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Die
Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht
gemäß dem Patentanspruch 1 und ein Verfahren zu
dessen Herstellung gemäß dem Patentanspruch 16.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine hinsichtlich der Strahlungsauskopplung
effiziente Dünnfilm-LED, die sich insbesondere durch eine verminderte
Absorption von Strahlung in den Kontaktschichten auszeichnet, und
ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
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Diese
Aufgabe wird durch eine Dünnfilm-LED mit den Merkmalen
des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren zu deren Herstellung
mit den Merkmalen des Patentanspruchs 16 gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand
der abhängigen Patentansprüche.
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Eine
erfindungsgemäße Dünnfilm-LED umfasst
eine Barriereschicht, eine der Barriereschicht nachfolgende erste
Spiegelschicht, einen der ersten Spiegelschicht nachfolgenden Schichtstapel,
der mindestens eine aktive Schicht aufweist, die elektromagnetische
Strahlung emittiert und eine dem Schichtstapel nachfolgende Kontaktstruktur.
Die Kontaktstruktur ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche der
Dünnfilm-LED angeordnet und weist eine Kontaktfläche
auf. Die erste Spiegelschicht weist in einem der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung
auf, die größer als die Kontaktfläche
der Kontaktstruktur ist.
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Die
erste Spiegelschicht ist also derart strukturiert, dass der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur in vertikaler Richtung ein nicht von der ersten
Spiegelschicht bedeckter Bereich der Barriereschicht gegenüber
liegt, der größer als die Kontaktfläche
der Kontaktstruktur ist.
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Bei
einer Ausgestaltung der Dünnfilm-LED kann die Barriereschicht
im Bereich der Aussparung der ersten Spiegelschicht direkt an eine
der Kontaktstruktur gegenüberliegende Grenzfläche
des Schichtstapels angrenzen.
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Die
Kontaktstruktur kann ein Bondpad und/oder mehrere mit dem Bondpad
elektrisch verbundene Kontaktstege umfassen, um eine bessere Stromaufweitung
zu erzielen. Durch eine Anordnung mit mehreren mit dem Bondpad elektrisch
leitend verbundenen Kontaktstegen kann eine vergleichsweise homogene
Stromverteilung in der Dünnfilm-LED erreicht werden.
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Unter
der Kontaktfläche der Kontaktstruktur wird im Folgenden
bei Verwendung eines Bondpads eine Hauptfläche des Bondpads
verstanden. Bei Verwendung eines Bondpads mit mehreren mit dem Bondpad
elektrisch verbundenen Kontaktstegen wird im Folgenden unter der
Kontaktfläche die gesamte von dem Bondpad und den Kontaktstegen
gebildete Hauptfläche verstanden.
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Die
erste Spiegelschicht kann als reflektierende Kontaktschicht ausgebildet
sein, wobei die erste Spiegelschicht in einem der Kontaktfäche
der Kontaktstruktur gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung
aufweist. Die von der aktiven Schicht aus gesehen der Strahlungsaustrittsfläche
gegenüberliegende erste Spiegelschicht ist also derart
strukturiert, dass der Kontaktstruktur in vertikaler Richtung von der
aktiven Schicht aus gesehen ein nicht von der ersten Spiegelschicht
bedeckter Bereich der Hauptfläche des Schichtstapels gegenüber
liegt.
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Da
der ausgesparte Bereich keine als reflektierende Kontaktschicht
wirkende erste Spiegelschicht aufweist, entsteht in der Aussparung
kein elektrischer Kontakt an dem angrenzenden Schichtstapel. Dadurch
wird der Stromfluss zwischen der Kontaktstruktur auf der Strahlungsaustrittsfläche
und der Aussparung in dem Bereich des Schichtstapels, der in vertikaler
Richtung unterhalb und unmittelbar neben der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur liegt, vermindert. Die Strahlungserzeugung in
diesem Bereich der aktiven Schicht ist somit vermindert, wodurch
vorteilhaft die Absorption von Strahlung innerhalb der Kontaktstruktur
reduziert wird. Weiterhin wird durch die Aussparung der ersten Spiegelschicht der
Anteil der emittierten Strahlung, der von der ersten Spiegelschicht
in Richtung der Kontaktstruktur reflektiert wird, vermindert. Auf
diese Weise wird die Absorption von Strahlung in der Kontaktstruktur
weiter vermindert. Die Effizienz der Dünnfilm-LED wird dadurch
vorteilhaft erhöht.
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Die
LED ist erfindungsgemäß als Dünnfilm-LED
ausgeführt. Bei einer Dünnfilm-LED ist das Herstellungssubstrat,
auf dem der Schichtstapel für die LED hergestellt, insbesondere
abgeschieden wurde, bereichsweise oder vollständig entfernt.
Das Herstellungssubstrat ist vorzugsweise das Aufwachssubstrat,
auf dem der Schichtstapel epitaktisch gewachsen ist. Das Herstellungssubstrat
ist vorzugsweise derart entfernt, dass die dem Herstellungssubstrat
zugewandte Oberfläche des Schichtstapels einer weiteren
Prozessierung zugänglich ist.
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Vorzugsweise
ist die laterale Ausdehnung der Aussparung der ersten Spiegelschicht
um 5 μm bis 20 μm größer als
die laterale Ausdehnung der Kontaktfläche der Kontaktstruktur.
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Durch
die Aussparung kann eine Verminderung der Stromdichte in dem Bereich
der aktiven Schicht, der in vertikaler Richtung unterhalb der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur und in dem Bereich, der in vertikaler Richtung
unmittelbar neben der Kontaktfläche der Kontaktstruktur
liegt, erreicht werden. Das bedeutet, dass eine räumliche
Trennung zwischen Bereichen der aktiven Schicht, in denen Lichterzeugung
stattfindet, und Bereichen der aktiven Schicht, in denen nur eine
geringe oder vorzugsweise keine Lichterzeugung stattfindet, erreicht
wird. Die Bereiche der geringen Lichterzeugung liegen direkt unterhalb
und unmittelbar neben der Kontaktfläche der Kontaktstruktur,
die für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung
absorbierend wirkt. Durch die räumliche Trennung wird der
Anteil der von der aktiven Schicht. emittierten Strahlung, der von der
Kontaktstruktur absorbiert wird, reduziert. Die Effizienz der Dünnfilm-LED
erhöht sich dadurch mit Vorteil.
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Eine
gegenüber der lateralen Ausdehnung der Kontaktfläche
um über 20 μm vergrößerte laterale
Ausdehnung der Aussparung ist alternativ auch möglich.
Dadurch wird die Lichtauskopplung der Dünnfilm-LED zwar
nicht nachteilig beeinflusst, allerdings ergibt sich mit einer über
20 μm vergrößerten lateralen Ausdehnung
der Aussparung eine erhöhte Diodenspannung, die eine reduzierte
Effizienz der aktiven Schicht zur Folge hat.
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Eine
weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass eine Grenzfläche
des Schichtstapels, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüber
liegt, im Bereich der Aussparung derart verändert ist,
dass sich der Kontaktwiderstand zwischen dem Schichtstapel und dem
ausgesparten Bereich der ersten Spiegelschicht erhöht.
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Eine
weitere bevorzugte Ausgestaltung sieht vor, dass die Grenzfläche
des Schichtstapels, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüber
liegt, im Bereich der Aussparung derart verändert ist,
dass die Grenzfläche des Schichtstapels im Bereich der
Aussparung nicht elektrisch leitend ist.
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Da
in dem ausgesparten Bereich der ersten Spiegelschicht der Kontaktwiderstand
zwischen dem Schichtstapel und dem ausgesparten Bereich der ersten
Spiegelschicht erhöht und/oder die Grenzfläche
des Schichtstapels im Bereich der Aussparung nicht elektrisch leitend
ist, ist der Stromfluss und somit die Lichterzeugung in der aktiven
Schicht in Bereichen unterhalb und direkt neben der Kontaktstruktur
vermindert, wodurch sich eine Absorption der von der aktiven Schicht
emittierten Strahlung in der Kontaktstruktur reduziert.
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Bevorzugt
ist die Grenzfläche des Schichtstapels im Bereich der Aussparung
derart verändert, dass sich der Kontaktwiderstand zwischen
dem Schichtstapel und dem ausgesparten Bereich der ersten Spiegelschicht
erhöht, besonders bevorzugt ist die Grenzfläche
des Schichtstapels im Bereich der Aussparung nicht elektrisch leitend,
wobei die Aussparung der ersten Spiegelschicht eine zweite Spiegelschicht
aufweist.
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Durch
die veränderte Grenzfläche des Schichtstapels
vermindert sich die Stromdichte in dem Bereich der aktiven Schicht,
der in vertikaler Richtung unterhalb und unmittelbar neben der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur liegt, so dass weniger Strahlung unterhalb der
Kontaktfläche der Kontaktstruktur erzeugt wird. Durch die
zweite Spiegelschicht, die sich in der Aussparung der ersten Spiegelschicht
und somit auf der Grenzfläche des Schichtstapels befindet,
wird der Anteil der emittierten Strahlung, der in Richtung der Aussparung
der ersten Spiegelschicht reflektiert wird, an der zweiten Spiegelschicht
in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche reflektiert.
Dadurch kann dieser Anteil der emittierten Strahlung an der Strahlungsaustrittsfläche
der Dünnfilm-LED ausgekoppelt werden. Mit Vorteil erhöht
sich auf diese Weise die Effizienz der Dünnfilm-LED.
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Eine
weitere bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass eine
dem Schichtstapel zugewandte Hauptfläche der Kontaktstruktur
eine reflektierende Schicht aufweist. Besonders bevorzugt enthält
die reflektierende Schicht Ag, Al und/oder Pt.
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Durch
die reflektierende Schicht auf der dem Schichtstapel zugewandten
Hauptfläche der Kontaktstruktur wird der Anteil der emittierten
Strahlung, der von der zweiten Spiegelschicht in Richtung der Hauptfläche
der Kontaktstruktur reflektiert wird, zurück in Richtung
der ersten oder der zweiten Spiegelschicht reflektiert. Dieser Anteil
der emittierten Strahlung wird wiederum an der ersten oder der zweiten Spiegelschicht
in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche der Dünnfilm-LED
reflektiert. Auf diese Weise vermindert sich die Absorption von
Strahlung in der Kontaktstruktur, besonders bevorzugt wird keine emittierte
Strahlung von der Kontaktstruktur absorbiert. Dadurch erhöht
sich die Effizienz der Dünnfilm-LED vorteilhaft.
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Bevorzugt
ist die Strahlungsaustrittsfläche des Schichtstapels aufgeraut.
Durch die Aufrauung der Strahlungsaustrittsfläche erniedrigt
sich die Reflektivität an der Grenzfläche zwischen
Schichtstapel und einem den Schichtstapel umgebenes Medium. Dadurch
wird ein höherer Anteil der Strahlung, der auf die Grenzfläche
trifft, aus dem Schichtstapel ausgekoppelt. Somit verringert sich
der Anteil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung, der
an der Strahlungsaustrittsfläche in Richtung der aktiven Schicht
zurück reflektiert wird. Die Effizienz der Dünnfilm-LED
erhöht sich mit Vorteil.
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Eine
weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Bereiche
des Schichtstapels, auf denen die Kontaktstruktur angeordnet ist,
eine geringere Schichthöhe aufweisen als Bereiche des Schichtstapels,
auf denen keine Kontaktstruktur angeordnet ist. Dadurch kann eine
weitere Intensitätssteigerung der von dem Schichtstapel
emittierten Strahlung erreicht werden.
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Bevorzugt
weist der Schichtstapel, auf dem keine Kontaktstruktur aufgebracht
ist, eine Schichthöhe zwischen 4 μm und 8 μm,
besonders bevorzugt von 6 μm auf. Die Bereiche des Schichtstapels,
auf die die Kontaktstruktur aufgebracht ist, weisen bevorzugt eine
Schichthöhe zwischen 50 nm und 3,5 μm, besonders
bevorzugt im Bereich zwischen 100 nm und 2 μm auf.
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Vorzugsweise
weist mindestens eine der Seitenflächen des Schichtstapels
eine weitere reflektierende Schicht auf. Dadurch wird der Anteil
der emittierten Strahlung, der ohne die mindestens eine weitere
reflektierende Schicht aus dem Schichtstapel lateral ausgekoppelt
werden würde, in Richtung des Schichtstapels reflektiert.
Durch weitere Reflektionen im Schichtstapel kann dieser Anteil der
emittierten Strahlung in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche reflektiert
und ausgekoppelt werden. Dadurch erhöht sich die Effizienz
der Dünnfilm-LED weiter vorteilhaft.
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Bevorzugt
enthält die weitere reflektierende Schicht, die an mindestens
einer der Seitenfläche des Schichtstapels aufgebracht ist,
Ag, Al und/oder Pt.
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Bei
einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist auf
mindestens einem Teilbereich der Strahlungsaustrittsfläche
der Dünnfilm-LED eine Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht. Die
Lumineszenzkonversionsschicht enthält zumindest einen Lumineszenzkonversionsstoff,
der zur Wellenlängenkonversion zumindest eines Teils der von
der Dünnfilm-LED emittierten Strahlung zu größeren
Wellenlängen hin geeignet ist. Auf diese Weise kann insbesondere
mit einer Dünnfilm-LED, die ultraviolette oder blaue Strahlung
emittiert, durch Wellenlängenkonversion eines Teils der
emittierten Strahlung in den komplementären Spektralbereich,
beispielsweise den gelben Spektralbereich, Weißlicht erzeugt
werden. Geeignete Lumineszenzkonversionsstoffe, wie zum Beispiel
YAG:Ce, sind aus der
WO 98/12757 bekannt,
deren Inhalt hiermit insbesondere in Bezug auf Leuchtstoffe durch
Referenz aufgenommen wird.
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Ein
weiterer Vorteil einer auf der Strahlungsaustrittsfläche
aufgebrachten Lumineszenzkonversionsschicht ergibt sich dadurch,
dass sich die Effizienz der Dünnfilm-LED vorteilhaft verbessert,
da sich durch die Lumineszenzkonversionsschicht die Anzahl der Rückreflektionen
der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung in Richtung des
Schichtstapels weiter reduziert. Das beruht darauf, dass bevorzugt der
Brechungsindexunterschied zwischen Schichtstapel und Lumineszenzkonversionsschicht
kleiner ist als der Brechungsindexunterschied zwischen Schichtstapel
und das dem Schichtstapel umgebene Medium. Durch einen niedrigeren
Brechungsindexunterschied an der Strahlungsaustrittsfläche
erhöht sich der Anteil der Strahlung, der aus dem Schichtstapel
ausgekoppelt wird.
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Bevorzugt
basiert der Schichtstapel der Dünnfilm-LED auf einem Nitrid-Verbindungshalbleiter. „Auf
Nitrid-Verbindungshalbleitern basierend" bedeutet im vorliegenden
Zusammenhang, dass die aktive Epitaxie-Schichtenfolge oder zumindest
eine Schicht davon ein Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial,
vorzugsweise AlnGamIn1-n-mN umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1,
0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses
Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung
nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen,
die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIn1-n-mN-Materials
im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet
obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters
(Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen
weiterer Stoffe ersetzt sein können.
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Die
erste und/oder zweite Spiegelschicht enthält vorzugsweise
Al und/oder Pt, besonders bevorzugt Ag. Die Barriereschicht enthält
bevorzugt TiWN.
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Die
aktive Schicht der Dünnfilm-LED umfasst bevorzugt einen
pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf
oder besonders bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW)
zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur beinhaltet
hierbei keine Angabe über die Dimensionalität
der Quantisierung. Sie umfasst somit u. a. Quantentröge,
Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser
Strukturen.
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Ein
Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen
Dünnfilm-LED umfasst folgende Verfahrensschritte:
- – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats,
- – epitaktisches Aufwachsen eines Schichtstapels, der
geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,
- – Aufbringen einer ersten Spiegelschicht, die eine Aussparung
in einem Bereich, der einem vorgesehenen Bereich einer Kontaktstruktur
gegenüber liegt, aufweist,
- – Aufbringen einer Barriereschicht auf der ersten Spiegelschicht,
- – Ablösen des Schichtstapels von dem Aufwachssubstrat,
- – Aufbringen einer Kontaktstruktur, die eine Kontaktfläche
aufweist, auf der der ersten Spiegelschicht gegenüberliegenden
Seite des Schichtstapels, wobei die Kontaktstruktur in einem der Aussparung
der ersten Spiegelschicht gegenüberliegenden Bereich aufgebracht
wird, und die Kontaktfläche der Kontaktstruktur kleiner
als die Aussparung der ersten Spiegelschicht ist.
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Die
erste Spiegelschicht wird also derart strukturiert, dass der Kontaktfläche
der Kontaktstruktur in vertikaler Richtung ein nicht von der ersten Spiegelschicht
bedeckter Bereich der Barriereschicht gegenüber liegt,
der größer ist als die Kontaktfläche der
Kontaktstruktur. Die erste Spiegelschicht ist bevorzugt als reflektierende
Kontaktschicht ausgebildet, die vorzugsweise einen ohmschen Kontakt
zum angrenzenden Schichtstapel herstellt.
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Durch
die Aussparung ist die Stromdichte in einem Bereich der aktiven
Schicht, der in vertikaler Richtung unterhalb und unmittelbar neben
der Kontaktfläche der Kontaktstruktur liegt, vermindert,
so dass weniger Strahlung von der aktiven Schicht unterhalb der
Kontaktfläche der Kontaktstruktur erzeugt wird. Weiterhin
wird durch die Aussparung der ersten Spiegelschicht der Anteil der
emittierten Strahlung, der von der ersten Spiegelschicht in Richtung
der Kontaktfläche der Kontaktstruktur reflektiert wird,
vermindert. Auf diese Weise wird die Absorption von Strahlung in
der Kontaktstruktur vermindert. Die Effizienz der Dünnfilm-LED
wird dadurch vorteilhaft erhöht.
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Eine
vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens sieht vor, dass vor Aufbringen
der Barriereschicht die Grenzfläche des Schichtstapels
in dem Bereich der Aussparung der ersten Spiegelschicht durch einen
Plasmaprozess beschädigt wird. Insbesondere kann die Grenzfläche
des Schichtstapels in dem Bereich der Aussparung der ersten Spiegelschicht
durch einen Sputterprozess beschädigt werden. Bevorzugt
wird die Grenzfläche des Schichtstapels in dem Bereich
der Aussparung der ersten Spiegelschicht derart beschädigt,
dass die Grenzfläche des Schichtstapels in diesem Bereich
nicht elektrisch leitend ist.
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Da
die Grenzfläche des Schichtstapels in der Aussparung bevorzugt
nicht elektrisch leitend ist, ist die Stromdichte der aktiven Schicht
im Bereich der Aussparung vermindert, so dass weniger Strahlung von
der aktiven Schicht unterhalb der Kontaktfläche der Kontaktstruktur
erzeugt wird. Dadurch reduziert sich mit Vorteil der Anteil der
von der aktiven Schicht emittierten Strahlung, der von der Kontaktstruktur
absorbiert wird.
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Eine
weitere vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens sieht vor, dass
vor Aufbringen der Barriereschicht eine zweite Spiegelschicht auf
die beschädigte Grenzfläche des Schichtstapels
in der Aussparung der ersten Spiegelschicht aufgebracht wird. Durch
die zweite Spiegelschicht wird der Anteil der emittierten Strahlung,
der in Richtung der Aussparung der ersten Spiegelschicht reflektiert
wird, an der zweiten Spiegelschicht in Richtung Strahlungsaustrittsfläche
reflektiert. Dadurch kann dieser Anteil der emittierten Strahlung
an der Strahlungsaustrittsfläche der Dünnfilm-LED
ausgekoppelt werden. Die Effizienz der Dünnfilm-LED erhöht
sich vorteilhaft.
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Bei
zumindest einer weiteren Ausgestaltung wird die Strahlungsaustrittsfläche
des Schichtstapels vor Aufbringen der Kontaktstruktur aufgeraut.
Durch die Aufrauung der Strahlungsaustrittsfläche erniedrigt
sich die Reflektivität an der Strahlungsaustrittsfläche,
wodurch sich die Anzahl an Rückreflektionen an der Strahlungsaustrittsfläche
in Richtung der aktiven Schicht verringert. Dadurch kann ein größerer
Anteil der Strahlung, die auf die Strahlungsaustrittsfläche trifft,
aus der Dünnfilm-LED ausgekoppelt werden. Die Effizienz
der Dünnfilm-LED erhöht sich mit Vorteil.
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Bevorzugt
sieht eine weitere Ausgestaltung des Verfahrens vor, dass vor Aufbringen
der Kontaktstruktur auf den Schichtstapel eine reflektierende Schicht
auf die Teilbereiche des Schichtstapels aufgebracht wird, die für
die Kontaktstruktur vorgesehen sind. Dadurch wird der Anteil der
Strahlung, der von der aktiven Schicht der Dünnfilm-LED
ausgesandt wird und ohne die zusätzliche reflektierende
Schicht von der Kontaktstruktur absorbiert werden würde,
in Richtung der ersten oder der zweiten Spiegelschicht und von dieser
wieder in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche reflektiert,
so dass die Strahlung aus der Dünnfilm-LED ausgekoppelt
werden kann. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED
weiter vorteilhaft.
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Eine
weitere vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens sieht vor, dass
Bereiche des Schichtstapels, auf die die Kontaktstruktur aufgebracht
ist, vor Aufbringen der Kontaktstruktur trockenchemisch behandelt
werden. Dadurch ergeben sich Bereiche des Schichtstapels, auf denen
die Kontaktstruktur angeordnet ist, die eine geringere Schichthöhe
aufweisen als Bereiche des Schichtstapels, auf denen keine Kontaktstruktur
angeordnet ist. Dadurch kann eine weitere Intensitätssteigerung
der von der Dünnfilm-LED emittierten Strahlung erreicht
werden.
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Bevorzugt
sieht eine Weiterbildung des Verfahrens vor, dass zusätzlich
auf mindestens eine der Seitenflächen des Schichtstapels
eine weitere reflektierende Schicht aufgebracht wird. Dadurch wird
der Anteil der Strahlung, der von der aktiven Schicht der Dünnfilm-LED
lateral ausgesandt wird, in Richtung des Schichtstapels zurück
reflektiert. Durch weitere Reflektionen im Schichtstapel kann dieser Anteil
der emittierten Strahlung in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche
reflektiert und ausgekoppelt werden. Dadurch erhöht sich
die Effizienz der Dünnfilm-LED weiter vorteilhaft.
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Weitere
Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten
der Dünnfilm-LED ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung
mit den 1 bis 4 erläuterten
Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
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1 einen
schematischen Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Dünnfilm-LED,
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2 einen
schematischen Querschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Dünnfilm-LED,
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3 einen
schematischen Querschnitt eines dritten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Dünnfilm-LED,
und
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4 einen
schematischen Querschnitt eines vierten Ausführungsbeispiels
einer erfindungsgemäßen Dünnfilm-LED.
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Gleiche
oder gleichwirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen
versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse
der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht
anzusehen.
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Die
in 1 dargestellte Dünnfilm-LED stellt ein
erstes Ausführungsbeispiel einer Dünnfilm-LED dar.
Die Dünnfilm-LED umfasst eine Barriereschicht 3,
eine nachfolgende erste Spiegelschicht 2 und einen darauf
angeordneten Schichtstapel 5. Der Schichtstapel 5 weist
eine aktive Schicht 5a auf, die bei Betrieb elektromagnetische
Strahlung emittiert. Eine Kontaktstruktur 6, die als Bondpad
ausgebildet ist, ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche 4 angeordnet
und weist eine Kontaktfläche 7 auf. Die erste Spiegelschicht 2 weist
in einem der Kontaktfläche 7 des Bondpads 6 gegenüberliegenden
Bereich eine Aussparung auf, wobei die Aussparung der ersten Spiegelschicht 2 größer
als die Kontaktfläche 7 des Bondpads 6 ist.
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Die
erste Spiegelschicht 2 ist also derart strukturiert, dass
in vertikaler Richtung der Kontaktfläche 7 des
Bondpads 6 ein nicht von der ersten Spiegelschicht 2 bedeckter
Bereich der Barriereschicht 3 gegenüber liegt.
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Die
erste Spiegelschicht 2 ist als reflektierende Kontaktschicht
ausgebildet, die einen dem Bondpad 6 von der aktiven Schicht 5a aus
gesehen gegenüberliegenden zweiten elektrischen Kontakt
der Dünnfilm-LED ausbildet.
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Die
Dünnfilm-LED basiert bevorzugt auf einem Nitridverbindungshalbleiter.
Die erste Spiegelschicht 2 enthält vorzugsweise
Ag. Die erste Spiegelschicht 2 ist durch eine Barriereschicht 3,
die bevorzugt TiWN enthält, gekapselt, um Ag-Migration
zu verhindern.
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Die
Aussparung der ersten Spiegelschicht 2, und somit der reflektierenden
Kontaktschicht, hat den Vorteil, dass die Stromdichte in einem Bereich
der aktiven Schicht 5a, der in vertikaler Richtung unterhalb und
unmittelbar neben der Kontaktfläche 7 des Bondpads 6 liegt,
vermindert ist, so dass weniger Strahlung unterhalb und unmittelbar
neben der Kontaktfläche 7 des Bondpads 6 erzeugt
wird, wodurch sich der Anteil der von der aktiven Schicht 5a emittierten Strahlung, der
von dem Bondpad 6 absorbiert wird, reduziert. Ferner wird
durch die Aussparung der ersten Spiegelschicht 2 der Anteil
der emittierten Strahlung, der von der ersten Spiegelschicht 2 in
Richtung des Bondpads 6 reflektiert wird, weiter vermindert. Auf
diese Weise wird die Absorption von Strahlung in dem Bondpad 6 vermindert.
Die Effizienz der Dünnfilm-LED wird dadurch vorteilhaft
erhöht.
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Vorzugsweise
ist die laterale Ausdehnung der Aussparung um 5 μm bis
20 μm größer als die laterale Ausdehnung
der Kontaktfläche 7 des Bondpads 6. Dadurch
wird die Stromdichte in einem Bereich, der unterhalb und unmittelbar
neben dem Bondpad liegt, das als Absorber wirkt, unterdrückt, wodurch
sich der Anteil der durch die Strahlungsaustrittsfläche 4 ausgekoppelten
Strahlung erhöht. Eine gegenüber der lateralen
Ausdehnung der Kontaktfläche 7 um über
20 μm vergrößerte laterale Ausdehnung
der Aussparung ist alternativ auch möglich. Allerdings
ergibt sich dabei eine erhöhte Diodenspannung und somit
eine reduzierte Effizienz der aktiven Schicht 5a.
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An
einer der Strahlungsaustrittsfläche 4 gegenüberliegenden
Seite des Schichtstapels 5 kann die Dünnfilm-LED
auf einem Träger 14 befestigt sein. Beispielsweise
ist der Schichtenstapel 5 mittels einer Verbindungsschicht 13,
die insbesondere eine Lotschicht sein kann, auf dem Träger 14 befestigt.
Der Träger 14 ist beispielsweise eine Leiterplatte,
insbesondere eine gedruckte Leiterplatte (Printed Circuit Board).
Ferner kann der Träger 14 aus einer Keramik, die
insbesondere Aluminiumnitrid enthalten kann, gebildet sein. Auch
Träger 14 aus einem Halbleitermaterial, wie beispielsweise
Ge- oder GaAs-Träger, können verwendet werden.
Eine von dem Schichtstapel 5 abgewandte Rückseite
des Trägers 14 kann beispielsweise mit einer elektrischen Kontaktschicht 1 versehen
sein, die einen dem Bondpad 6 von der aktiven Schicht 5a aus
gesehen gegenüberliegenden zweiten elektrischen Kontakt
der Dünnfilm-LED ausbildet.
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Durch
die Barriereschicht 3 wird insbesondere eine Diffusion
von Material der Verbindungsschicht 13, die beispielsweise
eine Lotschicht ist, in die erste Spiegelschicht 2 verhindert,
durch die insbesondere die Reflektion der ersten Spiegelschicht 2 beeinträchtigt
werden könnte.
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Die
in 2 dargestellte Dünnfilm-LED weist im
Gegensatz zu der Dünnfilm-LED aus 1 in der Aussparung
der ersten Spiegelschicht 2 eine zweite Spiegelschicht 8 auf,
so dass die Barriereschicht 3, die bevorzugt TiWN enthält
und für die von der aktiven Schicht 5a emittierte
Strahlung absorbierend wirkt, nicht direkt an den Schichtstapel 5 im
Bereich der Aussparung der ersten Spiegelschicht 2 angrenzt.
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Die
zweite Spiegelschicht 8 weist zu dem Schichtstapel 5 einen
hohen Kontaktwiderstand auf, während die erste Spiegelschicht 2 einen
niedrigen Kontaktwiderstand zu dem Schichtstapel 5 aufweist. Der
erhöhte Kontaktwiderstand und die geringe Leitfähigkeit
zwischen dem Schichtstapel 5 und der zweiten Spiegelschicht 8 kommt
durch eine veränderte Grenzfläche des Schichtstapels 5 im
Bereich der Aussparung zustande, so dass die Grenzfläche
des Schichtstapels 5 im Bereich der Aussparung nicht elektrisch
leitend ist.
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Ferner
besteht die Möglichkeit, dass durch ein geeignetes Material
die zweite Spiegelschicht 8 im Vergleich zur ersten Spiegelschicht 2 eine
geringere Leitfähigkeit aufweist.
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Da
in dem ausgesparten Bereich durch die Änderung der Grenzfläche
des Schichtstapels kein elektrischer Kontakt zwischen der zweiten
Spiegelschicht 2 und dem angrenzenden Schichtstapel 5 entsteht,
wird der Stromfluss zwischen dem Bondpad 6 auf der Strahlungsaustrittsfläche 4 und
der zweiten Spiegelschicht 8 in dem Bereich des Schichtstapels 5 der
in vertikaler Richtung unterhalb und unmittelbar neben der Kontaktfläche 7 des
Bondpads 6 liegt, vermindert. Die Strahlungserzeugung in
diesem Bereich der aktiven Schicht 5a ist somit vermindert,
wodurch vorteilhaft die Absorption von Strahlung innerhalb des Bondpads 6 reduziert
wird.
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Die
zweite Spiegelschicht 8 enthält vorzugsweise Ag.
Alternativ kann die zweite Spiegelschicht 8 Pt enthalten.
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Die
in 3 dargestellte Dünnfilm-LED unterscheidet
sich von der in 2 dargestellten Dünnfilm-LED
dadurch, dass die dem Schichtstapel 5 zugewandte Hauptfläche
des Bondpads 6 eine reflektierende Schicht 9 aufweist.
Die reflektierende Schicht 9 enthält vorzugsweise
Ag. Alternativ kann die reflektierende Schicht Al und/oder Pt enthalten.
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Die
in 3 ausgeführte Dünnfilm-LED weist
eine erste Spiegelschicht 2 auf, die als reflektierende
Kontaktschicht ausgebildet ist, und die einen dem Bondpad 6 von
der aktiven Schicht 5a aus gesehen gegenüberliegenden
zweiten elektrischen Kontakt der Dünnfilm-LED ausbildet.
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Durch
die reflektierende Schicht 9 auf der dem Schichtstapel
zugewandten Hauptfläche des Bondpads 6 wird der
Anteil der emittierten Strahlung, der von der ersten oder der zweiten
Spiegelschicht 2, 8 in Richtung des Bondpads 6 reflektiert
wird, von der reflektierenden Schicht 9 zurück
in Richtung der ersten und zweiten Spiegelschicht 2, 8 reflektiert.
Dieser Anteil der emittierten Strahlung wird wiederum an der ersten
oder der zweiten Spiegelschicht 2, 8 in Richtung
der Strahlungsaustrittsfläche 4 der Dünnfilm-LED
reflektiert und kann durch die Strahlungsaustrittsfläche 4 aus
der Dünnfilm-LED ausgekoppelt werden. Auf diese Weise vermindert
sich weiter die Absorption von Strahlung in dem Bondpad 6.
Bevorzugt wird keine. emittierte Strahlung von dem Bondpad 6 absorbiert.
Die Effizienz der Dünnfilm-LED erhöht sich vorteilhaft.
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Bevorzugt
ist die Strahlungsaustrittsfläche 4 der Dünnfilm-LED
aufgeraut. Durch diese Aufrauung erniedrigt sich die Reflektivität
der Strahlungsaustrittsfläche 4. Dadurch wird
ein geringerer Anteil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung
an der Strahlungsaustrittsfläche 4 in Richtung
der aktiven Schicht 5a zurück reflektiert, wodurch
ein größerer Anteil der von der aktiven Schicht
emittierten Strahlung an der Strahlungsaustrittsfläche 4 ausgekoppelt wird
und sich dadurch die Effizienz der Dünnfilm-LED erhöht.
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Die
in 4 dargestellte Dünnfilm-LED unterscheidet
sich von der Dünnfilm-LED in 3 dadurch,
dass die Kontaktstruktur aus einem Bondpad (nicht dargestellt) und
Kontaktstegen 10 gebildet ist. Unterhalb der Kontaktstege 10 und
dem Bondpad ist die erste Spiegelschicht 2 ausgespart,
wobei die laterale Ausdehnung der Aussparungen im Vergleich zur lateralen
Ausdehnung der Kontaktfläche der Kontaktstruktur größer
ist. Die Grenzfläche des Schichtstapels 5 ist
in dem Bereich der Aussparungen der ersten Spiegelschicht 2 derart
verändert, dass die Grenzfläche des Schichtstapels
im Bereich der Aussparungen nicht elektrisch leitend ist. In den
Aussparungen ist jeweils eine zweite Spiegelschicht 8 angeordnet.
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Ferner
ist im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel aus 3 auf
der der ersten und zweiten Spiegelschicht gegenüberliegenden
Seite der Barriereschicht eine Kontaktschicht 1 angeordnet, die
einen der Kontaktstruktur von der aktiven Schicht 5a aus
gesehen gegenüberliegenden zweiten elektrischen Kontakt
der Dünnfilm-LED ausbildet.
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Durch
die Veränderung der Grenzfläche des Schichtstapels 5 in
Bereichen der zweiten Spiegelschicht 8 ist die Grenzfläche
des Schichtstapels 5 nicht elektrisch leitend, wodurch
sich die Lichterzeugung in der aktiven Schicht 5a in Bereichen
unterhalb und unmittelbar neben der Kontaktstruktur vermindert.
Dadurch ergibt sich eine reduzierte Absorption der von der aktiven
Schicht 5a emittierten Strahlung in der Kontaktstruktur.
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Die
Seitenflächen des Schichtstapels 5 weisen eine
weitere reflektierende Schicht 12 auf, die vorzugsweise
Ag, Al und/oder Pt enthält. Weiterhin kann auf der Strahlungsaustrittsfläche 4,
die keinen Bondpad oder Kontaktstege 10 aufweist, eine
Lumineszenzkonversionsschicht 11 aufgebracht sein. Die Lumineszenzkonversionsschicht 11 enthält
zumindest einen Lumineszenzkonversionsstoff, der zur Wellenlängenkonversion
zumindest eines Teils der von der Dünnfilm-LED emittierten
Strahlung zu größeren Wellenlängen hin
geeignet ist. Auf diese Weise kann insbesondere mit einer Dünnfilm-LED,
die ultraviolette oder blaue Strahlung emittiert, durch Wellenlängenkonversion
eines Teils der emittierten Strahlung in den komplementären
Spektralbereich, vorzugsweise den gelben Spektralbereich, Weißlicht
erzeugt werden.
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Die
Bereiche des Schichtstapels 5, auf die Kontaktstege 10 aufgebracht
sind, weisen bevorzugt eine geringere Schichthöhe auf als
Bereiche des Schichtstapels 5, auf die keine Kontaktstege 10 aufgebracht
sind. Dadurch kann eine weitere Intensitätssteigerung der
von der Dünnfilm-LED emittierten Strahlung erreicht werden.
Bevorzugt weist der Schichtstapel 5, auf dem keine Kontaktstege 10 aufgebracht
sind, eine Schichthöhe zwischen 4 μm und 8 μm,
beispielsweise eine Schichthöhe von 6 μm auf. Die
Bereiche des Schichtstapels 5, auf die Kontaktstege 10 aufgebracht
sind, weisen bevorzugt eine Schichthöhe zwischen 50 nm
und 3,5 μm, beispielsweise eine Schichthöhe von
1 μm auf.
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Die
Reduzierung der Schichthöhe der Bereiche des Schichtstapels 5,
auf die Kontaktstege 10 aufgebracht sind, erfolgt vorzugsweise
trockenchemisch. Die Veränderung der Grenzfläche
des Schichtstapels 5 erfolgt bevorzugt durch einen Plasmaprozess,
besonders bevorzugt durch einen Sputterprozess.
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Die
Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht als Einschränkung
auf die Anzahl der einzelnen Schichten zu verstehen. Einzelne Schichten
der Dünnfilm-LED können sich ebenso aus einer
Schichtenfolge zusammensetzen. Ebenso kann die Dünnfilm-LED
zusätzlich zu den oben genannten Schichten beispielsweise
Bufferschichten und/oder Zwischenschichten enthalten.
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Die
Erläuterung des erfindungsgemäßen Dünnfilm-LED
anhand der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele ist
nicht als Beschränkung der Erfindung auf diese zu betrachten.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in
den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal
oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen
oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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