DE10125374C1 - Gehäuse für einen elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Gehäuse für einen elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchip und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Abstract
In einem Verfahren zur Herstellung eines Keramikgehäuses (1) wird zunächst ein Keramikgrundkörper (4) aus einem Keramikboden (2) und aus Seitenteilen (3) hergestellt. Anschließend wird aud den Keramikgrundkörper (4) ein Metallrahmen (7) aufgebracht und ein Fenster (11) auf eine Seitenöffnung (6) aufgelötet. Das Keramikgehäuse (1) wird nach Einbringen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips in den Keramikgrundkörper (4) mit einem Metalldeckel (12) verschlossen.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Gehäuses für einen elektromagnetische Strahlung emittierenden
Halbleiterchip.
Die Erfindung betrifft ferner ein Gehäuse für einen elektro
magnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchip mit einem
trogförmigen Keramikgrundkörper.
Derartige Keramikgehäuse sind allgemein bekannt. Gegenüber
Kunststoffgehäusen bieten sie den Vorteil, daß sie sowohl ge
gen tiefe als auch hohe Temperaturen beständig sind. Während
Kunststoffgehäuse bei tiefen Temperaturen verspröden und bei
hohen Temperaturen aufweichen, treten bei Keramikgehäusen so
gut wie keine Veränderungen der Materialeigenschaften auf.
Keramikgehäuse für Halbleiterchips sind in einer Vielzahl von
Ausgestaltungen erhältlich. Bei sogenannten LCC-Keramikge
häusen ("Leadless Chip Carrier") sind beispielsweise am Ge
häuse keine nach draußen führenden Kontaktstifte angebracht.
Diese Art von Gehäuse ist vielmehr für die SMD-Technik ausge
bildet.
In WO 87/02 833 A1 liegt ein Multilayergehäuse mit einer Tro
göffnung vor, dessen nichtleitendes Gehäuse eine seitliche
Öffnung aufweist. Die seitliche Öffnung kann eine optische
Faser aufnehmen. Mit einer schmelzbaren metallischen Schicht
als oberster Schicht des Gehäuses ist vorgesehen, die Trog
öffnung beispielsweise mit einem Deckel hermetisch zu ver
schließen.
In JP 61-13 677 A (abstract) wird ein Verfahren zur Herstel
lung von Halbleitergehäusen beschrieben. Die Gehäuse mit einer
Seitenöffnung zur Aufnahme optischer Fasern werden durch
Laminieren von Keramiklagen mit Aussparungen und Kerben und
anschließendes Zuschneiden gefertigt.
Bislang sind jedoch keine Keramikgehäuse für elektromagneti
sche Strahlung emittierende Halbleiterchips bekannt, deren
Seitenwände für Licht großflächig transparent sind. Solche
Keramikgehäuse werden aber benötigt, wenn mehrere optisch ak
tive Halbleiterchips, wie beispielsweise Halbleiterlaser, in
einem Keramikgehäuse angeordnet werden sollen. Denn in diesem
Fall muß das Licht von jedem optisch aktiven Bauelement aus
durch die Seitenwand des Keramikgehäuses hindurchtreten kön
nen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung
die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Kera
mikgehäusen mit einem Fenster in einer Seitenwand anzugeben
und ein für elektromagnetische Strahlung emittierende Halb
leiterchips geeignetes Keramikgehäuse zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit
den folgenden Verfahrensschritten gelöst:
- - Bereitstellen eines trogförmigen Keramikgrundkörpers mit einer Trogöffnung, in dessen einer Seitenwand von der Tro göffnung her eine Seitenöffnung ausgebildet ist;
- - Ausbilden einer die Seitenöffnung umschließenden Befesti gungsfläche für ein Fenster durch Anbringen eines die Tro göffnung von der Seitenöffnung trennenden Metallteils auf dem Keramikgrundkörper; und
- - Anbringen des Fensters auf der Befestigungsfläche.
Ein Gehäuse gemäß der Erfindung weist einen trogförmigen Ke
ramikgrundkörper auf, in dessen einer Seitenwand eine Sei
tenöffnung ausgebildet ist, die von der Trogöffnung durch ein
Metallteil getrennt ist, das zusammen mit Rändern des Kera
mikgrundkörpers eine Befestigungsfläche bildet, auf der ein
Fenster angebracht ist.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird zunächst der Kera
mikgrundkörper ausgebildet. Dieser Keramikgrundkörper weist
keine freitragenden keramische Teile mit geringer Material
stärke auf. Der Keramikgrundkörper weist daher eine große Fe
stigkeit und Robustheit auf.
Der Rahmen für das Fenster wird von den die Seitenöffnung um
gebenden Rändern des Keramikgrundkörpers und von dem Metall
teil gebildet, das nach der Herstellung des Keramikgrundkör
pers auf diesen aufgebracht wird. Auf diese Weise wird in ei
ner Seitenwand eine rahmenförmige Befestigungsfläche ausge
bildet, ohne daß am Keramikgrundkörper freitragende kerami
sche Teile mit geringer Materialstärke vorhanden sind oder
für das Gehäuse eine große Bauhöhe gewählt werden muß. Außer
dem läßt sich das Metallteil mit Hilfe von herkömmlichen Löt
prozessen am Keramikgrundkörper befestigen. Es ist daher ohne
zusätzlichen Aufwand mit den üblichen Prozessen der Halblei
terindustrie herstellbar.
Nach einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird für
das Metallteil ein um die Trogöffnung umlaufender Metallrah
men verwendet.
Durch den Metallrahmen können elektromagnetische Strahlung
emittierende Halbleiterchips in das Keramikgehäuse einge
bracht und dort gebondet werden. Anschließend kann auf den
Metallrahmen ein Metalldeckel aufgelegt und mit dem Metall
rahmen verlötet werden, so daß sich ein hermetisch dichtes
Gehäuse für die elektromagnetische Strahlung emittierenden
Halbleiterchips ergibt.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Ge
genstand der abhängigen Ansprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung im einzelnen anhand der beige
fügten Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Explosionsansicht eines Keramikgehäuses;
Fig. 2a bis c aufeinanderfolgende Verfahrensschritte bei
der Herstellung des Keramikgehäuses; und
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein Keramikgehäuse
gemäß der Erfindung.
Das Keramikgehäuse 1 aus Fig. 1 weist einen Keramikboden 2
auf. Die Seitenwände des Keramikgehäuses 1 werden von aufein
andergestapelten U-förmigen Seitenteilen 3 gebildet. Der Ke
ramikboden 2 und die Seitenteile 3 bilden zusammen einen Ke
ramikgrundkörper 4, der insbesondere in den Fig. 2a bis 2c
deutlich erkennbar ist. Der Keramikgrundkörper 4 wird herge
stellt, indem die Seitenteile 3 auf den Keramikboden 2 gesta
pelt werden und indem anschließend der Keramikboden 2 zusam
men mit den Seitenteilen 3 zu dem Keramikgrundkörper 4 gesin
tert wird. Dieses Verfahren ist dem Fachmann bekannt und
nicht Gegenstand der Erfindung.
Der Keramikgrundkörper 4 weist eine trogförmige Gestalt mit
einer Trogöffnung 5 auf. Aufgrund der U-förmigen Gestalt der
Seitenteile 3 verfügt der Keramikgrundkörper auch über eine
Seitenöffnung 6, die durch einen die Trogöffnung 5 umschlie
ßenden Metallrahmen 7, der auf den Keramikgrundkörper 4 auf
gebracht ist, von der Trogöffnung 5 getrennt ist. Auf einer
von einer Vorderseite 8 des Keramikbodens 2, von Vorderseiten
der Seitenteile 3 und einer Vorderseite 10 des Metallrahmens
7 gebildeten Befestigungsfläche ist ein Fenster 11 ange
bracht. Der Verschluß des Keramikgehäuses 1 erfolgt schließ
lich durch einen am Metallrahmen 7 angebrachten Metalldeckel
12.
Das Verfahren zur Herstellung des Keramikgehäuses 1 wird
nachfolgend im einzelnen anhand der Fig. 2a bis 2c erläu
tert.
Zunächst wird der Keramikgrundkörper 4 hergestellt, indem die
Seitenteile 3 auf den Keramikboden 2 aufgebracht werden. An
schließend werden der Keramikboden 2 und die Seitenteile 3
zusammen zu dem Keramikgrundkörper 4 gesintert. Anschließend
wird auf den Keramikgrundkörper 4 der Metallrahmen 7 aufgelö
tet. Dazu eignet sich insbesondere eines der üblichen Hartlo
te. Derartige Hartlote sind dem Fachmann bekannt und sind
nicht Gegenstand der Erfindung.
Daraufhin wird die Seitenöffnung 6 durch das Fenster 11 her
metisch dicht verschlossen. Dies kann entweder mit Hilfe von
Glaslot erfolgen oder mit Hilfe von Metalloten, wobei in die
sem Fall das Fenster an den auf der Befestigungsfläche aufliegenden
Stellen mit einer Metallschicht versehen sein muß,
um zu gewährleisten, daß das Metallot das Fenster 11 benetzt.
Das Fenster 11 ist typischerweise aus einem Glas hergestellt,
dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient an den thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des Keramikgrundkörpers 4 angepaßt
ist. Kommerziell erhältliche Glassorten weisen Ausdehnungs
koeffizienten zwischen 0,5 und 20 × 10-6/°C auf. Es ist da
her gut möglich, den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des
Fensters 11 an den Ausdehnungskoeffizienten des Keramikgrund
körpers 4 anzupassen, denn bei einer Keramik auf der Basis
von Al2O3 liegt der thermische Ausdehnungskoeffizient bei
spielsweise zwischen 6-6,5 × 10-6/°C.
Das Fenster 11 kann auch mit einer Antireflexionsschicht oder
einer Filterschicht beschichtet sein. Ferner ist es möglich,
im Fenster 11 Linsen oder auch Führungen oder Flansche für
Lichtwellenleiter auszubilden.
Nach dem Anlöten des Fensters 11 kann in den Keramikgrundkör
per ein elektromagnetische Strahlung emittierender Halblei
terchip 13 eingebracht und dort beispielsweise mit Hilfe von
Golddrähten 14 gebondet werden. Anschließend kann der Metall
deckel 12 auf den Metallrahmen 7 aufgelötet werden. Dadurch
ergibt sich ein hermetisch dichtes Gehäuse, das über den Ke
ramikgrundkörpers 4 eine im Vergleich zu Kunststoffgehäusen
bessere Wärmeableitung aufweist.
Auf dem Keramikboden 2 können auch Leiterbahnen ausgebildet
sein, die zu nicht dargestellten Kontakten auf der Unterseite
des Keramikbodens 2 führen. Bei einer abgewandelten Ausfüh
rungsform sind beispielsweise am Keramikboden zwei Kontakt
stifte angebracht, die es gestatten, das Keramikgehäuse 1 in
eine Leiterplatte einzulöten.
Bei dem Halbleiterchip 13 kann es sich beispielsweise um ei
nen Laserbarren handeln. Auch ein derartiger breiter Laserbarren
kann durch das ausgedehnte Fenster 11 Licht 15 emit
tieren.
Demnach eignet sich das Keramikgehäuse für Anwendungen in der
Automobiltechnik, beispielsweise zur Aufnahme von gepulsten
Laserbarren, oder für Anwendungen in der Drucktechnik, da in
beiden Umgebungen jeweils hohe Temperaturschwankungen auftre
ten können, gegen die das Keramikgehäuse 1 unempfindlich ist.
Außerdem ist die Maßhaltigkeit des Keramikgehäuses 1 von be
sonderem Vorteil. Eine besonders gute Maßhaltigkeit des Kera
mikgehäuses und des darin eingebrachten Halbleiterchips 13
ergibt sich, wenn der Halbleiterchip 13 auf der Basis eines
III-V-Verbindungshalbleiters hergestellt ist, für die Keramik
Material auf der Basis von Al2O3 verwendet wird und ein an
den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Keramik angepaß
tes Glas sowie ein an die Keramik angepaßter Deckel, bei
spielsweise aus Kovar, ausgewählt wird.
Schließlich ist auch die besondere Dichtigkeit des Keramikge
häuses gemäß der Erfindung hervorzuheben, die das Keramikge
häuse 1 ebenfalls für Anwendungen in schmutzbehafteten Umge
bungen geeignet erscheinen läßt.
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (1) für elek
tromagnetische Strahlung emittierende Halbleiterchips (13)
mit folgenden Verfahrensschritten:
- - Bereitstellen eines trogförmigen Keramikgrundkörpers (4) mit einer Trogöffnung (5), in dessen einer Seitenwand (3) von der Trogöffnung (5) her eine Seitenöffnung (6) ausge bildet ist,
- - Ausbilden einer die Seitenöffnung (6) umschließenden Befe stigungsfläche (8, 9, 10) für ein Fenster (11) durch An bringen eines die Trogöffnung (5) von der Seitenöffnung (6) trennenden Metallteils (7) auf dem Keramikgrundkörper (4); und
- - Anbringen des Fensters (11) auf der Befestigungsfläche (8, 9, 10).
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem zunächst ein Boden (2) aus keramischem Material be
reitgestellt wird, auf den Seitenwände (3) aufgesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
bei dem die Seitenwände von U-förmigen, aufeinandergestapel
ten Streifen (3) gebildet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3,
bei dem der Keramikgrundkörper (4) vor dem Aufbringen des Me
tallteils (7) gesintert wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem das Fenster (11) am Keramikgrundkörper (4) und am Me
tallteil (7) angelötet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
bei dem für den Lötvorgang ein Glaslot verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5,
bei dem das Fenster (11) mit einer Metallschicht beschichtet
wird und mit Hilfe eines Metallots angelötet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei dem als Metallteil ein Metallrahmen (7) verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
bei dem durch die Öffnung (5) des Metallrahmens (7) hindurch
der elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiterchip
(13) in das Gehäuse eingebracht und dann der Metallrahmen (7)
durch Auflöten eines Metalldeckels (12) geschlossen wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
bei dem der elektromagnetische Strahlung emittierende Halb
leiterchip (13) auf der Basis eines III-V-
Verbindungshalbleiters und die Keramik auf der Basis von
Al2O3 hergestellt wird, wobei für das Fenster Glas mit einem
thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen 6 und 8 × 10-6/
°C verwendet wird.
11. Gehäuse für einen elektromagnetische Strahlung emittie
renden Halbleiterchip mit einem trogförmigen Keramikgrundkör
per (4), in dessen einer Seitenwand (3) eine Seitenöffnung
(6) ausgebildet ist, die von der Trogöffnung (5) durch ein
Metallteil (7) getrennt ist, das zusammen mit Rändern (8, 9,
10) des Keramikgrundkörpers (4) eine Befestigungsfläche bil
det, auf der ein Fenster (11) angebracht ist.
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