DE102005046734A1 - Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur - Google Patents

Abstract

Ein Halbleiterbauelement besitzt eine integrierte Kapazitätsstruktur, welche in mindestens zwei Gruppen von zumindest teilweise elektrisch leitfähigen Ebenen ausgeführt ist und welche derart strukturiert ist, dass in zumindest jeder Gruppe von Ebenen zumindest eine Ebene eine Vielzahl von Streifenelementen aufweist, wobei jeweils erste Streifenelemente (SE₁₁ bis SE_1n) eine erste Polarität der Kapazitätsstruktur darstellen und zweite Streifenelemente (SE₂₁ bis SE_2n) eine zweite Polarität der Kapazitätsstruktur darstellen, wobei weiterhin jeweils erste Streifenelemente (SE₁₁ bis SE_1n) mit zweiten Streifenelementen (SE₂₁ bis SE_2n) zumindest teilweise ineinander verzahnt sind und in mindestens zwei Ebenen Streifenelemente gleicher Polarität sich wenigstens teilweise überdecken und wobei weiterhin Streifenelemente (SE) der ersten Gruppe von Ebenen mittels vertikaler Verbindungen (Vias) mit Streifenelementen (SE) gleicher Polarität der zweiten Gruppe von Ebenen elektrisch leitfähig verbunden sind und dass Streifenelemente (SE) der gleichen Polarität der zweiten Gruppe von Ebenen mit lateralen Verbindungselementen (V) jeweils untereinander verbunden sind.

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
• In der Halbleiterschaltungstechnik besteht zur Integration von analogen Schaltungsteilen der Bedarf nach integrierten Kapazitätsstrukturen von hoher Fertigungsgüte und – Reproduzierbarkeit bei gleichzeitig großem Kapazitätswert und geringem Flächenbedarf. Durch das weiterhin stetige Anwachsen der Betriebsfrequenzen besteht zusätzlich der Bedarf nach guten Hochfrequenzeigenschaften (HF-Eigenschaften) dieser integrierten Kapazitätsstrukturen.
• Aus der US 5,939,766 ist eine integrierte Kapazitätsstruktur bekannt. Die dort offenbarte Anordnung ist in mehreren, voneinander isolierten, elektrisch leitfähigen Ebenen ausgeführt, wobei in jeder Ebene je zwei Kammstrukturen, welche die beiden Elektroden der Kapazitätsstruktur darstellen, sich in identischer Form wiederholen. Durch diese vollständige Iteration der Kammstrukturen in jeder Ebene wird die zur Verfügung stehende Grundfläche jedoch nicht optimal ausgenutzt. Der Anteil der Kammstrukturen, der jeweils durch die Kamm-Basen gegeben ist, trägt nicht zur effektiven Kapazität bei. Weiterhin ist durch diese Ausführung keine Optimierung bezüglich der HF-Eigenschaften möglich.
• Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur zur Verfügung zu stellen, welches eine größtmögliche Kapazitätsdichte besitzt.
• Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement, welches die Merkmale des Patentanspruchs 1 umfasst, gelöst.
• Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement ist die Kapazitätsstruktur innerhalb zweier Gruppen von elektrisch leitfähigen Ebenen ausgeführt. Jede Gruppe besteht hierbei aus mindestens einer Ebene. In einer ersten dieser Ebenen der ersten Gruppe ist eine Vielzahl von Streifenelementen ausgeführt, welche zumindest teilweise ineinander verzahnt sind. Die Streifenelemente, welche in Streifenelemente einer ersten und einer zweiten Polarität der Kapazitätsstruktur unterschieden werden, sind in dieser Ebene nicht untereinander verbunden. In mindestens einer elektrisch leitfähigen Ebene der zweiten Gruppe wird ebenfalls eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Streifenelementen ausgeführt, welche wiederum ineinander verzahnt sind und welche zumindest teilweise die Streifenelemente der ersten Ebene überdecken. In dieser zweiten Gruppe von Ebenen findet nun eine Kontaktierung der Streifenelemente gleicher Polarität mittels lateraler Verbindungselemente statt. Die elektrische Anbindung der Streifenelemente der ersten Gruppe von Ebenen an die Streifenelemente der zweiten Gruppe von Ebenen erfolgt über vertikale Verbindungen, beispielsweise Vias (Anspruch 1).
• Eine derart aufgebaute Kapazitätsstruktur besitzt einen großen Kapazitätswert bei gleichzeitig geringem Volumenbedarf, insbesondere geringem Grundflächenbedarf. In der ersten Gruppe von Ebenen dieser Kapazitätsstruktur wird die zur Verfügung stehende Fläche vollständig zur Realisierung von Nutzkapazität verwendet.
• Weiterhin besitzt eine derartige Kapazitätsstruktur gute HF-Eigenschaften, das heißt sie besitzt geringe, parasitäre Induktivität und Kapazität. Dies führt zu einer hohen Güte bei Verwendung der Struktur in einer HF-Schaltung.
• Eine erfindungsgemäß aufgebaute Kapazitätsstruktur besitzt überdies den Vorteil, dass die individuellen Längen, Breiten und Dicken der einzelnen Streifenelemente in allen Ebenen und Gruppen flexibel angepasst werden können. Die Streifenelemente sind also in Ihrer jeweiligen Geometrie an die Erfordernisse der jeweiligen Ebene und Gruppe angepasst. So werden beispielsweise die Strukturbreiten und Strukturabstände der Streifenelemente in höheren Verdrahtungsebenen aus fertigungstechnischen Gründen in der Regel größer als die Strukturdimensionen in niedrigeren Verdrahtungsebenen sein.
• Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements sind in den Unteransprüchen angegeben.
• In einer ersten bevorzugten Ausführung werden die lateralen Verbindungselemente in einer Ebene der zweiten Gruppe von elektrisch leitfähigen Ebenen jeweils an den freien Enden der Streifenelemente der ersten und der zweiten Polarität angeordnet. Dadurch entstehen in dieser Ebene zwei Kammstrukturen, welche ineinander gesteckt sind (Anspruch 2).
• In einer weiteren Ausführung werden die lateralen Verbindungselemente einer Ebene der zweiten Gruppe mittig angeordnet, so dass zwei kammförmige Teilstrukturen entstehen, welche voneinander abgewandt sind. Innerhalb dieser beiden kammförmigen Teilstrukturen befinden sich jeweils Streifenelemente der jeweils anderen Polarität, welche über vertikale Verbindungen mit Streifenelementen einer benachbarten Ebene der ersten Gruppe an die Kapazitätsstruktur angebunden sind (Anspruch 3). Durch eine derartige, mittige Anordnung der Verbindungselemente sind besonders vorteilhafte HF-Eigenschaften gegeben, da aufgrund dieser Anordnung eine geringe Induktivität und zugleich ein geringer Serienwiderstand der Kapazitätsstruktur erreicht wird. Dadurch wird die Güte der Kapazität in einer HF-Schaltung erhöht.
• Bei einer Analyse der Richtung der Umladungsströme in einer derart aufgebauten Kapazitätsstruktur ist festzustellen, dass die Umladungsströme in je zwei benachbarten Streifenelementen gegensinnig fließen (Anspruch 4). Dies ergibt eine niedrige, parasitäre Induktivität der Kapazitätsstruktur.
• Der erfindungsgemäße Effekt der Erhöhung der Nutzkapazität ist besonders ausgeprägt, wenn die Anordnung der Streifenelemente in einer ersten Gruppe von Ebenen periodisch möglichst oft wiederholt wird. Dadurch verringert sich der für die Berechnung der Nutzkapazität nicht wirksame Anteil der Strukturen, das heißt der Flächenanteil der Verbindungselemente, relativ zur Gesamt-Nutzfläche. Hierbei soll unter Gesamt-Nutzfläche der summarischen Flächenanteil aller für die Kapazitätsstruktur zur Verfügung stehenden Ebenen verstanden werden (Anspruch 5).
• Die elektrisch leitfähigen Ebenen können durch Nutzung der für das Halbleiterbauelement ohnehin erforderlichen Metallisierungsebenen bereitgestellt werden. Üblicherweise finden hierbei Metalle bzw. Metalllegierungen auf Basis von Aluminium (Al) bzw. Kupfer (Cu) bevorzugt Anwendung. Es ist jedoch jedes elektrisch leitfähige Material für diese Verwendung grundsätzlich geeignet (Anspruch 6).
• Alternativ kann mindestens eine elektrisch leitfähige Ebenen aus Polysilizium bestehen (Anspruch 7).
• In einer weiteren, erfindungsgemäßen Ausführung wird zumindest eine der elektrisch leitfähigen Ebenen durch Dotieren des Halbleitersubstrats generiert (Anspruch 8).
• Es bestehen hierbei zwei Alternativen zur Strukturierung, welche sich bezüglich der Wahl der Dotierart unterscheiden. In einer ersten Ausführungsform wird das Substrat homogen dotiert. Zur Herstellung von Streifenelementen wird die Substratebene strukturiert, indem die Streifenelemente durch eine Isolierschicht jeweils voneinander getrennt werden. Zur Isolierung kommen hierbei beispielsweise die Methoden LOGOS (Local Oxidation of Silicon) oder STI (Shallow Trench Isolation) zur Anwendung. Im Ergebnis liegen Streifenelemente zweier verschiedener Polaritäten vor (Anspruch 9).
• In einer zweiten Ausführungsform kann die Substratebene aus zwei verschiedenen Dotierarten hergestellt werden. Hierbei werden die Streifenelemente der ersten Polarität in einer ersten Dotierart hergestellt, während die Streifenelemente der zweiten Polarität in einer zweiten Dotierart hergestellt werden. Eine zusätzliche Trennung der jeweiligen Streifenelemente voneinander, z. B. durch separate Isolierschichten, ist hierbei unnötig, da zwischen den einzelnen Streifenelementen sich aufgrund des pn-Übergangs je eine Sperrschichtkapazität ausbildet (Anspruch 10).
• Nachfolgend werden eine Kapazitätsstruktur nach dem Stand der Technik, sowie mehrere erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele einer derartigen, gattungsgemäßen Struktur anhand der Zeichnung näher erläutert.
• Es zeigen:
• 1 eine Ebene einer integrierten Kapazitätsstruktur gemäß dem Stand der Technik,
• 2 ein erstes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur, bestehend aus insgesamt vier Ebenen, wobei eine Ebene als Verbindungsebene ausgeführt ist,
• 3 ein zweites, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer Verbindungsebene einer integrierten Kapazitätsstruktur,
• 4 ein drittes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer Verbindungsebene einer integrierten Kapazitätsstruktur,
• 5 ein viertes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur, wobei zwei Verbindungsebenen vorliegen,
• 6 ein fünftes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur.
• In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente.
• 1 zeigt eine integrierte Kapazitätsstruktur nach dem Stand der Technik in Draufsicht. Über einem Substrat, beispielsweise einem Halbleitersubstrat (nicht dargestellt) sind erste und zweite Streifenelemente SE_1n und SE_2n regelmäßig ineinander verzahnt. Die Kapazität der Anordnung hängt im Wesentlichen sowohl von Länge, Dicke und Zahl der Streifenelemente SE als auch vom Abstand der einzelnen Streifenelemente SE zueinander ab. Beide Gruppen von Streifenelementen SE_1n und SE_2n sind mit j e einem lateral angeordneten Verbindungselement V₁ bzw. V₂ elektrisch leitfähig miteinander verbunden. Die resultierenden beiden kammförmigen Strukturen stellen eine Kapazitätsstruktur mit zwei Polaritäten dar. Zur Erhöhung der Gesamtkapazität kann die vorliegende Struktur in vertikaler Richtung deckungsgleich mehrmals wiederholt werden. Zur Kontaktierung der einzelnen Kapazitätsstrukturen verschiedener Ebenen ist mindestens je ein Via erforderlich, welches die Verbindungselemente gleicher Polarität, aber verschiedener Ebene miteinander verbindet.
• In 2 ist ein erstes, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur gezeigt. Im Gegensatz zum Stand der Technik wiederholen sich die einzelnen Teil-Kapazitätsstrukturen innerhalb der Ebenen M1 bis M4 nicht. In den vom Substrat (nicht dargestellt) aus gesehen unteren Umverdrahtungsebenen M1 bis M3 befinden sich ausschließlich regelmäßig iterierende Streifenelemente einer ersten und einer zweiten Polarität SE_1n und SE_2n. Beide Polaritäten umfassen eine Vielzahl von Streifenelementen SE, welche in der Zeichnung durch identische Schraffur dargestellt sind. Da die Erhöhung der Zahl der Streifenelemente eine rein additive Wirkung hat, wird aus Gründender Übersichtlichkeit auf eine Zuordnung von Bezugszeichen zu allen weiteren Streifenelementen verzichtet. Dem Fachmann ist hierbei klar, dass er den gewünschten Kapazitätswert unter anderem durch die Wahl der relevanten Parameter, d.h. sowohl Länge, Dicke und Zahl der Streifenelemente als auch Zahl der genutzten Ebenen einstellen kann.
• Durch das im Vergleich zum Stand der Technik nicht Vorhandensein von lateralen Verbindungselementen V in den Ebenen M1 bis M3 steht die volle Grundfläche zur Verfügung, um einen möglichst großen Kapazitätswert zu erreichen. Die Ebene M4 hingegen ist derart strukturiert, dass mittig je zwei laterale Verbindungselemente V₁ bzw. V₂ vorliegen, welche die Streifenelemente der jeweils gleichen Gruppe lateral miteinander elektrisch leitfähig verbinden.
• Auch nicht-mittige Anordnungen der Verbindungselemente V₁ bzw. V₂ sind möglich, wie in weiteren Ausführungsformen der Erfindung noch gezeigt werden wird. Die hier vorliegende, mittige Anordnung hat jedoch den zusätzlichen Vorteil von verbesserten Hochfrequenz-Eigenschaften. Die durch Anlegen einer hochfrequenten Betriebsspannung innerhalb der integrierten Kapazitätsstruktur K generierten Umladungsströme verlaufen in benachbarten Streifenelementen, beispielsweise SE₁₁ und SE₂₁, antiparallel. Dadurch wird die Erzeugung unerwünschter, parasitär Induktivitäten weitgehend vermieden.
• Die Anbindung von Streifenelementen der gleichen Gruppe zwischen verschiedener Ebenen erfolgt mittels mindestens je einem Via. Zur technisch einfachen Realisierung sind hierbei Streifenelemente der jeweils gleichen Polarität im wesentlichen deckungsgleich übereinander gestapelt. Auch Anordnungen, bei denen nur eine teilweise Überdeckung vorliegen, sind jedoch möglich. Während prinzipiell zur Realisierung des erfinderischen Gedankens je ein Via zwischen den einzelnen Streifenelementen jeweils verschiedener Ebenen ausreicht, wird bevorzugt eine Vielzahl von Vias vorgesehen. Dies hat zum einen den Vorteil, dass die Kontaktierwahrscheinlichkeit im Fertigungsprozess gesteigert wird, was wiederum die Gesamtausbeute (Yield) bei der Bauelementeherstellung erhöht. Zum anderen besteht weiterhin der zusätzliche Vorteil, dass die Vias einen Beitrag zur Erhöhung der Gesamtkapazität leisten, indem sie die einander zugewandten, vertikalen Flächen verschiedener Kondensatorplatten erhöhen.
• Für die Realisierung des Erfindungsgedankens ist es unerheblich, ob die Gruppe von Ebenen mit den Verbindungselementen V₁ bzw. V₂ die oberste Ebene ist. Vielmehr kann diese mindestes eine Verbindungsebene V in jeder beliebigen Stapelfolge realisiert werden.
• Da aufgrund Fertigungsschwankungen der kleinstmögliche, frei zu wählende Abstand von Strukturen (Pitch) mit zunehmendem Abstand vom Substrat ebenfalls zunimmt, wird oftmals die mindestens eine Verbindungsebene tatsächlich nicht die oberste Ebene sein. Vielmehr können über der mindestens einen Verbindungsebene noch weitere Streifenelemente SE ausgeführt sein, deren Breite aufgrund der Design Regeln (Design Rules) für höhere Ebenen größer als diejenige der Streifenelemente tieferer Ebenen ist. Beispielsweise kann jedes zweite Streifenelement bei bis zu doppelter Breite periodisch ausgelassen werden.
• 3 zeigt eine erfindungsgemäße Alternative der Verbindungsebene M_v als zweites Ausführungsbeispiel. Zur Vereinfachung der bildlichen Darstellung wird auf eine erneute Darstellung von weiteren Ebenen, beispielsweise von den bereits in 2 gezeigten Ebenen M1 und M2, verzichtet.
• Die Verbindungselemente V₁ bzw. V₂ sind in dieser Ausführung an den außenliegenden Enden der Streifenelemente SE angeordnet.
• Ein Vorteil dieser Ausführungsform besteht in einer Reduktion des Serienwiderstands der Kapazitätsstruktur K. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass unabhängig von den Breiten und Abständen der Streifenelemente SE die Kapazitätsstruktur K problemlos von oben kontaktiert werden kann, beispielsweise über Vias unterschiedlicher Größe. Ebenso ist eine flexible Kontaktierung über die gesamte Breite der Anordnung, das heißt entlang der Länge der Verbindungselemente V, möglich.
• 4 zeigt eine weitere, erfindungsgemäße Alternative der Verbindungsebene M_v als drittes Ausführungsbeispiel. Zur Vereinfachung der bildlichen Darstellung wird auf eine erneute Darstellung von weiteren Ebenen, beispielsweise von den bereits in 2 gezeigten Ebenen M1 und M2, verzichtet.
• Zwischen der in 2 gezeigten Ausführungsform, wo die Verbindungselemente V₁ bzw. V₂ mittig angeordnet sind, und der in 3 gezeigten Ausführungsform, wo die Verbindungselemente V₁ bzw. V₂ außen angeordnet sind, ist in der vorliegenden Ausführungsform je eine Zwischenposition für V₁ bzw. V₂ gewählt worden.
• Durch die laterale Verschiebung der Verbindungselemente längs den Streifenelemente SE wird eine flexible Kontaktierungsmöglichkeit geschaffen, was wiederum zu einer verbesserten Anpassung an andere Schaltungsteile führt.
• 5 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur. Zur Vereinfachung wird auf eine erneute Darstellung von weiteren Ebenen, beispielsweise von den bereits in 2 gezeigten Ebenen M1 und M2, verzichtet.
• Die Funktionalität der lateralen Verbindung ist im Gegensatz zu den bisher diskutieren Ausführungen nun auf zwei Ebenen verteilt. In der Ebene M_v wird über Verbindungselement V₂ eine laterale, elektrisch leitfähige Verbindung zwischen den Streifenelementen der zweiten Polarität SE_2n hergestellt. In der Ebene M_v±1, d.h, eine Ebene, welche sich beispielsweise direkt unterhalb oder direkt oberhalb der Ebene M_v befindet, wird über Verbindungselement V₁ eine laterale, elektrisch leitfähige Verbindung zwischen den Streifenelementen der ersten Polarität SE_1n hergestellt.
• Ein Vorteil dieser Anordnung besteht darin, dass eine weitgehende Kompensation der magnetischen Streufelder erzielt wird. Dies führt zu einer Verringerung der parasitären Induktivität der Kapazitätsstruktur. Weiterhin kann bei benachbarter, vertikaler Anordnung der Verbindungselemente V₁ und V₂ auch deren dadurch vorhandener, vertikaler Kapazitätsanteil zueinander zusätzlich genutzt werden.
• Auch Ausführungen, in denen die beiden Verbindungsebenen, also Ebenen der zweiten Gruppe von Ebenen, sich in beliebiger vertikaler Stapelfolge befinden, sind möglich. So können beispielsweise die beiden Verbindungsebenen von mindestens einer Ebene aus der ersten Gruppe von Streifenelementen SE, wo keine lateralen Verbindungen der Streifenelemente vorhanden sind, vertikal voneinander getrennt sein.
• 6 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel einer integrierten Kapazitätsstruktur. Zur Vereinfachung wird auf eine erneute Darstellung von weiteren Ebenen, beispielsweise von den bereits in 2 gezeigten Ebenen M1 und M2, verzichtet.
• In dieser Ausführungsform ist die laterale, geometrische Ausdehnung der Kapazitätsstruktur längs der Streifenelemente SE sehr viel größer als die laterale Ausdehnung senkrecht hierzu. Um in dieser Ausführung den ohmschen Widerstand der Kapazitätsstruktur zu minimieren, wird eine Vielzahl von ersten und zweiten Verbindungselementen V₁ und V₂ vorgesehen, welche parallel angeschlossen werden.

K

integrierte Kapazitätsstruktur

SE_nm

m-tes Streifenelement der n-ten Polarität

Ma

a-te elektrisch leitfähige Ebene

M_v

Verbindungsebene zur lateralen elektrisch

leitfähigen Verbindung von Streifenelementen

V₁

erstes laterales Verbindungselement

V₂

zweites laterales Verbindungselement

Via

vertikale, elektrisch leitfähige Verbindung

Claims (10)

1. Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur, welche in mindestens zwei Gruppen von zumindest teilweise elektrisch leitfähigen Ebenen ausgeführt ist, und welche derart strukturiert ist, dass in zumindest jeder Gruppe von Ebenen zumindest eine Ebene eine Vielzahl von Streifenelementen aufweist, wobei jeweils erste Streifenelemente (SE₁₁ bis SE_1n) eine erste Polarität der Kapazitätsstruktur darstellen und zweite Streifenelemente (SE₂₁ bis SE_2n) eine zweite Polarität der Kapazitätsstruktur darstellen, wobei weiterhin jeweils erste Streifenelemente (SE₁₁ bis SE_1n) mit zweiten Streifenelementen (SE₂₁ bis SE_2n) zumindest teilweise ineinander verzahnt sind und in mindestens zwei Ebenen Streifenelemente gleicher Polarität sich wenigstens teilweise überdecken, dadurch gekennzeichnet, dass Streifenelemente (SE) der ersten Gruppe von Ebenen mittels vertikaler Verbindungen (Vias) mit Streifenelementen (SE) gleicher Polarität der zweiten Gruppe von Ebenen elektrisch leitfähig verbunden sind und dass weiterhin Streifenelemente (SE) der gleichen Polarität der zweiten Gruppe von Ebenen mit lateralen Verbindungselementen (V) jeweils untereinander verbunden sind.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die lateralen Verbindungselemente die Streifenelemente je einer Polarität an ihren Enden miteinander verbinden.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die lateralen Verbindungselemente die Streifenelemente je einer Polarität mittig miteinander verbinden.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Umladungsströme in zwei benachbarten Streifenelementen unterschiedlicher Polarität zumindest in einem Teilbereich gegensinnig fließen.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Gruppe von Streifenelementen in im Wesentlichen identischer Form in mindestens zwei Ebenen vorliegt.
6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der elektrisch leitfähigen Ebenen eine Metallisierungsebene des Halbleiterbauelements ist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der elektrisch leitfähigen Ebenen aus Polysilizium besteht.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der elektrisch leitfähigen Ebenen eine dotierte Ebene eines Halbleitersubstrats ist.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine dotierte Ebene des Halbleitersubstrats in einer Dotierart ausgeführt ist, so dass die Streifenelemente der ersten Polarität von den Streifenelementen der zweiten Polarität mittels je einer vertikalen Isolierschicht voneinander getrennt sind.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Ebene des Halbleitersubstrats derart ausgeführt ist, dass die Streifenelemente der ersten Polarität in einer ersten Dotierart und die Streifenelemente der zweiten Polarität in einer zweiten Dotierart ausgeführt sind.