CN101214994B - 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 - Google Patents
一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101214994B CN101214994B CN200710066492A CN200710066492A CN101214994B CN 101214994 B CN101214994 B CN 101214994B CN 200710066492 A CN200710066492 A CN 200710066492A CN 200710066492 A CN200710066492 A CN 200710066492A CN 101214994 B CN101214994 B CN 101214994B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- copper indium
- solution
- precipitation
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 title claims description 14
- RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Cu+2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Cu+2] RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 5
- -1 copper indium oxyhydroxide Chemical compound 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 4
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 claims description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 15
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 8
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009991 scouring Methods 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- DPDMMXDBJGCCQC-UHFFFAOYSA-N [Na].[Cl] Chemical compound [Na].[Cl] DPDMMXDBJGCCQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法，属于粉末冶金技术领域。以9.99％-99.999％的金属铟、盐酸、氯化亚铜或氯化铜和氯化钠为原料，以氨水或氢氧化钠溶液为沉淀剂，以无水乙醇为稳定剂和脱水剂，在30-55℃的温度下进行超声化学共沉淀反应，保温陈化，离心分离，再经洗涤、微波干燥和煅烧，制备铜铟氧化物纳米粉体。所制得的铜铟氧化物纳米粉体粒径为20-40nm，比表面积为40-50m2/g，粉体颗粒呈球状，产品纯度高，分布均匀，分散性及光电性能好。
Description
一、技术领域：粉末冶金技术领域。
二、背景技术
铜铟氧化物(Copper Indium Oxide，CuInO2简称CIO)是一种p型透明导电氧化物材料，因具有大的载流子浓度和光学禁带宽度，而表现出优良的光电特性，是现代光电子产业的基础材料，而且是一种重要的太阳能电池材料。
目前，国内外制备纳米粉体的方法很多，主要有均相共沉淀法、水溶液共沉淀法、电解法，溶胶-凝胶法、喷雾热分解法和机械研磨法等。在这些方法中，液相法是工业上制备超细粉应用最广泛的，其基本方法是选择一种或多种可溶性金属盐，按成分计量配成溶液，使各元素呈离子或分子态，再用一种沉淀剂，将所需物质均匀沉淀、结晶出来，经脱水或者加热等过程而制得超细粉。而水溶液化学共沉淀法是引人注目的一种方法，该方法采用从外部加沉淀剂，其工艺简单、周期短，操作方便，对设备的要求不高，投资少，生产成本低，较适合于大规模生产而被广泛采用，但这种方法在具体的制备过程中存在着突出的团聚现象，即纳米粒子重新团聚成较大的粒子。
对于p型透明导电材料铜铟氧化物(CuInO2)纳米粉体的制备，目前公知的主要制备方法有阳离子交互反应法、固相反应法和溶胶-凝胶法。M.Shimode等(Journal ofsolid State Chemistry，2000，151：16-20.)和Makoto Sasaki等(Journal of Physics andChemistry of Solids，2003，64：1675-1679.)分别采用阳离子交互反应法在350℃煅烧144h制得CuInO2(CIO)，该方法制备CIO粉体分三步完成：第一步In(OH)3的制备；第二步LiInO2粉体制备；第三步完成CuInO2(CIO)粉体的制备。杨华明等(2005年中国发明专利，CN03118327)用固相法制得粒径为32.48nm氧化铜-氧化铟复合纳米晶。这些方法存在加热温度高，保温时间长，工艺过程放大难，能耗高，需添加有机试剂等实际问题。
三、发明内容
1、本发明的目的在于提供一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法。以9.99％-99.999％的金属铟、盐酸(HCl)、氯化亚铜(CuCl)或氯化铜(CuCl2·2H2O)、氯化钠(NaCl)为原料，以氨水或氢氧化钠(NaOH)溶液为沉淀剂，以无水乙醇(CH3CH2OH)溶液为稳定剂和脱水剂，在30-55℃的温度下进行超声化学共沉淀反应，保温陈化，离心分离，再经洗涤、微波干燥和煅烧，制备铜铟氧化物纳米粉体。所制得的铜铟氧化物纳米粉体粒径为20-40nm，比表面积为40-50m2/g，粉体颗粒呈球状，产品纯度高，分布均匀，分散性及光电性能好。
2、本发明按以下步骤完成。
1)取99.99％-99.999％的金属铟加入重量百分浓度为36％的盐酸(HCl)，升温至30-55℃，持续搅拌至金属铟完全溶解，制得InCl3水溶液；
2)将所得的InCl3水溶液稀释成含In3+80-150g/L的稀溶液与浓度为100-180g/L的氯化铜(CuCl2)溶液混合并添加浓度为150-200g/L的氯化钠(NaCl)溶液(InCl3、CuCl2和NaCl按化学反应计量配比)，三者搅拌混均3-5min后置于超声恒温水浴中搅拌，控制温度40-60℃，同时滴加浓度为160-250g/L的NaOH溶液至pH值为10-11.5，再陈化30min，然后以4000r/min速度离心分离并反复洗涤沉淀，直到用AgNO3检验洗涤液中无Cl-为止，得到NaCl溶液及沉淀，最后再用无水乙醇洗涤沉淀1-2次。该沉淀即为铜铟氢氧化物前驱体；
3)将铜铟氢氧化物前驱体放入微波炉中干燥，控制温度为80-100℃，时间3-5min，取出细磨至50nm以下，再置于微波炉中在氩气保护条件下煅烧，控制温度为700-1000℃，时间5-15min。制得铜铟氧化物纳米粉体。
3、与公知技术相比本发明具有的优点及积极效果：
1)采用超声化学共沉淀-微波干燥煅烧联合法来制备CIO纳米粉体，通过超声波、微波等技术的有效集成来强化共沉淀化学反应或传递过程，把单个的工艺技术有机地结合起来，制得的产品质量好，易于实现工业化生产；
2)无需添加有机试剂和分散剂，利用超声波具有超声空化所产生的反应环境，来控制CIO纳米粉体的团聚，使共沉淀反应温度降低，反应时间缩短。缩短了CIO纳米粉体的制备周期；
3)微波干燥煅烧粉体结构疏松、易磨、颗粒小、加热速度快。
四、附图说明：图1是本发明的工艺流程图。
五、具体实施方式
实施例1：取99.99％的金属铟加入36％的浓HCl升温至45℃，持续搅拌至金属铟完全溶解成InCl3水溶液再用去离子水将其稀释成含In3+100g/L的稀释溶液100ml，取度为135g/L的CuCl2溶液260ml和浓度为200g/L的NaCl溶液160ml，三者搅拌混均3min后置于50kHz，100W的超声恒温水浴中加搅拌，控制温度55℃，滴加浓度为180g/L的NaOH至pH值为11，继续超声分散加搅拌陈化30min，用去离子水以4000r/min速度离心分离洗涤沉淀，直到用AgNO3检验洗涤液无Cl-为止，最后再用无水乙醇洗涤2次，得到前驱体，将前驱体放入微波炉控制微波功率750W，微波频率2450MHz，干燥5min，温度为100℃，取出碾磨，再置于微波炉中煅烧，微波功率为700W，在氩气保护条件下煅烧7min，温度为950℃，制得产品CIO纳米粉体。其平均粒径为27.82nm，比表面积42.06m2/g，Cu2O∶In2O3重量％＝70∶30，粉体颗粒均呈球状，分布均匀无团聚，分散性好，颜色为棕黑色。其光学性能表现为紫外区(100-400nm)具有强烈的吸收性，可见光区(400-800nm)具有高的透过性，红外区(800-3500nm)有高的反射率，电学性能表现为具有低的电阻率。
实施例2：取99.999％的金属铟加入36％的浓HCl升温至40℃，持续搅拌至金属铟完全溶解成InCl3溶液，将所得InCl3·4H2O溶液稀释成含In3+100g/L的稀释溶液100ml，取浓度为150g/L的CuCl2溶液220ml，与浓度为200g/L的NaCl溶液160ml搅拌混均5min后，置于50kHz，100W的超声恒温水浴中加搅拌，控制温度60℃，滴加浓度为200g/L的NaOH至pH值为10.5，继续超声分散加搅拌陈化30min，用去离子水以4000r/min速度离心分离洗涤沉淀，直到用AgNO3检验无Cl-为止，最后再用无水乙醇洗涤1次，得到前驱体铜铟氢氧化物前驱体；将前驱体放入微波炉(微波功率750W，微波频率2450MHz)中干燥4min，温度为100℃，取出细磨，再置于在氩气保护条件下的微波炉中煅烧，微波功率为750W，温度为1000℃，煅烧10min，制得纳米CIO粉平均粒径为28.32nm，比表面积40.87m2/g，Cu2O∶In2O3重量％＝70∶30，粉体颗粒均呈球状，分布均匀团聚少，分散性好，颜色为棕黑色。其光学性能表现为紫外区(100-400nm)具有强烈的吸收性，可见光区(400-800nm)具有高的透过性，红外区(800-3500nm)有高的反射率，电学性能表现为具有低的电阻率。
Claims (1)
1.一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法，其特征在于：其按以下步骤完成，
1)取99.99％-99.999％的金属铟加入重量百分浓度为36％的盐酸，升温至30-55℃，持续搅拌至金属铟完全溶解，制得InCl3水溶液；
2)将所得的InCl3水溶液稀释成含In3+80-150g/L的稀溶液与浓度为100-180g/L的氯化铜溶液混合并添加浓度为150-200g/L的氯化钠溶液，三者搅拌混均3-5min后置于超声恒温水浴中搅拌，控制温度40-60℃，同时滴加浓度为160-250g/L的氢氧化钠溶液至pH值为10-11.5，再陈化30min，然后以4000r/min速度离心分离并反复洗涤沉淀，直到用硝酸银检验洗涤液中无Cl-为止，得到氯化钠溶液及沉淀，最后再用无水乙醇洗涤沉淀1-2次，该沉淀即为铜铟氢氧化物前驱体；
3)将铜铟氢氧化物前驱体放入微波炉中干燥，控制温度为80-100℃，时间3-5min，取出细磨至50nm以下，再置于微波炉中在氩气保护条件下煅烧，控制温度为700-1000℃，时间5-15min，制得铜铟氧化物纳米粉体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710066492A CN101214994B (zh) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710066492A CN101214994B (zh) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101214994A CN101214994A (zh) | 2008-07-09 |
| CN101214994B true CN101214994B (zh) | 2010-05-26 |
Family
ID=39621515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710066492A Expired - Fee Related CN101214994B (zh) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101214994B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI418660B (zh) * | 2010-07-02 | 2013-12-11 | Univ Chang Gung | Preparation of Transparent Conductive Multicomponent Metal Oxide Powders by Modified Electrolysis |
| CN102092781A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-06-15 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法 |
| CN102637765B (zh) * | 2011-02-12 | 2014-12-10 | 同济大学 | 一种多层纳米线的制备方法 |
| CN102432057A (zh) * | 2011-10-08 | 2012-05-02 | 昆明理工大学 | 一种氧化亚铜-三氧化二铟固溶体超细粉的制备方法 |
| CN115872449A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-03-31 | 浙江大学山东工业技术研究院 | TaCuO纳米颗粒材料、制备方法及应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1539740A (zh) * | 2003-04-22 | 2004-10-27 | 中南大学 | 氧化铜－氧化铟复合纳米晶材料的制备方法 |
| CN1673096A (zh) * | 2005-02-25 | 2005-09-28 | 昆明理工大学 | 一种纳米铟锡氧化物粉体的制备方法 |
-
2007
- 2007-12-27 CN CN200710066492A patent/CN101214994B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1539740A (zh) * | 2003-04-22 | 2004-10-27 | 中南大学 | 氧化铜－氧化铟复合纳米晶材料的制备方法 |
| CN1673096A (zh) * | 2005-02-25 | 2005-09-28 | 昆明理工大学 | 一种纳米铟锡氧化物粉体的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JP特开2003-137512A 2003.05.14 |
| 姚若河 等.铜铟硒多晶薄膜太阳电池的制备技术.可再生资源 4.2003,(4),22-24. |
| 姚若河 等.铜铟硒多晶薄膜太阳电池的制备技术.可再生资源 4.2003,(4),22-24. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101214994A (zh) | 2008-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102583524B (zh) | 一种导电二氧化钛粉体的制备方法 | |
| CN101716685B (zh) | 化学还原法制备球形超细银粉的方法 | |
| CN101717116B (zh) | 一种制备花状BiVO4的表面活性剂辅助醇-水热法 | |
| CN101214994B (zh) | 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法 | |
| KR20080078864A (ko) | 금속 산화물 나노 입자의 제조 방법, 및 그 방법으로제조된 나노 입자 및 조제물 | |
| CN102248177B (zh) | 激光诱导球型银粉制备方法 | |
| CN103318950B (zh) | 一种铟锡氧化物纳米粉体的制备方法 | |
| CN102756131A (zh) | 一种微米级片状银粉的制备方法 | |
| CN106745199B (zh) | 一种常压低温无模板制备中空硫化铟微球的方法 | |
| CN102335751A (zh) | 一种高分散超细球形银粉的制备方法 | |
| CN101565200A (zh) | 粒径与形貌可控的纳米二氧化锡粉体的制备方法 | |
| IL172838A (en) | Methods for production of metal oxide nano particles with controlled properties and nano particles and preparations produced thereby | |
| CN105016382B (zh) | 一种纯金红石型二氧化钛纳米棒的制备方法 | |
| CN103588175A (zh) | 一种超声波雾化-微波热解制备纳米粉体的方法 | |
| CN101407328B (zh) | 一种制备锌铝氧化物纳米粉体的方法 | |
| CN101665237B (zh) | 球形铝掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法 | |
| CN102328094B (zh) | 一种粒度均匀超细银粉的制备方法 | |
| CN107188225B (zh) | 一种掺铟锑氧化锡纳米粉体及其制备方法 | |
| CN115676884A (zh) | 一种基于超声雾化微波制备钒酸铋纳米粉体的方法及粉体 | |
| CN106430293A (zh) | 一种新型铋掺杂氧化锡近红外高反射粉体的制备方法 | |
| CN106517312A (zh) | 一种纳米氧化铟及其制备方法 | |
| CN103480855A (zh) | 一种铜浆用超细铜粉的制备方法 | |
| CN108298580B (zh) | 一种二氧化钛胶体及其制备方法 | |
| CN106001603A (zh) | 一种单分散球形银粉的制备方法 | |
| CN104743610A (zh) | 一种液相沉淀法制备纳米氧化铋的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100526 Termination date: 20121227 |