CN202050364U - 桥式整流器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种桥式整流器,包括四个整流芯片、四个引脚和塑封体,四个整流芯片和四个引脚相应的基岛均封装在塑封体内,第一整流芯片的背面通过共晶焊接在第一基岛上,第一整流芯片的表面通过焊线焊接在第四基岛上;第二整流芯片的背面通过共晶焊接在第二基岛上,第二整流芯片的表面通过焊线焊接在第四基岛上;第三整流芯片和第四整流芯片的背面均通过共晶焊接在第三基岛上,第三整流芯片的表面通过焊线焊接在第一基岛上,第四整流芯片的表面通过焊线焊接在第二引脚的第二基岛上;四个引线相应的基岛均同一平面布置在塑封体内。本实用新型具有不仅封装效率高、产品薄型化,而且可靠性高等优点。

Description

桥式整流器
技术领域
本实用新型涉及一种整流器,具体涉及一种桥式整流器。
背景技术
现有的桥式整流器包括四个整流芯片和四个引脚,四个整流芯片的正反面均通过焊片与四个引脚相应的基岛连接,然后通过高温使得焊片熔化,从而使得整流芯片与引脚的基岛焊接在一起,这种结构存在一定的缺点:第一,该连接方式使得装配的工作效率低;第二,由于该连接结构和工艺的原因,使得装配的产品不仅良率低,而且稳定性和一致性差,无法保证高品质;第三,由于产品的良率低、品质差,因而生产的次品率比较高,造成产品的生产成本高;第四,只能封装固定规格的整流芯片,如果整流芯片的规格改变了,那么引脚的规格、焊片的规格等都需要相应的变化,而且不能封装小尺寸整流芯片,使得封装灵活性差;第五,由于四个整流芯片的正反面通过焊片与相应引脚的基岛连接,使得产品的封装厚度较大,难以薄型化。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种不仅封装效率高、薄型化,而且可靠性高的桥式整流器。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种桥式整流器,包括第一整流芯片、第二整流芯片、第三整流芯片、第四整流芯片、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和塑封体,所述第一整流芯片、第二整流芯片、第三整流芯片、第四整流芯片、第一引脚的第一基岛、第二引脚的第二基岛、第三引脚的第三基岛和第四引脚的第四基岛均封装在塑封体内,其创新点在于:
a、第一整流芯片的背面通过共晶焊接在第一引脚的第一基岛上,第一整流芯片的表面通过焊线焊接在第四引脚的第四基岛上;
b、第二整流芯片的背面通过共晶焊接在第二引脚的第二基岛上,第二整流芯片的表面通过焊线焊接在第四引脚的第四基岛上;
c、第三整流芯片的背面通过共晶焊接在第三引脚的第三基岛上,第三整流芯片的表面通过焊线焊接在第一引脚的第一基岛上;
d、第四整流芯片的背面通过共晶焊接在第三引脚的第三基岛上,第四整流芯片的表面通过焊线焊接在第二引脚的第二基岛上;
e、第一引脚的第一基岛、第二引脚的第二基岛、第三引脚的第三基岛和第四引脚的第四基岛均同一平面布置在塑封体内。
在上述技术方案中,所述焊线为金线或者为铜线或者为铝线或者为合金线。
在上述技术方案中,所述第三引脚的第三基岛的面积分别大于第一引脚的第一基岛的面积和第二引脚的第二基岛的面积。
在上述技术方案中,所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛均为片状结构。
在上述技术方案中,所述第一引脚的伸出方向与第二引脚的伸出方向平行,第三引脚的伸出方向与第四引脚的伸出方向平行;所述第一引脚和第二引脚的伸出方向与第三引脚和第四引脚的伸出方向相反。
在上述技术方案中,所述第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚处在塑封体外的部分均呈折弯状,且四个引脚的伸出部分处于同一平面上。
在上述技术方案中,当不具备共晶焊接的条件下,所述第一整流芯片的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第一引脚的第一基岛上;第二整流芯片的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第二引脚的第二基岛上;第三整流芯片的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚的第三基岛上;第四整流芯片的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚的第三基岛上。
在上述技术方案中,所述焊料焊接的焊料为焊锡丝或者为焊锡膏或者为焊锡条或者为焊锡球或者为焊锡粉。
本实用新型所具有的积极效果是:本实用新型的桥式整流器,由于四个整流芯片的背面分别通过共晶焊接在相应的四个引脚的基岛上,且四个整流芯片的表面通过焊线焊接在相应的基岛上,这一结构,第一,本实用新型不仅可以通过自动化设备进行装配,提高了工作效率,而且使得产品的优良率高、稳定性和一致性好,提高了产品的品质;第二,由于本结构可以封装各种规格的整流芯片,引脚的规格无需更改,因而使得封装灵活性好;第三,由于四个引脚相应的基岛是平面布置在塑封体内,使得产品封装厚度降低,产品外观薄型化,提高了产品的竞争力。
附图说明
图1是本实用新型桥式整流器剖开封装体的结构示意图;
图2是图1的左视图;
图3是图1的右视图。
具体实施方式
以下结合附图以及给出的实施例,对本实用新型作进一步的详细说明。
参见图1、2、3所示,一种桥式整流器,包括第一整流芯片1、第二整流芯片2、第三整流芯片3、第四整流芯片4、第一引脚5、第二引脚6、第三引脚7、第四引脚8和塑封体9,所述第一整流芯片1、第二整流芯片2、第三整流芯片3、第四整流芯片4、第一引脚5的第一基岛5-1、第二引脚6的第二基岛6-1、第三引脚7的第三基岛7-1和第四引脚8的第四基岛8-1均封装在塑封体9内,第一整流芯片1的背面通过共晶焊接在第一引脚5的第一基岛5-1上,第一整流芯片1的表面通过焊线焊接在第四引脚8的第四基岛8-1上;第二整流芯片2的背面通过共晶焊接在第二引脚6的第二基岛6-1上,第二整流芯片2的表面通过焊线焊接在第四引脚8的第四基岛8-1上;第三整流芯片3的背面通过共晶焊接在第三引脚7的第三基岛7-1上,第三整流芯片3的表面通过焊线焊接在第一引脚5的第一基岛5-1上;第四整流芯片4的背面通过共晶焊接在第三引脚7的第三基岛7-1上,第四整流芯片4的表面通过焊线焊接在第二引脚6的第二基岛6-1上;第一引脚5的第一基岛5-1、第二引脚6的第二基岛6-1、第三引脚7的第三基岛7-1和第四引脚8的第四基岛8-1均同一平面布置在塑封体9内。其中,本实用新型保证了四个整流芯片分别装在所对应的基岛时达到良好的欧姆接触。
参见图1、2、3所示,为了便于将两个整流芯片装在同一引脚的基岛上,所述第三引脚7的第三基岛7-1的面积分别大于第一引脚5的第一基岛5-1的面积和第二引脚6的第二基岛6-1的面积。
参见图1所示,为了便于四个整流芯片分别装在相应引脚的基岛上,所述第一基岛5-1、第二基岛6-1、第三基岛7-1和第四基岛8-1均为片状结构。
参见图1、2、3所示,为了保证本实用新型结构简单,而且更合理,所述第一引脚5的伸出方向与第二引脚6的伸出方向平行,第三引脚7的伸出方向与第四引脚8的伸出方向平行;所述第一引脚5和第二引脚6的伸出方向与第三引脚7和第四引脚8的伸出方向相反。
参见图2、3所示,为了使得本实用新型使用时装在电子线路板上的占用空间小,所述第一引脚5、第二引脚6、第三引脚7和第四引脚8处在塑封体9外的部分均呈折弯状,且四个引脚的伸出部分处于同一平面上。
本实用新型当不具备共晶焊接的条件下,所述第一整流芯片1的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第一引脚5的第一基岛5-1上;第二整流芯片2的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第二引脚6的第二基岛6-1上;第三整流芯片3的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚7的第三基岛7-1上;第四整流芯片4的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚7的第三基岛7-1上。
本实用新型是由北京达博长城锡焊料有限公司市售的焊料和焊线,且所述焊料焊接的焊料为焊锡丝或者为焊锡膏或者为焊锡条或者为焊锡球或者为焊锡粉,所述焊线为金线或者为铜线或者为铝线或者为合金线。
本实用新型使用时,只需将四个引脚安装在电子线路板上即可;本实用新型具有封装效率高,产品薄型化,可靠性高等优点。

Claims (8)

1.一种桥式整流器,包括第一整流芯片(1)、第二整流芯片(2)、第三整流芯片(3)、第四整流芯片(4)、第一引脚(5)、第二引脚(6)、第三引脚(7)、第四引脚(8)和塑封体(9),所述第一整流芯片(1)、第二整流芯片(2)、第三整流芯片(3)、第四整流芯片(4)、第一引脚(5)的第一基岛(5-1)、第二引脚(6)的第二基岛(6-1)、第三引脚(7)的第三基岛(7-1)和第四引脚(8)的第四基岛(8-1)均封装在塑封体(9)内,其特征在于:
a、第一整流芯片(1)的背面通过共晶焊接在第一引脚(5)的第一基岛(5-1)上,第一整流芯片(1)的表面通过焊线焊接在第四引脚(8)的第四基岛(8-1)上;
b、第二整流芯片(2)的背面通过共晶焊接在第二引脚(6)的第二基岛(6-1)上,第二整流芯片(2)的表面通过焊线焊接在第四引脚(8)的第四基岛(8-1)上;
c、第三整流芯片(3)的背面通过共晶焊接在第三引脚(7)的第三基岛(7-1)上,第三整流芯片(3)的表面通过焊线焊接在第一引脚(5)的第一基岛(5-1)上;
d、第四整流芯片(4)的背面通过共晶焊接在第三引脚(7)的第三基岛(7-1)上,第四整流芯片(4)的表面通过焊线焊接在第二引脚(6)的第二基岛(6-1)上;
e、第一引脚(5)的第一基岛(5-1)、第二引脚(6)的第二基岛(6-1)、第三引脚(7)的第三基岛(7-1)和第四引脚(8)的第四基岛(8-1)均同一平面布置在塑封体(9)内。
2.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:所述焊线为金线或者为铜线或者为铝线或者为合金线。
3.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:所述第三引脚(7)的第三基岛(7-1)的面积分别大于第一引脚(5)的第一基岛(5-1)的面积和第二引脚(6)的第二基岛(6-1)的面积。
4.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:所述第一基岛(5-1)、第二基岛(6-1)、第三基岛(7-1)和第四基岛(8-1)均为片状结构。
5.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:所述第一引脚(5)的伸出方向与第二引脚(6)的伸出方向平行,第三引脚(7)的伸出方向与第四引脚(8)的伸出方向平行;所述第一引脚(5)和第二引脚(6)的伸出方向与第三引脚(7)和第四引脚(8)的伸出方向相反。
6.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:所述第一引脚(5)、第二引脚(6)、第三引脚(7)和第四引脚(8)处在塑封体(9)外的部分均呈折弯状,且四个引脚的伸出部分处于同一平面上。
7.根据权利要求1所述的桥式整流器,其特征在于:当不具备共晶焊接的条件下,所述第一整流芯片(1)的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第一引脚(5)的第一基岛(5-1)上;第二整流芯片(2)的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第二引脚(6)的第二基岛(6-1)上;第三整流芯片(3)的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚(7)的第三基岛(7-1)上;第四整流芯片(4)的背面通过焊料焊接或者导电胶粘接在第三引脚(7)的第三基岛(7-1)上。
8.根据权利要求7所述的桥式整流器,其特征在于:所述焊料焊接的焊料为焊锡丝或者为焊锡膏或者为焊锡条或者为焊锡球或者为焊锡粉。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102157480A (zh) * 2011-01-30 2011-08-17 常州银河世纪微电子有限公司 桥式整流器
CN105355607A (zh) * 2015-11-06 2016-02-24 常州顶芯半导体技术有限公司 一种直插式集成电路封装体
CN113809037A (zh) * 2021-09-22 2021-12-17 宁波港波电子有限公司 一种芯片封装结构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157480A (zh) * 2011-01-30 2011-08-17 常州银河世纪微电子有限公司 桥式整流器
CN105355607A (zh) * 2015-11-06 2016-02-24 常州顶芯半导体技术有限公司 一种直插式集成电路封装体
CN113809037A (zh) * 2021-09-22 2021-12-17 宁波港波电子有限公司 一种芯片封装结构

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