JPS6113677A - 光半導体用パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
光半導体用パツケ−ジの製造方法Info
- Publication number
- JPS6113677A JPS6113677A JP59134927A JP13492784A JPS6113677A JP S6113677 A JPS6113677 A JP S6113677A JP 59134927 A JP59134927 A JP 59134927A JP 13492784 A JP13492784 A JP 13492784A JP S6113677 A JPS6113677 A JP S6113677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic green
- optical semiconductor
- laminate
- green sheets
- spaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光半導体用パッケージの製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、光通信に使用される電気信号を光信号に変換する
レーザーダイオードや光信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード等は第２図に示すような光半導体用パッケ
ージに収納されている。この従来の光半導体用パッケー
ジは、セラミック。
レーザーダイオードや光信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード等は第２図に示すような光半導体用パッケ
ージに収納されている。この従来の光半導体用パッケー
ジは、セラミック。
ガラス等電気絶縁材料から成り、その略中夫に光半導体
素子４を収納するための凹部Ｘ及び該凹部Ｘに光ファイ
バー５を挿入させるための貫通孔Ｈを有する絶縁基体１
と、光半導体素子４を外部回路に電気的に接続するため
の外部リード端子２と、蓋体３とから構成されており、
絶縁基体１の凹部Ｘ底面に光半導体素子４を取着し９貫
通孔１１に光ファイバー５を気密に挿着するとともに蓋
体３をガラス、樹脂等の封止部材６を介し接合させるこ
とにより光半導体素子４を気密に封止し光半導体装置と
なる。
素子４を収納するための凹部Ｘ及び該凹部Ｘに光ファイ
バー５を挿入させるための貫通孔Ｈを有する絶縁基体１
と、光半導体素子４を外部回路に電気的に接続するため
の外部リード端子２と、蓋体３とから構成されており、
絶縁基体１の凹部Ｘ底面に光半導体素子４を取着し９貫
通孔１１に光ファイバー５を気密に挿着するとともに蓋
体３をガラス、樹脂等の封止部材６を介し接合させるこ
とにより光半導体素子４を気密に封止し光半導体装置と
なる。
かかる光半導体用パッケージにおいては絶縁基体１は通
常、アルミナ（Ａ１１０．ｚ ）等のセラミック粉末を
従来周知のプレス成形法により加圧成形し、中央部に光
半導体素子を収納するための凹部を有する生セラミツク
体を得９次にこれを約１４００〜１６００℃の温度で焼
成して焼結体と成すとともに該焼結体の側面にレーザー
光線のエネルギーを利用したレーザードリルにより中央
凹部に通じる貫通孔Ｈを穿設することによって形成され
ている。
常、アルミナ（Ａ１１０．ｚ ）等のセラミック粉末を
従来周知のプレス成形法により加圧成形し、中央部に光
半導体素子を収納するための凹部を有する生セラミツク
体を得９次にこれを約１４００〜１６００℃の温度で焼
成して焼結体と成すとともに該焼結体の側面にレーザー
光線のエネルギーを利用したレーザードリルにより中央
凹部に通じる貫通孔Ｈを穿設することによって形成され
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この従来の光半導体用パッケージは、絶
縁基体１の光ファイバー５を挿着するためのＮ通孔１■
がレーザードリルにより穿設されており、該貫通孔Ｈの
穿設に長時間を要するとともに１個づづしか形成できな
いことから、量産性が極めて悪り、更にはレーザードリ
ルが極めて高価であることから製品としての光半導体用
パッケージを高コストとする欠点を有していた。
縁基体１の光ファイバー５を挿着するためのＮ通孔１■
がレーザードリルにより穿設されており、該貫通孔Ｈの
穿設に長時間を要するとともに１個づづしか形成できな
いことから、量産性が極めて悪り、更にはレーザードリ
ルが極めて高価であることから製品としての光半導体用
パッケージを高コストとする欠点を有していた。
（発明の目的）
従って５本発明の目的は量産性に冨み安価で。
かつ光半導体素子をに期間にわたり安定に作動させるこ
とかできる高信頼性の光半導体用パッケージの製造方法
を提供することにある。
とかできる高信頼性の光半導体用パッケージの製造方法
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光半導体用パッケージの製造方法は。
（イ）少なくとも一枚のセラミックグリーンシートに光
半導体素子を収納するための空所を形成する工程と、（
ロ）少なくとも一枚のセラミックグリーンシートに光半
導体素子を収納するための空所及び該空所に光ファイバ
ーを挿通する貫通孔のための切欠部を形成する工程と、
（ハ）前記セラミックグリーンシートのそれぞれを光半
導体素子を取着するためのセラミックグリーンシート上
に積層し、セラミックグリーンシートの積層体を形成す
るとともに該積層体をその側面に貫通孔が表われるよう
に切断する工程と、 （ニ）前記積層体を焼成し、焼結
一体化する工程とから成ることを特徴とする。
半導体素子を収納するための空所を形成する工程と、（
ロ）少なくとも一枚のセラミックグリーンシートに光半
導体素子を収納するための空所及び該空所に光ファイバ
ーを挿通する貫通孔のための切欠部を形成する工程と、
（ハ）前記セラミックグリーンシートのそれぞれを光半
導体素子を取着するためのセラミックグリーンシート上
に積層し、セラミックグリーンシートの積層体を形成す
るとともに該積層体をその側面に貫通孔が表われるよう
に切断する工程と、 （ニ）前記積層体を焼成し、焼結
一体化する工程とから成ることを特徴とする。
（発明の実施例）
以下９本発明を添付の第１図に示す実施例に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
第１図（ａ）は２本発明の光半導体用パッケージの製造
工程を示す分解斜視図であり、 １０ａ〜１０ｄはセ
ラミックグリーンシートである。
工程を示す分解斜視図であり、 １０ａ〜１０ｄはセ
ラミックグリーンシートである。
前記セラミックグリーンシート１０ａ〜１０ｄは。
例えばアルミナ（八ＩｚＯｓ）＋フォルレステライト
（２ＭｇＯ・５ｉＯＪ） ＋ムライト（３Ａ１．０．・
２Ｓ＋Ｏ：Ｌ） ＋ベリリア（ＢｅＯ）等から成り、セ
ラミック粉末に適当な焼結助剤や有機結合剤を添加して
泥漿物と成すとともに従来周知のドクターブレード法を
採用することによりシート状に形成される。
（２ＭｇＯ・５ｉＯＪ） ＋ムライト（３Ａ１．０．・
２Ｓ＋Ｏ：Ｌ） ＋ベリリア（ＢｅＯ）等から成り、セ
ラミック粉末に適当な焼結助剤や有機結合剤を添加して
泥漿物と成すとともに従来周知のドクターブレード法を
採用することによりシート状に形成される。
前記セラミックグリーンシート１０ａには、光半導体素
子（不図示）を収納するための空所へが４個従来周知の
打抜加工法により形成されており。
子（不図示）を収納するための空所へが４個従来周知の
打抜加工法により形成されており。
またセラミックグリーンシート１０ｂ及び１０ｃに、は
光半導体素子を収納するための空所Ｂ及び該空所Ｂに光
ファイバーを挿通する貫通孔のための切欠部Ｃが４個従
来周知の打抜加工法により同時に形成されている。
光半導体素子を収納するための空所Ｂ及び該空所Ｂに光
ファイバーを挿通する貫通孔のための切欠部Ｃが４個従
来周知の打抜加工法により同時に形成されている。
前記セラミックグリーンシート１０ｈ 、 Ｉｎｃの空
所Ｂに形成した切欠部Ｃは矩形状を成し、かつその幅が
光ファイバーの径に対応した大きさを有している。
所Ｂに形成した切欠部Ｃは矩形状を成し、かつその幅が
光ファイバーの径に対応した大きさを有している。
この切欠部Ｃは光ファイバーを光半導体用パッケージの
凹部に挿入させるための貫通孔として作用する。
凹部に挿入させるための貫通孔として作用する。
尚、前記セラミックグリーンシート１０ａの空所へは後
述するセラミックグリーンシート１０ｂの上面に形成し
た導体パターン１８の一部を露出さすためにセラミック
グリーンシート１０ｂ 、１０ｃの空所Ｂよりも多少大
きく形成されている。
述するセラミックグリーンシート１０ｂの上面に形成し
た導体パターン１８の一部を露出さすためにセラミック
グリーンシート１０ｂ 、１０ｃの空所Ｂよりも多少大
きく形成されている。
また、前記セラミックグリーンシート１０ｂ及び１０ｄ
の表面には光半導体素子を外部回路と接続するためある
いは光半導体素子を取着するため等の導体パターン１８
．１９がそれぞれ形成されており。
の表面には光半導体素子を外部回路と接続するためある
いは光半導体素子を取着するため等の導体パターン１８
．１９がそれぞれ形成されており。
該導体パターン１８．１９はタングステン（Ｗ）やモリ
ブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に有機バインダー及
び溶剤を添加してペースト状となしたものを例えばスク
リーン印刷法等により印刷塗布することによってセラミ
ックグリーンシート１０ａ及び１０ｄ上面に形成される
。
ブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に有機バインダー及
び溶剤を添加してペースト状となしたものを例えばスク
リーン印刷法等により印刷塗布することによってセラミ
ックグリーンシート１０ａ及び１０ｄ上面に形成される
。
６一
次に、前記セラミックグリーンシートｌＯａ〜１０Ｃは
、光半導体素子を取着するためのセラミックグリーンシ
ー１−１０ｄ上に、内部に光半導体素子を収納するため
の四部を形成するようにまた該凹部に通じる貫通孔が形
成されるように順次位置合わせをして積層され約５０〜
１５０℃の温度でホントプレスされてセラミックグリー
ンシート１０ａ〜ＩＯｄの積層体が形成される。
、光半導体素子を取着するためのセラミックグリーンシ
ー１−１０ｄ上に、内部に光半導体素子を収納するため
の四部を形成するようにまた該凹部に通じる貫通孔が形
成されるように順次位置合わせをして積層され約５０〜
１５０℃の温度でホントプレスされてセラミックグリー
ンシート１０ａ〜ＩＯｄの積層体が形成される。
次に、このセラミックグリーンシートの積層体は、前記
空所へ１口の外周部に沿って、かつ空所Ｂの切欠部Ｃを
縦断するように、即ち側面に貫通孔が表れるように、プ
レス切断機により切断され。
空所へ１口の外周部に沿って、かつ空所Ｂの切欠部Ｃを
縦断するように、即ち側面に貫通孔が表れるように、プ
レス切断機により切断され。
最終製品である光半導体用パッケージに対応した形状の
積層体に分割される。これにより分割された積層体１１
は内部に形成された四部と外部とが貫通孔Ｈを介して連
通ずることとなり光ファイバーを外部より積層体１１の
内部凹部に挿入することが可能となる（第１図（ｂ）参
照）。
積層体に分割される。これにより分割された積層体１１
は内部に形成された四部と外部とが貫通孔Ｈを介して連
通ずることとなり光ファイバーを外部より積層体１１の
内部凹部に挿入することが可能となる（第１図（ｂ）参
照）。
尚１貫通孔１（はセラミックグリーンシートに光半導体
素子を収納するための空所を形成する際に同時に切欠部
を形成し、これを積層するだけで形成できることから製
造工程が極めて簡単でかつ量産性にすぐれている。
素子を収納するための空所を形成する際に同時に切欠部
を形成し、これを積層するだけで形成できることから製
造工程が極めて簡単でかつ量産性にすぐれている。
前記分割された積層体１１は次に非酸化雰囲気。
例えば湿分含有水素雰囲気下にて１４００〜１６００℃
の温度で加熱焼成され焼結一体化されて最終製品である
光半導体用パッケージの絶縁基体１２が形成され、最後
に必要に応じて外部リード端子が銀ロウ材等のロウ材を
介しロウ付されて光半導体用パッケージが完成する。
の温度で加熱焼成され焼結一体化されて最終製品である
光半導体用パッケージの絶縁基体１２が形成され、最後
に必要に応じて外部リード端子が銀ロウ材等のロウ材を
介しロウ付されて光半導体用パッケージが完成する。
尚、前記絶縁基体１２はその貫通孔に光ファイバーを保
持するためのコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−Ｇｏ）や４２Ａｌ
ｌｏｙ等から成る保持具を取着しておいてもよい。
持するためのコバール（Ｐｅ−Ｎｉ−Ｇｏ）や４２Ａｌ
ｌｏｙ等から成る保持具を取着しておいてもよい。
（発明の効果）
かくして本発明の光半導体用パッケージの製造方法によ
れば、光半導体素子を収納するための空所及び該空所に
貫通孔のための切欠部を形成した複数のセラミックグリ
ーンシートを積層するとともに該積層体を側面に貫通孔
が表れるように切断するという極めて簡単な作業で光フ
ァイバーが挿着される貫通孔を有する光半導体用パッケ
ージを同時に多数個形成することができ、低コスト、高
信頼性の光半導体用パンケージを得ることができる。
れば、光半導体素子を収納するための空所及び該空所に
貫通孔のための切欠部を形成した複数のセラミックグリ
ーンシートを積層するとともに該積層体を側面に貫通孔
が表れるように切断するという極めて簡単な作業で光フ
ァイバーが挿着される貫通孔を有する光半導体用パッケ
ージを同時に多数個形成することができ、低コスト、高
信頼性の光半導体用パンケージを得ることができる。
第１図（ａ）、（’ｂ）は本発明の光半導体用パッケー
ジの製造工程を示す斜視図、第２図は従来の光半導体用
パッケージの断面図である。 １．１２・・絶縁基体 ２・・外部リード端子１０ａ〜
１０ｄ ・・セラミックグリーンシート八、Ｂ・・空所
Ｃ・・切欠部 ■・・貫通孔
ジの製造工程を示す斜視図、第２図は従来の光半導体用
パッケージの断面図である。 １．１２・・絶縁基体 ２・・外部リード端子１０ａ〜
１０ｄ ・・セラミックグリーンシート八、Ｂ・・空所
Ｃ・・切欠部 ■・・貫通孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （イ）少なくとも一枚のセラミックグリーンシートに光
半導体素子を収納するための空所を形成する工程と、 （ロ）少なくとも一枚のセラミックグリーンシートに光
半導体素子を収納するための空所及び該空所に光ファイ
バーを挿通する貫通孔のための切欠部を形成する工程と
、 （ハ）前記セラミックグリーンシートのそれぞれを光半
導体素子を取着するためのセラミックグリーンシート上
に積層し、セラミックグリーンシートの積層体を形成す
るとともに該積層体をその側面に貫通孔が表われるよう
に切断する工程と、 （ニ）前記積層体を焼成し、焼結一体化する工程とから
成る光半導体用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134927A JPS6113677A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光半導体用パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134927A JPS6113677A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光半導体用パツケ−ジの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113677A true JPS6113677A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15139797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59134927A Pending JPS6113677A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 光半導体用パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159311A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置 |
| US7115962B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-10-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for a photoactive semiconductor chip and a method for the production thereof |
| JP2018088556A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-06-07 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59134927A patent/JPS6113677A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115962B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-10-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for a photoactive semiconductor chip and a method for the production thereof |
| JP2005159311A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置 |
| JP2018088556A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-06-07 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置 |
| US10862264B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-12-08 | Kyocera Corporation | Light-emitting element housing member, array member, and light-emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4445274A (en) | Method of manufacturing a ceramic structural body | |
| US5168344A (en) | Ceramic electronic package design | |
| US5276963A (en) | Process for obtaining side metallization and articles produced thereby | |
| JPS6312383B2 (ja) | ||
| JPS6113677A (ja) | 光半導体用パツケ−ジの製造方法 | |
| US3748544A (en) | Laminated ceramic high-frequency semiconductor package | |
| JP3426717B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH1174619A (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3488826B2 (ja) | 配線基板用多数個取り基板 | |
| JP3330104B2 (ja) | 多数個取りセラミック配線基板の製造方法 | |
| JP2784131B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| JP4771588B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| CN111801857A (zh) | 发光元件搭载用基板以及发光装置 | |
| JP4142827B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
| JP2000294667A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JP2514094Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケ―ジ | |
| JPS6316644A (ja) | 半導体素子収納用パツケ−ジの製造法 | |
| JP2678489B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS62281359A (ja) | セラミツク配線基板の製造法 | |
| JP3176267B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2853599B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3670523B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ | |
| KR930002663B1 (ko) | 세라믹 팩키지의 제조방법 | |
| JPH10135762A (ja) | 圧電振動子収納用パッケージ | |
| JP4746376B2 (ja) | セラミック多層基板及びその製造方法 |