CN204270876U - 复合薄片以及层叠陶瓷电子部件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及复合薄片以及层叠陶瓷电子部件。提供提高了导体膜与陶瓷生片之间的密接性、能消除层叠偏离的复合薄片。复合薄片(11)具备：具有长度方向的陶瓷生片(13)；和印刷在所述陶瓷生片(13)上的导体膜(14)，所述导体膜(14)是具有在所述长度方向上延伸的长边方向和具有与长边方向正交的短边方向的形状，在所述导体膜(14)中，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设置沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分(14a)不同的多个不同厚度区域(14b)。

Description

复合薄片以及层叠陶瓷电子部件

技术领域

本实用新型涉及在陶瓷生片上印刷导体膜的复合薄片、和使用该复合薄片构成的层叠陶瓷电子部件。

背景技术

过去，在层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件的制造时，在陶瓷生片上印刷内部电极。然后，将印刷了内部电极的陶瓷生片即复合薄片层叠。伴随着层叠陶瓷电子部件的小型化而陶瓷生片和内部电极的层叠数不断增大。为此，层叠需要长时间。若缩短层叠时间，则层间的密接力会变低。若层间的密接力变低，在层叠工序中就易于发生层叠偏离。

在下述的专利文献1中，公开了在内部电极端缘部分设置在厚度方向上突出的鞍部的层叠陶瓷电子部件。按照鞍部彼此在厚度方向上不重合的方式层叠多个内部电极。由此谋求脱层的抑制。

专利文献

专利文献1：WO2011/071143

如专利文献1记载那样，在内部电极设置鞍部的结构中，能抑制脱层的发生且提高内部电极端缘部分的内部电极和陶瓷生片的密接力。因此，认为能抑制上述层叠偏离。

但是，伴随层叠陶瓷电子部件的进一步的小型化，要求进一步提高内部电极和陶瓷生片的密接力。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种进一步提高导体膜与陶瓷生片之间的密接力、能有效果地防止层叠偏离的复合薄片。本实用新型的其它目的在于，提供一种提高了陶瓷层与内部电极的密接性的层叠陶瓷电子部件以及其制造方法。

本实用新型所涉及的复合薄片具备：具有长度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的导体膜，在所述导体膜，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设有沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域。

在本实用新型所涉及的复合薄片的某特定的局面下，在俯视的情况下，所述不同厚度区域具有点状的形状。

在本实用新型所涉及的复合薄片的其它特定的局面下，多个所述不同厚度区域被设置为构成多个所述列。

在本实用新型所涉及的复合薄片的另外的特定的局面下，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分薄的薄壁区域。

在本实用新型所涉及的复合薄片的其它特定的局面下，所述不同厚度区域是厚度比其余的部分厚的厚壁区域。

在本实用新型所涉及的复合薄片的再其它特定的局面下，在所述厚壁区域内，设有厚度比该厚壁区域薄的中央薄壁区域。

本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件具备：陶瓷烧结体；和在所述陶瓷烧结体内隔着陶瓷层相互重叠地配置的多个内部电极，所述内部电极是具有长边方向、和与长边方向正交的短边方向的平面形状，所述内部电极具有按照构成在所述长边方向上延伸的列的方式被分散配置且密度与其余的部分不同的多个不同密度区域。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的某特定的局面下，所述不同密度区域在俯视的情况下具有点状的形状。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下，多个所述不同密度区域被设置为构成多个所述列。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的再其它特定的局面下，所述不同密度区域是密度比其余的部分低的低密度区域。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下，所述不同密度区域是密度比其余的部分高的高密度区域。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的其它特定的局面下，在所述高密度区域内，设有密度比该高密度区域低的中央低密度区域。

在本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的再另外的特定的局面下，提供作为层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电子部件。

发明的效果

在本实用新型所涉及的复合薄片中，由于在导体膜按照构成在长度方向上延伸的列的方式设有多个不同厚度区域，因此在层叠多片的该复合薄片时，能有效果地抑制层叠偏离。另外，能有效果地提高导体膜与陶瓷生片的密接性。

因而，通过使用上述本实用新型的复合薄片来实施本实用新型的层叠陶瓷电子部件的制造方法，能提供本实用新型的层叠陶瓷电子部件。在本实用新型的层叠陶瓷电子部件中，有效地提高了内部电极与陶瓷的密接性，且不容易发生层叠偏离。

附图说明

图1(a)是在本实用新型的第1实施方式准备的复合薄片的俯视图，(b)是导体膜的示意俯视图，(c)是表示导体膜的主要部分的部分放大截面图。

图2(a)是用于说明在本实用新型的第1实施方式中用于导体膜的印刷的凹版的概略立体图，(b)是用于说明该凹版的1个印刷部的示意俯视图。

图3是用于说明在本实用新型的第1实施方式中将导体膜烧成之后的内部电极的结构的示意放大截面图。

图4(a)以及(b)是表示在本实用新型的第1实施方式的层叠陶瓷电子部件的制造方法中准备的第1、第2复合薄片的主视截面图。

图5是表示在本实用新型的第1实施方式中制作的母层叠体的示意主视图。

图6是表示在本实用新型的第1实施方式中得到的作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的主视截面图。

图7(a)～(c)是用于说明将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口放大截面图。

图8是用于说明在本实用新型的其它实施方式中将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面图。

图9是用于说明在本实用新型的其它实施方式中将导电膏从凹版转印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面图。

图10是用于说明在本实用新型的第2实施方式中形成的导体膜的示意俯视图。

图11是用于说明在本实用新型的第3实施方式中形成的导体膜的示意俯视图。

图12是表示在本实用新型的第4实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的印刷部的形状的概略俯视图。

图13是表示在本实用新型的第5实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的印刷部的形状的概略俯视图。

图14是表示本实用新型的第6实施方式中的导体膜的结构的示意俯视图。

图15是表示在第6实施方式中为了印刷导体膜而使用的凹版的印刷部的示意俯视图。

图16是本实用新型的第7实施方式中的导体膜的示意俯视图。

图17是本实用新型的第8实施方式中的导体膜的示意俯视图。

图18是在本实用新型的第9实施方式中为了得到导体膜而使用的凹版的俯视图。

标号的说明

1  凹版

1a  表面

1b  堤坝

2  凹穴

3  印刷部

11、12  第1、第2复合薄片

13  陶瓷生片

14、15  第1、第2导体膜

14A、15A  第1、第2内部电极

14a  第1区域

14b  第2区域

14c  厚度变化区域

14d  薄壁区域

14x  导电膏

16  母层叠体

17  陶瓷烧结体

17a、17b  第1、第2端面

18、19  第1、第2外部电极

20  层叠陶瓷电容器

21  导电性粒子

31  导体膜

32、33  第1、第2区域

33a、33c  厚度变化区域

33b  厚壁区域

33d  中央薄壁区域

34  导体膜

35  第2区域

41、51  凹穴

42、52  堤坝

42a、52a  肋

43  间隙

61、71、81  导体膜

62  第2区域

62a  厚度变化区域

62b、82  薄壁区域

62c  第1区域

63  凹穴

64  堤坝

91  凹穴图案

92  凹穴

93、94  堤坝

具体实施方式

以下通过参考附图来说明本实用新型的具体的实施方式，使本实用新型得到明确。

(第1实施方式)

本实用新型的第1实施方式是作为层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的制造方法以及层叠陶瓷电容器。

在第1实施方式中，为了通过印刷来形成导体膜，使用图2(a)所示的凹版(gravure)1。凹版1用于将导电膏凹版印刷在陶瓷生片。凹版1具有圆筒状的形状。凹版1由不锈钢等的适当的金属构成。

在凹版1的外周面设置多个凹穴2。从该多个凹穴2转印的导电膏彼此相连，形成1个印刷图形。因此，如图2(b)概略示出那样，形成1个印刷图形的1个印刷部3由多个凹穴2构成。

各凹穴2是设置在凹版1的表面1a的凹部。相邻的凹部间作为划分相邻的凹穴2的堤坝1b发挥功能。

另外，如后述那样，多个凹穴2并不一定非要通过堤坝完全分离。

在第1实施方式中，准备图4(a)所示的第1复合薄片11、和图4(b)所示的第2复合薄片12。通过在母陶瓷生片13上使用上述凹版1印刷多个导体膜14，得到第1复合薄片11。

关于构成上述陶瓷生片13的陶瓷材料没有特别的限定，能使用由BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等的主成分构成的电介质陶瓷。原本，在作为层叠陶瓷电子部件构成层叠陶瓷压电装置或层叠陶瓷电感器等的情况下，就可以根据功能不同而使用压电陶瓷或磁性体陶瓷等。

多个导体膜14如图1(a)所示那样在陶瓷生片13上矩阵状配置。

在图4(b)所示的第2复合薄片12中，也在母陶瓷生片13上印刷多个导体膜15。多个导体膜15由与多个导体膜14相同的材料同样地构成。

本实施方式的特征在于上述导体膜14、导体膜15具有厚度分布。参考图1(b)以及(c)，以导体膜14为代表来对其进行说明。

导体膜14由前述的图2(b)所示的1个印刷部3构成。即，在1个印刷部3内的多个凹穴2填充导电膏。将该导电膏转印，使其相互相连，形成1个导体膜14。

另外，图1(a)所示的陶瓷生片13是长条状的陶瓷生片，将其长度方向设为长度方向L。与长度方向正交的方向是宽度方向W。

如图1(a)所示，在复合薄片11中，多个导体膜14沿上述长度方向L以及宽度方向W矩阵状配置。另外，导体膜14是具有长度方向和宽度方向的矩形的形状。将导体膜14的长度方向设为与上述长度方向L相同方向。

图1(b)是概略表示1个导体膜14的厚度分布的示意俯视图。在图1(b)中，在导体膜14厚度最大的区域添加交叉的阴影来表示。在导体膜14中，在添加交叉的阴影来表示的第1区域14a内设置点状的多个第2区域14b。在该第2区域14b，在中央设置厚度比第1区域14a薄的薄壁部14d。使从该薄壁部14d的外周缘直到第1区域14a的圆环型的区域为厚度变化区域14c。第2区域14b是厚度比第1区域14a薄的薄壁区域，相当于本实用新型的不同厚度区域。

多个点状的第2区域14b在上述导体膜14沿长度方向分散配置。即，多个点状的第2区域14b构成在长度方向上延伸的列。并且，在本实施方式中，构成多条的列、具体的为3条的列。另外，位于宽度方向两侧的列的多个第2区域14b、和位于宽度方向中央的列的多个第2区域14b交错状地配置。

图1(c)是放大表示上述导体膜14中的相邻的一对第2区域14b所处的部分的部分放大截面图。

另外，在图4(a)以及图4(b)中，由于难以图示导体膜14以及15的上述厚度分布，因此略去厚度分布来表示。

在本实施方式中，交替层叠多片第1复合薄片11和第2复合薄片12。层叠第1复合薄片11和第2复合薄片12，使得上方的导体膜15在层叠方向上位于下方的第1复合薄片11的导体膜14、14间。

然后，上下层叠适当的片数的未经印刷的陶瓷生片。在厚度方向上压接如此得到的层叠体。由此得到图5所示的母层叠体16。

在母层叠体16，通过压接使层叠的复合薄片11、12彼此稳固地密接。特别由于导体膜14、15有上述厚度分布，因此能有效果地提高密接性。另外，还能有效果地抑制复合薄片11与复合薄片12的层叠偏离。若以导体膜14为例，由于如上述那样设置厚度不同的点状的第2区域14b，因此导体膜14通过压接而与层叠在该导体膜14上的复合薄片12的陶瓷生片13稳固地密接。同样地，关于导体膜15，也是与层叠在导体膜15上的复合薄片11的陶瓷生片13、13稳固地密接。因此，能提高导体膜14、15与陶瓷生片13的密接力，并且还能有效果地抑制层叠时与层叠方向正交的方向的位置偏离即层叠偏离。

关于形成具有上述那样厚度分布的导体膜14、15的方法，在后面详述。

接下来，如图5的虚线B所示那样在厚度方向上切断母层叠体16，得到各个层叠陶瓷电容器单位的层叠体。将各个层叠陶瓷电容器单位的层叠体烧成。由此得到图6所示的陶瓷烧结体17。

在陶瓷烧结体17中，第1内部电极14A和第2内部电极15A隔着陶瓷层交替层叠。分割第1导体膜14而形成第1内部电极14A。分割第2导体膜15而形成第2内部电极15A。

多个第1内部电极14A在第1端面17a引出。多个第2内部电极15A在与第1端面17a相反侧的第2端面17b引出。覆盖第1、第2端面17a、17b地形成第1、第2外部电极18、19。由此得到层叠陶瓷电容器20。

第1、第2外部电极18、19能通过导电膏的涂布、烘烤等的适当的方法形成。

在如此得到的层叠陶瓷电容器20中，在母层叠体16的阶段提高了导体膜14、15与陶瓷生片13的密接性，且难以发生层叠偏离。因此，在得到的陶瓷烧结体17中，也有效果地提高了第1、第2内部电极14A、15A与陶瓷层的密接性，难以发生脱层。此外，由于还抑制了层叠偏离，因此能容易且可靠地提供所期望那样的特性的层叠陶瓷电容器20。

另外，在上述那样烧成而得到的第1内部电极14A以及第2内部电极15A中，对应于在导体膜14、15的阶段的厚度分布而构成内部电极的导电性粒子的密度具有分布。参考图3对其进行说明。图3是示意放大表示第1内部电极14A的烧成后的截面的截面图。在第1内部电极14A中，多个导电性粒子21通过烧结而合在一起。并且，在箭头B1、B2、B3所示的部分形成空隙。尽管没有图示，但另外的导电性粒子位于空隙的主面以及斜边方向。在上述空隙的周缘，多个导电性粒子21的密度相对变低，构成低密度区域。并且，该低密度区域的周围成为多个导电性粒子21大量存在的高密度区域。

在前述的导体膜14的第1区域14a形成上述高密度区域。另一方面，由前述点状的第2区域14b构成上述低密度区域。这是因为，在烘烤具有上述厚度分布的导体膜14时，在厚度薄的部分成为通过烘烤而形成的内部电极中的导电性粒子的密度低的低密度区域，内部电极中的导电性粒子的密度高的厚度厚的部分成为高密度区域。

因此，上述那样得到的层叠陶瓷电容器20的第1、第2内部电极14A、15A具有沿前述的长度方向成列的多个作为不同密度区域的低密度区域。该长度方向相当于连结第1端面17a和第2端面17b的方向。

另外，在图1(b)中，导体膜14在宽度方向上形成3列的形成多个第2区域14b的列。因此，在如此得到的层叠陶瓷电容器20中，在宽度方向上形成3列的由上述多个低密度区域构成的在长度方向上延伸的列。

根据本申请发明者的实验，在将烧成前的导体膜14、15的厚度在第1区域设为0.3～1.2μm，在第2区域的薄壁区域设为第1区域的80％～99％以内的厚度的情况下，确认到能在内部电极14A、15A可靠地形成上述的低密度区域以及高密度区域。如此，在本实施方式中，在形成上述第1区域、和具有薄壁区域的点状的第2区域时，准备的导电膏中的导电性粒子的粒径优选为0.4μm以下，设为0.3μm程度。由此，能容易地形成更薄且具有厚度分布的上述实施方式的导体膜14、15。

在上述实施方式中，在内部电极14A、15A设置作为不同密度区域的低密度区域，但不同密度区域并不需要一定是相对低密度的区域，如从后述的其它实施方式所明确的那样，不同密度区域也可以是密度相对高于其余的部分的密度的高密度区域。另外，也可以在高密度区域内设置密度低于该高密度区域的中央低密度区域。

接下来参考图7～图9来说明上述导体膜14的形成方法。

图7(a)～(c)是用于说明形成不具有上述第2区域的大致均匀的厚度的现有的导体膜的工序的部分放大截面图。如图7(a)所示那样，在凹版1的表面形成多个凹穴2。该凹穴2、2间是堤坝1b。在凹穴2内赋予导电膏101。使陶瓷生片102压接在该凹版1的表面。其结果，将导电膏101转印到陶瓷生片102的单面。这种情况下，导电膏101具有流动性。因此，从图7(a)所示的状态如图7(b)所示那样，导电膏101渐渐地从堤坝1b向堤坝1b、1b间的区域移动。即，如图7(b)所示那样，在陶瓷生片102的一个面上，导电膏101从堤坝1b向外侧扩散地移动。

进而，如图7(c)所示那样，随着时间的经过，导电膏101在陶瓷生片102的一个面扩散，成为大致均匀的膜厚。若烘烤如此得到的复合薄片，就能形成均匀的膜厚的电极。

但是，在使用大致均匀的导体膜的情况下，与层叠在该导体膜上的陶瓷生片的密接性不充分。为此，有可能会如前述那样产生层叠偏离。

与此相对，在本实施方式中，如图8所示那样，赋予凹穴2内的导电膏14x如箭头E、E所示那样，在堤坝1b传递而转印到陶瓷生片13的一个面。然后，与图7(b)所示的情况相同，导电膏14x从堤坝1b远离地扩散。与现有技术不同，在本实施方式中，在图8所示的状态下使陶瓷生片13从凹版1分离。即，通过使印刷速度快10～30mm/min程度来加快离版，由此能对导电膏14x赋予厚度分布。

另外，为了给出上述厚度分布，不仅可以加快离版，还可以调整导电膏14x中的流动性。即，作为导电膏14x，使用流动性低、难以立即成为图7(c)所示那样的均匀的膜厚的组成的导电膏即可。或者，也可以并用加快上述离版、和导电膏的流动性的控制的双方。

另外，期望减小导电膏14x中所含有的导电性粒子的粒径。若使粒径减小，则能提高导电膏14x的粘度，降低流动性。优选，作为导电性粒子的粒径为0.4μm以下。由此，能可靠且容易地形成厚度分布。

另外，为了如本实施方式那样在导体膜14形成薄壁区域，期望增大相邻的堤坝1b与堤坝1b间的间隔、即凹穴2的宽度G。由此能容易地形成导电膏14x的厚度薄的部分。

反之，也可以在导体膜形成点状的厚壁区域。这种情况下，为了形成厚壁区域，使堤坝1b的宽度方向尺寸增大，使堤坝1b与堤坝1b间的距离即凹穴的宽度G变窄即可。

另外，在如后述那样在点状的厚壁区域内设置中央薄壁区域的情况下，使上述凹穴2的宽度G、和堤坝1b的宽度F的双方较宽即可。

如图9所示，通过扩展堤坝1b与堤坝1b的间隔，能在陶瓷生片13在点状的区域的中央形成中央薄壁部H。即，能在厚壁部的中央形成中央薄壁部H。

另外，能通过观察透射光确认上述那样设置在陶瓷生片13上的导体膜14的厚度分布。即，能通过测定透射光的强度，来确认厚壁部以及薄壁部。因此，能以光学方式确认得到的陶瓷生片上的导体膜的厚度分布以及形状。

另外，只要通过以下的方法来确认最终得到的层叠陶瓷电子部件中的内部电极的厚度分布即可。首先，对烧结体进行研磨，使内部电极露出。在使内部电极露出后，将陶瓷烧结体浸渍在氢氧化钾水溶液中，施加电压。通过该电压的施加而发生层间剥离。在层间剥离的样本中用显微镜等确认内部电极的截面的导电性粒子的密度分布。即，能通过目视或者图像处理装置确认在内部电极是否存在密度高的部分以及密度低的部分。

另外，导体膜的厚度分布还能通过用接触式或非接触式的粗度计测量表面状态来确认。

(第2实施方式～第9实施方式)

本实用新型的复合薄片并不限定于上述第1实施方式的复合薄片11、12。

图10是表示本实用新型的第2实施方式所涉及的复合薄片的导体膜的厚度分布的示意俯视图。在第2实施方式中，导体膜31是具有长度方向和宽度方向的矩形的形状。另外，在以下的第3实施方式以下，导体膜也具有长度方向，形成为长度方向与前述的陶瓷生片13的长度方向平行的矩形的形状。

另外，在第2实施方式～第9实施方式中也与第1实施方式相同，在导体膜中，对于厚度最薄的部分不添加阴影，对其次薄的区域添加倾斜线阴影，对最厚的厚度部分添加交叉的阴影来表示。

如图10所示那样，在导体膜31中，被设置成在长度方向上延伸的多个点状的第2区域33构成列。在本实施方式中，也是多个点状的区域33构成在长度方向上延伸的列，该列在短边方向上并设3列。上述多个点状的第2区域33以外成为不添加阴影的第1区域32。

在本实施方式中，第1区域32的厚度最薄。另一方面，点状的第2区域33的厚度比第1区域32厚，设为厚壁区域。此外，在第2区域33，将中央部分设为厚度最厚的圆形的厚壁区域33b。从该厚壁区域33b的外周缘直到第1区域32的部分被设为圆环状的厚度变化区域33a。如本实施方式那样，作为不同厚度区域的点状的第2区域33可以是厚度比第1区域32厚的厚壁区域。为了得到本实施方式那样的厚度分布，优选将堤坝宽度设为10～20μm，将堤坝间隔设为30～2001μm。

图11是第3实施方式所涉及的导体膜34的示意俯视图。在导体膜34中，与第2实施方式相同，在厚度最薄的第1区域32内构成由多个点状的第2区域35构成的在长度方向上延伸的列。在本实施方式中也在短边方向上并设3列。

第3实施方式与第2实施方式不同之处在于，在作为不同厚度区域的厚壁区域33b的中央设置圆形的中央薄壁区域33d。按照从中央薄壁区域33d的外周缘直到厚壁区域33b的方式设置圆环状的厚度变化区域33c。也可以这样将中央薄壁区域33d设置在厚壁区域33b内。为了得到本实施方式那样的厚度分布，优选将堤坝宽度设为3～20μm，将从两侧夹着凹穴的堤坝间隔设为80～200μm。

另外，用于印刷上述第1～第3实施方式的各导体膜14、31、34的凹版的凹穴的图案能够适当变形。例如，在图12所示的第4实施方式中，为了在凹版1的表面构成矩形的印刷图形，六角形状的多个凹穴41、41按照沿长度方向构成列的方式经由堤坝相连。堤坝42包围该六角形的凹穴41。另外，在包围中央的凹穴41的堤坝42，设置从位于短边方向两端的部分向印刷部3的长边在短边方向上延伸的肋42a、42a。该肋42a被设置为在印刷部3中与在长度方向上相邻的肋42a一起还与堤坝42的一部分一起包围将六角形切断为1/2的形状。

换言之，印刷部3中的凹穴图案是如下形状：从交错状配置多个六角形状的凹穴41的构造中仅不切断中央的凹穴41而使其残留，而将位于短边方向两侧的凹穴的短边方向外侧一半切断而得到的形状。

另外，肋42a的前端隔着间隙43而没有到达印刷部3的长边。也可以不设该间隙43。

另外，在图12中，如上述示出具有六角形的凹穴41的凹穴图案，但也可以如图13所示的第5实施方式那样，以包围矩形的凹穴51的方式形成堤坝52。在此，也设置成矩形的多个凹穴51沿长度方向L构成列。另外，包围各凹穴51地设置堤坝52。从与堤坝52的长边平行的部分的中央朝向长边来设置肋52a。由此，在中央的凹穴51于长边方向上排列而成的列的短边方向两侧，同样地被设置成多个矩形的凹穴构成列。

在图13中，也与图12相同，设置在中央的列的凹穴51、和配置在短边方向两侧的多个凹穴51交错状地配置。

图14是表示本实用新型的第6实施方式所涉及的导体膜的示意俯视图。在导体膜61中，与第2实施方式相同，对于厚度最薄的区域不添加阴影，对厚度其次薄的区域添加斜线的阴影来进行表示，对最厚的区域添加交叉的阴影来表示。在此，在导体膜61，按照形成在长度方向上延伸的列的方式，形成多个点状的第2区域62。各点状的第2区域62与第1实施方式相同，中央是薄壁区域62b，在圆形的薄壁区域62b的周围设置圆环状的厚度变化区域62a。其余区域是第1区域62c。第1区域62c成为厚度最厚的区域。

本实施方式的导体膜61与第1实施方式不同之处在于，不是设置3列，而是多个点状的第2区域62在短边方向上并设2列。如此，在本实用新型中，在长度方向上由多个点状的区域构成的列并不限定于3列，也可以是2列，也可以设置4列以上的适当的数量的列。

图15是表示为了得到本实施方式的导体膜61而使用的凹穴图案的一例示意俯视图。在此，将六角形分割成一半之后的形状的多个凹穴63沿长度方向经由堤坝64而被隔开。由该多个凹穴63构成的列在短边方向上形成2列。

图16是第7实施方式所涉及的导体膜71的示意俯视图。第7实施方式的导体膜71与第1实施方式的导体膜14除了点状的第2区域的配置不同以外，其它都相同。因此，对同一部分标注同一参考编号。在第1区域14a内设置多个点状的第2区域14b。第2区域14b在中央具有圆形的薄壁区域14d。设置从薄壁区域14d的外周缘向第1区域14a厚度发生变化的圆环状的厚度变化区域14c。本实施方式与第1实施方式不同之处在于，多个第2区域14b不是交错状而是矩阵状配置。即，如图16的细线G所示那样，构成各列的第2区域14b在短边方向排成列。

如此，第2区域14b也可以不是交错状而是矩阵状配置。

图17是第8实施方式所涉及的导体膜的示意俯视图。在第8实施方式所涉及的导体膜81中，与第7实施方式的导体膜71相同，点状的多个第2区域14b与导体膜81的各长边相邻地构成列。取代图16所示的中央的列，在长度方向上延伸设置Z字状的厚度薄的薄壁区域82。如此，也可以在长度方向上Z字形延伸地设置薄壁区域82。由此，能进一步提高导体膜81和陶瓷生片的密接力。

图18是表示在第9实施方式中使用的凹版的凹穴图案的示意俯视图。在凹穴图案91中，多个矩形的凹穴92矩阵状配置。更具体地，多个凹穴92经由堤坝93被隔开，但多个凹穴92按照构成在长度方向上延伸的列的方式形成3列。另外，多个凹穴92矩阵状配置。在此，适当组合L字状的堤坝93和I字状的堤坝94，构成被堤坝93、94所夹的凹穴92。例如，通过使用在第9实施方式中所用的凹版的凹穴图案，能得到第8实施方式所涉及的导体膜。为了得到第8实施方式所涉及的导体膜，优选要使凹穴92间相连从而使得隔开凹穴92的堤坝93的一部分缺失的部分的宽度设为从凹穴的两侧起的堤坝间隔的50％～80％。

本实用新型所涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备：准备按照本实用新型而构成的复合薄片的工序；层叠多片的所述复合薄片来得到层叠体的工序；将所述层叠体切断为各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体的工序；烧成各个层叠陶瓷电子部件单位的层叠体来得到具有导体膜被烧成而形成的多个内部电极的陶瓷烧结体的工序。

如从第2～第9实施方式所明确的那样，在本实用新型中，凹版的凹穴图案以及导体膜中的薄壁区域以及厚壁区域的配置图案能进行各种变形，并不限定于图示的实施方式。

另外，在上述实施方式中，说明了层叠陶瓷电容器以及其制造方法，但本实用新型能运用在层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷压电部件、层叠陶瓷电感器、层叠陶瓷多层基板等的各种层叠陶瓷电子部件以及其制造方法中。

Claims (13)

1.一种复合薄片，其特征在于，具备：

具有长度方向的陶瓷生片；和

印刷在所述陶瓷生片上的导体膜，

在所述导体膜，按照构成在所述长度方向上延伸的列的方式，设有沿长度方向分散配置且厚度与其余的部分不同的多个不同厚度区域。

2.根据权利要求1所述的复合薄片，其中，

在俯视的情况下，所述不同厚度区域具有点状的形状。

3.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，

多个所述不同厚度区域被设置为构成多个所述列。

4.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，

所述不同厚度区域是厚度比其余的部分薄的薄壁区域。

5.根据权利要求1或2所述的复合薄片，其中，

所述不同厚度区域是厚度比其余的部分厚的厚壁区域。

6.根据权利要求5所述复合薄片，其中，

在所述厚壁区域内，设有厚度比该厚壁区域薄的中央薄壁区域。

7.一种层叠陶瓷电子部件，其特征在于，具备：

陶瓷烧结体，所述陶瓷烧结体是对层叠的复合薄片进行压接、在厚度方向上切断，并进行烧成而得到的；和

在所述陶瓷烧结体内隔着陶瓷层相互重叠地配置的多个内部电极，

所述内部电极是具有长边方向、和与长边方向正交的短边方向的平面形状，

所述内部电极具有：按照构成在所述长边方向上延伸的列的方式被分散配置且密度与其余的部分不同的多个不同密度区域。

8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

所述不同密度区域在俯视的情况下具有点状的形状。

9.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

多个所述不同密度区域被设置为构成多个所述列。

10.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

所述不同密度区域是密度比其余的部分低的低密度区域。

11.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

所述不同密度区域是密度比其余的部分高的高密度区域。

12.根据权利要求11所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

在所述高密度区域内，设有密度比该高密度区域低的中央低密度区域。

13.根据权利要求7或8所述的层叠陶瓷电子部件，其中，

所述层叠陶瓷电子部件是层叠陶瓷电容器。