DE10108081A1 - Anordnung eines Halbleiterchips auf einem Substrat - Google Patents
Anordnung eines Halbleiterchips auf einem SubstratInfo
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Abstract
Die Kontaktflächen (3) des Halbleiterchips (1) und des Substrates sind einander gegenüberliegend angeordnet und elektrisch leitend miteinander verbunden, wobei der Abstand zwischen den Kontaktflächen weniger als 10 mum beträgt. Bei bevorzugten Ausführungsformen ist dieser Abstand nur typisch 2 mum, was mit dem Verfahren der Diffusionslöttechnik (SOLED) hergestellt werden kann. Zur Verbindung von Halbleiterchip und Substrat können weitere Metallflächen (2) vorhanden sein.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung eines Halb
leiterchips auf einem als Chipträger vorgesehenen Substrat.
Bei der Montage flexibler, d. h. bis auf weniger als 70 µm
gedünnter Halbleiterchips auf einem Chipträger aus Folie
kommt es beim Verbiegen des Folienträgers zu Scherspannungen.
Die Größe dieser Scherspannungen hängt von den jeweiligen
Dicken des Folienträgers, des Chips und einer in der Regel
schichtartigen Verbindungslage zwischen dem Chip und dem Sub
strat ab. Deren Eigenschaften, insbesondere ihre Elastizi
tätsmodule, bestimmen die Größe der Scherspannungen, die
selbstverständlich auch vom Krümmungsradius, d. h. von der
Stärke der Verbiegung abhängen.
Bei einem bestimmten Krümmungsradius ist die Zugspannung in
der konvexen Seite der Anordnung, bzw. die dazu korrespondie
rende Druckspannung in der konkaven Seite, um so größer, je
dicker der gesamte Schichtaufbau ist. Diese Spannungen ge
fährden den Halbleiterchip, besonders, wenn er auf der Seite
der auftretenden Zugspannung angeordnet ist; denn eine durch
Verbiegen hervorgerufene Zugspannung hält das monokristalline
Silizium des Chips besonders schlecht aus. Bei den herkömmli
chen Verfahren zur Verbindung des Halbleiterchips mit dem
Substrat beträgt die Dicke der Verbindungsschicht mehrere
10 µm, liegt also selbst im Bereich der Chip- und Substrat
dicken und erhöht damit maßgeblich die Scherspannung.
Dieses Problem kann teilweise behoben werden, indem die Di
mensionen des Halbleiterchips begrenzt werden, Klebe- oder
Vergussmassen zur Befestigung des Chips auf dem Chipträger
aus organischem Material verwendet werden oder das Substrat
durch eine ausreichende Dicke und eine geeignete Wahl des Ma
terials versteift wird.
Bei der Montage eines Halbleiterchips auf einem Chipträger
tritt außerdem das Problem auf, dass eine im Prinzip beliebi
ge Anzahl von Anschlusskontakten direkt mit entsprechenden
Kontakten auf dem Substrat verbunden werden müssen. Die Kon
taktflächen des Substrates sind durch Metallflächen gebildet,
die in einer entsprechend strukturierten Metallisierungs
schicht auf der Oberfläche des Substrates gebildet sind. Im
Zuge einer zunehmenden Miniaturisierung der Halbleiterchips
werden die Kontaktflächen drastisch verkleinert, wobei auch
die Abstände der Kontaktflächen untereinander erheblich redu
ziert werden. Bekannte Verfahren zur Flip-Chip-Montage erlau
ben es, die Abstände der Kontaktflächen auf bis zu 50 µm zu
reduzieren, und benutzen dazu sogenannte Interposer, das
heißt Zwischenlagen von typisch etwa 100 µm Dicke, um die
thermomechanische Fehlanpassung zwischen dem Chip und dem
Substrat zu überbrücken.
Die Grenze der Kontaktdichte, die mit den bekannten Verfahren
erreichbar ist, resultiert aus der großen Höhe der Anordnun
gen. Diese Höhe wird für erforderlich gehalten, um die oben
beschriebenen Scherspannungen abzubauen. Derartige Scherspan
nungen treten nicht nur infolge eines Verbiegens des Chipträ
gers auf, sondern auch aufgrund des unterschiedlichen thermi
schen Ausdehnungsverhaltens zwischen Substrat und Chip. Typi
scherweise wird ein Abstand zwischen dem Substrat und dem
Chip von 100 µm nicht unterschritten. Da die für die Kontak
tierung zwischen den Kontaktflächen und den Metallflächen des
Chipträgers verwendeten Lotkugeln mit einem isotropen Prozeß
erzeugt werden, können die Kontaktflächen auch nicht näher
als 100 µm seitlich zueinander platziert werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, anzugeben, wie ein
Halbleiterchip auf einem Substrat als Chipträger montiert
werden kann, so dass bei ausreichender Toleranz gegen Scher
spannungen eine hohe Kontaktdichte erreicht werden kann.
Diese Aufgabe wird mit der Anordnung eines Halbleiterchips
auf einem Substrat mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung sind die Kontaktflächen
des Halbleiterchips und des Substrates einander gegenüberlie
gend angeordnet und elektrisch leitend miteinander verbunden,
wobei der Abstand zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des
Halbleiterchips und der damit verbundenen Kontaktfläche des
Substrats weniger als 10 µm beträgt. Bei bevorzugten Ausfüh
rungsformen ist dieser Abstand nur höchstens halb so groß
oder besser nur höchstens ein Viertel so groß. Ein typischer
Abstand von 2 µm zwischen den Kontaktflächen bei gleichzeitig
hoher Kontaktdichte kann durch das Verfahren der Diffusions
löttechnik (SOLID), die an sich bekannt ist, erreicht werden.
Die erfindungsgemäße Anordnung mit einem geringen Abstand
zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des Halbleiterchips
und der damit verbundenen Kontaktfläche des Substrates ist
insbesondere vorteilhaft bei einer Verwendung eines dünnen,
flexiblen Halbleiterchips auf einem flexiblen Substrat, wie
zum Beispiel einer Folie. Aber auch bei starren Substraten
bietet ein geringer Abstand zwischen dem Halbleiterchip und
dem Substrat Vorteile. Es wurde in Versuchen nachgewiesen,
dass eine ganzflächige Verbindung von Chip und Substrat zu
einer zuverlässigen Kontaktierung führt, auch wenn der Ab
stand weniger als 10 µm beträgt und die Verbindungszone oder
Verbindungsschicht aus einem Material besteht, das kein pla
stisches Fließen ermöglicht, wie z. B. die intermetallischen
Phasen des Verbindungsmaterials, das beim Diffusionslöten
eingesetzt wird.
Um eine ganzflächige Verbindung zusätzlich zu den Kontaktflä
chen zu erreichen, kann der Chip mit dem Substrat verklebt
werden, oder es kann auf der Chipoberseite zusätzlich zu den
metallischen Kontaktflächen zumindest eine weitere Metallflä
che vorgesehen werden, die mit einer auf dem Substrat gegenüberliegend
angeordneten weiteren Metallfläche in demselben
Verfahrensschritt verlötet wird, in dem auch die Kontaktflä
chen elektrisch leitend miteinander verbunden werden. Das
kann durch das angegebene Verfahren des Diffusionslötens ge
schehen. Es werden so die elektrisch leitenden Verbindungen
zwischen den Kontaktflächen auf dem Chip und auf dem Substrat
hergestellt und gleichzeitig entsprechende Verbindungen zwi
schen den weiteren Metallflächen auf dem Substrat und dem
Chip, die nur für die mechanische Verbindung vorgesehen sind.
Dabei kommt es auf einen ausreichend großen Flächenanteil an,
in dem der Halbleiterchip und das Substrat miteinander ver
bunden sind. Bei hohen Kontaktdichten kann die Verbindungs
fläche, die durch diejenigen Metallflächen gebildet wird, die
für eine elektrische Verbindung vorgesehen sind, bereits ge
nügen, so dass es nicht erforderlich ist, dass weitere, nur
für die mechanische Verbindung vorgesehene Metallflächen vor
handen sind. Die seitlichen Abstände zwischen den Kontakten
und gegebenenfalls den weiteren Metallflächen müssen klein
sein, um eine zuverlässige und dauerhafte Verbindung zu er
reichen; bei der erfindungsgemäßen Anordnung lassen sich we
gen der geringen Schichtdicken der Kontakte und der Verbin
dungszone oder Verbindungsschicht minimale seitliche Abstände
realisieren. Falls eine weitere Metallfläche zur mechanischen
Verbindung vorhanden ist, kann diese weitere Metallfläche
auch als elektrische Verbindung oder Kontakt vorgesehen sein.
Es folgt eine genauere Beschreibung von Beispielen der erfin
dungsgemäßen Anordnung, die weitere Metallflächen aufweisen,
anhand der Fig. 1 bis 6.
Die Fig. 1 bis 3 zeigen verschiedene Ausgestaltungen für
eine Anordnung der Kontaktflächen und Metallflächen auf der
Chipoberseite.
Die Fig. 4 zeigt eine alternative Ausgestaltung der für eine
Verbindung vorgesehenen Metallfläche.
Die Fig. 5 zeigt eine Oberseite eines Substrates, das mit
Metallflächen zur Befestigung und Kontaktierung eines Chips
versehen ist.
Die Fig. 6 zeigt eine Anordnung mit einem Chip und einem
Substrat gemäß Fig. 5 im Querschnitt.
In Fig. 1 ist die Oberseite eines Chips 1 dargestellt, der
mit Kontaktflächen 3 für einen elektrischen Anschluss sowie
mit einer weiteren Metallfläche 2 für eine Verbindung mit dem
Substrat versehen ist. Diese Metallflächen können aus einer
Metallisierung strukturiert sein. Die Kontaktflächen 3 dienen
dem elektrischen Anschluss des Chips mit den entsprechenden
Kontaktflächen eines Substrats, auf das der Chip montiert
wird. Das Substrat weist ebenfalls eine weitere Metallfläche
auf, die der weiteren Metallfläche 2 des Chips gegenüberlie
gend angeordnet ist und für eine Verbindung damit vorgesehen
ist. Diese Verbindung kann in demselben Verfahrensschritt
hergestellt werden, in dem auch die elektrisch leitenden Ver
bindungen zwischen den Kontaktflächen 3 hergestellt werden.
Dafür ist z. B. das erwähnte Diffusionslöten geeignet. In
diesem Beispiel sind die Kontaktflächen 3 am Rand des Chips 1
angeordnet, während die Innenfläche der Chipoberseite groß
flächig mit der weiteren Metallfläche 2 versehen ist.
In Fig. 2 ist ein Beispiel gezeigt, bei dem auf der Obersei
te eines Chips 1 die für elektrischen Anschluss vorgesehenen
Kontaktflächen 3 in einem inneren Bereich der Oberseite ange
ordnet sind, während die weitere Metallfläche 2, die der me
chanischen Verbindung zum Substrat dient, diese Kontaktflä
chen 3 nach Art eines längs des Randes umlaufenden Stützrin
ges ausgebildet ist. In diesem Fall sind die Kontaktflächen 3
nicht frei von der Seite zugänglich und müssen gegen die wei
tere Metallfläche 2 isoliert angeschlossen werden. Das kann
z. B. durch eine Flip-Chip-Montage auf einem Substrat mit einer
gleichartigen Strukturierung einer auf der Oberseite an
gebrachten Metallisierung erfolgen.
In der Fig. 3 ist eine Möglichkeit angegeben, wie auch bei
Kontaktflächen 3, die am Rand des Chips 1 angeordnet sind,
die weitere Metallfläche 2, die der Verbindung des Chips mit
einem Substrat dient, bis an den Rand der Chipoberseite aus
gebildet werden kann. Die Kontaktflächen 3 sind hier in Aus
nehmungen der weiteren Metallfläche 2 angeordnet. Zwischen
den Kontaktflächen 3 ist die weitere Metallfläche 2 bis zum
Rand der Chipoberseite ausgebildet.
Die weitere Metallfläche kann grundsätzlich in jeder beliebi
gen Form gestaltet sein. Statt einer rechteckigen Ausgestal
tung wie in den Fig. 1 und 2 ist es sogar vorteilhaft,
diese Metallfläche 2 entsprechend der Fig. 4 mit abgeschräg
ten Ecken auszubilden. Der eingezeichnete Abstand 4 beträgt
typisch z. B. 100 µm. Statt dessen können die Ecken der wei
teren Metallflächen auch abgerundet sein. Es können ebenso
mehrere weitere Metallflächen vorhanden sein, die außerhalb
der von den Kontaktflächen 3 eingenommenen Bereiche angeord
net sind.
In der Fig. 5 ist die Oberseite eines Substrates 7 darge
stellt, auf der Kontaktflächen 3 und weitere Metallflächen 2
vorhanden sind und außerhalb der durch die Kontaktflächen und
die weiteren Metallflächen eingenommenen Bereiche eine Füll
schicht 5 vorhanden ist (Underfill), die vorzugsweise durch
eine Vergussmasse oder Klebemasse aus einem elastischen oder
zähen Polymerfilm gebildet ist. Durch diese Füllschicht 5
wird bewirkt, dass eine ganzflächige Verbindung zwischen dem
Chip und dem Substrat hergestellt wird. Die Bereiche der dem
Substrat zugewandten Oberfläche des Chips, auf denen sich
keine Metallflächen befinden, können auf diese Weise mit dem
Substrat verbunden werden oder statt dessen auch ohne mecha
nischen Kontakt zum Substrat frei zum Substrat verschiebbar
bleiben.
Bei Erwärmung dehnt sich der Chip mit 2 bis 3 ppm/K aus, das
Substrat aber mit 18 bis 20 ppm/K. Die resultierende Scher
spannung belastet die punktuellen Kontaktflächen 3, wobei die
Scherspannung eine Verformung der Lotkugeln bewirkt, die die
Spannung aufnehmen. Eine ganzflächige Verklebung von Chip und
Substrat durch ein Underfill mindert zusätzlich die Spannung.
Im Fall kleiner Kontaktflächen ist die punktuelle Belastung
der Anschlüsse aber noch größer und führt zum Abreißen der
Metallisierungen von Chip oder Substrat. Die erfindungsgemäße
Anordnung bietet daher einen praktikablen Ausweg, mit dem ei
ne dauerhafte Verbindung eines Halbleiterchips mit einem Sub
strat auch bei Verwendung extrem kleiner und sehr dicht zu
einander angeordneter Kontaktflächen möglich ist.
Die Fig. 6 zeigt die Anordnung mit einem Chip und einem Sub
strat entsprechend der Fig. 5 im Querschnitt. Der Chip 1 und
das Substrat 7 sind durch die Lötverbindungen 6 zwischen den
Kontaktflächen 3 und den weiteren Metallflächen 2 sowie mit
der Füllschicht 5 dauerhaft miteinander verbunden. Die Löt
verbindungen 6 definieren den Abstand 8 zwischen den mitein
ander verbundenen Kontaktflächen 3 bzw. weiteren Metallflä
chen 2.
Claims (8)
1. Anordnung eines Halbleiterchips auf einem Substrat, bei
der
der Halbleiterchip (1) und das Substrat (7) Kontaktflächen (3) aus Metall aufweisen,
der Halbleiterchip so zu dem Substrat hin ausgerichtet ist, dass einander zugeordnete Kontaktflächen des Halbleiterchips und des Substrates einander zugewandt sind, und
die einander zugeordneten Kontaktflächen elektrisch leitend miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (8) zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des Halbleiterchips und der damit verbundenen Kontaktfläche des Substrates weniger als 10 µm beträgt.
der Halbleiterchip (1) und das Substrat (7) Kontaktflächen (3) aus Metall aufweisen,
der Halbleiterchip so zu dem Substrat hin ausgerichtet ist, dass einander zugeordnete Kontaktflächen des Halbleiterchips und des Substrates einander zugewandt sind, und
die einander zugeordneten Kontaktflächen elektrisch leitend miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (8) zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des Halbleiterchips und der damit verbundenen Kontaktfläche des Substrates weniger als 10 µm beträgt.
2. Anordnung nach Anspruch 1, bei der
der Abstand zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des Halb
leiterchips und der damit verbundenen Kontaktfläche des Sub
strates weniger als 5 µm beträgt.
3. Anordnung nach Anspruch 1, bei der
der Abstand zwischen einer jeweiligen Kontaktfläche des Halb
leiterchips und der damit verbundenen Kontaktfläche des Sub
strates weniger als 2,5 µm beträgt.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der
das Substrat (7) eine Folie ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der
der Halbleiterchip (1) und das Substrat (7) einander gegen
überliegend angeordnete weitere Metallflächen (2) aufweisen,
die einen größeren Flächeninhalt besitzen als eine jeweilige
Kontaktfläche, und
diese weiteren Metallflächen dauerhaft miteinander verbunden
sind.
6. Anordnung nach Anspruch 5, bei der
die weiteren Metallflächen durch ein Lot dauerhaft miteinan
der verbunden sind.
7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, bei der
zwischen dem Halbleiterchip und dem Substrat außerhalb der
durch die Kontaktflächen (3) und die weiteren Metallflächen
(2) eingenommenen Bereiche eine Füllschicht (5) vorhanden
ist.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der
der Halbleiterchip mit dem Substrat außerhalb der Kontaktflä
chen ganzflächig verklebt ist.
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