DE102005018029A1 - Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements - Google Patents
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Abstract
Die
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen
Bauelements, insbesondere eines DRAM-Halbleiterspeichers oder eines Feldeffekttransistors,
bei dem mindestens ein Kondensator (150) mit einem Dielektrikum
(130) und zumindest einer Anschlusselektrode (120, 140) hergestellt
wird.
Um zu erreichen, dass die hergestellten Kondensatoren auch bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen ein möglichst gutes Speicherverhalten zeigen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass das Dielektrikum (130) oder die Anschlusselektroden (120, 140) derart ausgebildet werden, dass transiente Polarisationseffekte verhindert, zumindest reduziert werden.
Um zu erreichen, dass die hergestellten Kondensatoren auch bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen ein möglichst gutes Speicherverhalten zeigen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass das Dielektrikum (130) oder die Anschlusselektroden (120, 140) derart ausgebildet werden, dass transiente Polarisationseffekte verhindert, zumindest reduziert werden.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements, insbesondere eines DRAM-Halbleiterspeichers oder eines Feldeffekttransistors, bei dem mindestens ein Kondensator mit einem Dielektrikum und mit zumindest einer Anschlusselektrode hergestellt wird.
- Ein derartiges Verfahren wird in der Halbleiterindustrie bekanntermaßen beispielsweise zur Herstellung von Datenspeichern oder Mikroprozessoren verwendet. Im Falle von Datenspeichern werden die in den Speicherzellen der Datenspeicher zu speichernden Informationen jeweils in Form elektrischer Ladungen in den Kondensatoren abgelegt. Im Falle von Feldeffektransistoren bilden beispielsweise das Gate-Dielektrikum und die Gate-Anschlusselektrode des Feldeffektransistors eine Kondensatorstruktur.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements mit mindestens einem Kondensator anzugeben, bei dem die hergestellten Kondensatoren auch bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen ein möglichst gutes Speicherverhalten, insbesondere für die Speicherung von Daten oder für Transistoranwendungen, zeigen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in Unteransprüchen dargestellt.
- Danach ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass bei der Herstellung des Kondensators das Dielektrikum oder die Anschlusselektroden derart ausgebildet werden, dass transiente Polarisationseffekte im Dielektrikum verhindert, zumindest reduziert werden.
- Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass aufgrund der Reduktion der transienten Polarisationseffekte auch bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen ein Speicherverhalten erreicht wird, das von der Vorgeschichte bzw. von dem vorhergehenden Betrieb des Kondensators weitgehend unabhängig ist. Insbesondere bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen spielen transiente Polarisationseffekte, die auf ein transientes Polarisationsverhalten des Dielektrikums zurückgehen oder von Protonen innerhalb des Dielektrikums hervorgerufen werden, eine sehr große Rolle. Diese transienten Polarisationseffekte führen zu einem von der Vorgeschichte bzw. von dem zuvor vorgenommenen Betrieb des Kondensators abhängigen Speicherverhalten des Kondensators; dies bedeutet, dass das Speicherverhalten einer logischen „1" beispielsweise davon abhängt, ob zuvor eine logische „1" oder eine logische „0" gespeichert worden war. Durch das erfindungsgemäße Ausbilden des Dielektrikums und/oder der Anschlusselektroden wird somit erreicht, dass der resultierende Kondensator in seinem Speicherverhalten weitgehend unabhängig davon ist, wie er zuvor betrieben worden war. Außerdem werden Ladungsverluste durch transiente Polarisationseffekte reduziert, so dass sich die erreichbare Speicherzeit deutlich vergrößert.
- Im Hinblick auf eine gezielte Reduktion transienter Polarisationseffekte innerhalb des Dielektrikums wird gemäß einer besonders bevorzugten, vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens als Dielektrikum ein Material verwendet, bei dem eine Gleichverteilung von Potentialtöpfen, insbesondere eine Gleichverteilung von Doppelpotentialtöpfen, innerhalb des Dielektrikums gestört, zumindest reduziert wird. Erfinderseitig wurde nämlich festgestellt, dass transiente Polarisationseffekte innerhalb des Dielektrikums in erheblichem Maße von einer Gleichverteilung der Potentialtöpfe abhängen; wird nun die Gleichverteilung der Potentialtöpfe gezielt beeinflusst und gestört, so lassen sich transiente Polarisations effekte innerhalb des Dielektrikums reduzieren oder sogar vollständig vermeiden.
- Im Hinblick auf eine Vermeidung transienter Polarisationseffekte durch im Dielektrikum eingeschlossene Protonen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn für die Anschlusselektroden ein Material gewählt wird, das im Dielektrikum vorhandene Protonen gettert. Erfinderseitig wurde nämlich festgestellt, dass bei der Herstellung eines Dielektrikums mit Hilfe heutzutage in der Halbleitertechnik üblicher Verfahren regelmäßig Wasserstoff und damit Protonen in das Dielektrikum eingebaut werden, die auf das Speicherverhalten der fertigen Kondensatoren einen merklichen Einfluss haben, insbesondere bei sehr kleinen Kondensatorstrukturen. Durch die Wahl eines Protonen getternden Materials für die Anschlusselektroden wird der negative Einfluss der Protonen innerhalb des Dielektrikums deutlich reduziert und das Speicherverhalten der resultierenden Kondensatoren entscheidend verbessert. Unter anderem wird auch die Speicherzeit der Kondensatoren merklich erhöht.
- Vorzugsweise wird als Dielektrikum ein ternäres, quaternäres oder höheres Materialsystem mit mindestens folgenden Bestandteilen verwendet: mindestens ein Oxid oder Nitrid eines Metalls aus der vierten Nebengruppe des Periodensystems oder mindestens ein leitfähiges Oxid; mindestens ein Element aus der dritten oder vierten Hauptgruppe oder der fünften Nebengruppe des Periodensystems.
- Als Dielektrikum kann beispielsweise ein Hf-Ti-Oxid oder Hf-Ti-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet werden. Bevorzugt kommt als Dielektrikum zum Beispiel ein HfxAlyTiz-Oxid, ein HfxAlyTiz-Nitrid, ein HfxSiyTiz-Oxid oder ein HfxSiyTiz-Nitrid in Betracht.
- Auch kann als Dielektrikum ein Zr-Ti-Oxid oder ein Zr-Ti-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet werden. Bevorzugt kommt als Dielektrikum zum Beispiel ein ZrxAlyTiz-Oxid, ein ZrxAlyTiz-Nitrid, ein ZrxSiyTiz-Oxid oder ein ZrxSiyTiz-Nitrid in Betracht.
- Alternativ kann als Dielektrikum auch ein Hf-Ta-Oxid oder Hf-Ta-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet werden. Zum Beispiel kann ein HfxAlyTaz-Oxid, ein HfxAlyTaz-Nitrid, ein HfxSiyTaz-Oxid oder ein HfxSiyTaz-Nitrid eingesetzt werden.
- Darüber hinaus kann als Dielektrikum auch ein Zr-Ta-Oxid oder Zr-Ta-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet werden. Zum Beispiel kann ein ZrxAlyTaz-Oxid, ein ZrxAlyTaz-Nitrid, ein ZrxSiyTaz-Oxid oder ein ZrxSiyTaz-Nitrid eingesetzt werden.
- Im Übrigen kann als Dielektrikum auch HfO2 verwendet werden, dem SiO2 und/oder TiO2 zugemischt werden. Beispielsweise werden die Mischverhältnisse derart eingestellt, dass der Anteil des SiO2 maximal 90 %, vorzugsweise maximal 40 %, und der Anteil des TiO2 minimal 5 % beträgt.
- Außerdem kann als Dielektrikum auch ein Mischdielektrikum mit zumindest einem der folgenden Materialien verwendet werden: HfTaOx, HfAlOx, TaTiOx, AlTiOx, ZrTaOx, ZrTiOx, ZrAlOx, HfZrOx und/oder ZrSiOx.
- Eine wiederum andere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens verwendet als Dielektrikum ein Metalloxid, dem ein Lanthanoid zugemischt wird. Als Metalloxid kann zum Beispiel HfO2, Al2O3, TiO2, ZrO2 oder Ta2O5 verwendet werden.
- Als Elektrodenmaterial wird bevorzugt ein Material gewählt, das ein Element der achten Nebengruppe des Periodensystems, beispielsweise Ruthenium oder Iridium, enthält. Auch kann HfN, TiN, NbN oder TaN als Elektrodenmaterial verwendet werden.
- Die beiden Anschlusselektroden können beispielsweise aus demselben Material hergestellt werden. Zum Beispiel werden die beiden Anschlusselektroden jeweils aus TaN oder TiN und das Dielektrikum aus HfTiOx hergestellt. Alternativ können die beiden Anschlusselektroden auch aus Ruthenium und das Dielektrikum aus HfTiOx hergestellt werden.
- Auch ist es möglich, unterschiedliche Materialien für die beiden Anschlusselektroden zu verwenden. Beispielsweise wird eine Anschlusselektrode aus TiN oder TaN und die andere Anschlusselektrode aus Ruthenium gebildet; das Dielektrikum besteht in diesem Falle vorzugsweise aus HfTiOx, HfSiOx oder HfO2. Z. B. wird eine innere Elektrode des Kondensators aus TiN und eine obere (äußere) Elektrode aus Ruthenium hergestellt, und es wird als Dielektrikum HfTiO2 verwendet.
- Der Kondensator kann in einer Vertiefung eines Siliziumsubstrats oder auf dem Siliziumsubstrat hergestellt werden. Beispielsweise kann der Kondensator als Graben- oder Schichtkondensator ausgeführt werden.
- Vorzugsweise wird das beschriebene Verfahren zur Herstellung von DRAM-Speicherbausteinen mit zumindest einem Kondensator mit einer Strukturbreite unter 60 nm verwendet. Auch kann das Verfahren zum Herstellen des Gate-Dielektrikums eines Feldeffektransistors verwendet werden; das Gate-Dielektrikum, die Gate-Anschlusselektrode sowie das zugeordnete Substrat bilden in diesem Falle beispielsweise den erwähnten Kondensator.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels erläutert. Dabei zeigen
-
1 ein Diagramm, das das Speicherverhalten einer DRAM-Speicherzelle nach dem Stand der Technik mit einem Al2O3-Dielektrikum darstellt, -
2 ein Diagramm, das den Ladungsverlust einer Speicherzelle mit einem gemäß der Erfindung verbesserten Dielektrikum gegenüber einer Speicherzelle mit einem Dielektrikum nach dem Stand der Technik darstellt und -
3 und4 Darstellungen eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen DRAM-Speicherzelle. - In der
1 sind zwei Kurvenverläufe10 und20 dargestellt, die das Speicherverhalten einer DRAM-Speicherzelle mit einem Al2O3-Dielektrikum zeigen. Dargestellt ist jeweils die Auslesefehlerrate fc bei unterschiedlichen Auslesezeiten:
Die Stelle Δt=0ns bezeichnet dabei die Auslesefehlerrate bei einer vorgegebenen Standardauslesezeit, für Δt≠0 ist die Auslesefehlerrate für kleinere (t<0ns) oder größere Auslesezeiten (t>0ns) angegeben. Man erkennt, dass die Auslesefehlerrate fc umso kleiner wird, je mehr Zeit für das Auslesen zur Verfügung steht. - Der Kurvenverlauf
10 beschreibt nun die Auslesefehlerrate für den Fall, dass in der Speicherzelle eine logische „1" abgespeichert ist und diese logische „1" ausgelesen wird, wobei vor der auszulesenden „1" eine logische „0" abgespeichert worden war. In der „Speichergeschichte" hatte somit ein Bitwechsel von „0" auf „1" – in der1 durch die Zeichenfolge „0 => 1" dargestellt – stattgefunden. - Der Kurvenverlauf
20 beschreibt die Auslesefehlerrate für den Fall, dass in der Speicherzelle eine logische „1" abgespeichert ist und diese logische „1" ausgelesen wird, wobei vor der auszulesenden „1" bereits ebenfalls eine logische „1" ab gespeichert worden war. In der „Speichergeschichte" hatte somit kein Bitwechsel – in der1 durch die Zeichenfolge „1 => 1" dargestellt – stattgefunden. - Es lässt sich anhand der beiden Kurvenverläufe
10 und20 ablesen, dass das Speicherverhalten der Speicherzelle von deren Vorgeschichte abhängt. Konkret ist das Speicherverhalten ca. 5 % schlechter bzw. die resultierende Auslesefehlerrate um ca. 5 % größer, wenn vor einer logischen „1" eine logische „0" abgespeichert worden war, als im umgekehrten Falle. - In der
1 ist die Auslesefehlerate fc im Übrigen normiert dargestellt; zur Normierung wurde die Auslesefehlerrate bei der Standardauslesezeit (Δt=0) für den Fall des Auslesens einer logischen „1" herangezogen, wenn vor der abgespeicherten logischen „1" eine logische „0" abgespeichert worden war. Der Normwert bezieht sich somit auf den Fall „0=>1". - In der
2 ist der Verlust an gespeicherter Ladung im zeitlichen Verlauf dargestellt. Man erkennt, dass der Ladungsverlust bei Aluminiumoxid (Al2O3) sowie Oxinitrid (NO) innerhalb einer Zeitspanne von 0,1 Sekunden nach dem Speichern der Ladung unter 5 % liegt. Dieser Wert ist der Übersicht halber in der2 deutlich hervorgehoben. - Reines HfO2-Material hingegen weist ein deutlich schlechteres Speicherverhalten, d. h. deutlich größere Speicherverluste, als Aluminiumoxid und Oxinitrid auf. In der
2 ist erkennbar, dass bereits nach 10–4 Sekunden die 5 %-Grenze überschritten wird. Durch ein Hinzumischen von SiO2-Material im Verhältnis 30:70 (70 % HfO2/SiO2) ist jedoch eine merkliche Verbesserung der Speicherfähigkeit des HfO2-Dielektrikums erreichbar: Bis zu einer Speicherzeit von 10–1 s ist das Speicherverhalten eines derart verbesserten HfO2-Dielektrikums aufgrund des zugemischten SiO2 mit dem Speicherverhalten eines Aluminiumoxids oder Oxinitrids vergleichbar oder sogar besser als dieses. - Es ist somit festzustellen, dass durch einen Zusatz eines die Potentialtopfverteilung innerhalb des HfO2-Materials störenden weiteren Materials – hier des SiO2- das Speicherverhalten des resultierenden Dielektrikums deutlich verbessert werden kann.
- In den
3 und4 ist ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators dargestellt. Man erkennt ein Silizium-Substrat100 , in das eine Vertiefung110 , beispielsweise durch Ätzen, eingebracht wurde. Die Vertiefung110 wird zunächst mit einer inneren Anschlusselektrode120 ausgekleidet, die vorzugsweise aus TiN besteht (3 ). - Auf die innere Anschlusselektrode
120 wird ein Dielektrikum130 aus HfTiO2 abgeschieden. Auf dieses Dielektrikum130 wird nachfolgend eine obere Anschlusselektrode140 aus Ruthenium aufgebracht. - Das Abscheiden des Dielektrikums
130 kann beispielsweise mit einem ALD-, einem CVD-, oder einem PVD-Prozess sowie alternativ dazu mit einem Mischprozess aus den genannten Prozessen erfolgen. Bei Verwendung eines ALD-Prozesses liegt der Druckbereich vorzugsweise zwischen 100 mTorr bis 10 Torr und die Temperatur zwischen 100° C und 700° C. - Die Qualität des Dielektrikums
130 kann während der Abscheidung oder auch nach der Abscheidung darüber hinaus mit Plasma-Schritten und/oder Heizschritten verbessert werden. Durch eine derartige Nachbehandlung können eine etwaige Kontamination des Dielektrikums ausgetrieben und die Struktureigenschaften des Dielektrikums130 verbessert werden. - Typische Prozessgase für den Abscheideprozess des Dielektrikums
130 sind beispielsweise Stickstoff und/oder Sauerstoff und/oder NH3 und/oder NO und/oder N2O und/oder Argon und/oder Wasserstoff in Temperaturbereichen zwischen 400° C und 1100° C. Das bei der Abscheidung des Dielektrikums130 verwendete Plasma kann „remote" (indirekt, am Wafer liegt keine Spannung an) oder „direkt" (am Wafer liegt Spannung an) sein. - Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß den
3 und4 besteht die Funktion der äußeren Ru-Anschlusselektrode140 darin, Protonen, die sich beim Abscheiden des Dielektrikums130 in diesem angelagert haben, zu gettern, um ein transientes Polarisationsverhalten durch Protonen zu minimieren und die Speicherzeit des resultierenden Kondensators150 zu erhöhen. - Die Funktion des TiO2 innerhalb des HfTiO2-Dielektrikums
130 besteht darin, die Potentialtopfverteilung innerhalb des Dielektrikums130 zu stören und transiente Polarisationseffekte durch das Dielektrikum zu reduzieren. -
- 10
- Messwertkurve
- 20
- Messwertkurve
- 30
- Messwertkurve
- 100
- Siliziumsubstrat
- 110
- Ausnehmung
- 120
- Innere Anschlusselektrode
- 130
- Dielektrikum
- 140
- Äußere Anschlusselektrode
- 150
- Kondensator
Claims (29)
- Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements, insbesondere eines DRAM-Halbleiterspeichers oder eines Feldeffekttransistors, bei dem mindestens ein Kondensator (
150 ) mit einem Dielektrikum (130 ) und zumindest einer Anschlusselektrode (120 ,140 ) hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Dielektrikum (130 ) oder die Anschlusselektrode (120 ,140 ) derart ausgebildet werden, dass transiente Polarisationseffekte verhindert, zumindest reduziert werden. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dem Dielektrikum (
130 ) ein Material hinzugefügt wird, das eine Gleichverteilung von Potentialtöpfen, insbesondere eine Gleichverteilung von Doppelpotentialtöpfen, innerhalb des Dielektrikums stört, zumindest reduziert. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass für mindestens eine der Anschlusselektroden (
140 ) ein Material gewählt wird, das Protonen des Dielektrikums (130 ) gettert. - Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein ternäres, quaternäres oder höheres Materialsystem mit mindestens folgenden Bestandteilen verwendet wird: – mindestens ein Oxid oder Nitrid eines Metalls aus der vierten Nebengruppe des Periodensystems oder mindestens ein leitfähiges Oxid und – mindestens ein Element aus der dritten oder vierten Hauptgruppe oder der fünften Nebengruppe des Periodensystems.
- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein Hf-Ti-Oxid, ein Hf-Ti-Nitrid, ein Zr-Ti- Oxid oder ein Zr-Ti-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein HfxAlyTiz-Oxid, ein HfxAlyTiz-Nitrid, ein HfxSiyTiz-Oxid, ein HfxSiyTiz-Nitrid, ein ZrxAlyTiz-Oxid, ein ZrxAlyTiz-Nitrid, ein ZrxSiyTiz-Oxid oder ein ZrxSiyTiz-Nitrid verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein Hf-Ta-Oxid, ein Hf-Ta-Nitrid, ein Zr-Ta-Oxid oder ein Zr-Ta-Nitrid mit einer Beimischung aus Aluminium oder Silizium verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein HfxAlyTaz-Oxid, ein HfxAlyTaz-Nitrid, ein HfxSiyTaz-Oxid, ein HfxSiyTaz-Nitrid, ein ZrxAlyTaz-Oxid, ein ZrxAlyTaz-Nitrid, ein ZrxSiyTaz-Oxid oder ein ZrxSiyTaz-Nitrid verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum HfO2 verwendet wird, dem SiO2 oder TiO2 als die Gleichverteilung von Potentialtöpfen störendes Material zugemischt wird.
- Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum HfO2 verwendet wird, dem SiO2 und TiO2 zugemischt werden.
- Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Mischverhältnisse derart eingestellt werden, dass der Anteil des SiO2 maximal 90 %, vorzugsweise maximal 40 %, und der Anteil des TiO2 minimal 5 % beträgt.
- Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein Mischdielektrikum verwendet wird mit zumindest einem der folgenden Materialien: HfTaOx, HfAlOx, Ta TiOx, AlTiOx, ZrTaOx, ZrAlOx, HfZrOx, ZrSiOx, ZrTiAl.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Dielektrikum verwendet wird, das ZrTiOx enthält oder daraus besteht.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Dielektrikum ein Metalloxid verwendet wird und dass dem Metalloxid ein Lanthanoid zugemischt wird.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass als Metalloxid HfO2, Al2O3, TiO2, ZrO2 oder Ta2O5 verwendet wird.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Anschlusselektrode aus einem Material hergestellt wird, das ein Element der achten Nebengruppe des Periodensystems enthält.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Anschlusselektrode aus einem Material hergestellt wird, das HfN, TiN, Ruthenium, Iridium, NbN oder TaN enthält.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Anschlusselektroden aus demselben Material hergestellt werden.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Anschlusselektroden aus TaN und das Dielektrikum aus HfTiOx hergestellt werden.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Anschlusselektroden aus TiN und das Dielektrikum aus HfTiOx hergestellt werden.
- Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Anschlusselektroden aus Ruthenium oder Iridium und das Dielektrikum aus HfTiOx hergestellt werden.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Anschlusselektroden (
120 ,140 ) aus unterschiedlichem Material hergestellt werden. - Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anschlusselektrode (
120 ) aus TiN und die andere Anschlusselektrode (140 ) aus Ruthenium oder Iridium und das Dielektrikum aus HfTiOx, HfSiOx oder HfO2 gebildet werden. - Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anschlusselektrode aus TaN und die andere Anschlusselektrode aus Ruthenium oder Iridium und das Dielektrikum aus HfTiOx gebildet werden.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine innere Anschlusselektrode (
120 ) des Kondensators (150 ) aus TiN und eine obere Elektrode (140 ) aus Ruthenium oder Iridium hergestellt wird und als Dielektrikum (150 ) HfTiO2 verwendet wird. - Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (
150 ) in einer in einem Siliziumsubstrat (100 ) eingebrachten Vertiefung (110 ) oder auf einem Siliziumsubstrat gebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator als Graben- oder Schichtkondensator gebildet wird.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine DRAM-Speicherzelle mit zumindest einem Kondensator mit einer Strukturbreite unter 60 nm hergestellt wird.
- Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Feldeffekttransistor hergestellt wird, bei dem das Dielektrikum das Gate-Dielektrikum und die Anschlusselektrode den Gate-Anschluss bilden.
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