CN212033002U - 一种qfn封装导热焊盘及具有其的qfn封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。本实用新型还提供了一种具有上述导热焊盘的QFN封装结构，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及芯片封装领域，尤其涉及一种QFN封装焊盘及具有其的QFN封装结构。
背景技术
近几年来，由于对电子元器件小型化的需求越来越高，方形扁平无引脚封装(QuadFlat No-leadPackage，QFN)的应用越来越广。QFN封装是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置设置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。QFN封装结构具有良好的导电和导热性能，其体积小、重量轻，开发成本也较低。但是QFN在回流焊过程中，由于QFN在与PCB板焊接时，其间隙很小，助焊剂挥发形成的气体无法逸出，容易造成焊点空洞问题，导致器件在PCB板上不牢固进而导致电性连接失效。
实用新型内容
为此，本实用新型提出了一种新型结构的QFN封装导热焊盘，以解决现有技术在回流焊过程中，由于QFN贴片与PCB板的间隙很小，助焊剂挥发形成的气体无法逸出，容易造成焊点空洞的问题。
本实用新型的第一方面提出了一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉。
在一个实施方式中，相互交叉的所述凹槽之间的连接处采用为曲线圆滑过渡的形式。
在一个实施方式中，至少部分的所述凹槽至少在所述焊盘部的中间位置相互交叉。
在一个实施方式中，所述凹槽的深度不大于焊盘部厚度的1/2，宽度不超过焊盘部宽度的1/4。
在一个实施方式中，所述凹槽相互交叉后形成的横截面为“十”型，或“米”型，或“田”型。
在一个实施方式中，至少部分的所述凹槽贯穿整个焊盘部。
本实用新型的的第二方面提出了一种QFN封装结构，具有导热焊盘和导电焊盘，所述导热焊盘为上述第一方面任一实施方式中所述的导热焊盘。
在一个实施方式中，所述导热焊盘的至少部分的所述凹槽从所述焊盘部的中间位置延伸至QFN封装结构的边缘。
与现有技术相比，本实用新型的QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构，在焊盘部设置有凹槽，该凹槽为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，降低散热焊盘的焊点空洞问题，增强了QFN封装与PCB板间的电性连接。
上述技术特征可以各种技术上可行的方式组合以产生新的实施方案，只要能够实现本实用新型的目的。
附图说明
在下文中将基于仅为非限定性的实施例并参考附图来对本实用新型进行更详细的描述。其中：
图1为本实用新型的QFN封装导热焊盘的结构示意图；
图2为本实用新型的QFN封装结构的实施例的结构切面图。
在图中，相同的构件由相同的附图标记标示。附图并未按照实际的比例绘制。
图中，附图标记为：
1、导热焊盘；10、焊盘部；20、凹槽；30、引脚；2、导电焊盘；3、键合线；4、焊料；5、芯片；6、电镀锡层；7、凹槽通道；8、环氧树脂。
具体实施方式
以下将结合说明书附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。需要说明的是，只要不构成冲突，本实用新型中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本实用新型的保护范围之内。
本实用新型中未述及的部分采用或借鉴已有技术即可实现。
本实用新型的第一方面提供了一种QFN封装导热焊盘，如图1所示，为本实用新型的导热焊盘1在QFN封装中应用的示意图，本实用新型的导热焊盘1，其包括底面裸露的焊盘部10，其中焊盘部10上设置有若干交叉设置的凹槽20。凹槽20能够为回流焊过程中助焊剂分解气体提供了有效的逸出通道，从而降低导热焊盘的焊点空洞问题。
在一个可选的实施例中，相互交叉的凹槽20之间的连接处采用为曲线圆滑过渡的形式，如图1所示，凹槽20与凹槽20的交叉处为弧形，弧形设计便于减小气体溢出阻力，更有利于气体逸出。在一个可选的实施例中，凹槽20的深度不大于焊盘部10厚度的1/2，宽度不超过焊盘部10宽度的1/4。
在一个可选的实施例中，至少部分的凹槽20至少在焊盘部10的中间位置相互交叉。凹槽20在焊盘部10的中间位置交叉，更有利于气体逸出。
如图1所示，凹槽20与凹槽20相互交叉后的横截面形成为“十”型，在其他可选的实施例中，凹槽20与凹槽20还可以交叉形成为“米”型，或“田”型。
在一个可选的实施例中，至少部分的凹槽20贯穿整个焊盘部10。
本实用新型的第二方面提供了一种QFN封装结构，具有导热焊盘1和导电焊盘2，其中导热焊盘为本实用新型第一方面任一方案所述的导热焊盘1。
在一个优选地实施例中，导热焊盘1的至少部分的凹槽20从焊盘部10的中间位置延伸至QFN封装结构的边缘外侧。
图2为图1所示的QFN封装结构的切面图。
如图1和图2所示，本实施例中的QFN封装结构包括导热焊盘1和导电焊盘2，其中导热焊盘1为上述第一方面任一项所述的导热焊盘1，在导热焊盘1的焊盘部10上设置有凹槽20，凹槽20优选地从焊盘部10的中部延伸至封装结构边缘外侧，芯片5通过键合线3实现芯片5上电极与引线框架的电性连接。其余结构可借鉴现有技术中QFN封装结构实现，在此不再详细赘述。
在图2中凹槽通道7为图1中凹槽20横切后形成的通道。
该QFN封装结构的制备过程可借鉴现有技术实现，在现有技术制备基础上，在封装结构环氧树脂注塑成型之后，在导热焊盘1的焊盘部10切割形成上述凹槽20，以为回流焊过程中助焊剂分解气体提供有效的逸出通道，之后再进行电镀工艺，使侧面四周引脚30和底部中央裸露焊盘部10表面生成电镀锡层6，最终提高QFN器件在终端应用过程中的可靠性。其中图1中的封装结构四周的引脚30即为图2中的导电焊盘2。
至此，本领域技术人员应该认识到，虽然已经参考优选实施例对本实用新型进行了描述，但在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本实用新型并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (7)
1.一种QFN封装导热焊盘，其包括焊盘部，其特征在于，所述焊盘部上设置有若干凹槽，至少部分的所述凹槽相互交叉，至少部分的所述凹槽贯穿整个所述焊盘部。
2.根据权利要求1所述的QFN封装导热焊盘，其特征在于，相互交叉的所述凹槽之间的连接处采用为曲线圆滑过渡的形式。
3.根据权利要求1或2所述的QFN封装导热焊盘，其特征在于，至少部分的所述凹槽至少在所述焊盘部的中间位置相互交叉。
4.根据权利要求1或2所述的QFN封装导热焊盘，其特征在于，所述凹槽的深度不大于所述焊盘部厚度的1/2，宽度不超过所述焊盘部宽度的1/4。
5.根据权利要求3所述的QFN封装导热焊盘，其特征在于，所述凹槽相互交叉后形成的横截面为“十”型，或“米”型，或“田”型。
6.一种QFN封装结构，具有导热焊盘和导电焊盘，其特征在于，所述导热焊盘为权利要求1至5中任一项所述的QFN封装导热焊盘。
7.根据权利要求6所述的QFN封装结构，其特征在于，所述导热焊盘的至少部分的所述凹槽从所述焊盘部中间位置延伸至QFN封装结构的边缘。
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| CN202020379927.1U CN212033002U (zh) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 一种qfn封装导热焊盘及具有其的qfn封装结构 |
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|---|---|---|---|---|
| CN115515312A (zh) * | 2022-11-16 | 2022-12-23 | 深圳市晶讯技术股份有限公司 | 芯片模组及其制造方法 |
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2020
- 2020-03-23 CN CN202020379927.1U patent/CN212033002U/zh active Active
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