CN204720453U - 光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备 - Google Patents

光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。

Description

光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备
相关申请的交叉参照
本申请基于并要求于2012年11月9日向日本国特许厅提交的日本专利申请第2012-247207号的优先权权益，并其全部内容结合于此作为参照。
技术领域
本实用新型涉及利用有机光电转换材料的光电转换元件以及作为像素包括该光电转换元件的固体摄像装置和电子设备。
背景技术
在CCD（Charge Coupled Device：电荷耦合器件）图像传感器或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体）图像传感器的固体摄像装置中，公开有在各像素使用由有机半导体构成的光电转换层的装置（例如，专利文献1）。
在这里，有机半导体缺乏耐热性，因此，光电转换层的性能容易因制造工序中的高温热处理而恶化。于是，在上述专利文献1中，为了防止高温热处理（200℃以上）导致的性能恶化，在光电转换层与电极之间设置由玻璃化温度在200℃以上的有机化合物构成的中间层。可是，设置这样的中间层则降低量子效率，并且，降低有机半导体的材料选择的自由度。从而，期望研究出不用设置该中间层即可抑制热处理导致的光电转换层性能的恶化的方法。
因此，期望提供可抑制热处理导致的光电转换层性能恶化的光电转换元件以及固体摄像装置和电子设备。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2011-187918号公报
实用新型内容
根据本实用新型一实施方式的光电转换元件，具备：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，并且还添加有第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及，夹着光电转换层设置的第一电极以及第二电极。
优选地，在上述光电转换元件中，所述第三有机半导体是所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的凝聚性较高的有机半导体的衍生物或异构体。
优选地，在上述光电转换元件中，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的共淀积膜。
优选地，在上述光电转换元件中，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的涂敷膜或印刷膜。
优选地，在上述光电转换元件中，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的层叠膜。
根据本实用新型一实施方式的固体摄像装置，具有多个像素，所述多个像素分别包括根据上述本实用新型一实施方式的光电转换元件。
根据本实用新型一实施方式的电子设备，具有根据上述本实用新型一实施方式的固体摄像装置。
在根据本实用新型一实施方式的光电转换元件以及固体摄像装置和电子设备中，光电转换层包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有其中一个有机半导体的衍生体或异构体。从而，在制造工序中的高温热处理，抑制第一有机半导体或第二有机半导体的凝聚。
根据本实用新型一实施方式的光电转换元件以及固体摄像装置和电子设备，光电转换层包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有其中一个有机半导体的衍生物或异构体。从而，在制造工序中的高温热处理中，抑制第一有机半导体或第二有机半导体的凝聚，能够减少光电转换层中的膜质的不均匀。因此，能够抑制热处理带来的光电转换层性能恶化。
附图说明
图1是示出了根据本实用新型一实施方式的光电转换元件（像素）的简要构成例的截面图。
图2是图1所示的光电转换层所包括的有机半导体的三元系混合比的一例模式图。
图3是根据比较例1的光电转换元件的构成例立体图。
图4是示出图3所示的光电转换层的热处理后的膜状态的图像。
图5是示出了比较例2的光电转换元件的构成例的立体图。
图6是示出图5所示的一个光电转换层（中间层：BCP）的热处理后的膜状态的图像。
图7是示出图5所示的其他光电转换层（中间层：PTCDI）的热处理后的膜状态的图像。
图8是用于说明凝聚抑制的原理的模式图。
图9是用于说明提高量子效率的原理的简要图。
图10是提高量子效率的结果的特征图。
图11是示出了根据变形例的光电转换元件的光电转换层所包括的有机半导体的三元系混合比的一例模式图。
图12是固体摄像装置的功能框图。
图13是适用例的电子设备的功能框图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本实用新型的实施方式。此外，按照下面的顺序进行说明。
1、实施方式（在包括p型有机半导体以及n型有机半导体的光电转换层中添加了n型有机半导体的衍生物的光电转换元件的例子）
2、变形例（添加其他衍生物的例子）
3、固体摄像装置的整体构成例
4、适用例（电子设备（照相机）的例子）
〈实施方式〉
［构成］
图1是示出了本实用新型一实施方式的固体摄像装置中像素（光电转换元件10）的简要截面构成。固体摄像装置例如是CCD（Charge CoupledDevice：电荷耦合器件）或CMOS（Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体）图像传感器等，将在后面详细说明这一点。光电转换元件10设在例如像素晶体管或具有布线的基板11上，并被未图示的密封膜以及平坦化膜覆盖。在该平坦化膜上设置例如未图示的片上透镜（on-chip lens）。
光电转换元件10是利用有机半导体吸收选择性的波长的光（例如，R、G、B任意一种颜色的光），从而产生电子－空穴对的有机光电转换元件。在后面说明的固体摄像装置中，二维地并列设置这些R、G、B的各色光电转换元件10（像素）。还可以具有在一个像素内，纵向层叠由有机半导体构成的多个光电转换层，或者纵向层叠由有机半导体构成的光电转换层和由无机半导体构成的光电转换层的结构。在本实施方式中，作为上述光电转换元件的主要部分构成，参照图1进行说明。
该光电转换元件10在基板11上具有作为光电转换层的有机层13以及用于从该有机层13取出信号电荷的一对电极（下部电极12、上部电极14）。这些下部电极12、有机层13、上部电极14被具有开口（光接收开口）Ｈ1的绝缘层15覆盖。下部电极12（第一电极）与下部接触电极16A电连接，上部电极14（第二电极）与上部接触电极16B电连接。例如，从下部电极12侧进行信号电荷（例如电子）的取出动作时，电极12通过下部接触电极16Ａ，与例如埋设在基板11内的蓄电层电连接。下部接触电极16A通过设在绝缘膜15的开口（接触孔）H2与下部电极12电连接。从上部电极14通过上部接触电极16B排出电荷（例如空穴）。
基板11例如由硅（Si）构成。该基板11中埋设有成为从有机层13取出的电荷（电子或电子空穴（空穴））的传输路的导电性插头或蓄电层等（未图示）。此外，如上所述，在一个像素内层叠有机光电转换层和无机光电转换层时，在该基板11内埋设无机光电转换层。
下部电极12例如由铝（AL）、铬（Cr）、金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、铜（Cu）、钨（W）或者银（Ag）等金属元素的单质或合金构成。或者，下部电极12还可以由例如ITO（铟锡氧化物）等透明导电膜构成。作为透明导电膜还可以采用氧化锡（TO）、添加掺杂剂的氧化锡（SnO2）系材料或者氧化锌（ZnO）中添加掺杂剂的氧化锌系材料。作为氧化锌系材料例如有作为掺杂剂添加了铝（Al）的铝锌氧化物（AZO）、添加了镓（Ga）的镓锌氧化物（GZO）、添加了铟（In）的铟锌氧化物（IZO）。并且，除此之外还可以采用CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CO、ZnSnO3等。此外，如上所述，从下部电极12进行信号电荷（电子）的取出时，在作为像素采用光电转换元件10的固体摄像装置中，为各像素分开设置下部电极12。
绝缘膜15由例如氧化硅、氮化硅以及氧氮化硅（SiON）等中的一种构成的单层膜或者由其中的两种以上构成的层叠膜构成。在将光电转换元件10用作固体摄像装置的像素时，这些绝缘膜15起到将各像素的下部电极12之间电分离的功能。
（有机层13）
有机层13包含吸收选择性的波长区域的光后进行光电转换的p型（第一导电型）以及n型（第二导电型）有机半导体。作为p型有机半导体以及n型有机半导体可以例举各种有机染料，例如有喹吖啶酮衍生物（喹吖啶酮、二甲基喹吖啶酮、二乙基喹吖啶酮、二丁基喹吖啶酮等喹吖啶酮类或者二氯喹吖啶酮等二卤代喹吖啶酮）、酞菁衍生物（酞菁、SubPC、CuPC、ZnPC、H2PC、PbPC）。并且，其他还有噁二唑衍生物（NDO、PBD）、芪衍生物（TPB）、苝类衍生物（PTCDA、PTCDI、PTCBI、联苝）、四氰基对苯二醌二甲烷衍生物（TCNQ、F4-TCNQ）、以及菲罗啉类衍生物（菲咯啉（Bphen）、蒽（Anthracene）、红荧烯（Rubrene）、二蒽酮（Bianthrone））。但是，除此之外还可以使用例如萘衍生物、芘衍生物以及荧蒽衍生物。或者，可以适用苯撑乙炔（phenylene vinylene）、茐、咔唑、吲哚、芘、吡咯、甲基吡啶、噻吩、乙炔、联乙炔等的聚合物或其衍生物。并且，优选使用金属络合物色素、罗丹明类色素、花青类色素、部花青类色素、苯基呫吨类色素、三苯甲烷类色素、若丹菁类色素、呫吨类色素、大环氮杂轮烯类色素、薁类色素、萘醌、蒽醌系色素、蒽以及芘等缩合多环芳香族以及芳香环或杂环化合物缩合的链状化合物，或者将方酸基以及克酮酸次甲酯基作为连接链的喹啉、苯并噻唑、苯并噁唑等两个含氮杂环或通过方酸基以及克酮酸次甲酯基结合而成的类似花青系的色素等。此外，作为上述金属络合物色素，优选使用铝络合物（Alq3、Balq）、二硫醇金属络合物类色素、金属酞菁色素、金属卟啉色素或钌络合物色素，但并不限定于这些。并且，除了上述染料之外，作为电极构造调整层，有机层13还可以层叠富勒烯（C60）或BCP（浴铜灵（Bathocuproine））等其他有机材料。
作为p型有机半导体以及n型有机半导体（下面，简称为有机半导体A、B），该有机层13包括上述材料中的二种，同时还添加有指定量的该两种有机半导体中的一个的类似物（衍生物或异构体）（下面，称为有机半导体C1）。有机层13例如是包括这些有机半导体A、B、C1的共淀积膜（通过后述的共淀积法形成的膜）。但是，有机层13还可以是包括有机半导体A、B、C1的涂敷膜（通过后述的涂覆法形成的膜）或印刷膜（通过后述的印刷法形成的膜），还可以是分别层叠这些膜的层叠膜。例如，可以形成为分别以10nｍ左右以下的膜厚交替层叠有机半导体A、B、C1的构造。具体的来讲，有机半导体C1是有机半导体A、B中的凝聚性较高的（相对容易凝聚）一个有机半导体的类似物。在这里，“凝聚性”是指通过分子之间的力等的作用，例如在150℃～600℃左右的温度下的易凝聚性。
在本实施方式中，作为这样的有机半导体A、B的例子，对使用喹吖啶酮（quinacridone：QD）以及辅助酞菁（SubPC）的情况进行说明。这时，有机半导体A、B中的有机半导体Ａ（喹吖啶酮）相对容易凝聚，因此，作为有机半导体C1使用喹吖啶酮衍生物或异构体（在这里，作为衍生物的二甲基喹吖啶酮）。并且，根据电离电势的关系，有机半导体Ａ（喹吖啶酮）起到p型有机半导体的功能，有机半导体Ｂ（辅助酞菁）起到n型有机半导体的功能。
图2是示出了这些有机半导体A、B、C1的三元系混合比的例子的图。在图2中，示出了有机半导体A、B、Ｃ的三元系混合比（A：B：C1）＝r1（50：50：0）、r2（25：50：25）、r3（0：50：50）、r4（50：25：25）和r5（25：25：50）以及这些各种情况下的有机层13的斑点（斑状组织）的存在与否。此外，这是对将按照上述混合比r1～r5混合有机半导体A、B、C1后共淀积在石英基板（基板温度60℃以及0℃）上，之后高温退火（250℃左右，数分钟）来形成的有机层13的截面进行观察，并基于评价是否发生斑点的结果示出的。在r1～r5的各点，在未观察到斑点处标注“○”标记，在观察到斑点处标注“△”标记。并且，在基板温度60℃时用实线表示这些标记，0℃时用虚线表示。
如上所述，在仅混合有机半导体A、B、C1中的二种的二元系时（r1、r3），基板温度60℃和0℃时均发生有斑点，在混合有机半导体A、B、C1的三种半导体材料的三元系时（r2、r4、r5），与二元系时相比，抑制了斑点发生。并且，SubPC的浓度越稀薄，抑制斑点的效果越明显。
如上所述，有机层13能够按照下面方法形成于下部电极12上。即、在下部电极12上，在指定溶剂中溶解上述p型以及n型的有机半导体材料中的二种（有机半导体A、B），并添加有机半导体C1，从而调整包括有机半导体A、B、C1的混合液。该混合液中的有机半导体A、B、C1的混合比可以是例如图2所示的r2、r4、r5的混合比。将如上述般调整的混合液例如通过共淀积，可形成以指定的混合比包括有机半导体A、B、C1的有机层13。但是，除了蒸镀法，还可以通过例如旋转涂布法、狭缝涂布法、浸渍涂布法等各种涂布法将上述混合液成型为膜。并且，还可以通过例如反转胶印以及凸版印刷等各种印刷法形成膜。或者，在利用有机半导体A、B、C1的层叠膜形成有机层13时，还可以通过例如将分别包括有机半导体A、B、C1的溶液通过蒸镀法依次形成膜的多阶段蒸镀法形成。或者，还可以依次蒸镀例如混合有机半导体Ａ、C1的溶液和包括有机半导体Ｂ的溶液。
上部电极14在下部电极12由例举的透明导电膜构成。此外，如在本实施方式，从下部电极12侧进行信号电荷的取出时，为各像素共同设置该上部电极14。
［作用、效果］
在本实施方式的光电转换元件10中，例如作为固体摄像装置的像素，如下获得信号电荷。即、光一旦通过未图示出的片上透镜入射光电转换元件10，则该入射光在有机层13进行光电变换。具体的来讲，首先，由有机层13选择性地检测（吸收）指定颜色的光（红色光、绿色光或蓝色光），从而产生电子－空穴对。从下部电极12侧取出所产生的电子－空穴对中的例如电子，并积蓄在基板11内，另一方面，空穴从上部电极14侧通过未图示的布线层被排出。如上所述积蓄的各色的光接收信号分别被读出至后述的垂直信号线Lsig，从而能够获得红、绿、蓝各色的摄像数据。
（比较例）
图3是示出了根据本实施方式的比较例（比较例1）的光电转换元件的样本（样本100a）的构成的立体图。作为比较例1，在石英构成的基板101上，蒸镀由喹吖啶酮和SubPC的二元系共淀积膜构成的有机层102之后，形成ITO形成的电极103，并进行高温退火（250℃左右、数分钟），从而制备了样本100a。利用光学显微镜拍摄该样本100a的有机层102的截面，图4的（A）示出了明视野图像，图4的（B）示出了暗视野图像。如上所述，在使用喹吖啶酮和SubPC的二元系共淀积膜构成的有机层102的比较例1中，通过材料的迁移形成构造体，膜质不均匀。并且，喹吖啶酮优先凝聚，产生有相分离。
图5是示出了根据本实施方式的比较例（比较例2-1）的光电转换元件的样本（样本100b）构成的立体图。作为比较例2-1，在基板101上，通过BCP（低玻璃转移温度）构成的中间层104蒸镀有机层102（喹吖啶酮和SubPC的共淀积膜）之后，形成电极103，并进行高温退火（250℃左右、数分钟），从而制备了样本100b。利用光学显微镜拍摄该样本100b的有机层102的截面，图6的（A）示出了明视野图像，图6的（B）示出了暗视野图像。如上所述，在有机层102和基板101之间设置由BCP构成的中间层104的比较例2-1也发生有斑点，膜质不均匀。
并且，作为比较例（比较例2-2），利用光学显微镜摄影将具有高玻璃转移温度的PTCDI用作中间层104的有机层102的截面，以该中间层104代替了在上述样本100b的BCP。图7的（A）示出了其明视野图像，图7的（B）示出了暗视野图像。如上所述，在有机层102和基板101之间设置由PTCDI构成的中间层104的比较例2-2，也发生有斑点，膜质不均匀。
如上所述，在由包括p型有机半导体和n型有机半导体的共淀积膜构成的有机层102中，由于制造工序（高温热处理）发生斑点等，膜质不均匀。这是因为p型有机半导体和n型有机半导体中的一个（在这里是作为p型有机半导体的喹吖啶酮）优先凝聚，在有机层102内产生了相分离。
对此，在本实施方式中，在包括p型有机半导体A（例如喹吖啶酮）和n型有机半导体B（例如SubPC）的有机层13还添加了作为有机半导体A的衍生物的有机半导体C1（二甲基喹吖啶酮）。如上所述，有机层13包括p型以及n型的有机半导体A、B之外还包括其中凝聚性较高的一个（有机半导体A）的类似物（有机半导体C1），从而抑制有机半导体A的凝聚，下降斑点的发生。如图8的（A）所示，这是因为有机半导体A的分子（QD分子130a）的有规则的排列被有机半导体C1的分子（二甲基QD分子130b）崩溃（紊乱）。详细地，喹吖啶酮分子之间由于分子之间力而容易凝聚，但是，例如对于喹吖啶酮使用在2、9位置配置甲基的衍生物，从而能够在未大幅改变电特性的情况下抑制斑点发生。
并且，图9示出了本实施方式的元件构造的能带图。示出了在ITO（功函数4.8eV）构成的电极和铝（功函数4.3eV）构成的电极之间设置有机半导体Ａ、B、C1的三元系共淀积膜的例子。此外，喹吖啶酮的最高被占轨道（HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital）的能级是约5.3eV，最低空轨道（LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital）的能级是约3.2eV。并且，SubPC的最高被占轨道的能级是约5.4eV，最低空轨道的能级是约3.3eV。
如以上说明，在本实施方式中，在包括p型有机半导体A以及n型有机半导体B的有机层13添加了作为有机半导体A的衍生物的有机半导体C1。从而，在制造工序中的高温热处理，抑制有机半导体Ａ的凝聚，能够减少有机层13中的膜质的不均匀。因此，能够抑制热处理导致的有机层13（光电转换层）的性能恶化。
接着，对根据上述实施方式的光电转换元件（像素）的变形例进行说明。此外，在下面说明中，对于与上述实施方式相同的构成要素标注相同的符号，适当省略说明。
〈变形例〉
图11是示出根据变形例的有机层13所包括的有机半导体（有机半导体Ａ、B、Ｃ2）的三元系混合比的例子的图。在本变形例中，有机层13包括与上述实施方式相同的有机半导体Ａ（喹吖啶酮）以及有机半导体B（辅助酞菁），同时，作为有机半导体Ａ的衍生物，添加了与有机半导体C1不同的有机半导体Ｃ2（二氯喹吖啶酮）。在图11中示出了有机半导体A、B、C2的3元系混合比（Ａ：Ｂ：Ｃ2）＝s1（50：50：0）、s2（25：50：25）、s3（0：50：50）、s4（50：25：25）、s5（25：25：50）、s6（50：0：50）以及这时有机层13是否发生有斑点。此外，与上述实施方式相同地，这是对将按照上述混合比s1～s6混合有机半导体A、B、Ｃ2后共淀积在石英基板（基板温度60℃以及0℃）上，之后高温退火（250℃左右，数分钟）来形成的有机层13的截面进行观察，并基于评价是否发生斑点的结果示出的。在s1～s6的各点，对于未观察到斑点发生处标注“○”的标记，对于观察到斑点发生处标注了“△”的标记。并且，在基板温度为60℃时用实线表示这些标记，0℃时用虚线表示。
如上所述，作为有机半导体Ａ（喹吖啶酮）的衍生物，并不限定于上述实施方式的有机半导体C1（二甲基喹吖啶酮），还可以使用有机半导体Ｃ2（二氯喹吖啶酮）。并且，只要是有机半导体Ａ的衍生物或异构体等类似物，即可用作有机半导体Ａ的抗凝集剂，因此，并不限定于上述物质，能够将其他各种物质用作三元系中的添加材料。并且，关于有机半导体Ａ、B，并不限定于图2以及图11所示的喹吖啶酮以及辅助酞菁的组合，能够从上述的各种p型以及n型有机半导体选择各种组合。
〈固体摄像装置的整体构成〉
图12是将在上述实施方式说明的光电转换元件用于各像素的固体摄像装置（固体摄像装置1）的功能框图。该固体摄像装置1是CMOS图像传感器，具有作为摄像区域的像素部1a，同时具有例如行扫描部131、水平选择部133、列扫描部134以及系统控制部132构成的电路部130。电路部130与该像素部1a的周边区域或者像素部1a层叠，可以设在像素部1a的周边区域，也可以与像素部1a层叠（在与像素部1a相对的区域）设置。
像素部1a具有例如矩阵状二维设置的多个单位像素p（相当于光电转换元件10）。对于该单位像素p，例如为每行像素布线有像素驱动线Lread（具体的来讲，行选择线以及复位控制线），为每列像素布线有垂直信号线Lsig。像素驱动线Lread用于传送来自像素的读出信号用的驱动信号。像素驱动线Lread的一端连接在对应于行扫描部131的各行的输出端。
行扫描部131由移位寄存器或地址解码器等构成，是例如按照行单位驱动像素部1a的各像素p的像素驱动部。从通过行扫描部131所选择扫描的像素行的各像素p输出的信号通过各垂直信号线Lsig，供给水平选择部133。水平选择部133由为各垂直信号线Lsig设置的放大器或水平选择开关等构成。
列扫描部134由移位寄存器或地址解码器等构成，对水平选择部133的各水平选择开关进行扫描的同时依次驱动。通过该列扫描部134进行选择扫描，通过各垂直信号线Lsig传送的各像素的信号依次传送到水平信号线135，并通过该水平信号线135向外部输出。
系统控制部132接收从外部提供的指示时钟或动作模式的数据等，并且，输出固体摄像装置1的内部信息等数据。系统控制部132还具有生成各种定时信号的定时发生器，并基于该定时发生器生成的各种定时信号驱动并控制行扫描部131、水平选择部133、列扫描部134等。
〈适用例〉
上述固体摄像装置1可适用于例如数字静态摄影机或摄像机等照相机系统或者具有摄像功能的便携式电话等具有摄像功能的所有类型的电子设备。作为其一例，图13示出了电子设备2（照相机）的简要构成。该电子设备2是可拍摄例如静止图像或动画的摄像机，具有固体摄像装置1、光学系统（光学透镜）310、快门装置311、驱动固体摄像装置1以及快门装置311的驱动部313以及信号处理部312。
光学系统310将来自被摄体的图像光（入射光）引导到固体摄像装置1的像素部1a。该光学系统310还可以由多个光学透镜构成。快门装置311用于控制照射固体摄像装置1的光照射期间以及遮光期间。驱动部313用于控制固体摄像装置1的传送动作以及快门装置311的快门动作。信号处理部312对于从固体摄像装置1输出的信号进行各种信号处理。进行信号处理之后的图像信号Dout存储在存储器等存储媒体，或者输出到监测器等。
以上，说明了实施方式、变形例以及适用例，但是本实用新型的内容并不限定于上述实施方式，可进行各种变形。例如，在上述实施方式等中，举例说明了包括三种有机半导体（三元系）的有机层13，但是，本实用新型的有机层至少包含上述三种有机半导体即可，还可以包括其他有机半导体。
并且，在本实用新型的光电转换元件中，没有必要具有上述实施方式等中说明的所有的构成要素，还可以具有其它层。
此外，本实用新型还可以具有如下构成。
（1）一种光电转换元件，具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一电极以及第二电极。
（2）根据上述（1）所述的光电转换元件，其中，所述第三有机半导体是所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的凝聚性较高的有机半导体的衍生物或异构体。
（3）根据上述（1）或（2）所述的光电转换元件，其中，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的共淀积膜。
（4）根据上述（1）或（2）所述的光电转换元件，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的涂敷膜或印刷膜。
（5）根据上述（1）或（2）所述的光电转换元件，所述光电转换层是包括所述第一至第三的有机半导体的层叠膜。
（6）一种固体摄像装置，具备每个包括光电转换元件的多个像素，所述光电转换元件具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一以及第电极。
（7）一种具有固体摄像装置的电子设备，具备每个包括光电转换元件的多个像素，所述光电转换元件具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一电极以及第二电极。
本领域技术人员可根据设计要求以及其他原因，能够想到各种修改、组合、次组合以及变更，但这些均包括在权利要求书或等同内容的范围内。

Claims (3)

1.一种光电转换元件，其特征在于，具有：
光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及
第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一电极以及第二电极，
所述第一有机半导体由喹吖啶酮构成，所述第二有机半导体由辅助酞菁构成，所述第三有机半导体由二甲基喹吖啶酮或二氯喹吖啶酮构成，
所述光电转换层是包括所述第一有机半导体至第三有机半导体的层叠膜。
2.一种固体摄像装置，其特征在于，
所述固体摄像装置具备分别包括光电转换元件的多个像素，
所述光电转换元件具有：
光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及
第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一电极以及第二电极，
所述第一有机半导体由喹吖啶酮构成，所述第二有机半导体由辅助酞菁构成，所述第三有机半导体由二甲基喹吖啶酮或二氯喹吖啶酮构成，
所述光电转换层是包括所述第一有机半导体至第三有机半导体的层叠膜。
3.一种电子设备，其具备固体摄像装置，其特征在于，
所述固体摄像装置具备分别包括光电转换元件的多个像素，
所述光电转换元件具有：
光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由所述第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及
第一电极以及第二电极，夹着所述光电转换层设置所述第一电极以及第二电极，
所述第一有机半导体由喹吖啶酮构成，所述第二有机半导体由辅助酞菁构成，所述第三有机半导体由二甲基喹吖啶酮或二氯喹吖啶酮构成，
所述光电转换层是包括所述第一有机半导体至第三有机半导体的层叠膜。
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