CN202712171U - 一种平面压接式的二极管封装用引线框架 - Google Patents

一种平面压接式的二极管封装用引线框架 Download PDF

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陈建中
丁嗣彬
潘文正
李伟亮
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Abstract

本实用新型公开的一种平面压接式的二极管器件用引线框架,包括上、下引线框架,在所述上引线框架上冲切有若干个上引线,每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部,所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台;在所述下引线框架上冲切有若干个下引线,每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部,下被封装部的上表面与所述芯片焊接。本实用新型的平面压接式的二极管器件用引线框架中上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后能够适合压接方式连接,其压接部压接后压接电阻小,热阻小,使用寿命长。

Description

一种平面压接式的二极管封装用引线框架
技术领域
本实用新型涉及二极管框架结构技术领域,具体指一种平面压接式的二极管器件用引线框架。
背景技术
一般二极管的封装引线结构有两种,一种为直插式结构,一种是表面贴装结构。此两种封装一般适用于焊接方式连接,而对于要求用压接方式连接的器件来说,直插式结构或表面贴装式结构会产生压接电阻从而产生热阻,长期使用会由于温升而损坏器件。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术所存在的不足而提供一种平面压接式的二极管器件用引线框架。
本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:
一种平面压接式的二极管器件用引线框架,包括上、下引线框架,在所述上引线框架上冲切有若干个上引线,每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部,所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台;在所述下引线框架上冲切有若干个下引线,每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部,下被封装部的上表面与所述芯片焊接。
所述上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后,其露出塑料封装体外的部分分别构成上、下压接部,所述上、下压接部的底面处于同一平面上。
由于采用了如上的技术方案,本实用新型的平面压接式的二极管器件用引线框架中上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后能够适合压接方式连接,其压接部压接后压接电阻小,热阻小,使用寿命长。
附图说明
图1为本实用新型上引线框架的结构示意图。
图2为图1的A-A剖视放大图。
图3为本实用新型下引线框架的结构示意图。
图4为图3的A-A剖视放大图。
图5为本实用新型上、下引线框架与芯片焊接后的结构示意图。
图6为图5的A-A剖视放大图。
图7为本实用新型上、下引线与芯片焊接并封装后的结构示意图。
图8为图7的侧视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式来进一步描述本实用新型。
本实用新型的一种平面压接式的二极管器件用引线框架,包括上、下引线框架100、200。
参见图1和图2,在上引线框架100上冲切有若干个上引线110,每一上引线110的末端具有一向上突出的上被封装部111,上被封装部111具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台111a。
参见图3和图4,在下引线框架200上冲切有若干个下引线210,每一下引线210的末端具有一向上突出的下被封装部211,下被封装部211的上表面与芯片焊接。
上、下引线框架100、200采用0.25mm厚度的C19210合金铜带冲切而成。
焊接时,首先经下引线框架200的下被封装部211上点锡胶-芯片300装配-芯片300点锡胶-装配上引线框架100-烧结(参见图5和图6)-环氧封装-后固化-挂镀锡-切割分离-测试-至完成产品(参见图7和图8)。上、下引线110、210与芯片300焊接并被塑料封装后,其露出塑料封装体400外的部分分别构成上、下压接部112、212,上、下压接部112、212的底面处于同一平面上。

Claims (2)

1.一种平面压接式的二极管器件用引线框架,其特征在于,包括上、下引线框架,在所述上引线框架上冲切有若干个上引线,每一上引线的末端具有一向上突出的上被封装部,所述上被封装部具有一向下突出的与芯片焊接的焊接凸台;在所述下引线框架上冲切有若干个下引线,每一下引线的末端具有一向上突出的下被封装部,下被封装部的上表面与所述芯片焊接。
2.如权利要求1所述的平面压接式的二极管器件用引线框架,其特征在于,所述上、下引线与芯片焊接并被塑料封装后,其露出塑料封装体外的部分分别构成上、下压接部,所述上、下压接部的底面处于同一平面上。
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Patentee before: Shanghai Tongfu Silicon Co., Ltd.

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