DE102006024652A1 - Bauelement mit TAB-Packung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement mit einer TAB-Packung, die zum Verbinden eines Elements, wie eines Glaspanels, eingerichtet ist, und auf ein zugehöriges Bondverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß umfasst die TAB-Packung einen Halbleitereinzelchip, der mit inneren Leiterbereichen von Leitern verbunden ist, von denen jeder zudem einen äußeren Leiterbereich (40) umfasst, der einen Endabschnitt (40a) mit einer ersten Breite, einen Anschlussabschnitt (40c) mit einer gegenüber der ersten Breite größeren zweiten Breite, der mit dem zugehörigen inneren Leiterbereich verbunden ist, und einen Übergangsabschnitt (40b) beinhaltet, der eine zwischen der ersten und der zweiten Breite variierende Breite aufweist, wobei jeder Endabschnitt elektrisch mit einem Teil einer ersten Verbindungsstruktur (30) des Elements so verbunden ist, dass jeder Übergangsabschnitt über einem Kantenbereich des Elements liegt. DOLLAR A Verwendung z. B. in der Halbleiterbauelementtechnologie.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement mit einer Packung mit automatischem Folien- bzw. Tapebonden („tape automated bonding"; TAB), die zum Verbinden eines Elementes, wie eines Glaspanels eingerichtet ist, sowie auf ein zugehöriges Bondverfahren.
- Der Berechnungs- und Datenmanipulationsschaltungsaufbau von Halbleiterbauelementen ist auf kleinen Einzelchips implementiert, die auf Bereichen eines Siliziumwafers gebildet sind. Als solche sind Halbleitereinzelchips sehr klein und ziemlich zerbrechlich. Das bedeutet, dass Halbleitereinzelchips in ihrem nackten Zustand wie aus dem Wafer geschnitten nicht sehr nützlich sind, obwohl ihr Schaltungsaufbau voll funktionsfähig ist, da ihre zerbrechliche Natur eine praktische Integration in einem Wirtsbauelement („host device") verhindert und ihre kleine Abmessung die meisten herkömmlichen Verbindungen zu ihrem internen Schaltungsaufbau ausschließt. Daher entsteht der Bedarf für effektive Halbleiterpackungstechniken. Die Bezeichnungen „Packung" bzw. „Packen" beziehen sich in diesem Zusammenhang auf jegliches Material und jegliche Technik, die dafür ausgelegt sind, einen physikalischen Schutz für einen Halbleitereinzelchip und/oder elektrische Verbindungen von/zu diesem bereitzustellen.
- In Halbleiterbauelementen, wie mikroelektronischen Bauelementen, Speicherbauelementen etc., ist deren enthaltener Halbleitereinzelchip typischerweise in eine Packung oder ein Gehäuse eingebettet, um für den Einzelchip einen Schutz vor mechanischem Stoß und/oder vor den korrosiven Effekten der Umgebung bereitzustellen. Halbleitereinzelchippackungen gibt es in verschiedenen Typen und mit unterschiedlichen Formfaktoren. Bei einer üblichen Packung ist der Halbleitereinzelchip zwischen einer Basis und einer Abdeckung eingeschlossen. Bei einer anderen üblichen Packung ist der Halbleitereinzelchip in einer Kunststoff- oder Harzverbindung verkapselt.
- Eine elektrische Verbindung zu Eingabe/Ausgabe(E/A bzw. I/O)-Kontaktstellen eines Halbleitereinzelchips wird üblicherweise durch einen Leiterrahmen bereitgestellt. Auch Leiterrahmen gibt es wiederum mit vielen unterschiedlichen Formfaktoren, sie stellen jedoch allgemein eine elektrische Verbindung zwischen verschiedenen externen Schaltungen und den E/A-Kontaktstellen eines Halbleitereinzelchips durch die Packungsmaterialien hindurch zur Verfügung. Ein Leiterrahmen kann unter Verwendung einer von mehreren herkömmlichen Techniken mit einem Halbleitereinzelchip verbunden sein. Zwei herkömmliche Techniken, die zur Verbindung eines Leiterrahmens mit E/A-Kontaktstellen auf einem Halbleiterbauelement eingerichtet sind, beinhalten die jeweilige Verwendung von dünnen Drahtbondverbindungen oder eines Verbindungstapes.
- Ein Verbindungstape nutzende Techniken werden gewöhnlich als automatisches Folienbonden (TAB) bezeichnet. Beim TAB werden elektrische Verbindungen, wie Verbindungen zu Leistungsversorgungsleitungen und/oder Signalleitungen etc., auf dem Verbindungstape strukturiert.
- Während eines Verbindungsprozesses wird ein Halbleitereinzelchip über dem Tape so positioniert, dass Bondstellen, wie auf dem Halbleitereinzelchip gebildete Leiterbahnen oder Kontaktstellen, zu jeweiligen Verbindungsstellen auf dem Tape ausgerichtet sind. Der Halbleitereinzelchip wird dann beispielsweise unter Verwendung von Metallbumps oder Lotkugeln an Ort und Stelle gebondet.
- Sobald eine Verbindung ordnungsgemäß zwischen Bondkontaktstellen auf dem Halbleitereinzelchip und dem Verbindungstape hergestellt ist, ist der Halbleitereinzelchip in der Lage, von einer auf dem Tape gebildeten Verbindungsstruktur Gebrauch zu machen. Diese Verbindungsstruktur hat am typischsten die Form einer Mehrzahl von dünnen Metallleiterbahnen. Jeder der mehreren Leiter beinhaltet eine „innere Leiterbahn" bzw. einen „inneren Leiterbahnabschnitt". Die sehr feine und etwas zerbrechliche Natur der inneren Leiterbahnen schließt deren direkte Verwendung als elektrische Verbindungen zu externen Schaltkreisen aus. Daher geht die jeweilige innere Leiterbahn, wenn sie sich nach außen vom Halbleitereinzelchip weg erstreckt, in ihrer Form zu einer robusteren, d.h. dickeren und stärkeren Struktur über, die als „äußere Leiterbahn" bzw. „äußerer Leiterbahnabschnitt" bezeichnet wird. Äußere Leiterbahnabschnitte sind zum Bonden an einen Leiterrahmen, eine Leiterplatte, eine externe Schaltkreisverbindung oder eine Signalleitung etc. eingerichtet. Eine individuelle Leiterbahn umfasst folglich typischerweise einen inneren Leiterbahnabschnitt, der mit einer Bondkontaktstelle auf dem Halbleitereinzelchip verbunden ist, und einen äußeren Leiterbahnabschnitt, der an einen Leiterrahmen, eine Leiterplatte, eine externe Schaltkreisverbindung oder eine Signalleitung etc. gebondet wird.
- Das in TAB-Prozessen verwendete flexible Verbindungstape gibt es in einigen verschiedenen Typen, beispielsweise einem Einzelschichttyp mit einem voll metallischen oder metallisierten Aufbau, einem Zweischicht typ mit einer Metallschicht, die von einer dielektrischen Unterlagenschicht, z.B. einem Basisfilm, getragen wird, oder einem Dreischichttyp mit einer Metallschicht, die mittels einer Klebeschicht an eine dielektrische Schicht gebondet ist. In Typen von TAB-Verbindungstapes, die ein Dielektrikum enthalten, ist das Dielektrikum typischerweise aus einem Polyimid mit einer Dicke von etwa 2mils bis 5mils gebildet. im Gegensatz dazu ist die Metallschicht üblicherweise aus einem hoch leitfähigen Material gebildet, wie Kupfer oder einer Legierung mit verdünntem Kupfer, und weist einen typische Dicke im Bereich von 0,5mils bis 6mils auf. Verbindungstapes standardisierter Abmessung haben Breiten von beispielsweise 35mm, 45mm und 70mm sowie Dicken im Bereich von etwa 50μm bis 100μm.
- Leiterbahnen können aus der Metallschicht auf einem Verbindungstape unter Verwendung herkömmlicher Fotolithographieprozesse gebildet werden. Breiten von Leiterbahnabschnitten bis hinunter zu 2mils werden allgemein hergestellt.
- TAB stellt einige Vorteile gegenüber Drahtbondtechniken zur Verfügung. Diese Vorteile umfassen kleinere Bondkontaktstellenstrukturen und ein feineres Bondrastermaß, einen reduzierten Einsatz von Gold, eine kleinere Bondgeometrie, erhöhte Produktionsraten und ein stärkeres, gleichmäßigeres Bonden der inneren Leiterbahnen. Mit TAB herstellte Bauelemente sind physisch flexibel und erleichtern eine Multichipmodulherstellung.
- TAB ist daher häufig eine gegenüber Drahtbondtechniken bessere Herstellungsalternative für Anwendungen innerhalb von Wirtsbauelementen, die sehr feine Bondrastermaße, eine reduzierte Einzelchipabmessung und höhere Halbleiterbauelementdichten erfordern. TAB ist außerdem die Herstellungstechnik der Wahl für Halbleiterbauelemente, die routinemäßig physikalische Bewegung oder mechanische Belastung, wie Verbiegen, Verdrehen, Druck- oder Zugbelastungen etc., während ihres Gebrauchs innerhalb eines Wirtsbauelements erfahren. Eine zuverlässige Verwendung unter physikalischer Bewegung oder mechanischer Belastung wird häufig für einige Halbleiterbauelemente gefordert, die beispielsweise innerhalb von LCD-Panels, Druckern, klappbare Einheiten wie Mobiltelefonen, Laptops, PDAs etc. verwendet werden.
- Der Einbau eines mittels TAB gefertigten Halbleiterbauelements in Wirtsbauelemente stellt jedoch zahlreiche Herausforderungen. Es seien beispielsweise die für den Einbau einer TAB-Packung, wie einer Tapeträgerpackung (TCP) oder einer Chip-auf-Film-Packung (COF-Packung), in Wirtsbauelemente wie Laptop-Computer, PDAs, Mobiltelefone, GPS-Geräte, digitale Videokameras etc. inhärenten Schwierigkeiten betrachtet.
- Herkömmliche COF-Packungen und TCPs unterscheiden sich in mehreren Aspekten. Beispielsweise werden TCPs häufig mit einem Fensterausschnitt im Tape gebildet, um eine Rückseitensichtbarkeit und einen Zugriff auf einen montierten Halbleitereinzelchip zu erlauben, während COF-Packungen typischerweise ein solches Fenster vermeiden. Das in COF-Packungen benutzte Verbindungstape tendiert im Allgemeinen dazu, dicker als das in TCPs verwendete Verbindungstape zu sein. In der nachfolgenden Beschreibung bezieht sich der Ausdruck „TAB-Packung" allgemein auf jegliche unter Verwendung eines TAB-Prozesses gebildete Halbleiterpackung und umfasst speziell wenigstens TCP-Typen und COF-Packungstypen.
- TCPs und COF-Packungen werden häufig in bestimmten Wirtsbauelementen als Flüssigkristallanzeige(LCD)-Treiber verwendet, als LDIs bezeichnet. In der Tat werden unter Verwendung einer TCP oder COF-Packung implementierte LDIs häufig dazu benutzt, LCD-Arrays mit einer separaten Leiterplatte (PCB) physikalisch zu überbrücken, die einen Treiber, eine Steuereinheit oder ähnliche Berechnungs-/Datenmanipulationshardware aufweist. Die Verwendung von flexiblen Halbleiterpackungs- und Verbindungstechniken zur Implementierung oder Unterstützung der Implementierung beweglicher Verbindungen zwischen Elementen eines Wirtsbauelements hat viele neue Endverbraucherprodukte ermöglicht, die kompakt, elegant und vielseitig sind. Diese Entwicklungen haben jedoch der Langzeitzuverlässigkeit von TAB-Packungen, die in solchen Anwendungen eingesetzt werden, eine erhöhte Bedeutung auferlegt. Einige mit der Verwendung einer TAB-Packung als eine flexible Verbindung zwischen Komponenten eines Wirtsbauelements verknüpfte Probleme werden nun unter Bezugnahme auf ein ausgewähltes Beispiel erläutert. Dieses Beispiel beinhaltet die Verbindung eines Glaspanels, wie sie üblicherweise in LCD-Anzeigen eingesetzt werden, mit einer anderen Komponente eines Wirtsbauelements, wie einer PCB, die eine Treiberschaltung oder Steuereinheit beinhaltet. Dieses Beispiel ist insgesamt in den
1A bis1C und2 veranschaulicht. -
2 ist eine Querschnittansicht, die ein Glaspanel2 zeigt, das mit einem Ende einer TAB-Packung5 verbunden ist. Das Glaspanel2 umfasst allgemein einen Abdeckteil2a und einen Verbindungsteil2b mit einer schrägen Kante8 . Eine Verbindungsstruktur3 , die auf dem Glaspanelteil2b gebildet ist, ist elektrisch mit einer auf der TAB-Packung5 gebildeten Verbindungsstruktur6 über einen anisotropen leitfähigen Film (ACF)4 elektrisch verbunden. Die Verwendung des ACF ist in diesem Zusammenhang allgemein bekannt. Im gezeigten Beispiel sind die beiden Verbindungsstrukturen3 und6 als eine Mehrzahl paralleler Leiterbahnen implementiert. - Die zugehörigen
1A ,1B und1C veranschaulichen des Weiteren die allgemein bei der vorstehenden Anordnung anzutreffenden Probleme. Durch den Entwurf ist die TAB-Packung5 dazu gedacht, eine Faltbewegung, z.B. Biegen, in der durch einen Pfeil9 angezeigten Richtung über die schräge Kante8 für das andere, nicht gezeigte Element des Wirtsbauelements zu erleichtern, das mit dem anderen Ende der TAB-Packungsschaltung5 verbunden ist. Diese Faltbewegung führt zu einer mechanischen Belastung der äußeren Leiterbahnabschnitte6a der Verbindungsstruktur6 . Diese mechanische Belastung tendiert dazu, sich in einem Bereich der Verbindungsstruktur6 zwischen den durch den ACF4 gebondeten äußeren Leiterbahnabschnitten6a und dem durch den Lötmittelresist7 verstärkten Teil der Verbindungsstruktur6 , d.h. der Anschlussbereiche der Mehrzahl von Leiterbahnen, zu konzentrieren. Wie in den1B und1C angedeutet, sind die Verbindungsstrukturbereiche innerhalb dieses mechanisch belasteten Bereichs anfälliger gegen Brechen. Ein eventuelles Brechen der äußeren Leiterbahnabschnitte ist ersichtlich ungünstig und hat entscheidenden Einfluss auf die Gesamtzuverlässigkeit des Wirtsbauelements, in welchem die das Glaspanel verbindende TAB-Packung eingebaut ist. Mit der Zeit kann nämlich wiederholte Bewegung zwischen den Komponenten des Wirtsbauelements, die durch die TAB-Packung flexibel verbunden sind, in genau diesem ungünstigen Resultat enden. - Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Bauelements mit einer TAB-Packung sowie eines zugehörigen Bondverfahrens zugrunde, die in der Lage sind, die oben erwähnten Schwierigkeiten des Standes der Technik zu verringern oder zu vermeiden und die insbesondere eine verbesserte Wiederstandsfähigkeit gegenüber mechanischen Belastungen ermöglichen, die mit einer Bewegung von verbundenen Komponenten eines Wirtsbauelements verknüpft sind.
- Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Bauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 1, 4 oder 5 und eines Bondverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 11.
- Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend beschrieben und sind in den Zeichnungen dargestellt, die außerdem die oben zum besseren Verständnis der Erfindung erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele zeigen. Es zeigen:
-
1A ,1B ,1C und2 Draufsichten und eine Querschnittansicht zur gemeinsamen Veranschaulichung mechanischer Belastungsprobleme, die mit herkömmlichen TAB-Packungen zur Verbindung von Komponenten eines Wirtsbauelements verknüpft sind, -
3A ,3B und3C Draufsichten und eine Querschnittansicht zur Veranschaulichung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei dem ein Glaspanel mit einer TAB-Packung verbunden ist, -
4A ,4B und4C eine Querschnittansicht, eine Perspektivansicht bzw. eine Draufsicht zur Veranschaulichung äußerer Leiterbahnabschnitte einer exemplarischen, zur Verwendung innerhalb eines Ausführungsbeispiels der Erfindung eingerichteten Verbindungsstruktur, -
5A und5B Querschnittansichten zur Veranschaulichung jeweiliger TAB-Packungen, die sich für eine Verbesserung durch Einbau eines Ausführungsbeispiels der Erfindung eignen, -
6 eine Draufsicht zur Veranschaulichung von Anschlussbereichen einer exemplarischen Verbindungsstruktur, die zur Verwendung in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung eingerichtet ist, und -
7 ein Flussdiagramm zur Veranschaulichung eines zur Verbindung einer TAB-Packung mit einer Komponente eines Wirtsbauelements gemäß der Erfindung eingerichteten Verfahrens. - Ausgewählte vorteilhafte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die zugehörigen
3A bis7 beschrieben. Die Erfindung kann jedoch in verschiedenen weiteren Ausführungsformen implementiert werden. Art, Aufbau und Zusammensetzung von Elementen dieser Ausführungsbeispiele können in weitem Umfang mit der speziellen Auslegung und Implementierung variieren. Als solches werden die nachfolgenden exemplarischen Ausführungsformen beispielhaft angegeben, um die Realisierung und Benutzung der Erfindung darzulegen. - Die
3A ,3B und3C veranschaulichen ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Ein Glaspanel31 mit einem Deckpanel31a und einem Verbindungspanel31b wird als ein Beispiel einer Komponente eines Wirtsbauelements mit einer Verbindungsoberfläche herangezogen. Der Ausdruck „Komponente" ist in diesem Zusammenhang breit zu verstehen und soll zusätzlich zu Glaspanels aller Formen und Größen auch Leiterplatten (PCBs), elektrische Verbindungen wie Drähte, Kontaktstellen, Buchsen, Panels etc., keramische und/oder Kunststoffkomponenten umfassen. Zudem kann eine auf einer Verbindungsoberfläche jeder dieser Komponenten eines Wirtsbauelements gebildete „Verbindungsstruktur" jegliche geeignete Geometrie haben und viele verschiedene Formen aufweisen, z.B. Leiterbahnen, Kontaktstellen, Buchsen, leitfähige Bereiche etc. Daher ist der Ausdruck „Verbindungsstruktur" dahingehend zu verstehen, dass er diese möglichen Entwurfsvariationen auch über die parallelen Leiterbahnstrukturen hinaus umfasst, die als Beispiele in den3A ,3B und3C benutzt sind. - Das Verbindungspanel
31b beinhaltet in einer Ausführungsform einen Verbindungsbereich A und einen Kantenbereich B. Im gezeigten Beispiel ist der Kantenbereich B als eine schräge Kante37 des Glaspanels31b gebildet. Eine erste Verbindungsstruktur30 ist auf einer Verbindungsoberfläche des Verbindungsbereichs A des Glaspanels31b unter Verwendung irgendeiner von mehreren verfügbaren herkömmlichen Techniken ausgebildet. Die erste Verbindungsstruktur30 kann aus einem oder mehreren einer Vielzahl von herkömmlichen, elektrisch leitfähigen Materialien gebildet sein, wie Cu oder eine Cu-Legierung. In einigen Ausführungsformen ist der Verbindungsbereich A nicht nur durch das Vorhandensein der ersten Verbindungsstruktur30 charakterisiert, sondern auch durch die Anwesenheit einer mechanischen Unterstützung für eine gebondete TAB-Packung35 . Im Gegensatz dazu ist der Kantenbereich B von Glaspanels in solchen Ausführungsformen durch das Fehlen sowohl der ersten Verbindungsstruktur30 als auch einer materiellen mechanischen Unterstützung für eine horizontal (relativ zum gezeigten Beispiel) verbundene TAB-Packung charakterisiert. - Die FAB-Packung
35 umfasst allgemein eine zweite Verbindungsstruktur38 . Die zweite Verbindungsstruktur38 kann in bestimmten Ausführungsformen elektrisch und mechanisch mit der ersten Verbindungsstruktur30 unter Verwendung eines ACF36 verbunden. Wie im Beispiel von3A veranschaulicht, kann die zweite Verbindungsstruktur38 die Form einer Mehrzahl von äußeren Leiterbahnabschnitten40 haben, die sich von der TAB-Packung35 erstrecken. Jeder äußere Leiterbahnabschnitt ist in einer Ausführungsform durch einen Endabschnitt40a mit einer ersten Breite, einen Anschlussabschnitt40c mit einer gegenüber der ersten Breite größeren zweiten Breite und einen Übergangsabschnitt40b mit einer Breite charakterisiert, die sich zwischen der ersten und der zweiten Breite ändert. - Wenn die TAB-Packung
35 über dem Glaspanel31b justiert wird, so dass die erste und die zweite Verbindungsstruktur30 ,38 geeignet in Übereinstimmung gebracht und gebondet werden können, erstreckt sich der Endabschnitt40a des jeweiligen äußeren Leiterbahnabschnitts40 typischerweise über wenigstens einen Teil des Verbindungsbereichs A für das Glaspanel31b hinweg. Dadurch werden die jeweiligen Endabschnitte40a mechanisch durch die Verbindungsoberfläche getragen. In ähnlicher Weise ist der Anschlussabschnitt40c des jeweiligen äußeren Leiterbahnabschnitts40 üblicherweise weit genug vom Bereich maximaler Biegebelastung entfernt, optional von einem Lotresist39 getragen und/oder in seiner Breite dick genug, so dass ein Brechen dieses Teils des äußeren Leiterbahnabschnitts40 im Allgemeinen kein Problem ist. - Hingegen überdeckt der Übergangsabschnitt
40b des jeweiligen äußeren Leiterbahnabschnitts40 nach richtiger Justierung den Kantenbereich B des Glaspanels31b . Der Ausdruck „Überdeckung" wird hierbei in Bezug auf das gezeigte Beispiel der3B und3C und herkömmlicher Fabrikationsprozesse verwendet, die zum Gebrauch beim Bonden der TAB-Packung35 an das Glaspanel31b angepasst sind. Der Ausdruck „Überdeckung" ist daher so zu verstehen, dass er jegliche Verbindungsanordnung bzw. jeglichen Fabrikationsprozess umfasst, bei der bzw. dem die zweite Verbindungsstruktur der TAB-Packung35 bezüglich der ersten Verbindungsstruktur auf dem Glaspanel31b vertikal angeordnet wird. - Nach Justierung bezüglich des Überdeckungskantenbereichs B des Glaspanels
31b bleibt der Übergangsbereich40b ohne Unterstützung durch einen darunterliegenden Bereich der Verbindungsoberfläche des Glaspanels31b . Statt dessen erfordert die Falt- oder Biegefunktion, die mit der TAB-Packung35 verknüpft ist, typischerweise, dass ein Teil der zweiten Verbindungsstruktur38 , der auf dem flexiblen Verbindungstape der TAB-Packung35 gebildet ist, ohne Verbindung zwischen jeweiligen Komponenten des Wirtsbauelements flexibel bleibt. Im veranschaulichten Beispiel der3B und3C bleibt der Übergangsbereich40b jedes äußeren Leiterbahnabschnitts40 ohne Unterstützung über dem Kantenbereich B. Da dieser Bereich am meisten einer maximalen Belastung unterliegt und daher die größte Bruchgefahr hat, wird jeder Übergangsbereich40b mit veränderlicher Breite gebildet. Diese veränderliche Breite verleiht den Übergangsabschnitten40b und den äußeren Leiterbahnabschnitten40 im Allgemeinen eine viel größere mechanische Festigkeit. - Die Verwendung von Leiterbahnen oder Verbindungsstrukturen, wie PCB-Metallleiterbahnen, mit variablen Breiten ist bislang für die vorliegende Verwendung nicht beschrieben worden, wenngleich sie generell bekannt ist. Speziell ist dies vorliegend das Anordnen des Übergangsabschnitts einer derartigen Leiterbahnstruktur, welche die höchste Festigkeit gegenüber biegeinduziertem mechanischem Brechen besitzt, innerhalb des Bereichs maximaler Falt- oder Biegebelastung in einer TAB-Packung, die zum Verbinden von Elementen in einem Wirtsbauelement eingesetzt wird.
- Naturgemäß kann die Gestalt mit variierender Breite des Übergangsabschnitts
40b vielerlei Form haben. Die gezeigten Beispiele veranschaulichen einen linear angewinkelten Übergangsabschnitt, der Übergangsabschnitt kann aber alternativ eine gekrümmte Gestalt, wie nach innen oder außen gebogen etc., aufweisen. Die relativen Abmessungen des End-, des Übergangs- und des Anschlussabschnitts der zweiten Verbindungsstruktur variieren je nach Entwurf, wobei beispielsweise die Natur der Verbindungsoberfläche, die Geometrie der ersten Verbindungsstruktur, der beabsichtigte Radius in der maximalen Biegestellung oder der größte Faltwinkel etc. berücksichtigt werden. - Im Ausführungsbeispiel, das in den
3A und3B veranschaulicht ist, ist der Entwurf der äußeren Leiterbahnabschnitte, welche die zweite Verbindungsstruktur40 bilden, so gewählt, dass die jeweiligen Endabschnitte40a etwa die gleiche Länge A' und (erste) Breite haben wie die im Verbindungsbereich A gebildete erste Verbindungsstruktur30 . In ähnlicher Weise sind die äußeren Leiterbahnabschnitte, welche die zweite Verbindungsstruktur40 bilden, zudem so entworfen, dass die jeweiligen Übergangsabschnitte40b etwa die gleiche Länge B' wie der Kantenbereich B haben. - Die exemplarische zweite Verbindungsstruktur der
3A ,3B und3C ist des weiteren in den4A ,4B und4C veranschaulicht. Auch hier sind mehrere äußere Leiterbahnabschnitte40 an einem Ende der TAB-Packung35 gebildet und fungieren als eine zweite Verbindungsstruktur. Eine Lotresistschicht39 kann optional über den äußeren Leiterbahnabschnitten40 in einem Übergangsbereich C der TAB-Packung35 vorgesehen sein. An Stellen, an denen das Lotresist39 vorgesehen ist, stehen jedoch die äußeren Leiterbahnabschnitte um einen gewissen Teil vor, d.h. sie liegen über diesen hinaus frei. Dieser freiliegende Teil110 der äußeren Leiterbahnabschnitte ist zur elektrischen Verbindung einer ersten Verbindungsstruktur eingerichtet, die auf einer Komponente eines Wirtsbauelements gebildet ist. - Im in den
4A ,4B und4C veranschaulichten Beispiel ist wenigstens der Endabschnitt40a jedes äußeren Leiterbahnabschnitts40 aus einem leitfähigen Material gebildet, wie Kupfer oder einer Kupferlegierung, und weist eine Breite im Bereich von etwa 15μm bis etwa 50μm und eine Länge im Bereich von etwa 100μm bis etwa 1500μm auf. Der Anschlussabschnitt40c jedes äußeren Leiterbahnabschnitts40 weist eine zweite Breite im Bereich von etwa 20μm bis 80μm auf. Der Übergangsbereich40b jedes äußeren Leiterbahnabschnitts40 hat eine Breite, die zwischen der ersten und der zweiten Breite variiert. In einigen Ausfüh rungsbeispielen kann die variable Breite des Übergangsabschnitts40b auch über der zweiten Breite liegen, geht dann aber z.B. verjüngend auf die Breite des Anschlussabschnitts40c des äußeren Leiterbahnabschnitts40 zurück. - Der freiliegende Bereich
110 der exemplarischen zweiten Verbindungsstruktur ist des Weiteren in Bezug auf zwei übliche TAB-Packungstypen veranschaulicht. Die COF-Packung151 , die in5A gezeigt ist, umfasst einen Halbleitereinzelchip130 , der auf einen Basisfilm100 mit einem Klebemittel124 montiert und mit einer zweiten Verbindungsstruktur40 mittels Metallverdrahtungen126 verbunden ist. Der Halbleitereinzelchip130 ist durch ein Verkapselungsmaterial132 geschützt. Das Volumen („bulk") der zweiten Verbindungsstruktur40 ist durch den Lotresistfilm39 geschützt, es umfasst aber auch den freiliegenden Teil110 . - Demgegenüber umfasst die in
5B gezeigte TCP-Packung161 einen Halbleitereinzelchip130 , der auf einen Basisfilm100 montiert und mit einer zweiten Verbindungsstruktur40 mittels Lotkugeln128 verbunden ist. Der Halbleitereinzelchip130 ist durch ein Verkapselungsmaterial132 geschützt. Das Volumen der zweiten Verbindungsstruktur40 ist durch den Lotmittelfilm39 geschützt, umfasst aber auch den freiliegenden Teil110 . - Bei den vorstehenden exemplarischen Ausführungsformen wurde der Anschlussabschnitt
40c des äußeren Leiterbahnbereichs40 , der die zweite Verbindungsstruktur bildet, dahingehend gezeigt, dass er lediglich eine lineare rechteckförmige Gestalt aufweist, d.h. parallele lineare Seiten. Dies muss aber nicht so sein. Es versteht sich, dass für einige Ausführungsbeispiele in herkömmlicher Weise ein äußerer Leiterbahnbereich mit einem S-förmigen Teil, d.h. einem Teil mit gebogen verlaufenden parallelen Seiten, sogar eine bessere Beständigkeit gegenüber Belastungen hat, die durch ungleichmäßige Wärmeausdehnungen zwi schen dem Basisfilm100 und der darauf gebildeten Verbindungsstruktur40 induziert wird. Daher veranschaulicht6 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das eine nicht rechteckförmige Geometrie für den Anschlussabschnitt40c beinhaltet, wobei der Anschlussabschnitt40c der äußeren Leiterbahnbereiche40 einen S-förmigen Teil40d aufweist. - Nachdem eine Komponente eines Wirtsbauelements mit einer geeigneten Verbindungsoberfläche versehen wurde, die typischerweise eine Kantenfläche beinhaltet, welche durch eine schräge Außenkante der Verbindungsoberfläche gebildet ist, und nachdem eine TAB-Packung mit geeigneten äußeren Leiterbahnbereichen bereitgestellt wurde, kann ein Herstellungsverfahren implementiert werden, das die oben erläuterten Vorteile bietet.
-
7 veranschaulicht allgemein ein Ausführungsbeispiel dieses Verfahrens. Dieses Verfahren ist dafür eingerichtet, ein Wirtsbauelement mit zwei Komponenten zu erzeugen, von denen wenigstens eine dafür eingerichtet ist, sich über die andere Komponente zu falten oder zu biegen, während eine zuverlässige elektrische Verbindung durch Verwendung einer flexiblen TAB-Packungsverbindung aufrechterhalten wird. Die Ausführung des exemplarischen Herstellungsverfahrens schließt an die Bereitstellung der zu verbindenden Komponente des Wirtsbauelements und einer TAB-Packung ähnlich den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen an. - Mit diesen bereitgestellten Ausgangsmaterialien beginnt das Verfahren durch Ausrichten der auf der Verbindungsoberfläche der Komponente des Wirtsbauelements gebildeten ersten Verbindungsstruktur zu der auf der TAB-Packung gebildeten zweiten Verbindungsstruktur, spezieller z.B. zu den Endabschnitten der zweiten Verbindungsstruktur, siehe Schritt
71 . In einigen Ausführungsformen umfasst dieser Justierschritt ein breitenorientiertes Positionieren, bei dem ein gewisser Breitenbereich der ersten Verbindungsstruktur zu einem gewissen Breitenbereich der zweiten Verbindungsstruktur ausgerichtet wird. Als nächstes werden die Übergangsabschnitte der zweiten Verbindungsstruktur zu einem Kantenabschnitt der Komponente des Wirtsbauelements ausgerichtet, siehe Schritt72 . In einigen Ausführungsbeispielen umfasst dieser Justierschritt eine längsseitige Positionierung, bei der die Übergangsbereiche der zweiten Verbindungsstruktur so positioniert werden, dass sie über dem Kantenabschnitt der Komponente des Wirtsbauelements liegen, wie eines Glaspanels. - Somit können in einigen Ausführungsformen der Erfindung die vorstehenden Justierschritte in irgendeiner Reihenfolge ausgeführt werden, und sie können in einem einzigen Fabrikationsschritt durchgeführt werden. Ob nacheinander oder in Kombination, positionieren die Justierschritte
70 ,71 jedenfalls im Wesentlichen die zweite Verbindungsstruktur, die in der TAB-Packung gebildet ist, über der ersten Verbindungsstruktur, die auf der Verbindungsoberfläche einer Komponente eines Wirtsbauelements gebildet ist, so dass die erste und die zweite Verbindungsstruktur elektrisch verbunden werden, wobei die Übergangsabschnitte der zweiten Verbindungsstruktur so positioniert sind, dass sie über dem Kantenabschnitt der Komponente des Wirtsbauelements liegen. Sobald diese Justierschritte ausgeführt sind, werden die erste und die zweite Verbindungsstruktur zusammengebondet, wozu irgendeine von mehreren herkömmlichen Techniken eingesetzt wird, z.B. unter Verwendung eines ACF.
Claims (16)
- Bauelement mit – einem Element (
31 ), das eine Verbindungsoberfläche beinhaltet, die einen Verbindungsbereich (A), einen Kantenbereich (B) und eine erste Verbindungsstruktur (30 ) umfasst, die auf der Verbindungsoberfläche gebildet ist, und – einer TAB-Packung (35 ), die einen Halbleitereinzelchip umfasst, der mit einer durch eine Mehrzahl von Leitern gebildeten zweiten Verbindungsstruktur (38 ) verbunden ist, wobei jeder Leiter einen äußeren Leiterbereich (40 ) und einen zugehörigen inneren Leiterbereich aufweist, der mit dem Halbleitereinzelchip verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – jeder äußere Leiterbereich (40 ) einen Endabschnitt (40a ) mit einer ersten Breite, einen Anschlussabschnitt (40c ) mit einer gegenüber der ersten Breite größeren zweiten Breite, der mit dem zugehörigen inneren Leiterbereich verbunden ist, und einen Übergangsabschnitt (40b ) aufweist, der eine sich zwischen der ersten und der zweiten Breite ändernde Breite aufweist, wobei jeder Endabschnitt elektrisch mit einem Teil der ersten Verbindungsstruktur (30 ) derart verbunden ist, dass jeder Übergangsabschnitt über dem Kantenbereich (B) liegt. - Bauelement nach Anspruch 1, wobei das Element ein Glaspanel (
31 ) beinhaltet und der Kantenbereich eine schräge Kante des Glaspanels umfasst. - Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste und/oder die zweite Verbindungsstruktur wenigstens zu einem Teil aus Kupfer oder einer Kupferlegierung gebildet ist.
- Bauelement mit – einem Glaspanel (
31 ), das flexibel an eine TAB-Packung (35 ) gebondet ist, wobei das Glaspanel eine Verbindungsoberfläche mit einer darauf gebildeten ersten Verbindungsstruktur (30 ) sowie einen Kantenbereich (B) umfasst, der durch eine schräge Außenkante der Verbindungsoberfläche gebildet ist, und die TAB-Packung ein flexibles Verbindungstape mit einem darauf gebildeten Leiter und einen mit dem Leiter verbundenen Halbleitereinzelchip aufweist, wobei der Leiter einen äußeren Bereich umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass – der äußere Leiterbereich (40 ) einen Endabschnitt (40a ) mit einer ersten Breite, der zu der ersten Verbindungsstruktur (30 ) ausgerichtet und an diese gebondet ist, einen Anschlussabschnitt (40c ) mit einer zweiten Breite und einen Übergangsabschnitt (40b ) mit einer zwischen der ersten und der zweiten Breite variierenden Breite aufweist, der über dem Kantenbereich des Glaspanels (31 ) liegt. - Bauelement mit – einem Glaspanel (
31 ) und einer Leiterplatte, die flexibel durch eine TAB-Packung verbunden sind, wobei das Glaspanel eine auf einer Verbindungsoberfläche gebildete Verbindungsstruktur (30 ) und einen durch eine schräge Außenkante der Verbindungsoberfläche gebildeten Kantenbereich (B) aufweist und wobei die TAB-Packung einen Halbleitereinzelchip (130 ) und einen äußeren Leiterbereich (40 ) beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass – der äußere Leiterbereich (40 ) einen Endabschnitt (40a ) mit einer ersten Breite, der zu der Verbindungsstruktur (30 ) ausgerichtet und an diese gebondet ist, einen Anschlussabschnitt (40c ) mit einer gegenüber der ersten Breite größeren zweiten Breite, der mit dem Halbleitereinzelchip (130 ) verbunden ist, und einen Übergangsabschnitt (40b ) mit einer zwischen der ersten und der zweiten Breite variierenden Breite beinhaltet, der über dem Kantenbereich (B) des Glaspanels liegt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der äußere Leiterbereich wenigstens zu einem Teil aus Kupfer oder einer Kupferlegierung gebildet ist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die erste Breite im Bereich zwischen etwa 50μm und 50μm liegt und wobei die zweite Breite im Bereich zwischen etwa 15μm und 80μm liegt.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die TAB-Packung eine COF-Packung oder eine TCP umfasst.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Anschlussabschnitt des äußeren Leiterbereichs einen S-förmigen Teil beinhaltet.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Übergangsabschnitt des äußeren Leiterbereichs eine linear angewinkelte Form oder eine gekrümmte Form aufweist.
- Verfahren zum Bonden einer TAB-Packung (
35 ) an ein Glaspanel (31 ), wobei das Glaspanel eine Verbindungsoberfläche mit einem geschrägten Ende (B) und einer ersten Verbindungsstruktur (30 ) umfasst, die auf der Verbindungsoberfläche gebildet ist, und wobei die TAB-Packung eine Mehrzahl von Leitern umfasst, die eine zweite Verbindungsstruktur (38 ) bilden, wobei jeder Leiter einen äußeren Leiterbereich beinhaltet, der einen Endabschnitt (40a ) mit einer ersten Breite, einen Anschlussabschnitt (40c ) gegenüber der ersten Breite größeren zweiten Breite und einen Übergangsabschnitt (40b ) mit einer Breite aufweist, die zwischen der ersten und der zweiten Breite variiert, mit den folgenden Schritten: – Justieren der ersten und zweiten Verbindungsstruktur (30 ,38 ), so dass die jeweiligen Übergangsabschnitte (40b ) der Mehrzahl von Leitern, welche die ersten Verbindungsstruktur bilden, über den geschrägten Enden (B) des Glaspanels (31 ) liegen, und – Bonden der jeweiligen Endbereiche der Mehrzahl von Leitern, welche die erste Verbindungsstruktur bilden, an die zweite Verbindungsstruktur. - Verfahren nach Anspruch 11, wobei die zweite Verbindungsstruktur so gebildet ist, dass sie eine Mehrzahl von parallelen leitfähigen Bereichen aufweist, die jeweils mit den die erste Verbindungsstruktur bildenden Leitern korrespondieren.
- Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei der Bondschritt das Anlegen eines anisotropen leitfähigen Films an die erste und/oder die zweite Verbindungsstruktur beinhaltet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die TAB-Packung eine COF-Packung oder eine TCP beinhaltet.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei der Anschlussabschnitt des äußeren Leiterbereichs mit einem S-förmigen Teil gebildet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei der Übergangsabschnitt des äußeren Leiterbereichs mit einer linear angewinkelten Form oder einer gekrümmten Form gebildet wird.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050043810A KR100618898B1 (ko) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | 리드 본딩시 크랙을 방지하는 테이프 패키지 |
KR10-2005-0043810 | 2005-05-24 | ||
US11/396,526 US7649246B2 (en) | 2005-05-24 | 2006-04-04 | Tab package connecting host device element |
US11/396,526 | 2006-04-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006024652A1 true DE102006024652A1 (de) | 2007-01-18 |
DE102006024652B4 DE102006024652B4 (de) | 2012-11-08 |
Family
ID=37553954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006024652A Active DE102006024652B4 (de) | 2005-05-24 | 2006-05-22 | Bauelement mit TAB-Packung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006332667A (de) |
DE (1) | DE102006024652B4 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5047509B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2012-10-10 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置 |
JP4821592B2 (ja) | 2006-12-08 | 2011-11-24 | 日本電気株式会社 | 枠体の補強構造及び該構造を備えた電子機器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4680613A (en) * | 1983-12-01 | 1987-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Low impedance package for integrated circuit die |
JP2737545B2 (ja) * | 1992-06-17 | 1998-04-08 | 日立電線株式会社 | 半導体装置用フィルムキャリアテープ及びその製造方法 |
JPH077046A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Toshiba Corp | フィルムキャリアおよび半導体装置の製造方法 |
KR100574278B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2006-09-22 | 삼성전자주식회사 | 테이프 캐리어 패키지 및 이를 이용한 액정표시기모듈 |
JP3640155B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2005-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置、回路基板並びに電子機器 |
JP2001284747A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレキシブル配線板 |
JP3792554B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2006-07-05 | シャープ株式会社 | 表示モジュール及びフレキシブル配線板の接続方法 |
JP2003287767A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Optrex Corp | 液晶表示装置 |
KR100549409B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 파상의 빔 리드를 구비하는 테이프 배선 기판 및 그를이용한 반도체 칩 패키지 |
-
2006
- 2006-05-22 DE DE102006024652A patent/DE102006024652B4/de active Active
- 2006-05-23 JP JP2006143311A patent/JP2006332667A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006332667A (ja) | 2006-12-07 |
DE102006024652B4 (de) | 2012-11-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023480000 Ipc: H01L0023488000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023480000 Ipc: H01L0023488000 Effective date: 20110927 |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130209 |