bestehen, während die Metallschicht 11 und die Vias 10 aus Al sind.
  • Die Details (einschl. der Abmessungen) einer derartigen Struktur sowie die Verfahrensschritte für die Herstellung derselben sind im Wesentlichen herkömmlich, so dass auf eine ausführliche Beschreibung hiervon verzichtet wird.
  • 3A zeigt schematisch die Schichtstruktur einer zweiten Ausführungsform der Erfindung gemäß dem Schaltbild von 3B. Letztere zeigt eine Parallelschaltung eines ersten Kondensators C1', eines zweiten Kondensators C2' sowie eines dritten und vierten Kondensators C3.1 und C3.2, die gemeinsam eine Gesamtkapazität C als funktionsbestimmende Kapazität C eines Halbleiterbauelements (nicht gezeigt) bilden. In Abweichung von den 2A bis 2E zeigt die 3A einen Flächenabschnitt eines Halbleitersubstrats 13 sowie eine darauf aufgebrachte MOS-Struktur, d. h. eine im FEOL-Verfahren ausgebildete Struktur zusätzlich zu einer darauf aufgebrachten BEOL-Struktur.
  • Eine P-Wanne 14 ist in der Oberfläche des Halbleitersubstrats 13 ausgebildet, p+-dotierte Bereiche 15.1, 15.2 sind mit einem vorbestimmten Abstand voneinander in der P-Wanne 14 vorgesehen. Auf der Hauptfläche des Halbleitersubstrats 13 ist zum Überbrücken des Abstandes zwischen den p+-Bereichen 15.1, 15.2 eine Oxidschicht 16 enthaltend Seitenwandabstandshalter 16.1, 16.2 vorgesehen. Eine erste leitende Schicht 17 ist auf der Oxidschicht 16 angeordnet. Diese leitende Schicht 17 bildet mit der Oxidschicht 16 als dielektrische Schicht einen ersten und zweiten MOS-Kondensator C3.1 und C3.2 mit den p+-Bereichen 15.1 bzw. 15.2.
  • Über die Vias 18 ist die MOS-Schicht 17 mit einer darauf vorgesehenen weiteren Metallschicht 19 verbunden, mit einer zwischengeschalteten dielektrischen Schicht (nicht speziell gekennzeichnet), die zwischen diesen angeordnet ist. Andererseits erstreckt sich ein weiterer Durchgangskontakt 18 von dem p+-Bereich 15.2 zu einer weiteren Metallschicht (Streifen) 20, der auf derselben Ebene angeordnet ist wie die Metallschicht 19, jedoch von dieser elektrisch isoliert ist.
  • Auf ähnliche Weise wie bei der kammähnlichen Struktur der ersten Ausführungsform (jedoch mit horizontal alternierenden „Zinken" des Kamms) wird durch Stapeln einer vorbestimmten Anzahl von geeignet ausgebildeten Metallschichten (nicht speziell gekennzeichnet) ein Sandwichkondensator C2' aufgebaut. Auf einer obere Metallisierungsschicht 21 des Stapels wird, ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform, ein MIM-Kondensator C1' durch Vorsehen einer ersten (unteren) TiN-Schicht 22, gefolgt von einer dielektrischen Schicht 23 und einer zweiten (oberen) TiN-Schicht 24 gebildet und mit einer oberen Metallschicht (Aluminium) 25 über entsprechende Kontaktlöcher 26 verbunden.
  • Wie bei der ersten Ausführungsform ist die Ausbildung der jeweiligen Kondensatorelemente einschl. des Sandwichkondensators C2' und der MOS-Kondensatoren C3.1 und C3.2 im Wesentlichen herkömmlich, so dass diesbezüglich keine ausführliche Beschreibung notwendig ist. Allerdings ist eine geeignete Verbindung zwischen den mehreren Strukturen bzw. Kondensatorelementen über speziell angeordnete Kontaktlöcher wesentlich, um für die beabsichtigte Parallelschaltung der verschiedenen Teilkapazitäten C1', C2', C3.1 und C3.2 der Gesamtkapazität zu sorgen.

Claims (39)

  1. Halbleiterbauelement umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert für eine Bauelementfunktion relevant ist, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten Kondensatorelement und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet sind, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mehr als zwei Kondensatorelementen aufweist, wobei die Kondensatorelemente in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet sind, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, wobei, wenn ein erster Fertigungstoleranzwert gleich einem zweiten Fertigungstoleranzwert ist, der erste Kapazitätswert gleich dem zweiten Kapazitätswert ausgewählt wird.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei entsprechende Kapazitätswerte der parallel geschalteten und jeweils einen entsprechenden Kapazitätstoleranzwert aufweisenden Kondensatorelemente zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazi tätswertes derart ausgewählt sind, dass ein Toleranzwert einer resultierenden Kapazität minimiert wird.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement umfasst.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement enthaltend einen ersten Typ einer dielektrischen Schicht umfasst und das zweite Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement enthaltend einen zweiten Typ einer dielektrischen Schicht umfasst.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des Sandwichtyps umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des GRID-Typs umfasst.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des Sandwichtyps umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des VPP-Typs umfasst.
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des GRID-Typs umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement des VPP-Typs umfasst.
  12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das erste Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement enthaltend einen ersten Typ einer Oxidschicht umfasst und das zweite Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement enthaltend einen zweiten Typ einer Oxidschicht umfasst.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst, das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst und ein drittes Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement umfasst.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die jeweiligen Kondensatorelemente MIM-Kondensatorelemente enthaltend unterschiedliche Typen von dielektrischen Schichten sind.
  15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die jeweiligen Kondensatorelemente unterschiedliche Typen von BEOL-Kondensatorelementen umfassen, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Sandwich-Kondensatorelementen, GRID-Kondensatorelementen und VPP-Kondensatorelementen.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die jeweiligen Kondensatorelemente MOS-Kondensatorelemente enthaltend unterschiedliche Typen von Oxidschichten umfassen.
  17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens zwei in unterschiedlichen Verfahrensschritten hergestellten Sandwichkondensatorelementen und mindestens zwei in unterschiedlichen Ver fahrensschritten hergestellten VPP-Kondensatorelementen eines BEOL-Stapels aufweist.
  18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens zwei BEOL-Kondensatorelementen unterschiedlicher Typen und mindestens ein MOS-Kondensatorelement aufweist.
  19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem BEOL-Kondensatorelement und mindestens zwei MOS-Kondensatorelementen aufweist, wobei die MOS-Kondensatorelemente unterschiedliche Typen von Oxidschichten enthalten.
  20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei das erste Kondensatorelement mindestens eine Aluminium- oder Kupferschicht umfasst und mindestens eine Schicht eines Materials ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus TiN, TaN, ONO, SiO2, Ta2O5, Al2O3 und HfO.
  21. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, wobei das erste Kondensatorelement eine erste Aluminiumschicht umfasst, die eine obere Kondensatorplatte ausbildet, und eine zweite Aluminiumschicht, die eine untere Kondensatorplatte ausbildet, wobei der erste Kondensator weiterhin mindestens eine Schicht eines Materials ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus TiN, TaN, ONO, SiO2, Ta2O5, Al2O3 und HfO umfasst.
  22. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei das zweite Kondensatorelement einen Stapel aus Sandwichmetallschichten umfasst.
  23. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, wobei das zweite Kondensatorelement einen Stapel aus Sandwichmetallschichten umfasst.
  24. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei das zweite Kondensatorelement einen Stapel aus Sandwichmetallschichten umfasst.
  25. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, umfassend einen spannungsgesteuerten Oszillator, wobei der Zahlenwert der Kapazität eine Oszillatorfrequenz bestimmt.
  26. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, umfassend einen Analog-Digital-Wandler, wobei der Zahlenwert der Kapazität die Umwandlungseigenschaften bestimmt.
  27. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, umfassend einen Filterabschnitt, wobei der Zahlenwert der Kapazität eine Filterkennlinie bestimmt.
  28. Spannungsgesteuerter Oszillator auf Halbleiterbasis, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert eine Oszillatorfrequenz bestimmt, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet sind, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen, und wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
  29. Spannungsgesteuerter Oszillator auf Halbleiterbasis nach Anspruch 28, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst.
  30. Analog-Digital-Wandler auf Halbleiterbasis, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert eine Umwandlungs-Kennlinie bestimmt, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet werden, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen, und wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
  31. Analog-Digital-Wandler auf Halbleiterbasis nach Anspruch 30, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst.
  32. Halbleiter-Filtervorrichtung, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert eine Filter-Kennlinie bestimmt, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet werden, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen, und wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausge wählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
  33. Halbleiter-Filtervorrichtung nach Anspruch 32, wobei das erste Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst.
  34. Halbleiterbauelement des MOS-Typs, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert eine Bauelementfunktion beeinflusst, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement umfasst und das zweite Kondensatorelement in einem Herstellungsschritt ausgebildet wird, der Fertigungsschwankungen aufzeigt, die nicht mit den Fertigungsschwankungen von MOS-Herstellungsschritten korrelieren, und wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
  35. Halbleiterbauelement des MOS-Typs nach Anspruch 34, wobei das zweite Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst.
  36. Halbleiterbauelement des MOS-Typs nach Anspruch 34, wobei das zweite Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst.
  37. Halbleiterbauelement des MOS-Typs nach Anspruch 34, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mehr als zwei Kon densatorelementen aufweist, wobei ein erstes Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement ist und die weiteren Kondensatorelemente in entsprechenden Herstellungsschritten ausgebildet werden, die Fertigungsschwankungen aufzeigen, die nicht mit den MOS-Herstellungsschritten korrelieren.
  38. Halbleiterbauelement des MOS-Typs nach Anspruch 37, wobei ein zweites Kondensatorelement ein BEOL-Kondensatorelement umfasst und ein drittes Kondensatorelement ein MIM-Kondensatorelement umfasst.
  39. Halbleiterbauelement des MOS-Typs, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert für eine Bauelementfunktion relevant ist, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten und einem zweiten Kondensatorelement aufweist, wobei das erste Kondensatorelement ein MOS-Kondensatorelement enthaltend eine Oxidschicht eines ersten Typs bzw. einer ersten Dicke umfasst und das zweite Kondensatorelement eine Oxidschicht eines zweiten Typs bzw. einer zweiten Dicke enthält, und wobei ein erster Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und ein zweiter Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart ausgewählt sind, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.
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