DE102006015788A1 - Optoelektronischer Halbleiterchip - Google Patents
Optoelektronischer Halbleiterchip Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006015788A1 DE102006015788A1 DE102006015788A DE102006015788A DE102006015788A1 DE 102006015788 A1 DE102006015788 A1 DE 102006015788A1 DE 102006015788 A DE102006015788 A DE 102006015788A DE 102006015788 A DE102006015788 A DE 102006015788A DE 102006015788 A1 DE102006015788 A1 DE 102006015788A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor chip
- semiconductor layer
- semiconductor
- layer sequence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/833—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006015788A DE102006015788A1 (de) | 2006-01-27 | 2006-04-04 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| JP2008551640A JP2009524918A (ja) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | 光電式半導体チップ |
| US12/223,382 US8581280B2 (en) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | Optoelectronic semiconductor chip |
| PCT/DE2006/002293 WO2007085218A1 (de) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | Optoelektronischer halbleiterchip |
| CN201010277177.8A CN101976718B (zh) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | 光电子半导体芯片 |
| KR1020087020617A KR20080091249A (ko) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | 광전자 반도체 칩 |
| EP06828719.2A EP1977457B1 (de) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | Optoelektronischer halbleiterchip |
| CN200680053614XA CN101395725B (zh) | 2006-01-27 | 2006-12-20 | 光电子半导体芯片 |
| TW096102767A TWI350597B (en) | 2006-01-27 | 2007-01-25 | Optoelectronic semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006004172 | 2006-01-27 | ||
| DE102006004172.0 | 2006-01-27 | ||
| DE102006015788A DE102006015788A1 (de) | 2006-01-27 | 2006-04-04 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102006015788A1 true DE102006015788A1 (de) | 2007-09-13 |
Family
ID=37898325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102006015788A Withdrawn DE102006015788A1 (de) | 2006-01-27 | 2006-04-04 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8581280B2 (https=) |
| EP (1) | EP1977457B1 (https=) |
| JP (1) | JP2009524918A (https=) |
| KR (1) | KR20080091249A (https=) |
| CN (2) | CN101976718B (https=) |
| DE (1) | DE102006015788A1 (https=) |
| TW (1) | TWI350597B (https=) |
| WO (1) | WO2007085218A1 (https=) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007027641A1 (de) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Huga Optotech Inc. | Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| DE102007035687A1 (de) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einem Schichtenstapel |
| US8093607B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| DE102010031237A1 (de) | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE102010038405A1 (de) | 2010-07-26 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102010039382A1 (de) | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102011080458A1 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
| WO2013079684A1 (de) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung |
| DE102012200416A1 (de) | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls |
| DE102012202102A1 (de) * | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit Volumenstrahler-LED-Chips auf einem gemeinsamen Substrat |
| EP2280426A4 (en) * | 2008-04-16 | 2014-03-19 | Lg Innotek Co Ltd | ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8716692B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-05-06 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting diode and method for fabricating the same |
| DE102016100563A1 (de) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und optoelektronische Leuchtvorrichtung |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5286641B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| DE102007002416A1 (de) * | 2006-04-13 | 2007-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers |
| JP5126884B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-01-23 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| DE102008006987A1 (de) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsempfänger und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers |
| DE102008052405A1 (de) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| JP2010192835A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
| DE102009032486A1 (de) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP2012004476A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| DE102010027679A1 (de) | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| US8802461B2 (en) * | 2011-03-22 | 2014-08-12 | Micron Technology, Inc. | Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing |
| JP6056150B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2017-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| GB201202222D0 (en) * | 2012-02-09 | 2012-03-28 | Mled Ltd | Enhanced light extraction |
| EP2823515A4 (en) * | 2012-03-06 | 2015-08-19 | Soraa Inc | LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS |
| US9501601B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Layout optimization of a main pattern and a cut pattern |
| JP2015162631A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | サンケン電気株式会社 | 発光素子 |
| DE102014107555A1 (de) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrische Kontaktstruktur für ein Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement |
| DE102015103840A1 (de) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe |
| DE102018113573B4 (de) * | 2018-06-07 | 2022-11-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Patentabteilung | Diode mit einem Halbleiterkörper |
| DE102018115225A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Lichtemmitierendes Halbleiterbauelement oder Halbleiterbauelementmodul |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69504276T2 (de) * | 1994-10-27 | 1999-04-22 | Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. | Licht-emittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| WO2002061847A2 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction and manufacturing methods therefor |
| US20030151042A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Hueschen Mark R. | Polarization field enhanced tunnel structures |
| EP1411557A2 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED with a wavelength conversion element for car use |
| WO2005101498A2 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Gelcore Llc | HIGH REFLECTIVITY P-CONTACT FOR InGaN LEDs |
| WO2006002614A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reflektierendes schichtsystem mit einer mehrzahl von schichten zur aufbringung auf ein iii/v-verbindungshalbleitermaterial |
| DE102004050891A1 (de) * | 2004-10-19 | 2006-04-20 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Lichtmittierende Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132577A (en) * | 1991-04-11 | 1992-07-21 | National Semiconductor Corporation | High speed passgate, latch and flip-flop circuits |
| US5789265A (en) | 1995-08-31 | 1998-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing blue light-emitting device by using BCL3 and CL2 |
| JP3165374B2 (ja) | 1995-08-31 | 2001-05-14 | 株式会社東芝 | 化合物半導体の電極の形成方法 |
| US6803243B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-10-12 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
| JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| DE20022541U1 (de) | 2000-02-15 | 2002-02-28 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg | Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung |
| DE10006738C2 (de) * | 2000-02-15 | 2002-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7205578B2 (en) | 2000-02-15 | 2007-04-17 | Osram Gmbh | Semiconductor component which emits radiation, and method for producing the same |
| JP3506175B2 (ja) | 2000-10-05 | 2004-03-15 | 日本電気株式会社 | メモリ制御回路とメモリ制御方法 |
| US6747298B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-06-08 | Cree, Inc. | Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates |
| DE10155442A1 (de) * | 2001-11-12 | 2003-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Ohmsche Kontaktstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2003168845A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及びこれを用いた光モジュール、及び光システム |
| TWI228323B (en) * | 2002-09-06 | 2005-02-21 | Sony Corp | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, image display device and its manufacturing method, illumination device and manufacturing method thereof |
| US20050173724A1 (en) * | 2004-02-11 | 2005-08-11 | Heng Liu | Group III-nitride based LED having a transparent current spreading layer |
| TWI240439B (en) | 2003-09-24 | 2005-09-21 | Sanken Electric Co Ltd | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100647279B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2005268601A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2007208047A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fujikura Ltd | 半導体発光素子 |
| DE102008030818B4 (de) * | 2008-06-30 | 2022-03-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen |
-
2006
- 2006-04-04 DE DE102006015788A patent/DE102006015788A1/de not_active Withdrawn
- 2006-12-20 US US12/223,382 patent/US8581280B2/en active Active
- 2006-12-20 JP JP2008551640A patent/JP2009524918A/ja active Pending
- 2006-12-20 CN CN201010277177.8A patent/CN101976718B/zh active Active
- 2006-12-20 EP EP06828719.2A patent/EP1977457B1/de active Active
- 2006-12-20 WO PCT/DE2006/002293 patent/WO2007085218A1/de not_active Ceased
- 2006-12-20 CN CN200680053614XA patent/CN101395725B/zh active Active
- 2006-12-20 KR KR1020087020617A patent/KR20080091249A/ko not_active Ceased
-
2007
- 2007-01-25 TW TW096102767A patent/TWI350597B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69504276T2 (de) * | 1994-10-27 | 1999-04-22 | Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. | Licht-emittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| WO2002061847A2 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction and manufacturing methods therefor |
| US20030151042A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Hueschen Mark R. | Polarization field enhanced tunnel structures |
| EP1411557A2 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED with a wavelength conversion element for car use |
| WO2005101498A2 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Gelcore Llc | HIGH REFLECTIVITY P-CONTACT FOR InGaN LEDs |
| WO2006002614A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Reflektierendes schichtsystem mit einer mehrzahl von schichten zur aufbringung auf ein iii/v-verbindungshalbleitermaterial |
| DE102004050891A1 (de) * | 2004-10-19 | 2006-04-20 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Lichtmittierende Halbleitervorrichtung |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093607B2 (en) | 2006-04-25 | 2012-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| DE102007027641A1 (de) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Huga Optotech Inc. | Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| DE102007027641B4 (de) * | 2007-06-15 | 2015-12-03 | Huga Optotech Inc. | Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diode |
| DE102007035687A1 (de) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einem Schichtenstapel |
| EP2280426A4 (en) * | 2008-04-16 | 2014-03-19 | Lg Innotek Co Ltd | ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| DE102010031237A1 (de) | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| WO2012007369A1 (de) | 2010-07-12 | 2012-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
| US9564560B2 (en) | 2010-07-12 | 2017-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| US9269866B2 (en) | 2010-07-12 | 2016-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
| WO2012013514A1 (de) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements |
| DE102010038405A1 (de) | 2010-07-26 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102010039382A1 (de) | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102011055715B4 (de) | 2010-11-30 | 2019-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US8716692B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-05-06 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting diode and method for fabricating the same |
| US8889450B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-11-18 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting diode and method for fabricating the same |
| WO2013017364A2 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
| DE102011080458A1 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
| WO2013079684A1 (de) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung |
| DE102011087543A1 (de) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung |
| US9356210B2 (en) | 2012-01-12 | 2016-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic module comprising an optical waveguide and method for producing same |
| DE102012200416A1 (de) | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls |
| DE102012202102A1 (de) * | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit Volumenstrahler-LED-Chips auf einem gemeinsamen Substrat |
| DE102016100563A1 (de) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| DE102016100563B4 (de) | 2016-01-14 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| US11171123B2 (en) | 2016-01-14 | 2021-11-09 | Osram Oled Gmbh | Method of producing an optoelectronic lighting device and optoelectronic lighting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009524918A (ja) | 2009-07-02 |
| EP1977457B1 (de) | 2018-05-09 |
| KR20080091249A (ko) | 2008-10-09 |
| CN101395725A (zh) | 2009-03-25 |
| TW200737553A (en) | 2007-10-01 |
| CN101976718B (zh) | 2014-06-11 |
| CN101976718A (zh) | 2011-02-16 |
| EP1977457A1 (de) | 2008-10-08 |
| US20090315048A1 (en) | 2009-12-24 |
| US8581280B2 (en) | 2013-11-12 |
| WO2007085218A1 (de) | 2007-08-02 |
| CN101395725B (zh) | 2010-11-10 |
| TWI350597B (en) | 2011-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1977457B1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
| EP2122697B1 (de) | Strahlung emittierender halbleiterkörper mit einer für die emittierte strahlung durchlässigen, elektrisch leitenden kontaktschicht | |
| EP2150992B1 (de) | Halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines halbleiterchips | |
| EP2193555B1 (de) | Optoelektronischer halbleiterkörper | |
| DE102019121014A1 (de) | Lichtemittierender diodenchip vom flip-chip-typ | |
| DE102007019776A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente | |
| DE102007019775A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
| EP2606511A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips | |
| EP1906460A2 (de) | Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper | |
| DE112018000553B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
| EP2011161A2 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement | |
| EP2599131A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips | |
| EP2067179A1 (de) | Led-halbleiterkörper und verwendung eines led-halbleiterkörpers | |
| WO2012107289A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht | |
| DE102010035966A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
| DE102008052405A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
| WO2012107290A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht | |
| DE102006004591A1 (de) | Strahlungsemittierender Halbleiterchip | |
| WO2015176873A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip | |
| WO2021032397A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
| DE102005047168A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
| WO2014111384A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
Effective date: 20130405 |