DE10024821B4 - Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement - Google Patents
Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE10024821B4 DE10024821B4 DE10024821A DE10024821A DE10024821B4 DE 10024821 B4 DE10024821 B4 DE 10024821B4 DE 10024821 A DE10024821 A DE 10024821A DE 10024821 A DE10024821 A DE 10024821A DE 10024821 B4 DE10024821 B4 DE 10024821B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- barium titanate
- ceramic
- titanate powder
- semiconductor
- sites
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 7
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 lanthanum (La) Chemical class 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZDZYSPAJSPJQJ-UHFFFAOYSA-N samarium(3+);trinitrate Chemical compound [Sm+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YZDZYSPAJSPJQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/003—Titanates
- C01G23/006—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Bariumtitanatpulver
für eine
Halbleiterkeramik mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser
von nicht weniger als 0,2 μm
und nicht mehr als 1,0 μm,
einem Achsenverhältnis
c/a von nicht weniger als 1,0050 und weniger als 1,0100, und einem
Verhältnis
von Bariumstellen zu Titanstellen von 0,990 bis 1,010, bei dem ein
Donatorelement in dem Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik gelöst ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und ein geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement mit einer positiven Widerstands-Temperatur-Charakteristik, wobei das Halbleiterbauelement mit einer durch Sintern des Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik hergestellten Halbleiterkeramikschicht versehen ist.
- Keramische Bariumtitanat-Halbleiter mit einer positiven Widerstands-Temperatur-Charakteristik (einer positiven Temperaturkoeffizient-Charakteristik bzw. einer PTC-Charakteristik), bei denen der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur gering ist und der Widerstand oberhalb einer bestimmten Temperatur (Curie-Temperatur) rasch ansteigt, werden bei der Temperaturregelung, Stromregelung, Erwärmung auf eine konstante Temperatur und dergleichen häufig verwendet. Von den obengenannten Bauelementen sollte eine Überstromschutzvorrichtung kompakt sein, eine hohe Durchbruchsspannung aufweisen und insbesondere bei Raumtemperatur einen geringeren Widerstand aufweisen.
- Als Vorrichtung, welche diesen Wünschen genügt, wird ein geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement beispielsweise in der Japanischen Offenlegungsschrift JP 57-60 802 A vorgeschlagen. Das geschichtete keramische Halbleiterbauelement erhält man, indem man hauptsächlich aus Bariumtitanat bestehende Halbleiterkeramikschichten und innere Elektroden aus einer Platin-Palladium-Legierung (Pt-Pd-Legierung) abwechselnd aufträgt und dann brennt. Mit Hilfe der Schichtstruktur können die Flächen der inneren Elektroden in dem keramischen Halbleiterbauelement stark vergrößert werden, und somit kann eine Miniaturisierung des Bauelements erreicht werden.
- Da für die inneren Elektroden eine Pt-Pd-Legierung verwendet wird, läßt sich jedoch bei dem geschichteten keramischen Halbleiterbauelement ein Ohmscher Kontakt zwischen den inneren Elektroden und den Halbleiterkeramikschichten nur schwer erreichen, und somit besteht das Problem, daß der Widerstand bei Raumtemperatur stark ansteigt.
- Des weiteren wird als Material für die inneren Elektroden anstelle der Pt-Pd-Legierung ein nickelhaltiges Metall (nachfolgend als Metall auf Nickelbasis bezeichnet) wie zum Beispiel Nickel oder eine nickelhaltige Legierung beispielsweise in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 6-151103 vorgeschlagen. Zwischen einem inneren leitenden Material aus einem Metall auf Nickelbasis und der Halbleiterkeramik besteht ein hervorragender Ohmscher Kontakt, und infolgedessen kann ein Anstieg des Widerstands bei Raumtemperatur verhindert werden.
- Falls jedoch das Metall auf Nickelbasis als Material für die inneren Elektroden verwendet wird, wird bei einem im allgemeinen an Luft stattfindenden Brennvorgang das nickelhaltige Metall der inneren Elektroden leicht oxidiert. Nachdem das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre vorgenommen wurde, da eine Rückoxidation bei einer relativ niedrigen Temperatur stattfinden muß, damit das Metall auf Nickelbasis nicht oxidiert, besteht folglich das Problem, daß der widerstandsänderungsbereich auf weniger als zwei Größenordnungen reduziert ist. Demzufolge ist die Durchbruchsspannung nicht ausreichend, und im praktischen Gebrauch besteht ein Problem.
- Aus der prioritätsälteren, nicht vorveröffentlichten
DE 199 02 153 A1 sind eine dielektrische Keramik und ein Verfahren zu deren Herstellung sowie ein laminiertes keramisches Elektronikelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung bekannt. Die dielektrische Keramik wird durch das Brennen eines Bariumtitanat-Pulvers erhalten. In den Proben beträgt die Teilchengröße 0,08 bis 0,25 μm. Das Achsenverhältnis c/a der Perowskit-Struktur liegt zwischen 1,000 und 1,004. - Aus der ebenfalls prioritätsälteren, nicht vorveröffentlichten
DE 199 02 151 A1 sind eine dielektrische Keramik und ein Verfahren zur deren Herstellung sowie ein laminiertes keramisches Elektronikelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung bekannt. Die dielektrische Keramik wird durch das Brennen eines Bariumtitanat-Pulvers erhalten. Den Bariumtitanat-Pulver können Zusätze hinzugefügt werden, beispielsweise Gd oder Dy. - Aus der Literaturstelle Journal of Materials Science, 1996, vol.31, No 9, p2417-2424 ist ein Bariumtitanat-Pulver bekannt.
- Demgemäß besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein kompaktes und niederohmiges, geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement mit einer positiven Widerstands-Temperatur-Charakteristik bereitzustellen, bei dem das geschichtete keramische Halbleiterbauelement eine ausreichende Änderung im Widerstand und eine hohe Durchbruchsspannung zusätzlich zu einem Ohmschen Kontakt zwischen den Halbleiterkeramikschichten und den inneren Elektroden aufweist.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik, das in vorteilhafter Weise zur Ausbildung der Halbleiterkeramikschichten bei dem oben beschriebenen geschichteten keramischen Halbleiterbauelement verwendet wird.
- Zu diesem Zweck haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung durch lange und intensive Forschungsarbeit festgestellt, daß man ein kompaktes und niederohmiges, geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement mit einer ausreichenden Änderung im Widerstand und einer hohen Durchbruchsspannung mit Hilfe eines Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik erhalten kann, das gewisse spezifische Eigenschaften besitzt.
- Das heißt, das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik gemäß der vorliegenden Erfindung besitzt einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht weniger als 0,2 μm und nicht mehr als 1,0 μm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und weniger als 1,0100 und ein Verhältnis von Bariumstellen (Ba-Stellen) zu Titanstellen (Ti-Stellen) von 0,990 bis 1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement gelöst ist.
- Selbst wenn das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik der vorliegenden Erfindung nach verschiedenen Syntheseverfahren synthetisiert werden kann, beträgt im Falle der Synthetisierung des Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 0,990 bis 1,000, und im Falle der Synthetisierung des Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik nach einem Festphasen-Verfahren beträgt das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 1,000 bis 1,010.
- Die vorliegende Erfindung ist anwendbar auf ein geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von inneren Elektroden und einer Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten, die abwechselnd mit den inneren Elektroden aufgebracht sind.
- Bei dem geschichteten keramischen Halbleiterbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung können die Halbleiterkeramikschichten durch Sintern des oben beschriebenen Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik erhalten werden.
- Bei dem oben beschriebenen geschichteten keramischen Halbleiterbauelement bestehen die inneren Elektroden vorzugsweise aus einem leitenden Bestandteil, der ein Metall auf Nickelbasis, das heißt ein nickelhaltiges Metall wie zum Beispiel Nickel oder eine nickelhaltige Legierung enthält.
-
1 ist eine Querschnittsansicht eines geschichteten keramischen Halbleiterbauelements1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Das geschichtete keramische Halbleiterbauelement
1 ist mit einem Elementkörper4 versehen, der hergestellt wird durch Brennen einer Vielzahl von inneren Elektroden2 , die abwechselnd mit einer Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten3 aufgebracht werden. Äußere Elektroden5 sind an zwei Kantenflächen des Elementkörpers4 ausgebildet. Die äußeren Elektroden5 sind jeweils mit speziellen inneren Elektroden2 elektrisch verbunden, und die mit der einen äußeren Elektrode5 verbundenen inneren Elektroden2 und die mit der anderen äußeren Elektrode5 verbundenen inneren Elektroden2 sind abwechselnd angeordnet. - Das geschichtete keramische Halbleiterbauelement
1 besitzt eine positive Widerstands-Temperatur-Charakteristik und wird beispielsweise für eine Überstromschutzvorrichtung verwendet. - Die Halbleiterkeramikschicht
3 erhält man durch Sintern von Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik. In dem Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik kann gegebenenfalls ein Bruchteil des Bariums durch Calcium (Ca), Strontium (Sr), Blei (Pb) und dergleichen ersetzt werden, oder ein Bruchteil des Titans kann durch Zinn (Sn), Zirconium (Zr) und dergleichen ersetzt werden. Halbleiterbildende Mittel, die in dem Bariumtitanatmaterial für eine Halbleiterkeramik enthalten sind, werden als Donatorelemente bezeichnet. Als Donatorelemente können Seltenerdmetalle wie Lanthan (La), Yttrium (Y), Samarium (Sm), Cerium (Ce), Dysprosium (Dy), Gadolinium (Gd) und dergleichen sowie Übergangsmetalle wie Niobium (Nb), Tantal (Ta), Bismut (Bi), Antimon (Sb), Wolfram (W) und dergleichen verwendet werden. Außerdem können dem obengenannten Bariumtitanatmaterial für eine Halbleiterkeramik gegebenenfalls Siliciumdioxid (SiO2), Managan (Mn) und dergleichen zugesetzt werden. - Das zur Ausbildung der Halbleiterkeramikschicht 3 verwendete Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik hat einen durchschnittlichen Teilchenmesser von nicht weniger als 0,2 μm und nicht mehr als 1,0 μm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und weniger als 1,0100 Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 0,990 bis 1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement gelöst ist. Syntheseverfahren für das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik unterliegen keiner besonderen Beschränkung; es können jedoch Verfahren wie ein hydrothermales Verfahren, Hydrolyse, ein Mitfällungsverfahren, ein Festphasen-Verfahren und ein Sol-Gel-Verfahren verwendet werden, und gegebenenfalls wird vorgebrannt.
- Durch Versuche wurde bestätigt, daß im Falle der Synthetisierung des Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 0,990 bis 1,000 beträgt, und bei Verwendung eines Festphasen-Verfahrens beträgt das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen vorzugsweise 1,000 bis 1,010.
- Als elektrisch leitenden Bestandteil der inneren Elektrode
2 kann ein Metall auf Nickelbasis, ein molybdänhaltiges (Mohaltiges) Metall, ein chromhaltiges (Cr-haltiges) Metall und eine Legierung derselben verwendet werden, und insbesondere wird vorzugsweise ein Metall auf Nickelbasis verwendet, da ein zuverlässiger Ohmscher Kontakt mit der Halbleiterkeramikschicht3 erzielt werden kann. - Als elektrisch leitenden Bestandteil der äußeren Elektrode
5 kann Silber (Ag), Palladium (Pd) und eine Legierung derselben verwendet werden, und Metalle unterliegen im Vergleich zu den für die inneren Elektroden2 verwendeten keiner so besonderen Einschränkung. - Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand eines Beispiels näher beschrieben.
- Beispiel
- In der nachfolgenden Tabelle 1 wurde Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik für die Proben 1 bis 8 nach einem Hydrolyseverfahren synthetisiert, und Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik für die Proben 9 bis 20 wurde nach einem Festphasen-Verfahren synthetisiert.
- Für die Proben 1 bis 8 wurden 15,40 Liter einer wäßrigen Bariumhydroxidlösung, die Bariumhydroxid in einer Konzentration von 0,2 Mol/Liter (3,079 mol Barium waren darin enthalten) enthielt, und 7,58 Liter einer Titanalkoxidlösung, die Titanalkoxid in einer Konzentration von 0,35 Mol/Liter (2,655 mol Titan waren darin enthalten) zuvor in getrennten Bädern hergestellt. Die Titanalkoxidlösung enthält (Tetraisopropyloxid)titan (Ti(O-iPr)4) gelöst in Isopropylalkohol (IPA). Um das als halbleiterbildendes Mittel verwendete Lanthan zu lösen, wurden außerdem während der oben beschriebenen Zubereitung 100 ml einer Lanthanchlorid enthaltenden Lösung (0,00664 mol Lanthan waren darin enthalten) der Titanalkoxidlösung zugesetzt und dann homogen damit vermischt.
- Als nächstes wurden die Lösungen in getrennten Bädern miteinander vermischt und mit einem statischen Mixer gerührt, so daß eine Reaktion in Gang gesetzt wurde. Demgemäß erhielt man einen Brei, der das Bariumtitanatpulver enthielt, und der entstandene Brei wurde 3 Stunden in einem Ofen belassen.
- Nach dem Entwässern und Spülen des erhaltenen Breis wurde 3 Stunden bei 110°C getrocknet und anschließend pulverisiert, und man erhielt das lanthanhaltige Bariumtitanatpulver.
- Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik mit verschiedenen Eigenschaften für die Proben 1 bis 8 gemäß Tabelle 1 erhielt man durch Zugabe von Bariumcarbonat (BaCO3) oder Titandioxid (TiO2) zu den lanthanhaltigen Bariumtitanatpulvern, um verschiedene Verhältnisse von Ba-Stellen zu Ti-Stellen zu erreichen, und durch anschließendes Vorbrennen.
- Was die Proben 9 bis 20 angeht, wurde für BaCO3 mit einer spezifischen Oberfläche von 1 bis 20 m2/g, TiO2 mit einer spezifischen Oberfläche von 1 bis 50 m2/g und eine Samariumnitratlösung als Ausgangsmaterialien ein elementares Molverhältnis Sm/Ti von 0,002 gemessen, und diese Ausgangsmaterialien wurden dann 5 Stunden mit einer Kugelmühle unter Verwendung von destilliertem Wasser und Kugeln aus PSZ mit einem Durchmesser von 5 mm gemischt. Während der Zubereitung wurden für BaCO3 und TiO2 verschiedene Verhältnisse von Ba-Stellen zu Ti-Stellen gemessen.
- Das oben beschriebene Lösungsgemisch wurde verdampft und getrocknet, und das entstandene Pulvergemisch wurde bei Temperaturen von 900 bis 1250°C 2 Stunden calciniert.
- Nachdem das calcinierte Pulver 5 bis 30 Stunden mit einer Kugelmühle unter Verwendung von destilliertem Wasser und Kugeln aus PSZ mit einem Durchmesser von 5 mm pulverisiert wurde, folgte ein Verdampfungs- und Trocknungsvorgang. Als Ergebnis erhielt man Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik mit verschiedenen Eigenschaften für die Proben 9 bis 20 gemäß Tabelle 1. Tabelle 1
- Die durchschnittlichen Teilchendurchmesser der entstandenen calcinierten Pulver gemäß Tabelle 1 wurden durch eine Bildanalyse mit Hilfe rasterelektronenmikroskopischer Aufnahmen (REM-Aufnahmen) ermittelt. Die Verhältnisse von Ba- Stellen zu Ti-Stellen (in der Tabelle als Verhältnis Ba/Ti dargestellt) und die Achsenverhältnisse c/a wurden durch eine Röntgenfluoreszenzanalyse bzw. durch Röntgenbeugungsaufnahmen ermittelt.
- Nach der Zugabe von organischen Lösungsmitteln werden organische Bindemittel, Weichmacher und dergleichen den Pulvern der einzelnen Proben zugesetzt, um keramikhaltige Breie herzustellen, und die obengenannten Breie wurden mit einem Streichmesserverfahren bearbeitet, wodurch man ungebrannte Keramikschichten erhielt.
- Ein als Elementkörper auszubildendes Laminat wurde durch die folgenden Schritte hergestellt: eine nickelhaltige leitfähige Paste auf spezielle ungebrannte Keramikschichten durch Siebdruck aufbringen, um die inneren Elektroden auszubilden; die mit den inneren Elektroden versehenen ungebrannten Schichten auf kaschieren, um den Elementkörper gemäß
1 zu erhalten; die ungebrannten Keramikschichten ohne innere Elektroden auf die Oberseite und Unterseite der aufkaschierten ungebrannten Schichten aufbringen; und die gesamten aufkaschierten ungebrannten Schichten komprimieren und dann schneiden. - Nachdem die Bindemittel aus diesen Laminaten an Luft entfernt wurden, wurde 2 Stunden in einer stark reduzierenden Atmosphäre mit einem Verhältnis von Wasserstoff zu Stickstoff von 3/100 gebrannt, und man erhielt gebrannte Elementkörper. Dann wurde 1 Stunde lang bei 600 bis 1000°C eine Rückoxidationsbehandlung an Luft durchgeführt. Anschließend erhielt man geschichtete keramische Halbleiterbauelemente durch Auftragen einer Silberpaste auf beide Kantenflächen der Elementkörper und anschließendes Brennen an Luft. Jedes dabei erhaltene Bauelement ist ungefähr 3,2 mm lang, 2,5 mm breit und 1,0 mm dick.
- Die Widerstände bei Raumtemperatur, die Widerstandsänderungsbereiche und die Durchbruchsspannungen wurden für die auf diese Weise hergestellten geschichteten keramischen Halbleiterbauelemente gemessen. Der Widerstand bei Raumtemperatur wurde mit einem Vierpunktsondenverfahren unter Verwendung eines digitalen Spannungsmessers gemessen. Der Widerstandsänderungsbereich (Größenordnung) wurde dargestellt durch einen Zehnerlogarithmus des durch Dividieren des größten Widerstandes durch den kleinsten Widerstand von Raumtemperatur bis 250°C erhaltenen Wertes. Die Durchbruchsspannung wurde dargestellt durch die größte angelegte Spannung kurz vor dem Versagen des Bauelements. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
- In Tabelle 1 liegen Probennummern mit einem Sternchen außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung.
- Gemäß Tabelle 1 betrug bei einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0 μm das Achsenverhältnis c/a nicht weniger als 1,0050 und das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen betrug 0,990 bis 1, 010, wie bei den Proben 2 bis 5, 7 bis 12, 14, 15, 19 und 20; das erhaltene Bauelement hatte einen Widerstand bei Raumtemperatur von nicht mehr als 0,20 Ω, einen Widerstandsänderungsbereich von nicht weniger als drei Größenordnungen und eine Durchbruchsspannung von nicht weniger als 20 Volt.
- Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser des Bariumtitanatpulvers größer war als 1,0 μm, wie bei den Proben 13 und 16, hatte das erhaltene Bauelement dagegen einen Widerstandsänderungsbereich von weniger als 3,0 Größenordnungen, und die Durchbruchsspannung sank auf 2 Volt ab.
- Wenn das Achsenverhältnis c/a kleiner war als 1,0050, wie bei den Proben 1 und 17, war der Widerstandsänderungsbereich des entstandenen Bauelements extrem klein, und die Durchbruchsspannung war ebenfalls extrem abgesunken.
- Wenn das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen kleiner war als 0,990 oder größer als 1,010, wie bei den Proben 6 bzw. 18, nahm der Widerstand bei Raumtemperatur des entstandenen Bauelements zu, und der Widerstandsänderungsbereich sowie die Durchbruchsspannung hatten stark abgenommen.
- von den Proben 1 bis 8, die mit Hilfe des nach einem Hydrolyseverfahren synthetisierten Bariumtitanatpulvers hergestellt wurden, besitzen die Proben 2 bis 5, 7 und 8 mit überlegenen Eigenschaften ein Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 0,990 bis 1,000, und von den Proben 9 bis 20, die mit Hilfe des nach einem Festphasen-Verfahrens synthetisierten Bariumtitanatpulvers hergestellt wurden, besitzen die Proben 9 bis 12, 14, 15, 19 und 20 mit überlegenen Eigenschaften ein Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 1,000 bis 1,010.
- Wie also beschrieben, besitzt das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik der vorliegenden Erfindung einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1,0 μm, ein Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und ein Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen von 0,990 bis 1,010, wobei in dem Bariumtitanatpulver ein Donatorelement gelöst ist. Infolgedessen ist das geschichtete keramische Halbleiterbauelement, das mit der durch Sintern des Bariumtitanatpulvers für eine Halbleiterkeramik erhaltenen Halbleiterkeramikschicht versehen ist, kompakt und besitzt einen geringen Widerstand sowie einen hinreichenden Widerstandsänderungsbereich und außerdem eine hohe Durchbruchsspannung.
- Insbesondere wenn das Verhältnis von Ba-Stellen zu Ti-Stellen 0,990 bis 1,000 bzw. 1,000 bis 1,010 beträgt, wenn die Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik der vorliegenden Erfindung nach einem Hydrolyseverfahren bzw. nach einem Festphasenverfahren hergestellt werden, sind die oben beschriebenen überlegenen Eigenschaften sicher zu erreichen.
- Wenn die inneren Elektroden Nickel enthalten, ist bei dem geschichteten keramischen Halbleiterbauelement ein Ohmscher Kontakt zwischen den inneren Elektroden und den Halbleiterkeramikschichten sicher zu erreichen.
Claims (5)
- Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von nicht weniger als 0,2 μm und nicht mehr als 1,0 μm, einem Achsenverhältnis c/a von nicht weniger als 1,0050 und weniger als 1,0100, und einem Verhältnis von Bariumstellen zu Titanstellen von 0,990 bis 1,010, bei dem ein Donatorelement in dem Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik gelöst ist.
- Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach Anspruch 1, bei dem das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach einem Hydrolyseverfahren synthetisiert wird und ein Verhältnis von Bariumstellen zu Titanstellen von 0,990 bis 1,000 besitzt.
- Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach Anspruch 1, bei dem das Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik nach einem Festphasen-Verfahren synthetisiert wird und ein Verhältnis von Bariumstellen zu Titanstellen von 1,000 bis 1,010 besitzt.
- Verwendung eines Bariumtitanatpulvers nach einem der Ansprüche 1 bis 3 zur Herstellung eines geschichteten keramischen Halbleiterbauelement, welches eine Vielzahl von inneren Elektroden und eine Vielzahl von Halbleiterkeramikschichten, die abwechselnd mit den inneren Elektroden aufgebracht sind, umfaßt.
- Verwendung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die inneren Elektroden Nickel enthalten.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13978199 | 1999-05-20 | ||
| JP11-139781 | 1999-05-20 | ||
| JP00-46122 | 2000-02-23 | ||
| JP2000046122A JP3812268B2 (ja) | 1999-05-20 | 2000-02-23 | 積層型半導体セラミック素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10024821A1 DE10024821A1 (de) | 2000-12-07 |
| DE10024821B4 true DE10024821B4 (de) | 2006-03-30 |
Family
ID=26472484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10024821A Expired - Lifetime DE10024821B4 (de) | 1999-05-20 | 2000-05-19 | Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6542067B1 (de) |
| JP (1) | JP3812268B2 (de) |
| KR (1) | KR100364969B1 (de) |
| CN (1) | CN1215485C (de) |
| DE (1) | DE10024821B4 (de) |
| GB (1) | GB2350108B (de) |
| TW (1) | TW476075B (de) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091408A1 (de) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Epcos Ag | Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung |
| US7431911B2 (en) | 2001-07-04 | 2008-10-07 | Showa Denko K.K. | Barium titanate and production and process thereof |
| JP3783678B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2006-06-07 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック用原料粉末の製造方法、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US20040121153A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Sridhar Venigalla | High tetragonality barium titanate-based compositions and methods of forming the same |
| US7351676B2 (en) * | 2003-08-14 | 2008-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component |
| US7169723B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-01-30 | Federal-Mogul World Wide, Inc. | Ceramic with improved high temperature electrical properties for use as a spark plug insulator |
| WO2007034831A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型正特性サーミスタ |
| JP4710096B2 (ja) | 2005-09-20 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型正特性サーミスタ |
| TW200733159A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-01 | Wei-Hsing Tuan | Ceramic dielectrics and base-metal-electrode multilayer ceramic capacitors |
| CN101401172B (zh) * | 2006-03-10 | 2011-01-26 | 卓英社有限公司 | 陶瓷组件元件、陶瓷组件及其制造方法 |
| CN101516802B (zh) * | 2006-09-28 | 2011-11-23 | 株式会社村田制作所 | 钛酸钡系半导体瓷组合物和使用其的ptc元件 |
| CN101423388B (zh) * | 2008-11-05 | 2012-05-02 | 中国振华集团红云器材厂 | 一次固相合成ptc热敏电阻马达启动陶瓷芯片料配方及生产工艺 |
| EP2371788A4 (de) * | 2008-12-12 | 2012-07-04 | Murata Manufacturing Co | Halbleiterkeramik und thermistor mit positivem temperaturkoeffizienten |
| WO2010067866A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 株式会社 村田製作所 | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ |
| CN102224119B (zh) * | 2008-12-12 | 2014-03-26 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正温度系数热敏电阻 |
| EP2450327A4 (de) * | 2009-07-01 | 2014-06-11 | Murata Manufacturing Co | Halbleiterkeramik und thermistor mit positivem koeffizienten |
| JP6065303B2 (ja) | 2012-06-15 | 2017-01-25 | ローム株式会社 | スイッチングデバイス |
| WO2016125519A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社村田製作所 | 半導体素子およびその製造方法 |
| DE112016000618T5 (de) * | 2015-02-06 | 2017-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterelement und Verfahren zur Fertigung desselben |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760802A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Current limiting resistance element |
| JPH06151103A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型半導体磁器組成物 |
| DE19902153A1 (de) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische Keramik und Verfahren zu deren Herstellung, laminiertes keramisches Elektronikelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE19902151A1 (de) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische Keramik und Verfahren zu deren Herstellung, laminiertes keramisches Elektronikelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0335503A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Daido Steel Co Ltd | Ｐｔｃサーミスタの製造方法 |
| US5445806A (en) * | 1989-08-21 | 1995-08-29 | Tayca Corporation | Process for preparing fine powder of perovskite-type compound |
| JPH0653011A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 負の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器 |
| US5820995A (en) * | 1995-10-27 | 1998-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated composite ceramics and elements using same |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000046122A patent/JP3812268B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-17 GB GB0011922A patent/GB2350108B/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-18 TW TW089109575A patent/TW476075B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-18 KR KR1020000026667A patent/KR100364969B1/ko active IP Right Grant
- 2000-05-19 DE DE10024821A patent/DE10024821B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-22 US US09/575,581 patent/US6542067B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-22 CN CNB001176773A patent/CN1215485C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760802A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Current limiting resistance element |
| JPH06151103A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型半導体磁器組成物 |
| DE19902153A1 (de) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische Keramik und Verfahren zu deren Herstellung, laminiertes keramisches Elektronikelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE19902151A1 (de) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische Keramik und Verfahren zu deren Herstellung, laminiertes keramisches Elektronikelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2350108A (en) | 2000-11-22 |
| KR100364969B1 (ko) | 2002-12-16 |
| CN1274932A (zh) | 2000-11-29 |
| TW476075B (en) | 2002-02-11 |
| GB0011922D0 (en) | 2000-07-05 |
| JP2001031471A (ja) | 2001-02-06 |
| US6542067B1 (en) | 2003-04-01 |
| JP3812268B2 (ja) | 2006-08-23 |
| KR20010049365A (ko) | 2001-06-15 |
| DE10024821A1 (de) | 2000-12-07 |
| GB2350108B (en) | 2001-07-18 |
| CN1215485C (zh) | 2005-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10024821B4 (de) | Bariumtitanatpulver für eine Halbleiterkeramik und geschichtetes keramisches Halbleiterbauelement | |
| DE112006001440B4 (de) | Dielektrische Keramik und Vielschicht-Keramikkondensator | |
| DE69728457T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendender keramischer Kondensator | |
| DE2215642C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines monolithischen Kondensators | |
| DE69532235T2 (de) | Keramischer mehrschicht-chipkondensator | |
| DE69832876T2 (de) | Keramischer vielschichtkondensator | |
| DE2701411C3 (de) | Dielektrische Keramikverbindung | |
| EP0782156A2 (de) | Vielschichtkondensator mit Dielektrikum aus modifiziertem Bariumstrontiumtitanat | |
| DE2631054C2 (de) | Verfahren zur Herstellung monolithischer Kondensatoren mit einer Dielektrizitätskonstanten von mindestens 1000 und einem dielektrischen Verlustfaktor von nicht über 5% | |
| DE19737324A1 (de) | Vielschichtkondensator mit silber- und seltenerdmetalldotiertem Bariumtitanat | |
| EP1337496B1 (de) | Keramischer werkstoff sowie dessen herstellung | |
| DE10024236A1 (de) | Keramikkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE4010827A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
| EP0827166A1 (de) | Vielschichtkondensator mit Wolfram-haltigem Batio3 | |
| EP1386335B1 (de) | Elektrisches vielschichtbauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE10307804B4 (de) | Leitfähige Paste und deren Verwendung zur Herstellung eines laminierten keramischen elektronischen Bauteils | |
| DE2549891B2 (de) | Zusammensetzung eines keramischen Dielektrikums | |
| DE10040414B4 (de) | Dielelektrisches Keramikmaterial und elektrisches Bauelement | |
| DE102008042965A1 (de) | Piezokeramisches Vielschichtelement | |
| DE102005061528B4 (de) | Piezokeramisches Bauteil mit Bleizirkonattitanat mit Eisen-Wolfram-Dotierung, Verfahren zum Herstellen des piezokeramischen Bauteils und seine Verwendung | |
| DE69930037T2 (de) | Monolitischer Baustein aus Halbleiterkeramik | |
| DE1275434B (de) | Keramischer Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE10060942B4 (de) | Monolithisches halbleitendes keramisches elektronisches Bauelement | |
| DE112005002093T5 (de) | Herstellverfahren für eine piezoelektrische Keramik, Herstellverfahren für ein piezoelektrisches Element und piezoelektrisches Element | |
| DE10038425B4 (de) | Laminiertes Halbleiter-Keramikbauelement und Herstellungsverfahren für das laminierte Halbleiter-Keramikbauelement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R071 | Expiry of right |