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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierende Diode, das ein Bilden einer Epitaxieschichtstruktur auf einem aufgerauten Epitaxiesubstrat umfasst.
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Es ist in der Technik bekannt, dass der interne Quantenwirkungsgrad einer Licht emittierenden Diode aufgrund des Vorhandenseins von Fadenversetzung in einer Epitaxiekristallschicht der Licht emittierenden Diode erheblich verringert wird. Eine Fadenversetzung wird erzeugt, wenn ein Material auf einem anderen Material gebildet wird, und je mehr die Gitter der beiden Materialien nicht zusammenpassen, desto höher ist die Fadenversetzungsdichte in dem einen Material.
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Herkömmliche Verfahren zum Verringern der Fadenversetzungsdichte in einer Epitaxieschicht einer Licht emittierenden Diode umfassen normalerweise die Bildung von Ausnehmungen in einem Epitaxiesubstrat, wie z. B. einem Saphirsubstrat, vor einem Bilden der Epitaxieschicht auf dem Epitaxiesubstrat. Bei diesen herkömmlichen Verfahren erfolgt die Bildung der Ausnehmungen normalerweise durch Nass- oder Trockenätzverfahren. Während des Trocken- oder Nassätzen wird das Epitaxiesubstrat mit einer strukturierten Maske bedeckt, um eine Mehrzahl von freiliegenden Regionen zum Ätzen zu definieren, gefolgt von einem Ätzen an den freiliegenden Regionen, um die Ausnehmungen zu bilden. Da jedoch nur lokale Oberflächen der ausgenommenen Regionen des Epitaxiesubstrats infolge des Ätzens aufgeraut werden, und da die Oberfläche der verbleibenden Region des Epitaxiesubstrats, die mit der Maske bedeckt ist, nicht aufgeraut wird und eben bleibt, ist eine Verringerung der Fadenversetzung begrenzt. Ausserdem weisen im Fall eines Nassätzens die lokalen Oberflächen der so gebildeten, ausgenommenen Regionen normalerweise eine relativ geringe Rauheit auf, was kaum eine weitere Verbesserung beim Verringern der Fadenversetzungsdichte liefern kann. Beispiele für das Bilden der Ausnehmungen in dem Epitaxiesubstrat können den US-Patenten
US 6 936 851 B2 und
US 7 033 854 B2 entnommen werden.
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Ausserdem offenbart das US-Patent
US 6 504 183 B1 ein Verfahren, das ein Bilden von mehreren Keimen auf einem Epitaxiesubstrat, ein Bilden einer Versetzungshemmschicht auf den mehreren Keimen und dem Epitaxiesubstrat, gefolgt von einem Bilden einer Epitaxieschicht auf der Versetzungshemmschicht umfasst. Mit dem Einschluss der mehreren Keime kann die Versetzungshemmschicht mit einer Mehrzahl von abwechselnd angeordneten Vorsprüngen und Ausnehmungen gebildet werden, was eine Wirkung beim Verringern der Bildung der Fadenversetzung in der Epitaxieschicht liefern kann. Die lokalen Oberflächen der Vorsprünge und der ausgenommenen Regionen, die so gebildet werden, weisen jedoch immer noch eine relativ geringe Rauheit auf und bleiben im Wesentlichen eben und können somit keine weitere Verbesserung bei der Verringerung der Fadenversetzungsdichte liefern.
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Aus der
US 6 844 569 B1 ist ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emmitierenden Diode bekannt, bei dem das Substrat der Licht emmitierenden Diode mit einer aufgerauten Maskenschicht versehen wird. Das Substrat wird zunächst durch ein Plasmaätzverfahren, also durch ein anisotropes Ätzen, geätzt. Hierdurch werden Poren gebildet. Die Maskenschicht verbleibt auf dem Substrat nachdem das anisotrope Ätzen abgeschlossen ist. Danach wird die Maskenschicht durch Nassätzen, also durch isotropes Ätzen entfernt, so dass Säulen auf dem Substrat zurück bleiben.
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Die
WO 2006/068 377 A1 zeigt eine Licht emittiernde Diode mit einer selektiv geätzten GaN und Saphiersubstratstruktur, die einen Stapelaufbau aus einem Saphiersubstrat, einer Pufferschicht und einer In dotieren GaN Schicht aufweist. Die Stapelstruktur und eine darauf vorgesehene Maskenschicht mit einem kreis- oder punktförmigien Maskenmuster wird gleichzeitig mit dem Substrat geätzt, so dass das Substrat mit der geätzten Vertiefungen versehen ist, während die Pufferschicht und die In dotierten GaN Schicht säulenförmige Strukturen bilden.
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Die
US 4 396 929 A zeigt eine Licht emittierende Diode mit einem Substrat, dessen Oberfläche aufgeraute Bereiche aufweist, die mittels eines geeigneten Werkzeugs wie einem Ritzgerät oder dergleichen erzeugt werden.
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Die nachveröffentlichte
DE 10 2006 015 788 A1 betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, bei dem die Oberfläche eines Substrates mit Erhebungen und Vertiefungen versehen ist, auf denen eine Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist. Die Erhebungen und Vertiefungen können durch Ätzen oder Sandstrahlen ausgebildet werden. Das Ätzen kann mit oder ohne Maskeneinsatz erfolgen.
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Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierende Diode zu schaffen, die ein aufgerautes Epitaxiesubstrat umfasst, das es ermöglicht, dass eine Epitaxieschicht, die auf dem Epitaxiesubstrat gebildet wird, eine relativ geringe Fadenversetzungsdichte aufweist.
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Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
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Gemäss der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diode bereitgestellt, das folgende Schritte aufweist: (a) Bilden einer Maskenschicht auf einem Epitaxiesubstrat; (b) Aufrauen der Maskenschicht, um die Maskenschicht mit abwechselnd angeordneten Maskenkämmen und Maskentälern zu bilden; (c) anisotropes Ätzen der aufgerauten Maskenschicht und des darunter liegenden Epitaxiesubstrats, um die gesamte aufgeraute Maskenschicht von dem Epitaxiesubstrat zu entfernen und das Epitaxiesubstrat aufzurauen, um das Epitaxiesubstrat mit abwechselnd angeordneten Substratkämmen und Substrattälern zu bilden, die den Maskenkämmen bzw. den Maskentälern entsprechen, derart, dass jeder der Substratkämme eine aufgeraute Oberfläche aufweist, die mit einer dichten Konzentration von abwechselnd angeordneten Vertiefungen und Vorsprüngen gebildet ist; und (d) Bilden einer Epitaxieschichtstruktur auf den Substratkämmen und den Substrattälern des Epitaxiesubstrats.
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Gemäss einem weiteren Aspekt dieser Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diode bereitgestellt, das folgende Schritte aufweist: (a) Aufrauen eines Epitaxiesubstrats durch Techniken, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Sandstrahltechniken und mechanische Poliertechniken umfasst, um das Epitaxiesubstrat mit abwechselnd angeordneten Kämmen und Tälern zu bilden.
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Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele dieser Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ersichtlich. Es zeigen:
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1 eine schematische Fragmentansicht einer Licht emittierenden Diode, die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wird;
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2 eine vergrösserte Ansicht einer Licht emittierenden Diode nach 1, um die Konfiguration eines aufgerauten Epitaxiesubstrats zu veranschaulichen;
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3A bis 3D schematische Ansichten, um aufeinander folgende Schritte eines bevorzugten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diode gemäss dieser Erfindung zu veranschaulichen;
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4A bis 4C schematische Ansichten, um aufeinander folgende Schritte eines nicht zur Erfindung gehörenden Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diode; und
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5 eine Atomkraftmikroskopansicht einer aufgerauten Oberfläche des Epitaxiesubstrats der durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel gebildeten Licht emittierenden Diode.
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Die 1 und 2 veranschaulichen eine Licht emittierende Diode. Die Licht emittierende Diode umfasst: ein Epitaxiesubstrat 6, das eine aufgeraute Seite 60 aufweist und mit abwechselnd angeordneten Kämmen 61 und Tälern 62 an der aufgerauten Seite 60 gebildet ist, wobei jeder der Kämme 61 eine aufgeraute Oberfläche 610 aufweist, die mit einer dichten Konzentration von abwechselnd angeordneten Vertiefungen 611 und Vorsprüngen 612 gebildet ist; und eine Epitaxieschichtstruktur 7, die auf den Kämmen 61 und den Tälern 62 des Epitaxiesubstrats 6 gebildet ist und dieselben bedeckt.
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Jeder der Kämme 61 weist eine Kammlinie 63 auf. Die Vertiefungen 611 und die Vorsprünge 612, die auf der Kammlinie 63 jedes der Kämme 61 liegen, machen aus der Kammlinie 63 des jeweiligen der Kämme 61 ein allgemein zahnartiges, gewundenes Profil. Jedes der Täler 62 ist von benachbarten der Kämme 61 umgeben und definiert und befindet sich in räumlicher Kommunikation mit benachbarten der Täler 62.
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Das Epitaxiesubstrat 6 ist bevorzugt aus einem Material hergestellt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Saphir, SiC, Si, ZnO, GaAs, GaN und MgAl2O4, das eine Spinellstruktur aufweist, umfasst. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Epitaxiesubstrat 6 aus Saphir hergestellt. Bevorzugt weist die aufgeraute Seite 60 des Epitaxiesubstrats 6 eine durchschnittliche Rauheit (Ra) auf, die zwischen 0,5 nm und 1000 nm liegt und bevorzugter zwischen 0,5 nm und 500 nm liegt.
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Die Epitaxieschichtstruktur 7 umfasst eine Nuklidschicht 71, die auf den Kämmen 61 und den Tälern 62 des Epitaxiesubstrats 6 gebildet ist, und eine Epitaxieschicht 72, die auf der Nuklidschicht 71 gebildet ist. Die Epitaxieschicht 72 ist aus einer III-V-Verbindung hergestellt. Das Gruppe-III-Element ist aus der Gruppe ausgewählt, die B, Al, Ga, In, Ti und Kombinationen derselben umfasst, und das Gruppe-V-Element ist aus der Gruppe ausgewählt, die N, P, As, Sb, Bi und Kombinationen derselben umfasst.
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Die Epitaxieschicht 72 umfasst eine erste und eine zweite Halbleiterschicht 721, 723 und eine aktive Schicht 722, die zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht 721, 723 angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht 721 ist auf der Nuklidschicht 71 gebildet. Ein erster und ein zweiter Elektrodenkontakt 81, 82 sind auf der ersten bzw. der zweiten Halbleiterschicht 721, 723 gebildet.
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Die 3A bis 3D veranschaulichen aufeinander folgende Schritte des bevorzugten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diode gemäss dieser Erfindung. Das Verfahren umfasst: (a) Bilden einer Maskenschicht 9 auf einem Epitaxiesubstrat 6' (siehe 3A); (b) Aufrauen der Maskenschicht 9 (siehe 3B), um die Maskenschicht 9 mit abwechselnd angeordneten Maskenkämmen 91 und Maskentälern 92 zu bilden, derart, dass jeder der Kämme 91 oder jedes der Täler 92 eine aufgeraute Oberfläche 90 mit einem allgemein zahnartigen Profil aufweist; (c) anisotropes Ätzen der aufgerauten Maskenschicht 9 und des darunter liegenden Epitaxiesubstrats 6', um die gesamte aufgeraute Maskenschicht 9 von dem Epitaxiesubstrat 6' zu entfernen und das Epitaxiesubstrat 6' aufzurauen, um das Epitaxiesubstrat 6' mit den abwechselnd angeordneten Substratkämmen 61 und Substrattälern 62 zu bilden, die den Maskenkämmen 91 bzw. den Maskentälern 92 entsprechen, derart, dass jeder der Substratkämme 61 oder jedes der Substrattäler 62 die aufgeraute Oberfläche 610 aufweist, die mit einer dichten Konzentration der abwechselnd angeordneten Vertiefungen 611 und Vorsprünge 612 gebildet ist (siehe 3C); und (d) Bilden der Epitaxieschichtstruktur 7 auf den Substratkämmen 61 und den Substrattälern 62 des aufgerauten Epitaxiesubstrats 6 (siehe 3D).
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Das Aufrauen der Maskenschicht 9 bei Schritt (b) erfolgt durch Techniken, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Tempertechniken, Nassätztechniken, mechanische Poliertechniken und Sandstrahltechniken umfasst. Bei Tempertechniken kann das getemperte Material eine Druckspannung oder eine Zugspannung aufweisen. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel weist die getemperte Maskenschicht 9 eine Druckspannung auf.
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Wenn das Aufrauen durch Tempertechniken erfolgt, wird die Maskenschicht 9 bevorzugt aus einem Material hergestellt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die ein Photoresistmaterial und ein Metallmaterial umfasst. Das Metallmaterial ist aus der Gruppe ausgewählt, die Ni, Ag, Al, Au, Pt, Pd, Zn, Cd, Cu und Kombinationen derselben umfasst. Das Photoresistmaterial ist aus der Gruppe ausgewählt, die Su-8®, Benzocyclobuten (BCB), Polyimid, EPG-516®, AZ-5214® und DNR-L300-D1® umfasst. Alternativ dazu kann es sich bei der Maskenschicht 9 um eine Kombination aus einem Basisfilm, wie z. B. einem SiO2-Film, und einem Photoresistfilm, wie z. B. einem EPG-516®-Film, handeln. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Maskenschicht 9 aus Ni hergestellt und weist eine Schichtdicke auf, die zwischen 50 nm und 2000 nm liegt. Wenn die Schichtdicke der Maskenschicht 9 zu gross ist, ist die Wirkung einer Druckspannung, die auf die getemperte Maskenschicht 9 einwirkt, gering. Wenn die Schichtdicke der Maskenschicht 9 zu klein ist, kann die gewünschte Rauheit der aufgerauten Oberfläche 90 der Maskenschicht 9 nicht erreicht werden. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel erfolgt das Aufrauen der Maskenschicht 9 bei Schritt (b) bevorzugt bei einer Tempertemperatur, die zwischen 400°C und 1000°C liegt, bevorzugter zwischen 500°C und 800°C liegt und am bevorzugtesten zwischen 600°C und 750°C liegt. Wenn die Tempertemperatur zu hoch ist, verschlechtert sich die Maskenschicht 9. Wenn die Tempertemperatur zu niedrig ist, kann die gewünschte Rauheit der aufgerauten Oberfläche 90 der Maskenschicht 9 nicht erreicht werden.
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Wenn das Aufrauen durch Sandstrahltechniken erfolgt, wird die bei Schritt (a) gebildete Maskenschicht 9 bevorzugt aus einem Metallmaterial hergestellt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Ni, Cu, Ti, Au und Pt umfasst, und weist eine Schichtdicke auf, die zwischen 50 nm und 5000 nm liegt. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel erfolgt das Aufrauen der Maskenschicht 9 bei Schritt (b) unter Verwendung von Sandstrahlperlen, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die Al2O3-Perlen, SiC-Perlen, schwarze Aluminiumoxidperlen, Stahlkugeln, Bronzelegierungskugeln, Keramikperlen, Aluminiumoxidperlen, rostfreie Kugeln, Kunststoffperlen, Walnusspulver, SiO2-Perlen, B4C-Perlen und Kombinationen derselben umfasst. Die Sandstrahlperlen, die bei Schritt (b) verwendet werden, weisen bevorzugt einen Partikeldurchmesser auf, der zwischen 0,05 [mu]m und 500 [mu]m liegt. Das Sandstrahlen der Maskenschicht 9 bei Schritt (b) erfolgt unter Verwendung einer Sandstrahlvorrichtung (nicht gezeigt) mit einer Düse, die derart angeordnet ist, dass die Entfernung zwischen der Maskenschicht 9 und einem Perlenauslass der Düse zwischen 20 cm und 30 cm beträgt. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Sandstrahlvorrichtung bei einem Arbeitsdruck von 0,005 bar bis 10 bar während des Sandstrahlens der Maskenschicht 9 betrieben.
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Bevorzugt weist die aufgeraute Oberfläche 90 der bei Schritt (b) gebildeten, aufgerauten Maskenschicht 9 eine durchschnittliche Rauheit auf, die zwischen 0,5 nm und 1000 nm liegt und bevorzugter zwischen 0,5 nm und 500 nm liegt. Wenn die Rauheit der aufgerauten Oberfläche 90 der Maskenschicht 9 zu gross ist, scheitert die Bildung der Epitaxieschichtstruktur 7 auf dem Epitaxiesubstrat 6 mit hoher Wahrscheinlichkeit. Wenn die Rauheit der aufgerauten Oberfläche 90 der Maskenschicht 9 zu gering ist, ist die Verringerung der Fadenversetzungsdichte bei der Epitaxieschichtstruktur 7 gering.
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Nach dem Bilden der Maskenschicht 9 mit den Maskenkämmen 91 und den Maskentälern 92 mit einem vorbestimmten Profil erfolgt das nachfolgende anisotrope Ätzen (bei diesem Ausführungsbeispiel wird Trockenätzen verwendet), um das Epitaxiesubstrat 6 mit den Substratkämmen 61 und Substrattälern 62, die ein gewünschtes Profil aufweisen, zu bilden.
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Bevorzugt erfolgt die Bildung der Nuklidschicht 71 bei einer Arbeitstemperatur, die zwischen 450°C und 1000°C liegt, und die Bildung der Epitaxieschicht 72 erfolgt bei einer Arbeitstemperatur, die zwischen 650°C und 1300°C liegt.
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Die 4A bis 4C veranschaulichen aufeinander folgende Schritte eines anderen Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diode, das nicht zur Erfindung gehört. Das Verfahren umfasst: (a) Aufrauen eines Epitaxiesubstrats 6'' durch Sandstrahltechniken (siehe 4A und 4B), um das Epitaxiesubstrat 6'' mit abwechselnd angeordneten Kämmen 61 und Tälern 62 zu bilden, derart, dass jeder der Kämme 61 oder jedes der Täler 62 die aufgeraute Oberfläche 610 aufweist, die mit einer dichten Konzentration der abwechselnd angeordneten Vertiefungen 611 und Vorsprünge 612 gebildet ist; und (b) Bilden der Epitaxieschichtstruktur 7 auf den Kämmen 61 und den Tälern 62 des Epitaxiesubstrats 6 (siehe 4C). Alternativ dazu kann das Aufrauen des Epitaxiesubstrats 6'' durch mechanische Poliertechniken erfolgen. Die Düse 200 (siehe 4B) der Sandstrahlvorrichtung, die bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel verwendet wird, ist derart angeordnet, dass die Entfernung zwischen dem Epitaxiesubstrat 6'' und dem Perlenauslass der Düse 200 bevorzugt zwischen 15 cm und 30 cm beträgt. Die Sandstrahlvorrichtung wird während des Sandstrahlens des Epitaxiesubstrats 6'' bevorzugt bei einem Arbeitsdruck betrieben, der zwischen 0,05 bar und 50 bar liegt. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen die Sandstrahlperlen bevorzugt einen Partikeldurchmesser auf, der zwischen 1 μm und 500 μm liegt.
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Es sei darauf hingewiesen, dass bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel das Epitaxiesubstrat 6' durch Trockenätztechniken aufgeraut wird, mit den Voraussetzungen eines Vorbildens und eines Voraufrauens der Maskenschicht 9, während bei dem nicht zur Erfindung gehörenden Verfahren das Epitaxiesubstrat 6'' ohne ein Vorformen der Maskenschicht 9 direkt durch Sandstrahl- oder mechanische Poliertechniken aufgeraut wird, um die gewünschte Rauheit für die aufgeraute Seite 60 der Epitaxieschicht 6 und das gewünschte zahnartige gewundene Profil für die Kammlinie 63 jedes Kamms 61 oder Tals 62 zu erreichen.
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Die Vorzüge des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diode dieser Erfindung werden unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele ersichtlich.
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Beispiel 1
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Die Licht emittierende Diode von Beispiel 1 wurde mit den folgenden Schritten hergestellt.
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Ein Ni-Film, der als die Maskenschicht 9 diente und eine Schichtdicke von 30 nm aufwies, wurde auf einem Saphirsubstrat 6 unter Verwendung von Elektronenstrahlverdampfungstechniken bei einer Arbeitstemperatur von 600°C gebildet. Der so gebildete Ni-Film wurde 10 Minuten lang einer Temperbehandlung bei einer Tempertemperatur von 600°C unterzogen, um eine Atommigration zu ermöglichen, die zu einem Aufrauen des Ni-Films führte. Die Schichtstruktur wurde dann reaktivem Ionenätzen (RIE) unterzogen, um den Ni-Film zu entfernen und das Saphirsubstrat 6 aufzurauen. 5 ist ein Atomkraftmikroskop-(AFM)-Graph, der eine aufgeraute Oberfläche des aufgerauten Saphirsubstrats 6 mit den Kämmen 61 und Tälern 62 zeigt. Die Rauheit (Ra) der aufgerauten Oberfläche des Saphirsubstrats 6 wurde gemessen und betrug etwa 10 nm. Das aufgeraute Saphirsubstrat 6 wurde dann in ein MOCVD-System gegeben, in das eine Reaktantenmischung von (CH3)3Ga(TMG):NH3 (Gasflussratenverhältnis = 1:500) zur Reaktion bei einer Arbeitstemperatur von 540°C und einem Arbeitsdruck von 0,67 mbar (500 mTorr) eingeführt wurde, zum Bilden einer GaN-Nuklidschicht 71 auf dem aufgerauten Saphirsubstrat 6. Nach der Bildung der GaN-Nuklidschicht 71 wurde eine Reaktantenmischung von (CH3)3Ga(TMG):NH3 (Gasflussratenverhältnis = 1:2500) nachfolgend zur Reaktion bei einer Arbeitstemperatur von 1050°C und einem Arbeitsdruck von 0,277 mbar (200 mTorr) in das MOCVD-System eingeführt, zum Bilden einer GaN-basierten Epitaxieschicht 72. Die so gebildete Schichtstruktur wurde dann mit dem ersten und dem zweiten Elektrodenkontakt 81, 82 gebildet.
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Beispiel 2
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Die Licht emittierende Diode von Beispiel 2 wurde mit Schritten hergestellt, die denen aus Beispiel 1 ähnlich sind, ausser dass der Ni-Film, der auf dem Saphirsubstrat 6 gebildet wurde, eine Schichtdicke von 500 nm aufwies und dass der Ni-Film entfernt und das Saphirsubstrat 6 aufgeraut wurde unter Verwendung von Sandstrahltechniken bei einem Arbeitsdruck von 100 mbar für 5 Sekunden. SiO2-Perlen, die Partikeldurchmesser von 20 μm, 10 μm und 5 μm in einem Verhältnis von 1:1:1 aufwiesen, wurden verwendet, und die Entfernung zwischen dem Perlenauslass der Düse und dem Ni-Film wurde auf 20 cm eingestellt. Die Rauheit (Ra) der aufgerauten Oberfläche des Saphirsubstrats 6 wurde gemessen und betrug etwa 10 nm.
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Beispiel 3
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Die Licht emittierende Diode von dem nicht zur Erfindung gehörenden Beispiel 3 wurde mit Schritten hergestellt, die denen aus Beispiel 1 ähnlich sind, ausser dass der Ni-Film für dieses Beispiel weggelassen wurde und dass das Saphirsubstrat 6 direkt unter Verwendung von Sandstrahltechniken bei einem Arbeitsdruck von 2 bar 60 Sekunden lang aufgeraut wurde. SiO2-Perlen mit Partikeldurchmessern von 50 μm, 20 μm und 10 μm in einem Verhältnis von 1:1:1 wurden verwendet, und die Entfernung zwischen dem Perlenauslass der Düse 200 und dem Ni-Film wurde auf 15 cm eingestellt. Die Rauheit (Ra) der aufgerauten Oberfläche des Saphirsubstrats 6 wurde gemessen und betrug etwa 15 nm.
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Durch das Bilden des Epitaxiesubstrats 6 mit den Kämmen 61 und Tälern 62 und durch das Aufrauen jedes Kamms 61 oder jedes Tals 62 mit einer zahnartigen, mit einem Profil versehenen Kammlinie gemäss dem Verfahren der vorliegenden Erfindung können die im Vorhergehenden genannten Nachteile im Zusammenhang mit dem Stand der Technik beseitigt werden.
