CN1994894A - 一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 - Google Patents
一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1994894A CN1994894A CN200610163856.6A CN200610163856A CN1994894A CN 1994894 A CN1994894 A CN 1994894A CN 200610163856 A CN200610163856 A CN 200610163856A CN 1994894 A CN1994894 A CN 1994894A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tin
- indium
- liquid
- solution
- salt solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 title claims description 10
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 48
- KVXKIRARVMGHKF-UHFFFAOYSA-G indium(3+);tin(4+);heptahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[In+3].[Sn+4] KVXKIRARVMGHKF-UHFFFAOYSA-G 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 37
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 34
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000008267 milk Substances 0.000 claims description 13
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 claims description 13
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 claims description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 13
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 12
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 6
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 2
- ZRBROGSAUIUIJE-UHFFFAOYSA-N azanium;azane;chloride Chemical compound N.[NH4+].[Cl-] ZRBROGSAUIUIJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910017951 NH4Cl—NH3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 6
- 241000237502 Ostreidae Species 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 235000020636 oyster Nutrition 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J tin(iv) iodide Chemical compound I[Sn](I)(I)I QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- OQBLGYCUQGDOOR-UHFFFAOYSA-L 1,3,2$l^{2}-dioxastannolane-4,5-dione Chemical compound O=C1O[Sn]OC1=O OQBLGYCUQGDOOR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BDRLBKNIEJXYRC-UHFFFAOYSA-H 2,3-dihydroxybutanedioate;indium(3+) Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O BDRLBKNIEJXYRC-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021623 Tin(IV) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- KKKAMDZVMJEEHQ-UHFFFAOYSA-N [Sn].[N+](=O)(O)[O-] Chemical compound [Sn].[N+](=O)(O)[O-] KKKAMDZVMJEEHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical class CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L diacetyloxytin Chemical compound CC(=O)O[Sn]OC(C)=O PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- ROBFUDYVXSDBQM-UHFFFAOYSA-N hydroxymalonic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C(O)=O ROBFUDYVXSDBQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- KSOWEPLNZXOTOM-UHFFFAOYSA-N indium;oxalic acid Chemical compound [In].OC(=O)C(O)=O KSOWEPLNZXOTOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021518 metal oxyhydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 238000000593 microemulsion method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoindiganyloxy)indigane Chemical compound O=[In]O[In]=O SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L stannous sulfate Chemical compound [SnH2+2].[O-]S([O-])(=O)=O RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J tin(iv) bromide Chemical compound Br[Sn](Br)(Br)Br LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K tribromoindigane Chemical compound Br[In](Br)Br JKNHZOAONLKYQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法。本发明以纯度大于99.99％的金属铟、SnCl4·5H2O以及氨水为原料，以pH＝7.0～9.0的(NH4)2SO4－NH3·H2O或NH4Cl－NH3·H2O溶液为反应底液，加入一定量的无水乙醇，采用液相共沉淀法制得白色的氢氧化铟锡前驱体，后经过煅烧得到平均粒径为20～60nm的浅黄绿色的球形ITO粉体。由于始终保持反应体系的pH在7.0～9.0的范围内，保证了铟离子和锡离子的完全同时沉淀，减少了胶粒由于pH大范围变化而引起的团聚现象，工艺合理、安全、易于控制，有利于工业化生产。
Description
一技术领域：本发明涉及一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法，属于用湿法冶金技术制备氧化铟锡粉体的技术领域。
二背景技术：
氧化物铟锡(Indium-Tin-Oxide)简称ITO，是铟系的一种重要材料，全世界约70％以上的铟用于生产此材料。ITO超细粉体材料是将一定量的氧化锡掺入氧化铟中形成的复合粉体，具有立方铁锰矿型晶体结构，是一种n型宽禁带半导体，禁带宽度Eg＝3.5eV，禁带宽度值对应的波数为2.8×104cm-1，波长为365nm。用其制作的ITO薄膜对红外线的反射率大于70％，对紫外线的吸收率达于85％，对可见光的透过率大于90％。ITO作为透明电极材料，被广泛用于晶体管薄膜(TFT)县市、平板液晶显示(LCD)、等离子显示、电致发光显示等，随着这些领域市场的不断增长，对ITO材料的需求呈现不断扩大的趋势。
公知的制备ITO粉体材料的方法主要有化学均相共沉淀法、水溶液共沉淀法、微乳液法、电解法、溶胶-凝胶法、喷雾燃烧法、喷雾热分解法、机械碾磨法等
CN200510010666.6公开了一种纳米铟锡氧化物粉体的制备方法，其特征在于采用4N或5N的铟、锡为原料，用无机酸溶解后，用超声波沉淀、微波干燥、煅烧，或冷冻干燥、沸腾回流法煅烧，制取纯度为99.99％以上，平均粒径5～10nm，比表面积15m2/g的纳米铟锡氧化物粉体。此法的不足之处在于金属锡在溶解过程中极不稳定，不能完全保证金属锡溶解成四价的锡离子，影响锡掺杂的效果，从而制得的INO粉体有杂相。
CN200510110585.3公开了一种锡掺杂氧化铟纳米粉体的制备方法，其由含铟化合物和含锡化合物的水溶液与沉淀剂进行沉淀反应，过滤，对所得沉淀进行洗涤、干燥及热处理后而得，其特征在于，所说的含铟化合物为硝酸铟、醋酸铟、草酸铟、硫酸铟、铟的醇盐、溴化铟或酒石酸铟，所说的含锡化合物为草酸亚锡、醋酸亚锡、溴化锡、锡的醇盐、硫酸亚锡、硫酸锡、硫化锡、碘化锡、硝酸锡或硝酸亚锡；所说的含铟化合物和含锡化合物的水溶液中，锡离子与铟离子的摩尔比为3～15∶100；所说的沉淀剂为氨水；沉淀反应的反应温度30～90℃，沉淀反应体系的pH值控制在4～11之间。此发明pH值控制的范围较宽，大范围的pH值变化，会加剧粉体不均匀程度，团聚现象明显。
CN01136402.5公开了一种以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法，其是利用水及适当添加剂，分别溶解铟化合物、锡化合物于水中，而配制出二澄清的溶液，再加入适当添加剂，产生一定比例的金属氢氧化物，经过滤及水洗后，并加入适当添加剂予以解胶，使不同金属氢氧化物的特定成分发生水解、凝缩等反应，接着经干燥和煅烧，制成纳米级氧化铟锡粉末。此方法制备ITO粉体的过程中，水解和凝缩操作单元不易控制，不利于工业生产过程。CN99810088.9也公开了一种铟锡氧化物的悬浮液和粉末的制备方法，其是在一种或多种表面改性成分的存在下，于一种或多种溶剂的溶液中沉淀铟锡氧化物的前驱体；脱除溶剂之后煅烧所得到的粉末。
另外，P.Sujatha Devi等用乳化技术合成了纳米ITO粉体，他们先用盐酸将铟锭溶解，与定量的SnCl4·5H2O溶液混合，然后向混合盐溶液中加入一定量的2-丁醇获2-丙醇二酸，使得混合盐溶液的体积与该有机溶剂的体积比为1∶7。向该前驱体溶液中添加一定量的三乙胺并同时进行剧烈搅拌，当pH值为8～9时停止加三乙胺，得到氢氧化铟锡混合前驱体，经过丙酮洗涤、过滤、干燥，最后煅烧得到平均粒径为38nm的ITO粉。
三发明内容：
1、本发明的目的是提供一种液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法。其以纯度大于99.99％的金属铟、SnCl4·5H2O以及氨水为原料，以pH＝7.0～9.0的(NH4)2SO4-NH3·H2O或NH4Cl-NH3·H2O溶液为反应底液，加入一定量的无水乙醇，采用液相共沉淀法制得白色的氢氧化铟锡前驱体，后经过煅烧得到平均粒径为20～60nm的浅黄绿色的球形ITO粉体。
2、发明的技术方案：
本发明是通过以下具体技术方案来实现的。
1)铟锡盐溶液制备：先将纯度大于99.99wt％的金属铟用无机酸溶解，制得In3+含量为30g/l～200g/l铟盐溶液，所述无机酸包括硫酸、盐酸或硝酸；将SnCl4·5H2O溶于水中，制得含Sn4+30g/l～200g/l的锡盐溶液；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3∶SnO2的重量百分比(wt％)＝80～98％∶20～2％的比例混匀，得到铟锡盐溶液备用；
2)氢氧化铟锡乳液制备：氨水与水混合配制10～25wt％氨水溶液，制备pH＝7.0～9.0的硫酸铵-氨水〔(NH4)2SO4-NH3·H2O〕或氯化铵-氨水〔NH4Cl-NH3·H2O〕溶液于反应器中作底液，再底液中加入底液总体积量的3～8％的无水乙醇；将铟锡盐溶液与氨水溶液同时注入底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH＝7.0～9.0，并采用水浴保持反应温度为30～80℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡乳液，保持水浴温度50～80℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液1～6小时；
3)氢氧化铟锡前驱体制备：将氢氧化铟锡乳液反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-后，采用真空干燥10～12小时，温度75～95℃，得到白色氢氧化铟锡前驱体；
4)最后将前驱体经500～800℃煅烧12～24小时，制得粒径为20～60nm的ITO粉体。
与现有技术相比，本发明整个工艺过程由于始终保持反应体系的pH在7.0～9.0的范围内，保证了铟离子和锡离子的完全同时沉淀，减少了胶粒由于pH大范围变化(从酸性到中性甚至碱性)而引起的团聚现象，整套工艺合理、安全、易于控制，设备简单，操作方便，有利于工业化生产。
四附图说明：图1为本发明工艺流程图。
五具体实施方式：
实施例1：
1)11.4克99.993％的金属铟用98wt％的硫酸溶解，使铟盐溶液含In3+量为60g/l；将SnCl4·5H2O溶于水中制得锡盐溶液，含Sn4+50g/l；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3∶SnO2(wt％)＝90％∶10％，得到铟锡盐溶液备用；2)以(NH4)2SO4和NH3·H2O为原料配制250ml pH＝7.0的(NH4)2SO4-NH3·H2O溶液于反应器中作底液，在底液中加入底液总体积的6％(即15ml)的无水乙醇；将铟锡混合盐溶液与15wt％的氨水溶液同时注入(NH4)2SO4-NH3·H2O底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH≈7.0～7.8，并采用水浴保持反应温度为70±5℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡乳液；维持水浴温度70±5℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液4小时；3)反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-；然后采用真空干燥10小时，温度80±5℃，得到白色疏松的氢氧化铟锡前驱体；4)最后将前驱体在马弗炉中700～800℃下煅烧12小时，得到ITO粉体。制得的ITO粉体通过XRD分析图谱与单相In2O3一致，通过EDS分析In2O3∶SnO2≈9∶1，通过TEM照片算出粒径为20～航35nm，形貌为球形，外观颜色为浅黄绿色。
实施例2：
采用原料的化学成分为：99.994％金属In，98wt％的硫酸，分析纯的SnCl4·5H2O，分析纯的(NH4)2·SO4，分析纯的25wt％的NH3·H2O和分析纯的无水乙醇。1)16.8克99.994％的金属铟用98％的硫酸溶解，使铟盐溶液含In3+量为150g/l；将分析纯的SnCl4·5H2O溶于去离子水制得锡盐溶液，含Sn4+100g/l；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3∶SnO2(wt％)＝95％∶5％混合，得到铟锡盐溶液备用；2)以(NH4)2SO4和分析纯的25％～28wt％的NH3·H2O为原料配制500ml pH＝8.0的(NH4)2SO4-NH3·H2O溶液于反应器中作底液，在底液中加入底液总体积的5％(即25ml)的无水乙醇；将铟锡混合盐溶液与15％的氨水同时注入(NH4)2SO4-NH3·H2O底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH≈7.0～8.0，并采用水浴保持反应温度为50±5℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡浮液；维持水浴温度60±5℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液5小时；3)反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-；然后采用真空干燥12小时，温度85±5℃，得到白色疏松的氢氧化铟锡前驱体；4)最后将前驱体在马弗炉中650～700℃下煅烧18小时，得到ITO粉体。制得的ITO粉体通过XRD分析图谱与单相In2O3一致，通过EDS分析In2O3∶SnO2≈95∶5，通过TEM照片算出粒径为25～45nm，形貌为球形，外观颜色为浅黄绿色。
实施例3：
采用原料的化学成分为：99.993％金属In，65wt％硝酸，分析纯的SnCl4·5H2O，分析纯的(NH4)2·SO4，分析纯的25wt％的NH3·H2O和分析纯的无水乙醇。1)18.4克99.993％的金属铟用硝酸溶解，使铟盐溶液含In3+量为180g/l；将分析纯的SnCl4·5H2O溶于去离子水制得锡盐溶液，含Sn4+150g/l；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3∶SnO2(wt％)＝85％∶15％混合得到铟锡混合盐溶液备用；2)以(NH4)2SO4和NH3·H2O为原料配制200ml pH＝8.5的(NH4)2SO4-NH3·H2O溶液于反应器中作底液，在底液中加入底液总体积的8％(即16ml)的无水乙醇；将铟锡混合盐溶液与20wt％的氨水同时注入(NH4)2SO4-NH3·H2O底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH≈8.0～8.8，并采用水浴保持反应温度为45±5℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡浮液；6)升高水浴温度到70±5℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液2小时；3)反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-；然后采用真空干燥10小时，温度85±5℃，得到白色疏松的氢氧化铟锡前驱体；4)最后将前驱体在马弗炉中600-650℃下煅烧15小时，得到ITO粉体。制得的ITO粉体通过XRD分析图谱与单相In2O3一致，通过EDS分析In2O3∶SnO2≈85∶15，通过TEM照片算出粒径为30～60nm，形貌为长条状和球形，外观颜色为浅黄绿色。
实施例4：
采用原料的化学成分为：19.1克99.992％金属In，38wt％盐酸，SnCl4·5H2O，NH4Cl，25wt％的NH3·H2O和无水乙醇。1)19.1克99.992％的金属铟用盐酸溶解，使铟盐溶液含In3+量为30g/l；将SnCl4·5H2O溶于水中，制得锡盐溶液，含Sn4+40g/l；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3∶SnO2(wt％)＝90％∶10％混合得到铟锡混合盐溶液备用；2)以NH4Cl和10wt％的氨水溶液为原料配制400ml pH＝9.0的NH4Cl-NH3·H2O溶液于反应器中作底液，在底液中加入底液总体积的5％(即20ml)的无水乙醇；5)将铟锡混合盐溶液与10％的氨水同时注入NH4Cl-NH3·H2O底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH≈8.4～9.0，并采用水浴保持反应温度为50℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡浮液；6)升高水浴温度到70±5℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液1小时；3)反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-；然后采用真空干燥12小时，温度70±5℃，得到白色疏松的氢氧化铟锡前驱体；4)最后将前驱体在马弗炉中550～600℃下煅烧24小时，得到ITO粉体。制得的ITO粉体通过XRD分析图谱与单相In2O3一致，通过EDS分析In2O3∶SnO2≈90∶10，通过TEM照片算出粒径为25～50nm，形貌为类球形，外观颜色为浅黄绿色。
Claims (3)
1、一种液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法，其特征在于：按以下步骤完成，
1)铟锡盐溶液制备：先将纯度大于99.99wt％的金属铟用无机酸溶解，制得In3+含量为30g/l～200g/l铟盐溶液，将SnCl4·5H2O溶于水中，制得含Sn4+30g/l～200g/l的锡盐溶液；将铟盐溶液与锡盐溶液按照In2O3:SnO2的重量百分比为80～98％∶20～2％的比例混匀，得到铟锡盐溶液备用；
2)氢氧化铟锡乳液制备：氨水与水混合配制10～25wt％氨水溶液，制备pH＝7.0～9.0的硫酸铵-氨水或氯化铵-氨水溶液于反应器中作底液，再底液中加入底液总体积量的3～8％的无水乙醇；将铟锡盐溶液与氨水溶液同时注入底液中，注入过程控制铟锡盐溶液与氨水的注入速度保持底液pH＝7.0～9.0，并采用水浴保持反应温度为30～80℃，持续搅拌，制得白色的氢氧化铟锡乳液，保持水浴温度50～80℃，持续搅拌陈化氢氧化铟锡乳液1～6小时；
3)氢氧化铟锡前驱体制备：将氢氧化铟锡乳液反复采用离心过滤、洗涤，直至分别用BaCl2溶液和AgNO3溶液检不出SO4 2-和Cl-后，采用真空干燥10～12小时，温度75～95℃，得到白色氢氧化铟锡前驱体；
4)最后将前驱体经500～800℃煅烧12～24小时，制得粒径为20～60nm的ITO粉体。
2、根据权利要求1所述的液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法，其特征在于：所述无机酸包括硫酸、盐酸或硝酸。
3、根据权利要求1所述的液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法，其特征在于：采用分析纯的SnCl4·5H2O，分析纯的(NH4)2·SO4，分析纯的的NH3·H2O和分析纯的无水乙醇作原料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101638566A CN100551828C (zh) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006101638566A CN100551828C (zh) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1994894A true CN1994894A (zh) | 2007-07-11 |
| CN100551828C CN100551828C (zh) | 2009-10-21 |
Family
ID=38250115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006101638566A Expired - Fee Related CN100551828C (zh) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100551828C (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102015538A (zh) * | 2008-05-06 | 2011-04-13 | 赢创德固赛有限公司 | 氧化铟锡粉末及其分散体 |
| CN101704547B (zh) * | 2008-12-09 | 2011-04-27 | 南昌航空大学 | 晶形可控的铟锡氧化物纳米粉体的制备方法 |
| CN102982862A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-20 | 许昌学院 | 一种纳米碳酸钙基浅色导电粉及其制备方法 |
| CN105036181A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-11-11 | 柳州华锡铟锡材料有限公司 | 混合颗粒形貌ito粉体的制备方法 |
| CN105731527A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-07-06 | 北京化工大学 | 纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法 |
| CN107098378A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-29 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种高分散性ito粉体的制备方法 |
| CN108107639A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-01 | 梅庆波 | 一种高导电液晶调光膜的制备方法 |
| CN108760831A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-11-06 | 宁波大学 | 一种氧化铟气敏元件的制备方法 |
| CN110156070A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-23 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种纳米级氢氧化铟的制备方法 |
| CN112174193A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-05 | 武汉工程大学 | 一种单分散纳米ito的制备方法 |
| CN113277549A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-08-20 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种氧化铟锡粉及其制备方法 |
| CN113583523A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-02 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种涂料及其制备方法和应用 |
| CN114772632A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-22 | 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 | 一种精准控制酸碱度促进ito粉一致性的方法 |
| CN116621575A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-08-22 | 河北惟新科技有限公司 | 一种重掺杂ito粉的制备方法 |
-
2006
- 2006-12-29 CN CNB2006101638566A patent/CN100551828C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102015538A (zh) * | 2008-05-06 | 2011-04-13 | 赢创德固赛有限公司 | 氧化铟锡粉末及其分散体 |
| CN101704547B (zh) * | 2008-12-09 | 2011-04-27 | 南昌航空大学 | 晶形可控的铟锡氧化物纳米粉体的制备方法 |
| CN102982862A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-03-20 | 许昌学院 | 一种纳米碳酸钙基浅色导电粉及其制备方法 |
| CN102982862B (zh) * | 2012-11-30 | 2015-04-15 | 许昌学院 | 一种纳米碳酸钙基浅色导电粉及其制备方法 |
| CN105036181A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-11-11 | 柳州华锡铟锡材料有限公司 | 混合颗粒形貌ito粉体的制备方法 |
| CN105731527A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-07-06 | 北京化工大学 | 纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法 |
| CN107098378B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-11-19 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种高分散性ito粉体的制备方法 |
| CN107098378A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-29 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种高分散性ito粉体的制备方法 |
| CN108107639A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-01 | 梅庆波 | 一种高导电液晶调光膜的制备方法 |
| CN108107639B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-05-19 | 南京优写智能科技有限公司 | 一种高导电液晶调光膜的制备方法 |
| CN108760831A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-11-06 | 宁波大学 | 一种氧化铟气敏元件的制备方法 |
| CN110156070A (zh) * | 2019-06-04 | 2019-08-23 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种纳米级氢氧化铟的制备方法 |
| CN110156070B (zh) * | 2019-06-04 | 2021-07-30 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种纳米级氢氧化铟的制备方法 |
| CN112174193A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-05 | 武汉工程大学 | 一种单分散纳米ito的制备方法 |
| CN113277549A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-08-20 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种氧化铟锡粉及其制备方法 |
| CN113277549B (zh) * | 2021-06-15 | 2023-05-30 | 先导薄膜材料有限公司 | 一种氧化铟锡粉及其制备方法 |
| CN113583523A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-02 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种涂料及其制备方法和应用 |
| CN114772632A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-22 | 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 | 一种精准控制酸碱度促进ito粉一致性的方法 |
| CN116621575A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-08-22 | 河北惟新科技有限公司 | 一种重掺杂ito粉的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100551828C (zh) | 2009-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100551828C (zh) | 一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法 | |
| CN101746813A (zh) | 铟锡氧化物纳米粉体的制备方法 | |
| CN108910932B (zh) | 一种碳酸钠沉淀制备窄分布超细氧化钇的方法 | |
| CN102211786A (zh) | 一种纳米级氧化铟锡粉末的制备方法 | |
| CN101914310B (zh) | 一种环保颜料铋黄及其生产方法 | |
| CN102092781A (zh) | 一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法 | |
| CN100408480C (zh) | 一种纳米氧化锌粉体的制备方法 | |
| CN103771499B (zh) | 一种蓝色纳米氧化铟锡粉体的制备方法 | |
| CN100554204C (zh) | 纳米级氧化铟锡复合粉体的制备方法 | |
| CN1693213A (zh) | 增压并流沉淀制备超细氧化钴粉末的方法 | |
| CN103570056B (zh) | 一种掺铝纳米氧化锌重包覆铝导电粉体的制备方法 | |
| CN101624173B (zh) | 氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法 | |
| CN105036181B (zh) | 混合颗粒形貌ito粉体的制备方法 | |
| CN101665237A (zh) | 球形铝掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法 | |
| CN101811732A (zh) | 一种超细高纯氧化铋及其生产方法 | |
| CN108977675A (zh) | 一种反加料沉淀-分段焙烧制备低硫含量稀土氧化物的方法 | |
| CN101214994B (zh) | 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 | |
| CN102786087A (zh) | 一种二氧化钛溶胶的制备方法 | |
| CN107188225B (zh) | 一种掺铟锑氧化锡纳米粉体及其制备方法 | |
| CN115676884B (zh) | 一种基于超声雾化微波制备钒酸铋纳米粉体的方法及粉体 | |
| CN103803639B (zh) | 利用离子液体制备纳米ito粉末的方法 | |
| KR101740088B1 (ko) | 안티몬 주석 산화물（ａｔｏ）나노입자의 제조방법 | |
| CN114772632A (zh) | 一种精准控制酸碱度促进ito粉一致性的方法 | |
| CN103803640B (zh) | 共沉淀法制备纳米ito粉末的方法 | |
| CN102358785B (zh) | 一种稀土有机材料增强剂的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091021 Termination date: 20111229 |