DE10024821A1 - Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement - Google Patents
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches HalbleiterbauelementInfo
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Abstract
Es wird ein kompaktes und niederohmiges, geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement bereitgestellt, das mit einer positiven Widerstands-Temperatur-Charakteristik versehen ist und einen breiten Widerstandsänderungsbereich und eine hohe Durchbruchsspannung neben einem Ohmschen Kontakt zwischen Halbleiterkeramikschichten und inneren Elektroden aufweist. Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik, das zur Ausbildung einer mit inneren Elektroden aus einem nickelhaltigen Metall versehenen Halbleiterkeramikschicht gebrannt wird, besitzt einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0 mum, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und ein Verhältnis von Bariumstellen zu Titanstellen von 0,990 bis 1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement wie zum Beispiel Lanthan (La) gelöst ist.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik und ein geschichtetes keramisches
Halbleiterbauelement mit einer positiven Widerstands-
Temperatur-Charakteristik, wobei das Halbleiterbauelement mit
einer durch Sintern des Bariumtitanatpulvers für eine
Halbleiterkeramik hergestellten Halbleiterkeramikschicht
versehen ist.
Keramische Bariumtitanat-Halbleiter mit einer positiven
Widerstands-Temperatur-Charakteristik (einer positiven
Temperaturkoeffizient-Characteristik bzw. einer PTC-
Charakteristik), bei denen der spezifische Widerstand bei
Raumtemperatur gering ist und der Widerstand oberhalb einer
bestimmten Temperatur (Curie-Temperatur) rasch ansteigt,
werden bei der Temperaturregelung, Stromregelung, Erwärmung
auf eine konstante Temperatur und dergleichen häufig
verwendet. Von den obengenannten Bauelementen sollte eine
Überstromschutzvorrichtung kompakt sein, eine hohe
Durchbruchsspannung aufweisen und insbesondere bei
Raumtemperatur einen geringeren Widerstand aufweisen.
Als Vorrichtung, welche diesen Wünschen genügt, wird ein
geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement beispielsweise
in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 57-60802
vorgeschlagen. Das geschichtete keramische
Halbleiterbauelement erhält man, indem man hauptsächlich aus
Bariumtitanat bestehende Halbleiterkeramikschichten und
innere Elektroden aus einer Platin-Palladium-Legierung (Pt-
Pd-Legierung) abwechselnd aufträgt und dann brennt. Mit Hilfe
der Schichtstruktur können die Flächen der inneren Elektroden
in dem keramischen Halbleiterbauelement stark vergrößert
werden, und somit kann eine Miniaturisierung des Bauelements
erreicht werden.
Da für die inneren Elektroden eine Pt-Pd-Legierung verwendet
wird, läßt sich jedoch bei dem geschichteten keramischen
Halbleiterbauelement ein Ohmscher Kontakt zwischen den
inneren Elektroden und den Halbleiterkeramikschichten nur
schwer erreichen, und somit besteht das Problem, daß der
Widerstand bei Raumtemperatur stark ansteigt.
Des weiteren wird als Material für die inneren Elektroden
anstelle der Pt-Pd-Legierung ein nickelhaltiges Metall
(nachfolgend als Metall auf Nickelbasis bezeichnet) wie zum
Beispiel Nickel oder eine nickelhaltige Legierung
beispielsweise in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 6-
151103 vorgeschlagen. Zwischen einem inneren leitenden
Material aus einem Metall auf Nickelbasis und der
Halbleiterkeramik besteht ein hervorragender Ohmscher
Kontakt, und infolgedessen kann ein Anstieg des Widerstands
bei Raumtemperatur verhindert werden.
Falls jedoch das Metall auf Nickelbasis als Material für die
inneren Elektroden verwendet wird, wird bei einem im
allgemeinen an Luft stattfindenden Brennvorgang das
nickelhaltige Metall der inneren Elektroden leicht oxidiert.
Nachdem das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre
vorgenommen wurde, da eine Rückoxidation bei einer relativ
niedrigen Temperatur stattfinden muß, damit das Metall auf
Nickelbasis nicht oxidiert, besteht folglich das Problem, daß
der Widerstandsänderungsbereich auf weniger als zwei
Größenordnungen reduziert ist. Demzufolge ist die
Durchbruchsspannung nicht ausreichend, und im praktischen
Gebrauch besteht ein Problem.
Demgemäß besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
darin, ein kompaktes und niederohmiges, geschichtetes
keramisches Halbleiterbauelement mit einer positiven
Widerstands-Temperatur-Charakteristik bereitzustellen, bei
dem das geschichtete keramische Halbleiterbauelement eine
ausreichende Änderung im Widerstand und eine hohe
Durchbruchsspannung zusätzlich zu einem Ohmschen Kontakt
zwischen den Halbleiterkeramikschichten und den inneren
Elektroden aufweist.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die
Bereitstellung eines Bariumtitanatpulvers für eine
Halbleiterkeramik, das in vorteilhafter Weise zur Ausbildung
der Halbleiterkeramikschichten bei dem oben beschriebenen
geschichteten keramischen Halbleiterbauelement verwendet
wird.
Zu diesem Zweck haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung
durch lange und intensive Forschungsarbeit festgestellt, daß
man ein kompaktes und niederohmiges, geschichtetes
keramisches Halbleiterbauelement mit einer ausreichenden
Änderung im Widerstand und einer hohen Durchbruchsspannung
mit Hilfe eines Bariumtitanatpulvers für eine
Halbleiterkeramik erhalten kann, das gewisse spezifische
Eigenschaften besitzt.
Das heißt, das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik
gemäß der vorliegenden Erfindung besitzt einen
durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0
µm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und
ein Verhältnis von Bariumstellen (Ba-Stellen) zu Titanstellen
(Ti-Stellen) von 0,990 bis 1,010, wobei in dem
Bariumtitanatpulver ein Donatorelement gelöst ist.
Selbst wenn das Bariumtitanatpulver für eine
Halbleiterkeramik der vorliegenden Erfindung nach
verschiedenen Syntheseverfahren synthetisiert werden kann,
beträgt im Falle der Synthetisierung des Bariumtitanatpulvers
für eine Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren das
Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 0,990
bis 1,000, und im Falle der Synthetisierung des
Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik nach einem
Festphasen-Verfahren beträgt das Verhältnis von Ba-Stellen zu
Ti-Stellen vorzugsweise 1,000 bis 1,010.
Die vorliegende Erfindung ist anwendbar auf ein geschichtetes
keramisches Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von
inneren Elektroden und einer Vielzahl von
Halbleiterkeramikschichten, die abwechselnd mit den inneren
Elektroden aufgebracht sind.
Bei dem geschichteten keramischen Halbleiterbauelement gemäß
der vorliegenden Erfindung können die
Halbleiterkeramikschichten durch Sintern des oben
beschriebenen Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik
erhalten werden.
Bei dem oben beschriebenen geschichteten keramischen
Halbleiterbauelement bestehen die inneren Elektroden
vorzugsweise aus einem leitenden Bestandteil, der ein Metall
auf Nickelbasis, das heißt ein nickelhaltiges Metall wie zum
Beispiel Nickel oder eine nickelhaltige Legierung enthält.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines geschichteten
keramischen Halbleiterbauelements 1 gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines geschichteten
keramischen Halbleiterbauelements 1 gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Das geschichtete keramische Halbleiterbauelement 1 ist mit
einem Elementkörper 4 versehen, der hergestellt wird durch
Brennen einer Vielzahl von inneren Elektroden 2, die
abwechselnd mit einer Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten
3 aufgebracht werden. Äußere Elektroden 5 sind an zwei
Kantenflächen des Elementkörpers 4 ausgebildet. Die äußeren
Elektroden 5 sind jeweils mit speziellen inneren Elektroden 2
elektrisch verbunden, und die mit der einen äußeren Elektrode
5 verbundenen inneren Elektroden 2 und die mit der anderen
äußeren Elektrode 5 verbundenen inneren Elektroden 2 sind
abwechselnd angeordnet.
Das geschichtete keramische Halbleiterbauelement 1 besitzt
eine positive Widerstands-Temperatur-Charakteristik und wird
beispielsweise für eine Überstromschutzvorrichtung verwendet.
Die Halbleiterkeramikschicht 3 erhält man durch Sintern von
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik. In dem
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik kann
gegebenenfalls ein Bruchteil des Bariums durch Calcium (Ca),
Strontium (Sr), Blei (Pb) und dergleichen ersetzt werden,
oder ein Bruchteil des Titans kann durch Zinn (Sn), Zirconium
(Zr) und dergleichen ersetzt werden. Halbleiterbildende
Mittel, die in dem Bariumtitanatmaterial für eine
Halbleiterkeramik enthalten sind, werden als Donatorelemente
bezeichnet. Als Donatorelemente können Seltenerdmetalle wie
Lanthan (La), Yttrium (Y), Samarium (Sm), Cerium (Ce),
Dysprosium (Dy), Gadolinium (Gd) und dergleichen sowie
Übergangsmetalle wie Niobium (Nb), Tantal (Ta), Bismut (Bi),
Antimon (Sb), Wolfram (W) und dergleichen verwendet werden.
Außerdem können dem obengenannten Bariumtitanatmaterial für
eine Halbleiterkeramik gegebenenfalls Siliciumdioxid (SiO2),
Managan (Mn) und dergleichen zugesetzt werden.
Das zur Ausbildung der Halbleiterkeramikschicht 3 verwendete
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik hat einen
durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0
µm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050,
und ein Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 0,990 bis
1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement
gelöst ist. Syntheseverfahren für das Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik unterliegen keiner besonderen
Beschränkung; es können jedoch Verfahren wie ein
hydrothermales Verfahren, Hydrolyse, ein
Mitfällungsverfahren, ein Festphasen-Verfahren und ein Sol-
Gel-Verfahren verwendet werden, und gegebenenfalls wird
vorgebrannt.
Durch Versuche wurde bestätigt, daß im Falle der
Synthetisierung des Bariumtitanatpulvers für eine
Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren das
Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 0,990
bis 1,000 beträgt, und bei Verwendung eines Festphasen-
Verfahrens beträgt das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-
Stellen vorzugsweise 1,000 bis 1,010.
Als elektrisch leitenden Bestandteil der inneren Elektrode 2
kann ein Metall auf Nickelbasis, ein molybdänhaltiges (Mo
haltiges) Metall, ein chromhaltiges (Cr-haltiges) Metall und
eine Legierung derselben verwendet werden, und insbesondere
wird vorzugsweise ein Metall auf Nickelbasis verwendet, da
ein zuverlässiger Ohmscher Kontakt mit der
Halbleiterkeramikschicht 3 erzielt werden kann.
Als elektrisch leitenden Bestandteil der äußeren Elektrode 5
kann Silber (Ag), Palladium (Pd) und eine Legierung derselben
verwendet werden, und Metalle unterliegen im Vergleich zu den
für die inneren Elektroden 2 verwendeten keiner so besonderen
Einschränkung.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand eines
Beispiels näher beschrieben.
In der nachfolgenden Tabelle 1 wurde Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik für die Proben 1 bis 8 nach einem
Hydrolyseverfahren synthetisiert, und Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik für die Proben 9 bis 20 wurde nach
einem Festphasen-Verfahren synthetisiert.
Für die Proben 1 bis 8 wurden 15,40 Liter einer wäßrigen
Bariumhydroxidlösung, die Bariumhydroxid in einer
Konzentration von 0,2 Mol/Liter (3,079 mol Barium waren darin
enthalten) enthielt, und 7,58 Liter einer Titanalkoxidlösung,
die Titanalkoxid in einer Konzentration von 0,35 Mol/Liter
(2,655 mol Titan waren darin enthalten) zuvor in getrennten
Bädern hergestellt. Die Titanalkoxidlösung enthält
(Tetraisopropyloxid)titan (Ti(O-iPr)4) gelöst in
Isopropylalkohol (IPA). Um das als halbleiterbildendes Mittel
verwendete Lanthan zu lösen, wurden außerdem während der oben
beschriebenen Zubereitung 100 ml einer Lanthanchlorid
enthaltenden Lösung (0,00664 mol Lanthan waren darin
enthalten) der Titanalkoxidlösung zugesetzt und dann homogen
damit vermischt.
Als nächstes wurden die Lösungen in getrennten Bädern
miteinander vermischt und mit einem statischen Mixer gerührt,
so daß eine Reaktion in Gang gesetzt wurde. Demgemäß erhielt
man einen Brei, der das Bariumtitanatpulver enthielt, und der
entstandene Brei wurde 3 Stunden in einem Ofen belassen.
Nach dem Entwässern und Spülen des erhaltenen Breis wurde 3
Stunden bei 110°C getrocknet und anschließend pulverisiert,
und man erhielt das lanthanhaltige Bariumtitanatpulver.
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik mit
verschiedenen Eigenschaften für die Proben 1 bis 8 gemäß
Tabelle 1 erhielt man durch Zugabe von Bariumcarbonat (BaCO3)
oder Titandioxid (TiO2) zu den lanthanhaltigen
Bariumtitanatpulvern, um verschiedene Verhältnisse von Ba-
Stellen zu Ti-Stellen zu erreichen, und durch anschließendes
Vorbrennen.
Was die Proben 9 bis 20 angeht, wurde für BaCO3 mit einer
spezifischen Oberfläche von 1 bis 20 m2/g, TiO2 mit einer
spezifischen Oberfläche von 1 bis 50 m2/g und eine
Samariumnitratlösung als Ausgangsmaterialien ein elementares
Molverhältnis Sm/Ti von 0,002 gemessen, und diese
Ausgangsmaterialien wurden dann 5 Stunden mit einer
Kugelmühle unter Verwendung von destilliertem Wasser und
Kugeln aus PSZ mit einem Durchmesser von 5 mm gemischt.
Während der Zubereitung wurden für BaCO3 und TiO2
verschiedene Verhältnisse von Ba-Stellen zu Ti-Stellen
gemessen.
Das oben beschriebene Lösungsgemisch wurde verdampft und
getrocknet, und das entstandene Pulvergemisch wurde bei
Temperaturen von 900 bis 1250°C 2 Stunden calciniert.
Nachdem das calcinierte Pulver 5 bis 30 Stunden mit einer
Kugelmühle unter Verwendung von destilliertem Wasser und
Kugeln aus PSZ mit einem Durchmesser von 5 mm pulverisiert
wurde, folgte ein Verdampfungs- und Trocknungsvorgang. Als
Ergebnis erhielt man Bariumtitanatpulver für eine
Halbleiterkeramik mit verschiedenen Eigenschaften für die
Proben 9 bis 20 gemäß Tabelle 1.
Die durchschnittlichen Teilchendurchmesser der entstandenen
calcinierten Pulver gemäß Tabelle 1 wurden durch eine
Bildanalyse mit Hilfe rasterelektronenmikroskopischer
Aufnahmen (REM-Aufnahmen) ermittelt. Die Verhältnisse von Ba-
Stellen zu Ti-Stellen (in der Tabelle als Verhältnis Ba/Ti
dargestellt) und die Achsenverhältnisse c/a wurden durch eine
Röntgenfluoreszenzanalyse bzw. durch Röntgenbeugungsaufnahmen
ermittelt.
Nach der Zugabe von organischen Lösungsmitteln werden
organische Bindemittel, Weichmacher und dergleichen den
Pulvern der einzelnen Proben zugesetzt, um keramikhaltige
Breie herzustellen, und die obengenannten Breie wurden mit
einem Streichmesserverfahren bearbeitet, wodurch man
ungebrannte Keramikschichten erhielt.
Ein als Elementkörper auszubildendes Laminat wurde durch die
folgenden Schritte hergestellt: eine nickelhaltige leitfähige
Paste auf spezielle ungebrannte Keramikschichten durch
Siebdruck aufbringen, um die inneren Elektroden auszubilden;
die mit den inneren Elektroden versehenen ungebrannten
Schichten aufkaschieren, um den Elementkörper gemäß Fig. 1 zu
erhalten; die ungebrannten Keramikschichten ohne innere
Elektroden auf die Oberseite und Unterseite der
aufkaschierten ungebrannten Schichten aufbringen; und die
gesamten aufkaschierten ungebrannten Schichten komprimieren
und dann schneiden.
Nachdem die Bindemittel aus diesen Laminaten an Luft entfernt
wurden, wurde 2 Stunden in einer stark reduzierenden
Atmosphäre mit einem Verhältnis von Wasserstoff zu Stickstoff
von 3/100 gebrannt, und man erhielt gebrannte Elementkörper.
Dann wurde 1 Stunde lang bei 600 bis 1000°C eine
Rückoxidationsbehandlung an Luft durchgeführt. Anschließend
erhielt man geschichtete keramische Halbleiterbauelemente
durch Auftragen einer Silberpaste auf beide Kantenflächen der
Elementkörper und anschließendes Brennen an Luft. Jedes dabei
erhaltene Bauelement ist ungefähr 3,2 mm lang, 2,5 mm breit
und 1,0 mm dick.
Die Widerstände bei Raumtemperatur, die
Widerstandsänderungsbereiche und die Durchbruchsspannungen
wurden für die auf diese Weise hergestellten geschichteten
keramischen Halbleiterbauelemente gemessen. Der Widerstand
bei Raumtemperatur wurde mit einem Vierpunktsondenverfahren
unter Verwendung eines digitalen Spannungsmessers gemessen.
Der Widerstandsänderungsbereich (Größenordnung) wurde
dargestellt durch einen Zehnerlogarithmus des durch
Dividieren des größten Widerstandes durch den kleinsten
Widerstand von Raumtemperatur bis 250°C erhaltenen Wertes.
Die Durchbruchsspannung wurde dargestellt durch die größte
angelegte Spannung kurz vor dem Versagen des Bauelements. Die
Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
In Tabelle 1 liegen Probennummern mit einem Sternchen
außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung.
Gemäß Tabelle 1 betrug bei einem durchschnittlichen
Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0 µm das
Achsenverhältnis c/a nicht weniger als 1,0050 und das
Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen betrug 0,990 bis
1,010, wie bei den Proben 2 bis 5, 7 bis 12, 14, 15, 19 und
20; das erhaltene Bauelement hatte einen Widerstand bei
Raumtemperatur von nicht mehr als 0,20 Ω, einen
Widerstandsänderungsbereich von nicht weniger als drei
Größenordnungen und eine Durchbruchsspannung von nicht
weniger als 20 Volt.
Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser des
Bariumtitanatpulvers größer war als 1,0 µm, wie bei den
Proben 13 und 16, hatte das erhaltene Bauelement dagegen
einen Widerstandsänderungsbereich von weniger als 3,0
Größenordnungen, und die Durchbruchsspannung sank auf 2 Volt
ab.
Wenn das Achsenverhältnis c/a kleiner war als 1,0050, wie bei
den Proben 1 und 17, war der Widerstandsänderungsbereich des
entstandenen Bauelements extrem klein, und die
Durchbruchsspannung war ebenfalls extrem abgesunken.
Wenn das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen kleiner war
als 0,990 oder größer als 1,010, wie bei den Proben 6 bzw.
18, nahm der Widerstand bei Raumtemperatur des entstandenen
Bauelements zu, und der Widerstandsänderungsbereich sowie die
Durchbruchsspannung hatten stark abgenommen.
Von den Proben 1 bis 8, die mit Hilfe des nach einem
Hydrolyseverfahren synthetisierten Bariumtitanatpulvers
hergestellt wurden, besitzen die Proben 2 bis 5, 7 und 8 mit
überlegenen Eigenschaften ein Verhältnis von Ba-Stellen zu
Ti-Stellen von 0,990 bis 1,000, und von den Proben 9 bis 20,
die mit Hilfe des nach einem Festphasen-Verfahrens
synthetisierten Bariumtitanatpulvers hergestellt wurden,
besitzen die Proben 9 bis 12, 14, 15, 19 und 20 mit
überlegenen Eigenschaften ein Verhältnis von Ba-Stellen zu
Ti-Stellen von 1,000 bis 1,010.
Wie also beschrieben, besitzt das Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik der vorliegenden Erfindung einen
durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0
µm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und
ein Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 0,990 bis
1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement
gelöst ist. Infolgedessen ist das geschichtete keramische
Halbleiterbauelement, das mit der durch Sintern des
Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik erhaltenen
Halbleiterkeramikschicht versehen ist, kompakt und besitzt
einen geringen Widerstand sowie einen hinreichenden
Widerstandsänderungsbereich und außerdem eine hohe
Durchbruchsspannung.
Insbesondere wenn das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen
0,990 bis 1,000 bzw. 1,000 bis 1,010 beträgt, wenn die
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik der
vorliegenden Erfindung nach einem Hydrolyseverfahren bzw.
nach einem Festphasenverfahren hergestellt werden, sind die
oben beschriebenen überlegenen Eigenschaften sicher zu
erreichen.
Wenn die inneren Elektroden Nickel enthalten, ist bei dem
geschichteten keramischen Halbleiterbauelement ein Ohmscher
Kontakt zwischen den inneren Elektroden und den
Halbleiterkeramikschichten sicher zu erreichen.
Claims (5)
1. Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik mit einem
durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als
1,0 µm, einem Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als
1,0050, und einem Verhältnis von Bariumstellen zu
Titanstellen von 0,990 bis 1,010,
bei dem ein Donatorelement in dem Bariumtitanatpulver für
eine Halbleiterkeramik gelöst ist.
2. Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach
Anspruch 1, bei dem das Bariumtitanatpulver für eine
Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren
synthetisiert wird und ein Verhältnis von Bariumstellen
zu Titanstellen von 0,990 bis 1,000 besitzt.
3. Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach
Anspruch 1, bei dem das Bariumtitanatpulver für eine
Halbleiterkeramik nach einem Festphasen-Verfahren
synthetisiert wird und ein Verhältnis von Bariumstellen
zu Titanstellen von 1,000 bis 1,010 besitzt.
4. Geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement, welches
folgendes umfaßt:
eine Vielzahl von inneren Elektroden; und
eine Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten, die abwechselnd mit den inneren Elektroden aufgebracht sind;
wobei die Halbleiterkeramikschichten durch Sintern von Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt werden.
eine Vielzahl von inneren Elektroden; und
eine Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten, die abwechselnd mit den inneren Elektroden aufgebracht sind;
wobei die Halbleiterkeramikschichten durch Sintern von Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt werden.
5. Geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement nach
Anspruch 4, bei dem die inneren Elektroden Nickel
enthalten.
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