CZ298474B6 - Zarízení na zpracování plazmatem - Google Patents
Zarízení na zpracování plazmatem Download PDFInfo
- Publication number
- CZ298474B6 CZ298474B6 CZ20001853A CZ20001853A CZ298474B6 CZ 298474 B6 CZ298474 B6 CZ 298474B6 CZ 20001853 A CZ20001853 A CZ 20001853A CZ 20001853 A CZ20001853 A CZ 20001853A CZ 298474 B6 CZ298474 B6 CZ 298474B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- plasma
- rotary
- permanent magnet
- permanent magnets
- systems
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Zarízení sestává z prostredku na vytvárení výbojeplazmatu a prostredku na ohranicení tohoto výbojeplazmatu v magnetickém poli. Nejméne jeden pár prvního otocného systému (1) permanentních magnetu (3) a druhého otocného systému (2) permanentních magnetu (3) obsahuje jednotlivé permanentní magnety (3) a tyto otocné systémy (1, 2) permanentních magnetu (3) jsou umísteny proti sobe. Jednotlivé permanentní magnety (3) mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10.sup.-1.n. tesla. Pohonný systém (4) je uzpusoben k pohánení pohybu permanentních magnetu (3) v otocných systémech (1, 2) permanentních magnetu (3). Základní zarízení (5) na zpracování plazmatem je prítomno v kombinaci s otocnými systémy (1, 2) permanentních magnetu (3) uzpusobenýmipro vytvárení casove promenných magnetických silocar (6) a pro ovlivnování plazmatu (7) vytvárenéhozákladním zarízením (5) na zpracování plazmatem. Rídicí systém (11), obsahující systém (12) cidel asystém (13) zpetné vazby, je spojen s pohonným systémem (4) a je uzpusoben k rízení pohybu permanentních magnetu (3) v otocných systémech (1, 2) permanentních magnetu (3) s ohledem na zmeny v plazmatu (7).
Description
Oblast techniky
Vynález se týká zařízení na zpracování plazmatem, sestávajícího se z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, popřípadě zařízení na zpracování plazmatem, sestávajícího se z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, zejména pro zpracování obloukovým výbojem.
Dosavadní stav techniky
Zdroje plazmatu o vysoké hustotě a zařízení na opracování povrchů nízkotlakým plazmatem využívají pomocná magnetická pole. Je zřejmé, že magnetické pole lze použít pro magnetické ohraničení elektronů a iontů plazmatu. Vektor Lorentzovy síly F, který ovlivňuje pohyby nabitých částic, je definován jako:
F = q (v x B), kde v je vektor rychlosti nabité částice (elektronu nebo iontu) s nábojem qCJ a B je vektor magnetické indukce. Lorentzova síla působí na elektrony a ionty, které mají nenulový vektorový součin (v x B), tj. mají složku rychlosti vnorm (ej) kolmou k vektoru B. Tyto elektrony a ionty (s hmotností mej) jsou nuceny kroužit kolem magnetických siločar na Larmorově poloměrech definovaných jako
Ie,i — Vnorm (e,i) mej/qej B.
Nejtypičtější hnací síla pro nabité částice je elektrické pole (vektor E). V tomto případě mají výsledné toky částic směr (drift) daný vektorovým součinem (E x B). Je třeba si uvědomit, že čím vyšší je rychlost částice (energie), která závisí na poli E, na srážkách, atd., tím vyšší musí být magnetická indukce B, aby Larmorův poloměr zůstal stejný. Čím je vyšší indukce B, tím menší je Larmorův poloměr částic. Tyto vztahy jsou velmi důležité, protože magnetické ohraničení může být účinné pouze v případech, kdy jsou rozměry komory reaktoru větší než Larmorovy poloměry částic. Jinak částice rekombinují na stěnách komory. V silných magnetických polích jsou Larmorovy poloměry malé a plazma může být ohraničeno v malých objemech. Díky sníženým rekombinačním ztrátám vede magnetické ohraničení k hustšímu plazmatu ve srovnání s případy bez magnetických prostředků. Při nízkých tlacích plynu, kdy jsou srážky mezi částicemi méně časté, jsou střední volné dráhy částic obvykle delší než rozměry komor reaktorů. Částice mohou získat vysokou energii od generujících polí a míra rekombinace na stěnách může převládnout nad ionizací. Takové plazma se nemůže udržet bez přídavného magnetického ohraničení.
Magnetické pole může být také použito jako aktivní složka v různých mechanizmech vytváření plazmatu. Například v elektronových a iontových cyklotronových rezonancích (ECR, ICR), kde magnetická indukce B závisí jak na frekvenci generátoru ω, tak na hmotnosti elektronu nebo iontu:
Β = ω mej/qeji.
Jinými příklady jsou hybridní rezonance, ohřev plazmatu za pomocí Landauova útlumu, apod. Jak při optimální hodnotě magnetické indukce, tak při optimálním tvaru magnetického toku může být rezonanční vytváření vysokohustotního plazmatu kombinováno s jeho ohraničením v definovaném objemu.
-1 CZ 298474 B6
Velmi různá magnetická ohraničení (pasti pro plasma) pro radiofrekvenční (RF) doutnavé výboje za použití statických magnetických polí generovaných elektromagnetickými cívkami byla popsána v patentu US 4 116 794. Tento patent popisuje různá uspořádání magnetických cívek, optimalizovaná pro různé geometrie radiofrekvenčních elektrod. Účelem této optimalizace je maximalizovat ohraničení výboje a jeho zachování až do nízkých tlaků plynu ve výbojové komoře. Všechna uvedená uspořádání cívek jsou statická jak v čase, tak v prostoru.
Je také možno „pohybovat“ magnetickým polem v prostoru, buď pomocí pohybu samotné cívky, nebo postupným zapínáním proudu do cívek uspořádaných do skupiny cívek. Magnetické pole pohybující se cívky bylo například použito u mikrovlnných ECR výbojů (R. Hytry a kol., J. Vac. Sci. Technol., 1993). Periodické přemisťování pole ve statickém systému elektromagnetů pomocí postupného přesouvání vytvářejícího proudu do jednotlivých cívek popsal pro induktivní radiofrekvenční výboj M. Murata a kol. (Vacuum 1997). Tyto pohyby magnetického pole jsou založeny na prostorovém přesunu magnetických prostředků beze změny tvarů magnetických siločar a geometrie pole.
Obecně je návrh vhodného tvaru magnetického pole pomocí elektromagnetických cívek nemožný v případech, kdy je požadována velká magnetická indukce v malých objemech nebo v omezených oblastech. S ohledem na tyto problémy byl „průlomem“ rok 1984, kdy byly objeveny silné permanentní magnety založené na temámích intermetalických sloučeninách, například Nd-Fe-B (např. viz kniha „Ferromagnetic materials“, E. P. Wohlfarth a K. H. J. Buschow, North-Holland 1988, kapitola 1, obr. 1, str. 4 a str. 7). Tento typ magnetů může poskytnout velmi silné magnetické pole (více než 0,1 T na povrchu magnetu). V mnoha praktických případech tyto magnety úspěšně nahrazují elektromagnetické cívky a umožňují použití magnetických polí s dobře definovanými tvary ve vybraném prostoru. Nej důležitější možností je vytváření intenzivních lokálních magnetických polí s náležitým navržením magnetických siločar, což není prakticky možné u cívek.
Lokální magnetické pole bylo použito v zařízení na vytváření lineárního obloukového výboje na opracovávání plazmatem (LAD) (SE 503 141), zvláště na opracování povrchů pevných substrátů. V tomto zařízení je pár proti sobě umístěných elektrodových desek, zapojených na tentýž pól generátoru, umístěn v magnetickém poli vytvořeném magnety, aby se vytvářely lineární horké oblasti na elektrodových deskách, kde se vytváří obloukový výboj. Elektrodové desky tvoří dutou katodu s rovnoběžnými deskami, zápornou vzhledem k okolnímu plazmatu, které představuje virtuální anodu. Horké oblasti se vytvářejí v důsledku bombardování povrchů desek ionty ve výboji v duté katodě mezi deskami. Magnetické pole kolmé k deskám katody v tomto zařízení usnadňuje výboj duté katody ve štěrbině mezi deskami. Poloha magnetů může být laděna s ohledem na elektrodové desky pomocí ladicího zařízení a rozložení magnetického pole je laděno magnety a pomocnými magnety. Magnetické pole použité ve zdroji LAD je tedy stacionární jak v prostoru, tak v čase. Pro vybrané parametry průtoku plynu, vyvíjejícího proudu, tlaku plynu, atd., může být magnetické pole laděno a optimalizováno pro rovnoměrné rozložení výsledné hustoty plazmatu podél štěrbiny, avšak vlivem nenulové síly vxB v mnoha praktických aplikacích mají ionty tendenci koncentrovat se více na jedné straně štěrbiny duté katody. Časově závislé změny parametrů výboje během provozu zdroje LAD mohou způsobovat změny jak rychlostí částic, tak rozložení elektrických polí ve výboji. Toto může způsobovat nerovnoměrnou erozi materiálu katody při obloukovém rozprašování a/nebo odpařování, a v důsledku toho i nerovnoměrnou rychlost opracování na substrátech.
Jiným příkladem použití silných permanentních magnetů je dobře známé megnetronové naprašovací/leptací zařízení. Principy a parametry různých magnetronových systémů pro procesy naprašovacího leptání, či depoziční procesy, jsou popsány v mnoha dokumentech. Bez ohledu na jejich již skoro „klasickou“ koncepci a jejich komerční dostupnost od roku 1976 jsou magnetrony stále podrobovány konstrukčním změnám. Důvody k tomu jsou buď nedostatečná hustota plazmatu na substrátu pro zvolené aplikace, nebo neefektivní a nerovnoměrné využití terče magnetronu,
-2CZ 298474 B6 doprovázené malou erozní zónou na terči během naprašování. První problém může být částečně řešen „znerovnovážněním“ (otevřením) magnetických siločar, což umožňuje expanzi plazmatu k substrátu (B. Window a N. Savvides, v r. 1986) nebo dodatečným ionizačním zařízením, například dutou katodou (US 4 588 490), alternativně pomocnou radiofrekvenční cívkou (S. M. Rossnagel a J. Hopwood, Appl. Phys. Lett., 1993). Druhý problém lze redukovat v magnetronech s rotačním válcovým terčem „C-Mag“ (M. Wright a kol., J. Vac. Sci. Technol., 1986; A. Beikind a kol., Thin Solid Films 1991) a v magnetronech s dutým terčem (popsaným v US 5 073 245). Pohyb terče vzhledem k magnetickému poli může být nahrazen posouváním magnetického pole pod terčem. Toto je popsáno v EP-B1-0 603 587, kde je systém permanentních magnetů tvořící tunelový tvar magnetického pole přesouván do stran pod terčem. Magnetické póly mohou být navíc natáčeny a synchronizovány se stranovým pohybem tak, aby se prodloužil stranový posun tunelového pole a tím se zvětšila eroze terče. Jiné řešení je založeno na nových tvarech magnetických polí s využitím permanentních magnetů tak, jak je to popsáno v US 5 262 028. Přehled různých uspořádání magnetických polí ve všech známých magnetronech byl zveřejněn například J. Musilem a kol. (Vaccum, 1995) nebo R. Kuklou (Surf. Coat. Technol., 1997). Ve všech magnetronech se využívá buď stacionární magnetické pole (uzavřené nebo nerovnovážné), nebo se pole během zpracovávání pohybuje vůči terči (např. C-Mag), ale bez podstatné změny svého tvaru. Naprašovací režimy jsou proto „předurčeny“.
Podstata vynálezu
Úkolem předmětného vynálezu je proto překonat nevýhody výše popsaných technik známého stavu techniky a poskytnout zařízení na opracování plazmatem s otočnými systémy magnetů pro dosažení nastavitelného časově proměnného magnetického pole.
Zařízení na zpracování plazmatem, sestávající z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, spočívá podle vynálezu v tom, že nejméně jeden pár prvního otočného systému permanentních magnetů a druhého otočného systému permanentních magnetů obsahuje jednotlivé permanentní magnety a tyto otočné systémy permanentních magnetů jsou umístěny proti sobě, jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10 1 tesla, pohonný systém je uzpůsoben k pohánění pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů, základní zařízení na zpracování plazmatem je přítomno v kombinaci s otočnými systémy permanentních magnetů uzpůsobenými pro vytváření časově proměnných magnetických siločar a pro ovlivňování plazmatu vytvářeného základním zařízením na zpracování plazmatem, řídicí systém, obsahující systém čidel a systém zpětné vazby, je spojen s pohonným systémem a je uzpůsoben k řízení pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů s ohledem na změny v plazmatu.
Alternativní zařízení na zpracování plazmatem, sestávající z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, zejména pro zpracování obloukovým výbojem, spočívá podle vynálezu v tom, že nejméně jeden pár prvního otočného systému permanentních magnetů a druhého otočného systému permanentních magnetů obsahuje jednotlivé permanentní magnety a tyto otočné systémy permanentních magnetů jsou umístěny proti sobě, jednotlivé permanentní magnety mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10“1 tesla, pohonný systém je uzpůsoben k pohánění permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů,
-3CZ 298474 B6 základní zařízení na zpracování plazmatem obsahuje zařízení na lineární obloukový výboj s nejméně jedním párem desek duté katody, umístěných v magnetickém poli, uzpůsobené tak, že jsou stacionární magnetické siločáry buď nahrazeny, nebo ovlivněny časově proměnnými magnetickými siločarami vytvářenými otočnými systémy permanentních magnetů pro vytváření časově proměnného plazmatu duté katody, řídicí systém, obsahující systém čidel a systém zpětné vazby, je spojen s pohonným systémem a je uzpůsoben k řízení pohybu permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů s ohledem na změny v časově závislém plazmatu duté katody.
První výše uvedené zařízení na zpracování plazmatem s výhodou rovněž spočívá v tom, že základní zařízení na zpracování plazmatem obsahuje magnetronové zařízení se stacionárním systémem magnetů, přičemž otočné systémy permanentních magnetů jsou uzpůsobeny k vytváření časově proměnných magnetických siločar procházejících terčem magnetronu na vytváření časově závislého magnetronového plazmatu.
První výše uvedené zařízení na zpracování plazmatem dále s výhodou spočívá v tom, že základní zařízení na zpracování plazmatem obsahuje magnetronové zařízení s otočným terčem magnetronu, přičemž otočné systémy permanentních magnetů jsou instalovány na držáku spolu se stacionárním systémem magnetů.
5. Výše uvedená zařízení na zpracování plazmatem dále s výhodou spočívají v tom, že základní zařízení na zpracování plazmatem obsahuje aktivní plazma v reaktoru, kde otočné systémy permanentních magnetů jsou umístěny vně a/nebo uvnitř reaktoru k vytváření časově proměnných magnetických siločar na vytváření časově závislých oblastí hustého plazmatu.
Výše uvedená zařízení na zpracování plazmatem dále s výhodou spočívají v tom, že jsou otočné systémy permanentních magnetů sestaveny z individuálních permanentních magnetů s rozdílnými magnetickými indukcemi a/nebo rozdílnými směry magnetických siločar.
Výše uvedená zařízení na zpracování plazmatem dále svýhodou spočívají vtom, že pohonný systém k pohánění permanentních magnetů v otočných systémech permanentních magnetů umožňuje řízení otočných systémů permanentních magnetů v krokovém pohybu nebo ve vibračním provozním režimu kolem vybraných poloh.
Přehled obrázků na výkresech
Předměty, znaky a výhody předmětného vynálezu, uvedeného výše, se stanou zřejmými z popisu vynálezu ve spojení s připojenými obrázky, na kterých:
obr. 1 je schematický pohled na první provedení tohoto vynálezu, znázorňující zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy magnetů, pro zpracování lineárním obloukovým výbojem (LAD) v časově závislém plazmatu duté katody;
obr. 2 je schematický pohled na druhé provedení podle tohoto vynálezu, znázorňující jiný příklad zařízení na zpracování materiálů plazmatem s otočnými systémy magnetů v kombinaci s magnetronovým zařízením na vytváření časově závislého magnetronového plazmatu;
obr. 3 je schematický pohled na třetí provedení podle tohoto vynálezu, znázorňující další příklad zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy magnetů, které jsou instalovány v magnetronovém zařízení s otočným terčem, pro vytváření časově závislého magnetronového plazmatu;
obr. 4 je schematický pohled na čtvrté provedení podle tohoto vynálezu, znázorňující další příklad zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy magnetů v reaktoru s aktivním plazmatem pro vytváření časově závislých oblastí hustého plazmatu;
-4CZ 298474 B6 obr. 5 znázorňuje příklad zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy magnetů podle prvního provedení tohoto vynálezu pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0 do 315°, vliv na rozložení magnetických siločar, vliv na rozložení plazmatu a vliv na rozložení horké oblasti na elektrodových deskách ve výboji duté katody, generovaném zařízením znázorněným na obr. 1;
obr. 6 znázorňuje příklad zařízení na zpracování materiálů plazmatem s otočnými systémy magnetů podle předmětného vynálezu v jeho prvním provedení, pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0 do 315°, vliv na rozložení magnetických siločar a magnetických siločar vyrobených stacionárním systémem magnetů a vliv na rozložení plazmatu;
obr. 7 znázorňuje příklad zařízení na zpracování materiálů plazmatem s otočnými systémy magnetů podle druhého provedení předmětného vynálezu pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0 do 315° s ohledem na stacionární systém magnetů v magnetronovém zařízení, vliv na rozložení magnetických siločar a na rozložení magnetronového plazmatu vytvořeného v zařízení znázorněném na obr. 2;
obr. 8 znázorňuje příklad zařízení na zpracování materiálů plazmatem s otočnými systémy magnetů podle druhého provedení tohoto vynálezu pro postupné 45° změny polohy otočných systémů permanentních magnetů od 0 do 315° s ohledem na stacionární systém magnetů v magnetronovém zařízení, vliv na rozložení magnetických siločar a na rozložení plazmatu v zařízení znázorněném na obr. 2;
obr. 9 je jiný příklad, který znázorňuje zjednodušený pohled na otočné systémy permanentních magnetů v zařízení na zpracování materiálů plazmatem podle tohoto vynálezu a uspořádání jednotlivých permanentních magnetů.
Příklady provedení vynálezu
S odkazem na obr. 1 bude popsáno první provedení zařízení na zpracování plazmatem s otočnými magnety podle tohoto vynálezu. Nejméně jeden pár je složen z prvního otočného systému 1 permanentních magnetů 3 a druhého otočného systému 2 permanentních magnetů 3, které obsahují jednotlivé permanentní magnety 3 a jsou umístěny proti sobě. Aby se zajistil dostatečný magnetický tok přes prostor mezi otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3, měly by mít jednotlivé permanentní magnety 3 svoji maximální magnetickou indukci vyšší než 101 tesla (1000 Gauss). Pro tento účel jsou vhodné silné permanentní magnety typu NdFeB, které vykazují na svém povrchu indukci v oblasti 0,5 tesla nebo dokonce víc. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 jsou poháněny pohonným systémem 4, který například provádí rotaci otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 ve vzájemně opačných směrech. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 jsou použity v kombinaci se základním zařízením 5 na zpracování plazmatem, například se zařízením na lineární obloukový výboj (LAD), znázorněným na obr. 1 jako první provedení tohoto vynálezu. Pohyby otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 způsobují, že se jak rozložení magnetického toku, tak hodnota magnetické indukce v prostoru mezi otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 mění v čase. Časově proměnné magnetické siločáry 6 ovlivňují plazma 7, vytvořené základním zařízením na zpracování plazmatem. V případě zařízení LAD mohou být statické permanentní magnety, vytvářející magnetické pole napříč štěrbiny mezi deskami 8 duté katody, výhodně nahrazeny otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3. V tomto případě je tvorba lineárních horkých oblastí na elektrodových deskách zařízení LAD závislá na změnách magnetických siločar 6 a vytváří se časově závislé plazma 10 duté katody. Navíc jsou stacionární magnetické siločáry 9, vytvářené pomocí stacionárního systému 14 magnetů, rovněž ovlivněny otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3. Tento vliv způsobuje časově závislé změny plazmatu vytvářeného zařízením. V nejjednodušším případě způsobuje rovnoměrné otáčení otočných systémů j_, 2 permanentních magnetů 3 symetrizaci hustoty plazmatu duté katody podél štěrbiny duté katody nezávisle na změnách experimentálních parametrů, například průtoku plynu, tlaku plynu, proudu, atd. Frekvence otáčení otočných sys-5CZ 298474 B6 témů 1, 2 permanentních magnetů 3 představuje nový parametr pro řízení procesu, který neexistuje v zařízeních LAD se statickým polem. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 mohou být řízeny rovněž v krokovém pohybu nebo ve vibračním provozním režimu kolem vybraných poloh. Tyto pohyby mohou být s výhodou použity pro automatické řízení vybraných parametrů, například parametrů plazmatu, pomocí řídicího systému 11 obsahujícího systém 12 čidel pro detekci vybraných parametrů a systému 13 zpětné vazby pro ovládání pohonného systému 4. Takové ovladače v uzavřené smyčce reagují na změny parametrů plazmatu a přinutí pohonný systém 4 změnit polohu otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 tak, že se parametry vrátí zpět na předvolené hodnoty.
S odkazem na obr. 2 bude popsáno druhé provedení zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy magnetů podle tohoto vynálezu, ve schématickém pohledu. Pár sestává z prvního otočného systému 1 permanentních magnetů 3 a druhého otočného systému 2 permanentních magnetů 3, obsahujících jednotlivé permanentní magnety 3, které jsou umístěny proti sobě. Jednotlivé permanentní magnety 3 mají maximální magnetickou indukci vyšší než ΚΓ1 tesla (1000 Gauss). Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 jsou poháněny pohonným systémem 4, který například provádí rotaci otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 proti sobě. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 jsou použity v kombinaci se základním zařízením 5 pro zpracování plazmatem, které ve druhém provedení tohoto vynálezu představuje magnetronové zařízení se stacionárním systémem 14 magnetů. Pohyby otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 mění magnetické pole stacionárního systému 14 magnetů a dělá jak rozložení magnetického toku, tak i hodnotu magnetické indukce na povrchu terče 16 magnetronu časově závislými. Časově proměnné magnetické siločáry 6 způsobují časově závislé magnetronové plazma 17 jak v jeho tvaru, tak v parametrech. Tato časová závislost vede k časově závislé erozi terče v erozní zóně 18. Erozní zóna 18 se může zvětšit a navíc může být magnetron periodicky nevyvážená a vyvážený, v závislosti na uspořádání otočných systémů £ 2 permanentních magnetů 3 ve stacionárním systému 14 magnetů v magnetronu. Ovládání parametrů plazmatu a/nebo eroze terče jsou umožněny kontrolním systémem 11 obsahujícím systém 12 čidel a systém 13 zpětné vazby spojené s pohonným systémem 4.
S odkazem na obr. 3 bude popsáno třetí provedení zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy 1, 2 magnetů podle tohoto vynálezu, ve schématickém pohledu. Pár sestávající se z prvního otočného systému 1 permanentních magnetů 3 a druhého otočného systému 2 permanentních magnetů 3, umístěných proti sobě, je použit v kombinaci se základním zařízením 5 na zpracování plazmatem, které je ve třetím provedení tohoto vynálezu magnetron s otočným terčem 19. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 jsou instalovány na držáku 20 spolu se stacionárním systémem 14 magnetů. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 ovlivňují magnetické pole stacionárního systému 14 magnetů a způsobují časovou závislost jak v rozložení magnetického toku, tak v hodnotě magnetické indukce na otočném terči 19 magnetronu. V případech, kdy se má použít jednoduchá rotace otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, je též možné vynechat pohonný systém 4 a otáčet otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 pomocí samotného otočného terče 19 magnetronu. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 dovolují provoz magnetronu jak v nevyváženém režimu, tak v režimu s uzavřeným polem současně se změnou jejích umístění vzhledem k terči 19. Toto je unikátní vlastnost, která není možná v konvenčních magnetronech.
S odkazem na obr. 4 bude popsáno čtvrté provedení zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy 1, 2 magnetů 3 podle tohoto vynálezu. Několik párů prvního otočného systému 1 permanentních magnetů 3 a druhého otočného systému 2 permanentních magnetů 3, umístěných proti sobě, je použito v základním zařízení 5 na zpracování plazmatem, které ve čtvrtém provedení tohoto vynálezu představuje aktivní plazma 21 v reaktoru 22. Páry otočných systémů 1_, 2 permanentních magnetů 3 mohou být umístěny vně a/nebo uvnitř reaktoru 22. Pohyby otočných systémů f, 2 permanentních magnetů 3, například jejich jednoduchá rotace tak, jak je znázorněna na obr. 4, způsobují periodické změny v ohraničení plazmatu, což vede k vytváření časově závislých oblastí 23 hustého plazmatu. Časově závislé změny hustoty plazmatu, například pulzo-6CZ 298474 B6 vání, mohou být korelovány s jinými parametry, například spulzním přítokem plynných reakčních složek, s pulzním vytvářením plazmatu, atd. Tento druh režimů zpracování plazmatem může být velmi důležitý v mnoha aplikacích, například když se vyžaduje časově proměnná interakce plazmatu s povrchy substrátů pro přerušovaná ukládání, nízkoteplotní úpravy, atd.
Příklady
S odkazem na obr. 5 bude popsán první příklad, vztahující se k prvnímu provedení zařízení na zpracování plazmatem podle obr. 1. Schematický obrázek znázorňuje pohled v příčném řezu na otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 v různých úhlových polohách vzhledem k deskám 8 duté katody, v tomto případě pro postupné 45° změny od 0 do 315°, a odpovídající pohled z boku na elektrodovou desku 8. Časově proměnná úhlová poloha otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 způsobuje časově proměnné tvary magnetických siločar 6 mezi otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 tudíž časově závislý tvar plazmatu 10 u výboje duté katody. Změny ve výboji duté katody mají za následek změny v parametrech horkých oblastí 15 na deskách 8 duté katody, ve kterých se odehrává zvýšené iontové bombardování, termionická a sekundární emise elektronů, jakož i zvýšená eroze materiálu desky katody. Pohyb otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, například jednoduchá rotace, výhodně vyrovnává rozložení teploty podél horkých oblastí 15 a v důsledku toho i výslednou rovnoměrnost plazmatických procesů podél desek 8 duté katody.
S odkazem na obr. 6 bude popsán druhý příklad, vztahující se k prvnímu provedení zařízení na zpracování plazmatem dle obr. 1. Schematický obrázek ukazuje pohled v příčném řezu na otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 v různých úhlových polohách vzhledem k deskám 8 duté katody, v tomto případě pro postupné 45° změny od 0 do 315°, a vzhledem ke stacionárnímu systému 14 magnetů. Časově proměnná úhlová poloha otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 způsobuje časově proměnné tvary magnetických siločar 6 mezi otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3, což ovlivňuje též stacionární magnetické siločáry 9. Důsledkem jsou časově závislé tvary plazmatu 10 u výboje duté katody, tak i plazmatu 7, produkovaného základním zařízením.
S odkazem na obr. 7 bude popsán třetí příklad, vztahující se ke druhému provedení zařízení na zpracování plazmatem, znázorněnému na obr. 2. Schematický obrázek znázorňuje pohled v příčném řezu na otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3, instalované v kombinaci s magnetronovým zařízením, v různých úhlových polohách, v tomto případě pro postupné 45° změny od 0 do 315° vzhledem k stacionárnímu systému 14 magnetů a k terči 16 magnetronu. Časově proměnné úhlové polohy otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 způsobují časově proměnné tvary magnetických siločar 6, které procházejí terčem 16 magnetronu. Toto má za následek časově závislý tvar plazmatu 17 výboje magnetronu. V tomto příkladě jsou otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 instalovány v magnetronu s vyváženým uspořádáním pole a způsobují nevyvážení v části stacionárního magnetického pole. Pohyb otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, například jednoduchá rotace, vytváří časově závislé posuny mezi vyváženými a nevyváženými částmi pole. V důsledku toho se může erozní zóna 18 magnetronu roztáhnout a jak nevyvážená, tak i vyvážená oblast výboje magnetronu se periodicky pohybují přes terč 16.
S odkazem na obr. 8 bud popsán čtvrtý příklad, vztahující se ke druhému provedení zařízení na zpracování plazmatem, znázorněnému na obr. 2. Schematický obrázek ukazuje pohled v příčném řezu na otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3, instalované v kombinaci s magnetronovým diodovým zařízením, v různých úhlových polohách, v tomto případě pro postupné 45° změny od 0 do 31 5° vzhledem ke stacionárnímu systému 14 magnetů a k terči 16 magnetronu. Časově proměnné úhlové polohy otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3 způsobují časově proměnné tvary magnetických siločar 6, které procházejí terčem 16 magnetronu. Toto má za následek časově závislý tvar plazmatu 17 výboje magnetronu. V tomto příkladě jsou otočné
-7CZ 298474 B6 systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 instalovány v magnetronu s nevyváženým uspořádáním pole a způsobují vyvážení části stacionárního magnetického pole. Pohyb otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, například jednoduchá rotace, vytváří časově závislé přechody mezi vyváženými a nevyváženými částmi pole. V důsledku toho se může erozní zóna magnetronu roztáhnout a nevyvážená i vyvážená oblast výboje magnetronu se pohybují periodicky přes terč 16.
Nakonec s odkazem na obr. 9 bude popsán pátý příklad, vztahující se ke všem provedením zařízení na zpracování plazmatem podle tohoto vynálezu. Obrázek znázorňuje příklad otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, které mají jednotlivé permanentní magnety 3 instalovány podél os 24, 25 rotace příslušných otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3. Jednotlivé permanentní magnety 3 mají určitý úhel vzhledem k oběma sousedním permanentním magnetům 3, například 22,5°. Toto speciální uspořádání jednotlivých permanentních magnetů 3 vede k osové závislosti tvarů časově proměnných magnetických siločar 6. Tento druh uspořádání permanentních magnetů 3 může být výhodně využit pro řízení výbojů v zařízeních na zpracování plazmatem. Způsobuje to komplexnější tvary časově závislých výbojů, které se mohou například pohybovat periodicky podél výstupu duté katody nebo jak podél, tak i napříč terče 16 magnetronu, atp.
Zařízení na zpracování plazmatem s otočnými systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 podle tohoto vynálezu má mnoho možných použití v plazmové technologii. Otočné systémy 1, 2 permanentních magnetů 3 umožňují nahradit „rigidní“ koncepce výbojů pro zpracování plazmatem časově a prostorově řízenými aktivními médii. Charaktery těchto médií připomínají zpracování pulzního typu, ale je možná lepší stabilita i řízení na základě časově řízených změn. Zlepší se také rovnoměrnost zpracování plazmatem. Na rozdíl od „perfektní uspořádanosti“, obvykle vyžadované od zpracování plazmatem, může být vytvořena přirozenější „neuspořádanost“ a řízena speciálními uspořádáními otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3. Taková uspořádání mohou být založena například na planetovém typu pohybu otočných systémů 1, 2 permanentních magnetů 3, na rozdílných magnetických indukcích jednotlivých permanentních magnetů 3 v otočných systémech 1, 2, permanentních magnetů 3 nebo na současných pohybech všech magnetů v zařízení na zpracování plazmatem, atp.
Průmyslová využitelnost
Zařízení je vhodné pro zpracování obloukovým výbojem, pro nanášení magnetronovým naprašováním na principu rozprašování terče nebo pro způsoby leptání.
Otočné systémy permanentních magnetů mohou být využity v nových typech zdrojů plazmatu, kde se vyžaduje časové nebo prostorové řízení výboje.
Claims (7)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Zařízení na zpracování plazmatem, sestávající z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, vyznačující se t í m , že nejméně jeden pár prvního otočného systému (1) permanentních magnetů (3) a druhého otočného systému (2) permanentních magnetů (3) obsahuje jednotlivé permanentní magnety (3) a tyto otočné systémy (1,2) permanentních magnetů (3) jsou umístěny proti sobě, jednotlivé permanentní magnety (3) mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10 1 tesla, pohonný systém (4) je uzpůsoben k pohánění pohybu permanentních magnetů (3) v otočných systémech (1,2), permanentních magnetů (3), základní zařízení (5) na zpracování plazmatem je přítomno v kombinaci s otočnými systémy (1, 2) permanentních magnetů (3) uzpůsobenými pro vytváření časově proměnných magnetických siločar (6) a pro ovlivňování plazmatu (7) vytvářeného základním zařízením (5) na zpracování plazmatem, řídicí systém (11), obsahující systém (12) čidel a systém (13) zpětné vazby, je spojen s pohonným systémem (4) a je uzpůsoben k řízení pohybu permanentních magnetů (3) v otočných systémech (1, 2) permanentních magnetů (3) s ohledem na změny v plazmatu (7).
- 2. Zařízení na zpracování plazmatem, sestávající se z prostředků na vytváření výboje plazmatu a prostředků na ohraničení tohoto výboje plazmatu v magnetickém poli, zejména pro zpracování obloukovým výbojem, vyznačující se tím, že nejméně jeden pár prvního otočného systému (1) permanentních magnetů (3) a druhého otočného systému (2) permanentních magnetů (3) obsahuje jednotlivé permanentní magnety (3) a tyto otočné systémy (1, 2) permanentních magnetů (3) jsou umístěny proti sobě, jednotlivé permanentní magnety (3) mají maximální magnetickou indukci vyšší než 10“1 tesla, pohonný systém (4) je uzpůsoben k pohánění permanentních magnetů (3) v otočných systémech (1,2), permanentních magnetů (3), základní zařízení (5) na zpracování plazmatem obsahuje zařízení na lineární obloukový výboj s nejméně jedním párem desek (8) duté katody, umístěných v magnetickém poli, uzpůsobené tak, že jsou stacionární magnetické siločáry (9) buď nahrazeny, nebo ovlivněny časově proměnnými magnetickými siločarami (6) vytvářenými otočnými systémy (1,2) permanentních magnetů (3) pro vytváření časově proměnného plazmatu (10) duté katody, řídicí systém (11), obsahující systém (12) čidel a systém (13) zpětné vazby, je spojen s pohonným systémem (4) a je uzpůsoben k řízení pohybu permanentních magnetů (3) v otočných systémech (1,2) permanentních magnetů (3) s ohledem na změny v časově závislém plazmatu (7) duté katody.
- 3. Zařízení na zpracování plazmatem podle nároku 1,vyznačující se tím, že základní zařízení (5) na zpracování plazmatem obsahuje magnetronové zařízení se stacionárním systémem (14) magnetů, přičemž otočné systémy (1, 2) permanentních magnetů (3) jsou uzpůsobeny k vytváření časově proměnných magnetických siločar (6) procházejících terčem (16) magnetronu na vytváření časově závislého magnetronového plazmatu (17).
- 4. Zařízení na zpracování plazmatem podle nároku 1 nebo 3,vyznačující se tím, že základní zařízení (5) na zpracování plazmatem obsahuje magnetronové zařízení s otočným terčem (19) magnetronu, přičemž otočné systémy (1, 2) permanentních magnetů (3) jsou instalovány na držáku (20) spolu se stacionárním systémem (14) magnetů.-9CZ 298474 B6
- 5. Zařízení na zpracování plazmatem podle některého z předchozích nároků, vyznačující se t í m , že základní zařízení (5) na zpracování plazmatem obsahuje aktivní plazma(21) v reaktoru (22), kde otočné systémy (1, 2) permanentních magnetů (3) jsou umístěny vně a/nebo uvnitř reaktoru (22) k vytváření časově proměnných magnetických siločar (6) na vytváření časově závislých oblastí (23) hustého plazmatu.
- 6. Zařízení na zpracování plazmatem podle některého z předchozích nároků, vyznačující se t í m , že jsou otočné systémy (1,2) permanentních magnetů (3) sestaveny z individuálních permanentních magnetů (3) s rozdílnými magnetickými indukcemi a/nebo rozdílnými směry magnetických siločar.
- 7. Zařízení na zpracování plazmatem podle některého z předchozích nároků, vyznačující se t í m , že pohonný systém (4) kpohánění permanentních magnetů (3) v otočných systémech (1, 2) permanentních magnetů (3) umožňuje řízení otočných systémů (1, 2) permanentních magnetů (3) v krokovém pohybu nebo ve vibračním provozním režimu kolem vybraných poloh.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9704260A SE511139C2 (sv) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | Plasmabearbetningsapparat med vridbara magneter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ20001853A3 CZ20001853A3 (cs) | 2000-08-16 |
| CZ298474B6 true CZ298474B6 (cs) | 2007-10-10 |
Family
ID=20409052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20001853A CZ298474B6 (cs) | 1997-11-20 | 1998-11-03 | Zarízení na zpracování plazmatem |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6351075B1 (cs) |
| EP (1) | EP1033068B2 (cs) |
| JP (1) | JP4491132B2 (cs) |
| AU (1) | AU1182099A (cs) |
| CZ (1) | CZ298474B6 (cs) |
| DE (1) | DE69828904T3 (cs) |
| SE (1) | SE511139C2 (cs) |
| WO (1) | WO1999027758A1 (cs) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067034B2 (en) * | 2000-03-27 | 2006-06-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma |
| CZ296094B6 (cs) * | 2000-12-18 | 2006-01-11 | Shm, S. R. O. | Zarízení pro odparování materiálu k povlakování predmetu |
| SE525231C2 (sv) * | 2001-06-14 | 2005-01-11 | Chemfilt R & D Ab | Förfarande och anordning för att alstra plasma |
| US6777885B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device |
| US6811657B2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same |
| US6864773B2 (en) * | 2003-04-04 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Variable field magnet apparatus |
| JP3508110B1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-03-22 | 卓三 岩田 | イオン化可能物質の活性化装置 |
| JP2006024775A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム |
| US20070209927A1 (en) | 2004-07-09 | 2007-09-13 | Masayuki Kamei | Magnetron Sputtering Device In which Two Modes Of Magnetic Flux Distribution (Balanced Mode/Unbalanced Mode) Can Be Switched From One To The Other And Vice Versa, A Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material Using The Device, And A Dual Mode Magnetron Sputtering Device And Film Formation Method For Forming A Film From An Inorganic Film Formation Material At A Low Temperature Using The Device |
| DE102005019101A1 (de) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten |
| CN100460557C (zh) * | 2005-09-28 | 2009-02-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 操作物理气相沉积工艺的方法与系统 |
| CN101283114B (zh) * | 2005-10-07 | 2012-04-18 | 国立大学法人东北大学 | 磁控溅射装置 |
| WO2007071719A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method of manufacturing at least one sputter-coated substrate and sputter source |
| US20090194409A1 (en) * | 2006-06-08 | 2009-08-06 | Shibaura Mechatronics Corporation | Magnetron sputtering magnet assembly, magnetron sputtering device, and magnetron sputtering method |
| US10043642B2 (en) * | 2008-02-01 | 2018-08-07 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement |
| KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
| US8698400B2 (en) * | 2009-04-28 | 2014-04-15 | Leybold Optics Gmbh | Method for producing a plasma beam and plasma source |
| WO2013170052A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
| PL2251453T3 (pl) | 2009-05-13 | 2014-05-30 | Sio2 Medical Products Inc | Uchwyt na pojemnik |
| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
| EP2473650A4 (en) * | 2009-09-05 | 2015-09-02 | Gen Plasma Inc | PLASMA ASSISTED STEAM PHASE CHEMICAL DEPOSITION APPARATUS |
| US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
| WO2011156877A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| WO2011156876A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Mahle Metal Leve S/A | Plasma processing device |
| US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
| US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
| CN103562433B (zh) * | 2011-05-30 | 2016-05-04 | 日立金属株式会社 | 跑道形状的磁控溅射用磁场产生装置 |
| KR101241049B1 (ko) | 2011-08-01 | 2013-03-15 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| KR101246191B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
| EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
| US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
| US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
| CN104854257B (zh) | 2012-11-01 | 2018-04-13 | Sio2医药产品公司 | 涂层检查方法 |
| US9903782B2 (en) | 2012-11-16 | 2018-02-27 | Sio2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
| BR112015012470B1 (pt) | 2012-11-30 | 2022-08-02 | Sio2 Medical Products, Inc | Método de produção de um tambor médico para um cartucho ou seringa médica |
| US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
| EP2778253B1 (de) * | 2013-02-26 | 2018-10-24 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Zylinderförmige Verdampfungsquelle |
| US9662450B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
| US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
| US9508532B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-29 | Bb Plasma Design Ab | Magnetron plasma apparatus |
| US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
| CN103269555B (zh) * | 2013-04-28 | 2016-07-06 | 哈尔滨工业大学 | 用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统和方法 |
| RU2554085C2 (ru) * | 2013-09-20 | 2015-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ нагрева электродов и создания самостоятельного дугового разряда с поджигом от тонкой металлической проволочки в свободном пространстве в магнитном поле |
| EP3693493A1 (en) | 2014-03-28 | 2020-08-12 | SiO2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
| US9533909B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-01-03 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor |
| US9550694B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-01-24 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using plasma thermal source |
| US10410889B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors |
| RU2577040C2 (ru) * | 2014-07-29 | 2016-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Магнитный гаситель самостоятельного дугового разряда |
| JP6403269B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-10-10 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
| US20160200618A1 (en) | 2015-01-08 | 2016-07-14 | Corning Incorporated | Method and apparatus for adding thermal energy to a glass melt |
| KR20180048694A (ko) | 2015-08-18 | 2018-05-10 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기 |
| RU2614526C2 (ru) * | 2015-08-31 | 2017-03-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ отклонения тепловой кумулятивной струи расплавленного металла и образованного ей канала на металлической поверхности катода в дуговом импульсном разряде при взрыве проволочки между электродами действием поперечного магнитного поля |
| CA3027669A1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-12-28 | Medident Technologies Inc. | Plasmaclave device |
| FR3079775B1 (fr) * | 2018-04-06 | 2021-11-26 | Addup | Dispositif de chauffage a confinement magnetique pour appareil de fabrication additive selective |
| US11784033B2 (en) | 2021-05-28 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE503141C2 (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
| CZ282814B6 (cs) * | 1991-12-12 | 1997-10-15 | Kvaerner Technology And Research Ltd. | Plazmový hořák s nepřeneseným obloukem |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143371A (en) * | 1974-10-12 | 1976-04-14 | Daido Steel Co Ltd | Netsushorihohooyobi netsushorisochi |
| US4588490A (en) * | 1985-05-22 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced magnetron sputter device |
| JPH02243762A (ja) † | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| JPH02246216A (ja) | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | プラズマ装置 |
| JPH0688229A (ja) * | 1991-01-29 | 1994-03-29 | Boc Group Inc:The | 二重円筒マグネトロンに於けるスパッタリングターゲットの磁場ゾーン回転の電気制御 |
| JPH04346662A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Ube Ind Ltd | スパッタリング方法およびその装置 |
| US5411624A (en) * | 1991-07-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| JPH05148642A (ja) † | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Hitachi Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JP3311064B2 (ja) * | 1992-03-26 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法 |
| KR0127663B1 (ko) * | 1992-04-17 | 1998-04-01 | 모리시타 요이찌 | 플라즈마발생장치 및 플라즈마발생방법 |
| JPH06181187A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | スパッタリング装置 |
| US5399253A (en) † | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
| JPH06212420A (ja) | 1993-01-13 | 1994-08-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタ及びエッチング方法 |
| JP2704352B2 (ja) | 1993-01-22 | 1998-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 磁場発生装置 |
| JP3174982B2 (ja) | 1993-03-27 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2970317B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1999-11-02 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
| US5518547A (en) * | 1993-12-23 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows |
| JP3124204B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2001-01-15 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置 |
| ZA956811B (en) † | 1994-09-06 | 1996-05-14 | Boc Group Inc | Dual cylindrical target magnetron with multiple anodes |
| JPH08319552A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-12-03 | Nagata Tekko Kk | プラズマトーチおよびプラズマ溶射装置 |
-
1997
- 1997-11-20 SE SE9704260A patent/SE511139C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-11-03 DE DE69828904T patent/DE69828904T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 JP JP2000522766A patent/JP4491132B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-03 US US09/554,666 patent/US6351075B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 CZ CZ20001853A patent/CZ298474B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1998-11-03 AU AU11820/99A patent/AU1182099A/en not_active Abandoned
- 1998-11-03 EP EP98954885A patent/EP1033068B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-03 WO PCT/SE1998/001983 patent/WO1999027758A1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ282814B6 (cs) * | 1991-12-12 | 1997-10-15 | Kvaerner Technology And Research Ltd. | Plazmový hořák s nepřeneseným obloukem |
| SE503141C2 (sv) * | 1994-11-18 | 1996-04-01 | Ladislav Bardos | Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU1182099A (en) | 1999-06-15 |
| DE69828904D1 (de) | 2005-03-10 |
| US6351075B1 (en) | 2002-02-26 |
| EP1033068B1 (en) | 2005-02-02 |
| WO1999027758A1 (en) | 1999-06-03 |
| SE9704260D0 (sv) | 1997-11-20 |
| EP1033068B2 (en) | 2011-03-09 |
| CZ20001853A3 (cs) | 2000-08-16 |
| DE69828904T2 (de) | 2006-01-12 |
| DE69828904T3 (de) | 2012-02-09 |
| JP4491132B2 (ja) | 2010-06-30 |
| SE511139C2 (sv) | 1999-08-09 |
| EP1033068A1 (en) | 2000-09-06 |
| JP2001524743A (ja) | 2001-12-04 |
| SE9704260L (sv) | 1999-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ298474B6 (cs) | Zarízení na zpracování plazmatem | |
| US6143140A (en) | Method and apparatus to improve the side wall and bottom coverage in IMP process by using magnetic field | |
| US4155825A (en) | Integrated sputtering apparatus and method | |
| US5234560A (en) | Method and device for sputtering of films | |
| EP0508612B1 (en) | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation | |
| EP0251567B1 (en) | Dry process apparatus | |
| JP3566327B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| KR100361620B1 (ko) | 진공아크방전장치,진공아크방전용플라즈마도관,플라즈마빔발생장치및아크방전제어방법 | |
| US4911814A (en) | Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma | |
| US6579421B1 (en) | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition | |
| EP0660372B1 (en) | Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam | |
| US20040175953A1 (en) | Apparatus for generating planar plasma using concentric coils and ferromagnetic cores | |
| EP0523695B1 (en) | A sputtering apparatus and an ion source | |
| US6683425B1 (en) | Null-field magnetron apparatus with essentially flat target | |
| WO1986006922A1 (en) | Plasma generator | |
| EP0413291B1 (en) | Method and device for sputtering of films | |
| US6475333B1 (en) | Discharge plasma processing device | |
| JPH06220632A (ja) | 陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置 | |
| EP0789506B1 (en) | Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma | |
| JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
| US8088263B1 (en) | Phased magnetic cathode | |
| Iizuka et al. | Electron cyclotron resonance devices with permanent magnets for production of large-diameter uniform plasmas | |
| RU2119275C1 (ru) | Плазменный ускоритель | |
| JP2552700B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマを利用した薄膜形成装置 | |
| JP7018702B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20131103 |