JP2015015332A - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1または2以上の第1光電変換部と、第1光電変換部に対向して縦方向(光路)に積み重ねられ、有機層を含むと共に最初に光が入射する第2光電変換部とがそれぞれ設けられ、第1光電変換部および第2光電変換部のそれぞれが互いに異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行うとともに、第2光電変換部の有機層の光入射面を覆う紫外線防止膜とを備えた固体撮像素子。
【選択図】図1
Description
は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(撮像素子:紫外線吸収膜が有機光電変換膜を覆う例)
2.変形例1(複数の有機光電変換部を有する例)
3.変形例2(下部電極側からホールを信号電荷として取り出す例)
4.変形例3(上部電極側から電子またはホールを信号電荷として取り出す例)
5.第2の実施の形態(撮像素子:紫外線反射膜が有機光電変換膜を覆う例)
6.適用例(撮像装置)
[撮像素子10の構成]
図1は、本技術の一実施の形態に係る固体撮像素子(撮像素子10)の断面構成を表したものである。撮像素子10は、例えばCCDイメージセンサまたはCMOSイメージセンサなどの撮像装置(例えば、後述の図18の撮像装置1)において1つの画素(例えば後述の図18の画素P)を構成するものである。この撮像素子10は所謂、裏面照射型の撮像素子であり、半導体基板11の受光面(面S1)とは反対側の面(面S2)に多層配線層51が設けられている。
このような撮像素子10は、例えば以下のようにして製造することができる(図6A〜図10D)。
ハフニウム酸化膜、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により酸化シリコン膜をこの順に成膜して層間絶縁層12を形成する。
このような撮像素子10では、例えば撮像装置の画素として、次のようにして信号電荷(電子)が取得される。撮像素子10に、オンチップレンズ21(図1)を介して光Lが入射すると(図11)、光Lは有機光電変換部11G、無機光電変換部11Bおよび無機光電変換部11Rの順に通過し、その通過過程において緑、青、赤の色光毎に光電変換される。詳細には、図12に示したように、撮像素子10へ入射した光Lのうち、まず、緑色光Lgが有機光電変換部11Gで選択的に検出(吸収)され、光電変換される。有機光電変換部11Gで発生した電子・ホール対のうちの電子Egが下部電極14から取り出され、伝送経路A(配線13a,導電性プラグ120a1,120a2)を介して緑用蓄電層110Gへ蓄積される。蓄積された電子Egは、読み出し動作の際にFD116へ転送される。一方、ホールHgは上部電極17から伝送経路B(配線13b)を介して排出される。
このように、縦方向に有機光電変換部11Gおよび無機光電変換部11B,11Rを積み重ねることにより、カラーフィルタを設けることなく、赤,緑,青の色光を分離して検出し、各色の信号電荷を得ることができる。従って、カラーフィルタの色光吸収に起因する光損失(感度低下)や、画素補間処理に伴う偽色の発生を抑制することが可能となる。
図14は、上記実施の形態の変形例1に係る撮像素子(撮像素子10A)の断面構成を表したものである。この撮像素子10Aは、半導体基板11上に有機光電変換部11Gと共に有機光電変換部11BA,11RAを有している。この点を除き、撮像素子10Aは撮像素子10と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図15に示したように、下部電極14から信号電荷としてホールを取り出して緑色蓄電層(緑用蓄電層110G1)に蓄積するようにしてもよい(変形例2)。
図16に示したように、上部電極17から信号電荷を取り出すようにしてもよい(変形例3)。
図17は、本技術の第2の実施の形態に係る撮像素子(撮像素子60)の断面構成を表したものである。この撮像素子60は、有機光電変換層16上に紫外線反射膜(紫外線反射膜68)を有するものである。この点を除き、撮像素子60は撮像素子10と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図18は上記実施の形態および変形例で説明した撮像素子(撮像素子10,10A,60)を各画素に用いた固体撮像装置(撮像装置1)の全体構成を表している。この撮像装置1はCMOSイメージセンサであり、半導体基板11上の中央部に撮像エリアとしての画素部1aを有している。画素部1aの周辺領域には、例えば行走査部131、システム制御部132、水平選択部133および列走査部134を含む周辺回路部130が設けられている。
(1)1または2以上の第1光電変換部と、前記第1光電変換部に対向する位置に設けられ、有機層を含むと共に最初に光が入射する第2光電変換部と、前記有機層の光入射面を覆う紫外線防止膜とを備えた固体撮像素子。
(2)前記第2光電変換部は、前記紫外線防止膜と前記有機層との間の上部電極と、前記上部電極に前記有機層を間にして対向する下部電極とを含む前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)前記紫外線防止膜、前記上部電極および前記有機層の平面形状が同一である前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)前記紫外線防止膜は、波長400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する前記(1)乃至(3)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(5)前記紫外線防止膜の波長400nm以下の光に対する透過率は80%以下である前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)前記紫外線防止膜は、可視光を透過する前記(1)乃至(5)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(7)前記紫外線防止膜の可視光に対する透過率は80%以上である前記(6)に記載の固体撮像素子。
(8)前記紫外線防止膜の応力の絶対値は500MPa以下である前記(1)乃至(7)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(9)前記紫外線防止膜は、窒化シリコン,酸化シリコン,酸窒化シリコン,酸化アルミニウム,窒化アルミニウム,酸化チタン,酸化バナジウムおよび酸化クロムのうち少なくともいずれか一つを含む前記(1)乃至(8)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(10)基板を有し、前記第2光電変換部は前記基板上に設けられている前記(1)乃至(9)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(11)前記基板の内部の、前記第2光電変換部と平面視で重なる位置に前記第1光電変換部を有する前記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)前記紫外線防止膜は、波長400nm以下の光の少なくとも一部を反射する前記(1)乃至(11)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(13)前記有機層は、第1導電型半導体および第2導電型半導体を含み、前記上部電極および下部電極の一方は前記第1導電型半導体、他方は前記第2導電型半導体にそれぞれ接している前記(2)に記載の固体撮像素子。
(14)前記第2光電変換部は特定の波長域の光を吸収する前記(1)乃至(13)のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(15)前記第2光電変換部は前記特定の波長域以外の光に対して70%以上の透過率を有する前記(14)に記載の固体撮像素子。
(16)固体撮像素子を有し、前記固体撮像素子は、1または2以上の第1光電変換部と、前記第1光電変換部に対向する位置に設けられ、有機層を含むと共に最初に光が入射する第2光電変換部と、前記有機層の光入射面を覆う紫外線防止膜とを備えた電子機器。
(17)1または2以上の第1光電変換部に対向する位置に、有機層を成膜することと、前記有機層の光入射面を紫外線防止膜で覆った後、前記有機層をパターニングして第2光電変換部を設けることとを含む固体撮像素子の製造方法。
Claims (17)
- 1または2以上の第1光電変換部と、
前記第1光電変換部に対向する位置に設けられ、有機層を含むと共に最初に光が入射する第2光電変換部と、
前記有機層の光入射面を覆う紫外線防止膜と
を備えた固体撮像素子。 - 前記第2光電変換部は、前記紫外線防止膜と前記有機層との間の上部電極と、前記上部電極に前記有機層を間にして対向する下部電極とを含む
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜、前記上部電極および前記有機層の平面形状が同一である
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜は、波長400nm以下の光の少なくとも一部を吸収する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜の波長400nm以下の光に対する透過率は80%以下である
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜は、可視光を透過する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜の可視光に対する透過率は80%以上である
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜の応力の絶対値は500MPa以下である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜は、窒化シリコン,酸化シリコン,酸窒化シリコン,酸化アルミニウム,窒化アルミニウム,酸化チタン,酸化バナジウムおよび酸化クロムのうち少なくともいずれか一つを含む
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 基板を有し、
前記第2光電変換部は前記基板上に設けられている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記基板の内部の、前記第2光電変換部と平面視で重なる位置に前記第1光電変換部を有する
請求項10に記載の固体撮像素子。 - 前記紫外線防止膜は、波長400nm以下の光の少なくとも一部を反射する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記有機層は、第1導電型半導体および第2導電型半導体を含み、
前記上部電極および下部電極の一方は前記第1導電型半導体、他方は前記第2導電型半導体にそれぞれ接している
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第2光電変換部は特定の波長域の光を吸収する
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2光電変換部は前記特定の波長域以外の光に対して70%以上の透過率を有する
請求項14に記載の固体撮像素子。 - 固体撮像素子を有し、
前記固体撮像素子は、
1または2以上の第1光電変換部と、
前記第1光電変換部に対向する位置に設けられ、有機層を含むと共に最初に光が入射する第2光電変換部と、
前記有機層の光入射面を覆う紫外線防止膜とを備えた
電子機器。 - 1または2以上の第1光電変換部に対向する位置に、有機層を成膜することと、
前記有機層の光入射面を紫外線防止膜で覆った後、前記有機層をパターニングして第2光電変換部を設けることと
を含む固体撮像素子の製造方法。
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