WO2015176873A1 - Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015176873A1 WO2015176873A1 PCT/EP2015/058055 EP2015058055W WO2015176873A1 WO 2015176873 A1 WO2015176873 A1 WO 2015176873A1 EP 2015058055 W EP2015058055 W EP 2015058055W WO 2015176873 A1 WO2015176873 A1 WO 2015176873A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- contact
- layer
- sequence
- contact layer
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 371
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), - Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), - Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei - die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, - im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und - im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: eine dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).
Description
Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Darüber hinaus wird ein damit hergestellter optoelektronischer
Halbleiterchip angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen
optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der effizient elektrisch kontaktierbar ist. Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens einer
Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-
Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamAs, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m ^ 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch
geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Besonders bevorzugt basiert die
Halbleiterschichtenfolge auf AlnIn]__n_mGamN . Die Halbleiterschichtenfolge umfasst wenigstens eine n- leitende Schicht sowie eine oder mehrere p-leitende
Schichten. Zwischen der zumindest einen n-leitenden Schicht und der mindestens einen p-leitenden Schicht befindet sich eine aktive Zone zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere zur Erzeugung von nahultravioletter, sichtbarer oder nahinfraroter Strahlung. Beispielsweise wird im Betrieb der Halbleiterschichtenfolge blaues Licht erzeugt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens einer ersten Kontaktschicht eines ersten Typs auf die Halbleiterschichtenfolge. Erster Typ bedeutet dabei, dass es sich bei der Kontaktschicht um eine p-Kontaktschicht oder um eine n-Kontaktschicht handelt.
Beispielsweise im Falle einer p-Kontaktschicht ist die
Kontaktschicht dazu eingerichtet, Strom in die p-leitende
Schicht der Halbleiterschichtenfolge einzuprägen.
Entsprechend umgekehrtes gilt im Falle einer n-
Kontaktschicht . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Aufbringens einer zweiten Kontaktschicht eines zweiten Typs auf. Der zweite Typ ist dabei von dem ersten Typ verschieden. Ist die erste Kontaktschicht etwa als p- Kontaktschicht gestaltet, so handelt es sich bei der zweiten Kontaktschicht um eine n-Kontaktschicht .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die zweite
Kontaktschicht stellenweise oder ganzflächig über der ersten
Kontaktschicht aufgebracht. Das heißt, die erste Kontaktschicht befindet sich dann zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der zweiten
Kontaktschicht .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die zweite
Kontaktschicht stellenweise oder ganzflächig auf die
Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Das heißt, in
Draufsicht kann die Halbleiterschichtenfolge wenigstens zeitweise vollständig von der zweiten Kontaktschicht bedeckt sein .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens zumindest einer
Kontaktmetallisierung. Die eine oder die mehreren
Kontaktmetallisierungen werden auf die zweite Kontaktschicht aufgebracht. Insbesondere wird die mindestens eine
Kontaktmetallisierung in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich bevorzugt ausschließlich auf die zweite Kontaktschicht aufgebracht. Der erste und der zweite elektrische Kontaktbereich sind dabei zu einer externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips angerichtet. Beispielsweise handelt es sich bei dem ersten elektrischen Kontaktbereich um einen Anodenkontakt und bei dem zweiten elektrischen Kontaktbereich um einen Kathodenkontakt oder umgekehrt. Die Kontaktbereiche sind beispielsweise als Bondpads oder als Lötflächen eingerichtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die erste und die zweite Kontaktschicht je aus einem oder aus mehreren
transparenten leitfähigen Oxiden, kurz TCOs, gebildet. Die erste und die zweite Kontaktschicht können dabei auf demselben TCO basieren oder auch auf unterschiedlichen TCOs
basieren. Es ist möglich, dass die erste und/oder die zweite Kontaktschicht aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sind, wobei die Teilschichten bevorzugt jeweils auch auf einem TCO basieren.
Transparente leitende Oxide, englisch transparent conductive oxides, sind transparente, elektrisch leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid,
Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder
Indiumzinnoxid (ITO) . Neben binären
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs .
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n- dotiert sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform folgen in dem ersten elektrischen Kontaktbereich die nachfolgend angeführten Schichten in der angegebenen Reihenfolge mittelbar oder unmittelbar aufeinander: die Halbleiterschichtenfolge, die erste Kontaktschicht, die zweite Kontaktschicht und die Kontaktmetallisierung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden in dem zweiten elektrischen Kontaktbereich die nachfolgend genannten Schichten in der angegebenen Reihenfolge
unmittelbar oder mittelbar aufeinander folgend aufgebracht: die Halbleiterschichtenfolge, die zweite Kontaktschicht und die Kontaktmetallisierung.
Es ist jeweils möglich, dass in dem ersten und in dem zweiten elektrischen Kontaktbereich in dem fertig hergestellten optoelektronischen Halbleiterchip keine weiteren, nicht genannten Schichten vorhanden sind. Mit anderen Worten befinden sich in den elektrischen Kontaktbereichen dann nur die Kontaktmetallisierung und die Kontaktschichten. Dies gilt insbesondere vor einer Montage und elektrischen Verschaltung des optoelektronischen Halbleiterchips. In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips wie einer Leuchtdiode oder einer Laserdiode eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte,
bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:
- Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge mit einer n- leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer dazwischen liegenden aktiven Zone,
- Aufbringen einer ersten Kontaktschicht eines ersten Typs auf die Halbleiterschichtenfolge,
- Aufbringen einer zweiten Kontaktschicht eines zweiten Typs auf die Halbleiterschichtenfolge und auf die erste
KontaktSchicht,
- Aufbringen zumindest einer Kontaktmetallisierung auf die zweite Kontaktschicht in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich, wobei die elektrischen
Kontaktbereiche zu einer externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips eingerichtet sind.
Dabei sind die erste und die zweite Kontaktschicht je aus zumindest einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet. In dem ersten elektrischen Kontaktbereich folgt der
Halbleiterschichtenfolge die erste Kontaktschicht nach, der die zweite Kontaktschicht nachfolgt und die wiederum von der
Kontaktmetallisierung bedeckt ist. Im zweiten elektrischen Kontaktbereich ist der Halbleiterschichtenfolge die zweite Kontaktschicht nachgeordnet, der wiederum die
Kontaktmetallisierung direkt oder über nicht genannte
Zwischenschichten nachfolgt.
Zur Realisierung eines effizienten optoelektronischen
Halbleiterchips ist insbesondere ein möglichst kleiner
Kontaktwiderstand und damit eine kleine Vorwärtsspannung einer Kontaktschicht hin zu einer Halbleiterschichtenfolge erwünscht. Dies ist beispielsweise durch n-seitig und p- seitig unterschiedliche und/oder unterschiedlich hergestellte TCO-Kontaktschichten realisierbar. Dabei sind die jeweiligen Kontaktschichten an das Halbleitermaterial, insbesondere auf die Dotierung des zugehörigen Halbleitermaterials,
anzupassen .
Bei Verwendung mehrerer unterschiedlicher TCO- Kontaktschichten ist jedoch in der Regel eine
kostenintensive, zusätzliche fototechnische Strukturierung erforderlich. Bei dem hier beschriebenen Verfahren sind einerseits zwei unterschiedliche TCO-Kontaktschichten
verwendbar, so dass eine effiziente Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge gewährleistbar ist. Andererseits ist durch das aufeinander Aufbringen der TCO-Kontaktschichten ein fototechnischer Schritt einsparbar, so dass eine
Kostenreduktion mit dem Verfahren einhergeht.
Die TCO-Kontaktschichten sind zur Erzielung eines niedrigen Kontaktwiderstands wie angegeben auf das jeweilige
Halbleitermaterial und dessen Dotierung anzupassen. Jedoch können die beiden TCO-Kontaktschichten übereinander gestapelt werden, in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge.
Eine hieraus resultierende Grenzfläche zwischen den beiden TCO-Kontaktschichten ist etwa für den Kontaktwiderstand vergleichsweise unkritisch. Vergleichsweise unkritisch bedeutet dabei, dass die zusätzliche Grenzfläche weniger Effizienzverluste mit sich bringt als ein Effizienzgewinn durch eine verringerbare Flächenbelegung mit der
Kontaktmetallisierung, erzielbar durch die Stromaufweitung durch die TCO-Kontaktschichten. In beiden elektrischen Kontaktbereichen ist dann insbesondere auch dasselbe TCO am weitesten von der
Halbleiterschichtenfolge entfernt und dazu eingerichtet, dass darauf die Kontaktmetallisierung aufgebracht wird.
Entsprechend kann in beiden elektrischen Kontaktbereichen dieselbe Kontaktmetallisierung Verwendung finden, da jeweils dasselbe Material der entsprechenden Kontaktschicht als
Grundlage für die Kontaktmetallisierung dient.
Weiterhin ist eine größere Kontaktfläche, insbesondere an der n-leitenden Schicht, erzielbar, ohne dass eine zusätzliche
Abschattung durch eine verbreiterte Kontaktmetallisierung zu entstehen braucht. Ferner ist eine Lichtauskopplung
insbesondere im Bereich der n-leitenden Schicht und/oder in einem Mesagraben verbessert, da an der zugehörigen
Kontaktschicht eine Totalreflexion erfolgt und ein
Brechungsindexsprung zwischen dem Material der
Halbleiterschichtenfolge und einer Umgebung, insbesondere Luft oder ein Verguss wie ein Silikon, durch die
Kontaktschicht reduziert ist, speziell im Bereich der
Kontaktmetallisierung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Strukturierens der Halbleiterschichtenfolge.
Bei dem Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge wird insbesondere die n-leitende Schicht freigelegt. Mit anderen Worten werden die p-leitende Schicht und die aktive Zone dann stellenweise entfernt. Auf diese Weise kann die n-leitende Schicht in dem ersten oder in dem zweiten Kontaktbereich freigelegt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die
Halbleiterschichtenfolge epitaktisch auf einem Substrat aufgewachsen. Bei dem Substrat handelt es sich beispielsweise um ein GaN-Substrat , um ein Saphirsubstrat oder um ein
Siliziumcarbidsubstrat . Es ist möglich, dass das Substrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen ist, in dem fertigen optoelektronischen Halbleiterchip noch vorhanden ist. In diesem Falle wird also die Halbleiterschichtenfolge nicht von dem Substrat entfernt. Alternativ ist es möglich, dass die Halbleiterschichtenfolge von dem Substrat entfernt und auf einen weiteren, von einem Aufwachssubstrat
verschiedenen Träger angebracht wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt eine
Strukturierung der Kontaktmetallisierung und der zweiten Kontaktschicht mit einer einzigen Fotomaske. In diesem Fall sind die Kontaktmetallisierung und die zweite Kontaktschicht bevorzugt deckungsgleich ausgebildet, im Rahmen der
Herstellungstoleranzen. Je nach verwendeter
Strukturierungsmethode, Ätzmethode und/oder
Aufbringungsmethode kann jedoch beispielsweise die
Kontaktmetallisierung die zweite Kontaktschicht geringfügig überragen oder umgekehrt. Solche Abweichungen betragen bevorzugt jedoch höchstens 20 ym oder 10 ym oder 2 ym oder 0,5 ym oder 0,1 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt eine Strukturierung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht mit einer einzigen, gemeinsamen Fotomaske. In diesem Fall sind dann die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht deckungsgleich übereinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich zwischen der ersten und/oder der zweiten Kontaktschicht und der
Halbleiterschichtenfolge eine elektrische Isolierschicht. Insbesondere ist eine solche elektrische Isolierschicht zwischen der p-leitenden Schicht der Halbleiterschichtenfolge und der zugehörigen Kontaktschicht vorhanden. Durch eine solche elektrische Isolierschicht ist verhinderbar, dass im Betrieb des fertig hergestellten Halbleiterchips unmittelbar an der Kontaktmetallisierung Strom in die
Halbleiterschichtenfolge eingeprägt wird. Hierdurch ist eine Erzeugung von Strahlung in der aktiven Zone direkt unterhalb der Kontaktmetallisierung, in Draufsicht gesehen, reduzierbar oder verhinderbar. Zum Beispiel weist die Isolierschicht die gleiche oder eine größere laterale Ausdehnung auf als die zugehörige Kontaktschicht und/oder Kontaktmetallisierung. Beispielsweise überragt die Isolierschicht zu zugehörige Kontaktschicht und/oder Kontaktmetallisierung um mindestens 2 ym oder 5 ym und/oder um höchstens 20 ym oder 10 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die elektrische Isolierschicht aus einem strahlungsdurchlässigen Material mit einem Brechungsindex, der niedriger ist als der
Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge, ausgebildet. Beispielsweise ist die elektrische Isolierschicht aus einem Oxid wie Siliziumoxid oder Aluminiumoxid oder aus einem
Nitrid wie Siliziumnitrid geformt. Auch kann die
Isolierschicht eine Substruktur aufweisen, zum Beispiel eine
oder mehrere Teilschichten aus den genannten Materialien. Eine Dicke der Isolierschicht liegt bevorzugt bei mindestens 20 nm oder 50 nm und/oder bei höchstens 500 nm oder 300 nm oder 150 nm. Entsprechende elektrische Isolierschichten sind beispielsweise der Druckschrift DE 10 2012 112 771 AI zu entnehmen. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift
hinsichtlich der Isolierschicht und hinsichtlich der TCO- Kontaktschichten wird hiermit durch Rückbezug mit
aufgenommen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die erste und die zweite Kontaktschicht aus voneinander verschiedenen
Materialzusammensetzungen und/oder aus voneinander
verschiedenen Materialien hergestellt. Beispielsweise ist die erste Kontaktschicht aus einem ersten TCO und die zweite
Kontaktschicht aus einem zweiten TCO geformt. Weiterhin ist es möglich, dass die erste und die zweite Kontaktschicht auf demselben TCO basieren, jedoch eine Materialzusammensetzung etwa von Hauptkomponenten des entsprechenden TCOs sich in der ersten und der zweiten Kontaktschicht voneinander
unterscheidet. Beispielsweise sind die erste und die
Kontaktschicht jeweils aus Indiumzinnoxid, kurz ITO,
hergestellt. Dann ist es möglich, dass die erste
Kontaktschicht etwa einen anderen Indiumgehalt, Zinngehalt und/oder Sauerstoffgehalt aufweist als die zweite
Kontaktschicht. Ebenso können sich die Kontaktschichten in ihrer Kornstruktur voneinander unterscheiden und/oder
verschiedene Einschlüsse etwa eines Prozessgases wie Ar, Ne, Kr, Xe oder 2 aufweisen. Auch können vor dem Aufbringen der Kontaktschichten unterschiedliche Vorbehandlungen wie
Reinigungsschritte der Halbleiterschichtenfolge erfolgen, sodass beispielsweise für die zweite Kontaktschicht eine nasschemische Reinigung und für die erste Kontaktschicht eine
Plasmareinigung erfolgt, oder umgekehrt. Es ist zudem
möglich, dass die Kontaktschichten etwa bei einem Sputtern wie ein DC-HF-Sputtern mit unterschiedlichen Ionenenergien aufgebracht werden und/oder dass unterschiedliche
Temperaturbehandlungen der Kontaktschichten erfolgen, beispielsweise verschiedene Ausheilschritte, englisch
Annealing .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine der
Kontaktschichten oder weisen beide der Kontaktschichten einen oder mehrere Dotierstoffe auf, der zusätzlich zu
Hauptbestandteilen des die Kontaktschicht bildenden TCOs vorhanden ist. Insbesondere handelt es sich um einen
metallischen Dotierstoff. Beispielsweise handelt es sich bei dem Dotierstoff um Ag, Mg, Ti, Au, Ni, Pt, Ga, Zn, Sn, Si oder Pd. Eine Konzentration des Dotierstoffs liegt bevorzugt bei mindestens 1 x 1017 cm-3 oder 1 x 1018 cm-3 oder 5 x 1018 cm-3. Alternativ oder zusätzlich liegt die Konzentration des Dotierstoffs bevorzugt bei höchstens 2 x 1021 cm-3 oder 5 x 1020 cm"3 oder 5 x 1019 cm"3.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine oder sind beide der Kontaktschichten frei von einem Dotierstoff, insbesondere frei von einem metallischen Dotierstoff.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht das TCO der ersten und/oder der zweiten Kontaktschicht aus den
entsprechenden Hauptkomponenten, also zum Beispiel im Falle von ITO aus Sauerstoff, Indium und Zinn. Optional kann eine Dotierung vorhanden sein, wie oben angegeben.
Verunreinigungen haben dann bevorzugt eine Konzentration, bezogen auf einen Gewichtsanteil, von höchstens 2,5 x 10~3 oder 10~3 oder lO-^.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste und/oder die zweite Kontaktschicht mindestens zweilagig gestaltet. Beispielsweise weist die jeweilige Kontaktschicht eine
Anhaftschicht direkt an der Halbleiterschichtenfolge und eine unmittelbar darauffolgende Querleitschicht auf. Die
Anhaftschicht ist bevorzugt dünner gestaltet und weist beispielsweise eine Dicke von mindestens 1 nm oder 2 nm oder 4 nm und/oder eine Dicke von höchstens 50 nm oder 30 nm oder 15 nm auf. Die Dicke der Querleitschicht liegt beispielsweise bei mindestens 15 nm oder 50 nm und/oder bei höchstens 700 nm oder 300 nm oder 150 nm. Die Anhaftschicht und die
Querleitschicht unterscheiden sich beispielsweise in einem Sauerstoffanteil und/oder in einer Stöchiometrie und/oder in einer Korngrößenverteilung voneinander. Beispielsweise liegt ein Unterschied in dem Sauerstoffanteil zwischen der
Anhaftschicht und der Querleitschicht bei mindestens 0,001 Prozentpunkten oder 0,05 Prozentpunkten oder 0,5
Prozentpunkten und/oder bei höchstens 10 Prozentpunkten oder 2 Prozentpunkten oder 0,1 Prozentpunkten. Durch die
Anhaftschicht ist bevorzugt ein besonders geringer
Kontaktwiderstand erzielbar und durch die Querleitschicht ist eine effiziente Stromaufweitung in eine Richtung senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge
erzielbar. Entsprechende Anhaftschichten und
Querleitschichten sind beispielsweise in der Druckschrift DE 10 2013 101 981 AI angegeben. Der Offenbarungsgehalt hinsichtlich der Gestaltung der Kontaktschicht wird hiermit durch Rückbezug mit aufgenommen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen den beiden Kontaktschichten, die bevorzugt unmittelbar und direkt aufeinanderfolgen, ein pn-Übergang ausgebildet. Der pn-
Übergang zwischen den Kontaktschichten ist bevorzugt genauso orientiert wie etwa ein pn-Übergang innerhalb der aktiven Zone zwischen der p-leitenden Schicht und der n-leitenden Schicht .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt im ersten elektrischen Kontaktbereich in dem fertigen
optoelektronischen Halbleiterchip die erste Kontaktschicht die zweite Kontaktschicht seitlich teilweise oder
vollständig, zum Beispiel zu mindestens 50 % oder 75 % oder 90 % eines Umfangs oder ringsum, in Draufsicht gesehen.
Alternativ kann Gegenteiliges der Fall sein. Mit anderen Worten kann die erste Kontaktschicht, die sich näher an der Halbleiterschichtenfolge befindet, eine größere Grundfläche aufweisen als die zweite Kontaktschicht, die sich weiter von der Halbleiterschichtenfolge entfernt befindet. Hierdurch ist insbesondere über die erste elektrische Kontaktschicht eine laterale Stromaufweitung realisierbar, speziell an der p- leitenden Schicht der Halbleiterschichtenfolge.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Kontaktmetallisierung und die erste und/oder die zweite
Kontaktschicht bei Raumtemperatur und/oder bei
Betriebstemperatur des Halbleiterchips ohmsch leitend. Mit anderen Worten weist dann die Kontaktmetallisierung und/oder die erste und/oder die zweite Kontaktschicht ein Strom- Spannungsverhalten auf, das bei der betreffenden Temperatur näherungsweise linear ist, anders als ein Strom- Spannungsverhalten etwa der Halbleiterschichtenfolge mit der aktiven Zone.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in dem fertigen Halbleiterchip die Halbleiterschichtenfolge ringsum nur in
direktem Kontakt zu nichtmetallischen Materialien. Mit anderen Worten berührt die Halbleiterschichtenfolge dann keine metallischen Materialien. Insbesondere ist die
Halbleiterschichtenfolge durch nichtmetallische Komponenten wie die erste und/oder die zweite Kontaktschicht von der
Kontaktmetallisierung getrennt. Metallisch bedeutet hierbei eine oder mehrere Schichten, die lediglich aus einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet sind. Hierbei werden insbesondere Stickstoff, Sauerstoff, Kohlenstoff, Silizium und Germanium nicht als Metalle betrachtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste
Kontaktschicht, die sich näher an der
Halbleiterschichtenfolge befindet, auf den ersten
Kontaktbereich beschränkt, in Draufsicht gesehen. Der erste Kontaktbereich ist insbesondere derjenige Bereich, der von der Kontaktmetallisierung bedeckt ist, in Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge gesehen. Mit anderen Worten überragt dann die erste Kontaktschicht die Kontaktmetallisierung in dem ersten Kontaktbereich nicht. Alternativ ist es auch möglich, dass die erste Kontaktschicht und/oder die zweite Kontaktschicht den ersten und/oder den zweiten Kontaktbereich lateral überragen, in Draufsicht gesehen. Die
Kontaktmetallisierung bedeckt dann die erste und/oder die zweite Kontaktschicht nur unvollständig. Es ist dabei möglich, dass die Kontaktmetallisierung in dem ersten
und/oder in dem zweiten Kontaktbereich stellenweise in direktem Kontakt zu der Halbleiterschichtenfolge steht. In diesem Fall überragt die Kontaktmetallisierung dann bevorzugt die erste und/oder die zweite Kontaktschicht, in Draufsicht gesehen .
Darüber hinaus wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der optoelektronische Halbleiterchip ist
insbesondere mit einem Verfahren hergestellt, wie in
Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten
Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für den optoelektronischen Halbleiterchip
offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform weist der
optoelektronische Halbleiterchip eine
Halbleiterschichtenfolge auf, in der sich zwischen einer n- leitenden Schicht und einer p-leitenden Schicht eine aktive Zone zu einer Strahlungserzeugung befindet. In einem ersten elektrischen Kontaktbereich folgt eine erste Kontaktschicht auf die Halbleiterschichtenfolge. Die erste Kontaktschicht weist hierbei einen ersten Typ auf und ist von einer zweiten Kontaktschicht eines zweiten Typs gefolgt. Der zweiten
Kontaktschicht folgt eine Kontaktmetallisierung nach. In einem ersten elektrischen Kontaktbereich ist die
Halbleiterschichtenfolge von der zweiten Kontaktschicht gefolgt, die wiederum von der Kontaktmetallisierung gefolgt ist. Die Kontaktmetallisierungen im ersten und im zweiten elektrischen Kontaktbereich sind je zu einer externen
elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips eingerichtet und umfassen eine oder mehrere Metallschichten. Die erste und die zweite Kontaktschicht sind dabei je aus zumindest einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet.
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip unter
Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch
keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Es zeigen:
Figuren 1 und 2 schematische Schnittdarstellungen von
Verfahrensschritten von hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips,
Figuren 3, 5 und 6 schematische Schnittdarstellungen von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips, und
Figur 4 schematische Schnittdarstellungen von
exemplarischen Strahlengängen in Halbleiterchips.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines
Herstellungsverfahrens für einen optoelektronischen
Halbleiterchip gezeigt. Gemäß Figur 1A wird eine
Halbleiterschichtenfolge 2 bereitgestellt. Die
Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst eine n-leitende Schicht 21 sowie eine p-leitende Schicht 23. Zwischen diesen Schichten 21, 23 befindet sich eine aktive Zone 22 zu einer Erzeugung einer Strahlung, insbesondere zur Erzeugung von
nahultraviolettem, blauem oder grünem Licht. Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge 2 auf AlInGaN.
Die Halbleiterschichtenfolge 2 ist epitaktisch auf einer Aufwachsfläche 60 eines Substrats 6 aufgewachsen. Das
Substrat 6 ist beispielsweise ein Saphirsubstrat. Die
Aufwachsfläche 60 kann planar geformt sein.
An einer dem Substrat 6 abgewandten Seite der
Halbleiterschichtenfolge 2 befindet sich eine Ätzmaske 7, beispielsweise ein Fotolack. Mithilfe dieser Ätzmaske 7 wird die Halbleiterschichtenfolge 2 strukturiert, siehe Figur IB. Durch diese Strukturierung wird die n-leitende Schicht 21 stellenweise freigelegt und es wird eine Mesaflanke 24 erzeugt. Anschließend wird bevorzugt die Ätzmaske 7 entfernt. Beim Verfahrensschritt gemäß Figur IC wird auf die
Halbleiterschichtenfolge 2 eine Ausgangsschicht 310 für eine erste Kontaktschicht 31 durchgehend aufgebracht. Das
Aufbringen der Ausgangsschicht 310 erfolgt beispielsweise durch Sputtern. Bei der Ausgangsschicht 310 handelt es sich um eine oder um mehrere TCO-Schichten.
Gemäß Figur 1D wird die Ausgangsschicht 310 zu der ersten Kontaktschicht 31 strukturiert. Bei der ersten Kontaktschicht 31 handelt es sich um eine p-Kontaktschicht , die auf der p- leitenden Schicht 23 aufgebracht ist. Bei der ersten
Kontaktschicht 31 handelt es sich also um eine p- Kontaktschicht , die zu einer Stromeinprägung in die p- leitende Schicht 23 eingerichtet ist. Optional ist die erste Kontaktschicht 31 als Doppelschicht ausgeführt und weist eine vergleichsweise dünne Anhaftschicht unmittelbar an der p-leitenden Schichtenfolge 23 und eine relativ hierzu dickere, darauffolgende Querleitschicht auf. In Figur 1D sind diese Teilschichten nicht dargestellt.
Nachfolgend, siehe Figur IE, werden eine zweite
Kontaktschicht 32 sowie eine Kontaktmetallisierung 4
abgeschieden. Die zweite Kontaktschicht 32 sowie die
Kontaktmetallisierung 4 werden entweder als durchgehende Schichten aufgebracht und anschließend strukturiert oder es werden die zweite Kontaktschicht 32 und die
Kontaktmetallisierung 4 nur lokal in den Öffnungen etwa einer nicht dargestellten Fotomaske aufgebracht.
Die zweite Kontaktschicht 32, die wie die erste
Kontaktschicht 31 auf zumindest einem transparenten
leitfähigen Oxid, kurz TCO, basiert, sowie die
Kontaktmetallisierung 4 sind hierdurch bevorzugt
deckungsgleich zueinander angeordnet. Die erste
Kontaktschicht 31 überragt die zweite Kontaktschicht 32 bevorzugt in einer lateralen Richtung, also in Richtung senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der
Halbleiterschichtenfolge 2. Die zweite Kontaktschicht 32 und die Kontaktmetallisierung 4 werden bevorzugt unmittelbar nacheinander abgeschieden, etwa mittels Sputtern oder mittels Aufdampfen. Die Kontaktmetallisierung 4 ist beispielsweise durch einen Schichtenstapel mehrerer aufeinander folgender Metallschichten gebildet und umfasst etwa eines oder mehrerer der nachfolgenden Materialien: Pd, Pt, Ni, Au, Rh, Ti, Cr, AI, Ag, Cu, W, Ta, TiN, TiWN, TaWN, TaN und/oder AuSn.
Die beiden Kontaktschichten 31, 32 können also auf demselben Material basieren, vorliegend also auf ITO. Unterschiede zwischen den Kontaktschichten 31, 32 ergeben sich
insbesondere durch verschiedene Vorbehandlungen der p- leitenden Schichtenfolge 23 und der n-leitenden
Schichtenfolge 21. Ebenso werden die Kontaktschichten 31, 32 anders hergestellt. Die Kontaktschicht unmittelbar an der p- leitenden Schichtenfolge 23 wird bevorzugt erzeugt, wie in der Druckschrift DE 10 2013 101 981 AI beschrieben. Die
Kontaktschicht direkt an der n-leitenden Schichtenfolge 21
wird demgegenüber bevorzugt mit einer höheren Ionenenergie abgeschieden und es erfolgt eine andere Nasschemie zu einer Kontaktkonditionierung der n-leitenden Schichtenfolge 21. Die Halbleiterschichtenfolge 2 steht in dem ersten
Kontaktbereich 51, der als Anode ausgebildet sein kann, in direktem Kontakt zu der ersten Kontaktschicht 31. Die erste Kontaktschicht 31 wiederum steht in direktem Kontakt mit der zweiten Kontaktschicht 32, auf die unmittelbar die
Kontaktmetallisierung 4 angebracht ist. In dem zweiten
Kontaktbereich 52, beispielsweise ein Kathodenkontakt, steht die zweite Kontaktschicht 32 in unmittelbarem Kontakt zu der n-leitenden Schicht 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 und zu der Kontaktmetallisierung 4. Die zweite Kontaktschicht 32 sowie die Kontaktmetallisierung 4 sind bevorzugt in dem ersten und in dem zweiten elektrischen Kontaktbereich 51, 52 identisch ausgebildet, im Rahmen der Herstellungstoleranzen. Das heißt, in den beiden Kontaktbereichen 51, 52 können die zweite Kontaktschicht 32 und die Kontaktmetallisierung 4 gleiche Materialzusammensetzungen und gleiche Schichtdicken aufweisen .
Eine Dicke der Halbleiterschichtenfolge 2 liegt zum Beispiel bei höchstens 3 ym oder 5 ym oder 8 ym oder 15 ym. Die
Kontaktschichten 31, 32 weisen bevorzugt je Dicken von mindestens 1 nm oder 5 nm oder 20 nm oder 40 nm oder 70 nm oder 110 nm auf und/oder von höchstens 350 nm oder 250 nm oder 160 nm oder 110 nm. Die Kontaktmetallisierung 4 zeigt beispielsweise eine Dicke von mindestens 0,3 ym oder 0,5 ym oder 1 ym und/oder von höchstens 8 ym oder 5 ym oder 2,5 ym auf. Diese Werte können auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen gelten.
Bevorzugt weist die sich direkt an der n-leitenden Schichtenfolge 21 befindliche Kontaktschicht, also gemäß Figur IE die zweite Kontaktschicht 32, eine kleinere Dicke auf als die Kontaktschicht direkt an der p-leitenden
Schichtenfolge 23, welches gemäß Figur IE die erste
Kontaktschicht 31 ist. Beispielsweise ist die Kontaktschicht direkt an der n-leitenden Schichtenfolge 21 um mindestens einen Faktor zwei oder vier oder zehn dünner als die
Kontaktschicht direkt an der p-leitenden Schichtenfolge 23. Dies gilt bevorzugt auch in allen anderen
Ausführungsbeispielen .
Anders als in Figur IE dargestellt kann die
Kontaktmetallisierung 4 die zweite Kontaktschicht 32 an der n-leitenden Schichtenfolge 21 und/oder an der p-leitenden Schichtenfolge 23 überformen. Das heißt, die
Kontaktmetallisierung 4 weist dann eine größere laterale Ausdehnung auf als die zweite Kontaktschicht 32 und steht stellenweise in direktem Kontakt mit der ersten
Kontaktschicht 31 und/oder mit der n-leitenden Schichtenfolge 21.
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
Herstellungsverfahrens für den optoelektronischen
Halbleiterchip 1 dargestellt. Die Halbleiterschichtenfolge 2 wird beispielsweise strukturiert, wie in Verbindung mit den Figuren 1A und 1B gezeigt. Anschließend wird die
Ausgangsschicht 310 für die erste Kontaktschicht 31
aufgebracht, siehe Figur 2A. Hierbei befindet sich die
Ätzmaske 7 zur Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge 2 bevorzugt noch an der Halbleiterschichtenfolge 2.
Anschließend wird die Ätzmaske 7 zusammen mit den Teilen der Ausgangsschicht 310, die sich an der Ätzmaske 7 befinden, entfernt. Dieser Verfahrensschritt ist in den Figuren nicht separat gezeichnet.
Danach wird, siehe Figur 2B, eine Ausgangsschicht 320 für die zweite Kontaktschicht 32 bevorzugt ganzflächig aufgebracht. Die Ausgangsschicht 320 bedeckt somit die freigelegten
Bereiche der Halbleiterschichten 2 sowie die Ausgangsschicht 310 für die erste Kontaktschicht 31.
Beim Verfahrensschritt, wie in Figur 2C gezeigt, werden die Ausgangsschicht 310, 320 zu den ersten und zweiten
Kontaktschichten 31, 32 strukturiert. Diese Strukturierung der Kontaktschichten 31, 32 erfolgt bevorzugt mit derselben Maske, die nicht gezeichnet ist. Dem Strukturieren der
Kontaktschichten 31, 32 vorausgehend oder auch nachgehend erfolgt optional ein thermischer Ausheilschritt, englisch Annealing. Ein solcher Ausheilschritt kann auch direkt nach dem Aufbringen der ersten Ausgangsschicht 310 und/oder der zweiten Ausgangsschicht 320 erfolgen. Die erste
Ausgangsschicht 310 für die Kontaktschicht direkt an der n- leitenden Schichtenfolge 21 kann auch eine nicht gezeichnete Metallschicht aufweisen oder hieraus bestehen. Eine solche Metallschicht weist bevorzugt eine Dicke von höchstens 2 nm oder 5 nm oder 8 nm auf.
Die zweite, p-Kontaktschicht 32 kann, wie in Verbindung mit Figur 1 erläutert, mehrschichtig aufgebaut sein und eine Anhaftschicht direkt an der p-leitenden Schichtenfolge 23 sowie eine Querleitschicht aufweisen, wie dies bevorzugt auch in allen anderen Ausführungsbeispielen der Fall ist. Bei der
ersten, n-Kontaktschicht 31 handelt es sich bevorzugt um eine einzige Schicht.
Beim Strukturieren der Kontaktschichten 31, 32 wird eine Mesaflanke 24, die durch das Ätzen der
Halbleiterschichtenfolge 2 entsteht, bevorzugt freigelegt. Im Bereich der Mesaflanke 24 liegt die aktive Zone 22
beispielsweise stellenweise offen. Der Bereich der Mesaflanke 24 und damit die aktive Zone 22 wird beim Strukturieren von den Ausgangsschichten 310, 320 befreit. Die Kontaktschichten 31, 32 sind damit bevorzugt ausschließlich in Kontakt mit nur einer der Schichten 21, 23.
Nachfolgend wird, siehe Figur 2D, die Kontaktmetallisierung 4 insbesondere mit einer einzigen, gemeinsamen Maske, die nicht gezeichnet ist, aufgebracht. Die zweite Kontaktschicht 32 an der p-leitenden Schicht 23 ist dabei bevorzugt zu einer lateralen Stromaufweitung eingerichtet und überragt die
Kontaktmetallisierung 4, in Draufsicht gesehen. Hierdurch ist eine besonders kleine Kontaktmetallisierung 4 erzielbar, in Draufsicht gesehen, wodurch eine Abschattung der
Halbleiterschichtenfolge 2 durch die Kontaktmetallisierung 4 oberhalb der aktiven Zone 22 reduzierbar ist. Ebenso ist durch die zweite Kontaktschicht 32 an der n-leitenden
Schichtenfolge 21 eine Größe der Kontaktmetallisierung 4 verringerbar, bei einer Beibehaltung der Größe des ersten elektrischen Kontaktbereichs 51 insgesamt, da auch an der n- leitenden Schichtenfolge 21 eine laterale Stromaufweitung durch die zweite Kontaktschicht 32 erreicht wird, bevor eine Stromeinprägung in die n-leitende Schichtenfolge 21 über die erste Kontaktschicht 31 erfolgt.
In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 1 dargestellt. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass die Aufwachsfläche 60 des Substrats 6 zu einer Verbesserung einer Lichtauskoppeleffizienz strukturiert ist. Insbesondere handelt es sich um ein strukturiertes Saphirsubstrat.
Ebenso wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich ist insbesondere zwischen der zweiten Kontaktschicht 32 an der p-leitenden Schicht 23 eine Isolierschicht 9 angebracht. Durch die Isolierschicht 9 ist ein unmittelbarer Stromfluss von der Kontaktmetallisierung 4 in den direkt darunterliegenden Bereich der aktiven Zone 22 reduzierbar oder verhinderbar. Die Isolierschicht 9 ist bevorzugt aus einem Material mit einem niedrigen Brechungsindex wie
Siliziumoxid geformt. Eine solche Isolierschicht kann auch an der n-leitenden Schicht 21 vorhanden sein, jedoch ist
bevorzugt an der n-leitenden Schicht 21 keine solche
Isolierschicht vorhanden.
Wie in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es zudem möglich, dass auf die Halbleiterschichtenfolge 2, auf die Kontaktschichten 31, 32 und/oder auf die
Kontaktmetallisierung 4 eine Passivierungsschicht 8
angebracht ist. Die Passivierungsschicht 8 ist beispielsweise aus einem Oxid wie Siliziumoxid oder Aluminiumoxid oder aus einem Nitrid wie Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid geformt. Ebenso kann die Passivierungsschicht 8 eine Schichtenfolge zum Beispiel aus zumindest einer Siliziumoxidschicht und zumindest einer Aluminiumoxidschicht aufweisen oder hieraus bestehen .
Gemäß Figur 3 ist eine der Halbleiterschichtenfolge 2
abgewandte Seite der Kontaktmetallisierung 4 jeweils
teilweise von der Passivierungsschicht 8 bedeckt. Alternativ hierzu ist es möglich, dass die Passivierungsschicht 8 vor der Kontaktmetallisierung 4 aufgebracht wird, so dass die Kontaktmetallisierung 4 von der Passivierungsschicht 8 dann unbedeckt ist. Wird die Passivierungsschicht 8 vor der
Kontaktmetallisierung 4 aufgebracht, so erfolgt das
Aufbringen der Passivierungsschicht 8 bevorzugt durchgehend und ganzflächig und vor dem Abscheiden der
Kontaktmetallisierung 4 wird die Passivierungsschicht 8 stellenweise geöffnet.
In Figur 4 sind schematisch Strahlengänge von Strahlung R in der Halbleiterschichtenfolge 2 dargestellt.
Ist, siehe Figur 4A, keine TCO-Kontaktschicht 31, 32
vorhanden, so erfolgt eine Reflexion von Strahlung Rl direkt an der Kontaktmetallisierung 4. Da eine Reflektivität der Kontaktmetallisierung 4 relativ gering ist, ist diese Art der Reflexion vergleichsweise verlustbehaftet. Ferner erfolgt zu einem vergleichsweise großen Anteil eine Totalreflexion von Strahlung R2 an einer Grenzfläche der
Halbleiterschichtenfolge 2.
In Figur 4B dagegen wird die Strahlung Rl an der
Kontaktschicht 31, 32 totalreflektiert und gelangt nicht zu der Kontaktmetallisierung 4. Für diesen, totalreflektierten Strahlungsanteil sind Reflexionsverluste dann verringert, im Vergleich zu Figur 4A. Ferner wird ein Brechungsindexsprung an der Grenzfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 durch die Kontaktschicht 31, 32 reduziert, wodurch sich eine
Auskoppeleffizienz der Strahlung R2 aus der
Halbleiterschichtenfolge 2 heraus erhöhen kann.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5 befindet sich,
abweichend vom Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3, die
Passivierungsschicht 8 stellenweise zwischen der
Kontaktmetallisierung 4 und der zweiten Kontaktschicht 32. Eine der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandte Seite der Kontaktmetallisierungen 4 ist damit frei von der
Passivierungsschicht 8. Die Kontaktschichten 31, 32 an der n- leitenden Schichtenfolge 21 schließen in seitlicher Richtung bündig miteinander ab und überragen die Kontaktmetallisierung 4. Gemäß Figur 6 überformt die Kontaktmetallisierung 4 die
Kontaktschichten 31, 32 an der n-leitenden Schichtenfolge 21. Anders als dargestellt kann dies alternativ oder zusätzlich bei der Kontaktmetallisierung 4 an der p-leitenden
Schichtenfolge 23 der Fall sein.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 107 306.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 optoelektronischer Halbleiterchip
2 Halbleiterschichtenfolge
21 n-leitende Schicht
22 aktive Zone
23 p-leitende Schicht
24 Mesaflanke
31 erste TCO-Kontaktschicht
310 Ausgangsschicht für die erste TCO-Kontaktschicht
32 zweite TCO-Kontaktschicht
320 Ausgangsschicht für die zweite TCO-Kontaktschicht
4 Kontaktmetallisierung
51 erster elektrischer Kontaktbereich mit beiden
Kontaktschichten
52 zweiter elektrischer Kontaktbereich mit nur einer KontaktSchicht
6 Substrat
60 Aufwachsfläche
7 Ätzmaske
8 Passivierungsschicht
9 Isolierschicht
R Strahlung
Claims
1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterchips (1) mit den Schritten:
- Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer n-leitenden Schicht (21), einer p-leitenden
Schicht (23) und einer dazwischenliegenden aktiven Zone (22) ,
- Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (31, 32) eines ersten Typs auf die Halbleiterschichtenfolge (2),
- Aufbringen einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) eines zweiten Typs auf die Halbleiterschichtenfolge (2) und auf die erste Kontaktschicht (31, 32),
- Aufbringen zumindest einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52) zur externen elektrischen Kontaktierung des
Halbleiterchips (1),
wobei
- die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus zumindest einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind,
- im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten in der angegeben Reihenfolge aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste
Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32) und die Kontaktmetallisierung (4), und
- im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten in der angegeben Reihenfolge aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite
Kontaktschicht (31, 32) und die Kontaktmetallisierung (4) .
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
aufweisend den zusätzlichen Schritt des Strukturierens der Halbleiterschichtenfolge (2) vor dem Aufbringen der Kontaktschichten (31, 32), sodass im zweiten
elektrischen Kontaktbereich (52) die n-leitende Schicht
(21) freigelegt wird,
wobei die erste Kontaktschicht (31) eine n- Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht (32) eine p-Kontaktschicht ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
aufweisend den zusätzlichen Schritt des Strukturierens der Halbleiterschichtenfolge (2) vor dem Aufbringen der Kontaktschichten (31, 32), sodass im ersten
elektrischen Kontaktbereich (51) die n-leitende Schicht (21) freigelegt wird,
wobei die erste Kontaktschicht (31) eine p- Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht (32) eine n-Kontaktschicht ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Strukturierung der Kontaktmetallisierung (4) und der zweiten Kontaktschicht (31, 32) oder eine Strukturierung der ersten Kontaktschicht (31, 32) und der zweiten Kontaktschicht (31, 32) mit einer einzigen Fotomaske erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32) und die Kontaktmetallisierung (4) sowie im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) die Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32) und die
Kontaktmetallisierung (4) direkt aufeinander folgend aufgebracht werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der ersten und/oder der zweiten Kontaktschicht (31, 32) eine elektrische Isolierschicht (9) angebracht wird, sodass im Betrieb des fertig hergestellten
Halbleiterchips (1) unmittelbar an der
Kontaktmetallisierung (4) kein Strom in die
Halbleiterschichtenfolge (2) eingeprägt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) aus demselben Material hergestellt werden,
wobei dieses Material für die erste und die zweite Kontaktschicht mittels Sputtern mit unterschiedlichen Ionenenergien aufgebracht wird.
8. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN basiert und die Kontaktschichten (31, 32) je aus
Indium-Zinn-Oxid hergestellt werden.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontaktschichten (31, 32) unterschiedliche Korngrößen und/oder unterschiedliche gasförmige
Einschlüsse aufweisen.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem im ersten elektrischen Kontaktbereich (52) zwischen der ersten und der zweiten Kontaktschicht (31, 32), die direkt aufeinander folgen, ein pn-Übergang ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im fertigen Halbleiterchip (1) im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) die erste
Kontaktschicht (31, 32) die zweite Kontaktschicht (32) stellenweise oder ringsum seitlich überragt, in
Draufsicht gesehen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im fertigen Halbleiterchip (1) die
Halbleiterschichtenfolge (2) ringsum nur in direktem Kontakt zu nichtmetallischen Materialien steht, wobei die erste Kontaktschicht (31, 32) auf den ersten Kontaktbereich (51) beschränkt ist.
Optoelektronischer Halbleiterchip (1), der mit einem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist, wobei
- der Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer n-leitenden Schicht (21), einer p- leitenden Schicht (23) und einer dazwischenliegenden aktiven Zone (22) umfasst,
- in einem ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten in der angegeben Reihenfolge aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), eine erste Kontaktschicht (31, 32) eines ersten Typs, eine zweite Kontaktschicht (31, 32) eines zweiten Typs und eine Kontaktmetallisierung (4),
- in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten in der angegeben Reihenfolge aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32) und die
Kontaktmetallisierung (4),
- die Kontaktmetallisierung (4) im ersten und im
zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52) je zu einer externen elektrischen Kontaktierung des
Halbleiterchips (1) eingerichtet ist, und
- die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus zumindest einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014107306.1A DE102014107306A1 (de) | 2014-05-23 | 2014-05-23 | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102014107306.1 | 2014-05-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2015176873A1 true WO2015176873A1 (de) | 2015-11-26 |
Family
ID=52814127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2015/058055 WO2015176873A1 (de) | 2014-05-23 | 2015-04-14 | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102014107306A1 (de) |
| TW (1) | TW201603320A (de) |
| WO (1) | WO2015176873A1 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016112291A1 (de) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102017123154A1 (de) * | 2017-10-05 | 2019-04-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
| DE102018115225A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Lichtemmitierendes Halbleiterbauelement oder Halbleiterbauelementmodul |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1523047A2 (de) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung und dessen Herstellungsverfahren |
| US20120018765A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method of producing the same |
| US20120032214A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005061797B4 (de) * | 2005-12-23 | 2020-07-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2008034822A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| KR101020945B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
| DE102012112771A1 (de) | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
-
2014
- 2014-05-23 DE DE102014107306.1A patent/DE102014107306A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-04-14 WO PCT/EP2015/058055 patent/WO2015176873A1/de active Application Filing
- 2015-04-24 TW TW104113146A patent/TW201603320A/zh unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1523047A2 (de) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung und dessen Herstellungsverfahren |
| US20120018765A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method of producing the same |
| US20120032214A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102014107306A1 (de) | 2015-11-26 |
| TW201603320A (zh) | 2016-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1977457B1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
| EP2011160B1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
| EP1709694B1 (de) | Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur | |
| EP2015372B1 (de) | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips | |
| DE102006057747B4 (de) | Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper | |
| DE112006001919T5 (de) | Blaue LED mit aufgerauter Oberflächenschicht mit hohem Brechungsindex für eine hohe Lichtauskopplung | |
| EP2150992A2 (de) | Halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines halbleiterchips | |
| WO2012022657A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips | |
| DE112012005156B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
| EP2599131A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips | |
| EP2415086B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und bauelementanordnung mit mehreren optoelektronischen bauelementen | |
| EP2980864A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung einer kontaktstruktur für einen derartigen chip | |
| EP1794816A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines d]nnfilmhalbleiterchips | |
| WO2012028511A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips | |
| DE102016113274B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
| WO2015176873A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip | |
| WO2005024961A1 (de) | Strahlungemittierendes halbleiterbauelement | |
| DE102016124847A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
| WO2013045328A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips | |
| WO2009149687A1 (de) | Halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines halbleiterkörpers | |
| WO2011070047A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterchips | |
| WO2017009377A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
| DE102015112879A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
| WO2013041279A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15714542 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 15714542 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |