CN1993723A

CN1993723A - 显示装置及其驱动方法

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Publication number: CN1993723A
Application number: CNA2005800263379A
Authority: CN
Inventors: 宫川惠介; 长尾祥; 大谷久
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-08-03
Filing date: 2005-07-25
Publication date: 2007-07-04
Anticipated expiration: 2025-07-25
Also published as: US7817170B2; JP2012230402A; TW200622981A; CN100520874C; TWI397036B; US20090189921A1; WO2006013799A1

Abstract

本发明提供了一种半导体显示装置的驱动方法，其中，能够抑制伪等值线的产生，同时抑制驱动电路的工作频率。此外，本发明提供了一种半导体显示装置的驱动方法，其中，能够抑制伪等值线的产生，同时抑制驱动电路的图像质量的劣化。在包括多个像素的半导体显示装置中，分别为多个像素中的多个任意像素提供表格，每一表格存储着用于在多个子帧周期中确定光发射子帧周期的数据。所述表格存储于存储器内。

Description

显示装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种用于通过时间灰度级法进行显示的显示装置以及所述显示装置的驱动方法。

背景技术

时间灰度级方法是一种已知的驱动作为显示装置中的一种的发光装置的方法，其中，以数字视频信号的二进制电压控制一个帧周期内的像素的光发射周期，以显示灰度级。由于通常电致发光材料的响应速率更快，因而其比液晶等更适用于时间灰度级方法。具体而言，在通过时间灰度级法进行显示时，将一个帧周期划分为多个子帧周期。之后，像素根据每一子帧周期内的视频信号发光或不发光。根据前述结构，可以通过视频信号控制一个帧周期内像素的实际总光发射周期，从而能够显示灰度级。

但是，在采用时间灰度级法进行显示的情况下，存在一个问题，即随着帧频的变化而在像素部分内显示伪等值线。伪等值线并非真实的等值线，在通过时间灰度级法显示中间灰度级时经常可以发觉伪等值线，人们认为其主要是在人的视觉特性的作用下，由感知亮度的变化引起的。

作为一项防止产生上述伪等值线的技术，在下面的专利文献1中，有人提出了一种驱动等离子显示器的方法，其中在一个帧周期内，用于光发射的子帧周期持续出现。根据所述驱动方法，可以防止产生在相邻的帧周期内使每一帧周期内的光发射周期和非光发射周期发生反转的现象，从而抑制伪等值线的产生。

[专利文献1]日本专利公开文本No.2000-231362

发明内容

但是，在专利文献1公开的驱动方法中，总灰度级级别等于一个帧周期内的子帧周期的数量。因此，在为了提高总灰度级级别而提高子帧周期的数量时，要求缩短每一子帧周期。但是，在一般的显示装置中要求在每一子帧周期内将视频信号输入到所有行的像素内。因此，在子帧周期过短的情况下，要求提高驱动电路的工作频率。考虑到驱动电路的可靠性，最好不要使子帧周期短于必要值。

可以通过延长帧周期使每一子帧周期得到某种程度的延长；但是，延长帧周期的不可取之处在于，无法预料总灰度级级别的急剧增大，此外将更易于产生伪等值线。

因此，专利文献1还描述了一项在不增大子帧周期的数量的情况下以伪方式提高所要显示的总灰度级级别的技术，其中执行诸如抖动的图像处理。但是，通过执行诸如抖动的图像处理，在提高所显示的总灰度级级别的同时，会使所显示出来的图像就像在其上撒了沙子一样，因而必然降低图像质量。

考虑到上述问题，本发明的目的在于提供一种显示装置的驱动方法，其中能够在抑制伪等值线的产生的同时抑制驱动电路的工作频率。此外，本发明的目的在于提供一种显示装置的驱动方法，其中可以在抑制伪等值线的产生的同时抑制图像质量的降低。

此外，考虑到上述问题，本发明的目的在于提供一种显示装置，其中能够在抑制伪等值线的产生的同时抑制驱动电路的工作频率。此外，本发明的另一目的在于提供一种显示装置，其中可以在抑制伪等值线的产生的同时抑制图像质量的降低。

鉴于上述问题，根据本发明的显示装置包括表格，每一表格存储用于在多个子帧周期当中确定光发射子帧周期的数据。在多个像素当中为任意像素确定多个子帧周期。这样的表格存储于存储器当中。

下面将描述本发明的具体组成。

根据本发明的一个模式，一种显示装置包括：多个表格，每者存储用于确定光发射子帧周期的数据；控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及包括像素的像素部分，根据输出的所述视频信号控制每一所述像素的灰度级级别，其中，所述多个表格在所述像素部分的相邻像素之间互不相同。

根据本发明的另一模式，一种显示装置包括：多个表格，每者存储用于确定光发射子帧周期的数据；控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及包括像素的像素部分，根据输出的所述视频信号控制每一所述像素的灰度级级别，其中，所述多个表格在所述像素部分的相邻像素之间互不相同，此外，所述像素的所述表格随具有子帧周期的每一帧周期而不同。

根据本发明的显示装置，根据通过共享比R_sh算出的子帧比R_SF确定所述多个子帧周期的数量和长度。

此外，根据本发明的显示装置，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

本发明的显示装置就其自身类别而言是一种包括下述装置的发光装置：以有机发光二极管(OLED)为代表的发光元件、液晶显示装置、DMD(数字微镜装置)、PDP(等离子体显示屏板)、FED(场致发射显示器)以及能够通过时间灰度级法显示图像的其他显示装置。此外，就其类别而言，所述发光装置包括密封了发光元件的屏板和在屏板上安装了包括控制器的IC等的模块。

根据本发明的显示装置的驱动方法的一个模式，至少包括彼此相邻的第一像素和第二像素；以及为所述第一像素提供从多个每者均存储着用于确定光发射子帧周期的数据的表格中选出的第一表格，同时为所述第二像素提供从所述多个表格中选出的第二表格。

根据本发明的显示装置的驱动方法的另一模式，至少包括彼此相邻的第一像素和第二像素；为所述第一像素提供从多个每者均存储着用于确定光发射子帧周期的数据的表格中选出的第一表格，同时为所述第二像素提供从所述多个表格中选出的第二表格；以及在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

根据本发明的显示装置的驱动方法，所述第一表格和所述第二表格随具有子帧周期的每一帧周期而互换。

如上所述，通过为至少两个像素中的每者提供表格，能够抑制伪等值线的产生。此外，通过随每一帧周期互换第一表格和第二表格，能够进一步抑制伪等值线的产生。

附图说明

图1是示出了本发明的像素部分和表格的示意图。

图2A和2B是示出了本发明的像素部分和表格的示意图。

图3是示出了在测试中用于显示的图案的示意图，执行所述测试的目的在于研究共享比与伪等值线的产生之间的关系。

图4是示出了表示一个帧周期内子帧周期SF1所占的比率的R₁(％)与观察到产生伪等值线的最小帧频F之间的关系的曲线图。

图5是示出了帧频与抑制伪等值线的产生的最低共享比之间的关系的曲线图。

图6示出了灰度级级别与光发射子帧周期之间的关系，以及灰度级级别与通过与低一个灰度级级别的情况比较获得的共享比之间的关系的曲线图。

图7A和图7B是示出了本发明的发光装置的构造的方框图。

图8A到图8C是示出了本发明的发光装置的像素的实例的示意图。

图9是根据本发明的驱动方法显示4比特灰度级的情况下的时间图。

图10A到图10C是本发明的发光装置的像素的截面图。

图11A到图11C是本发明的发光装置的像素的截面图。

图12是本发明的发光装置的像素的截面图。

图13A是本发明的发光装置的顶视平面图，图13B是其截面图。

图14A到图14C是本发明的电子设备的图示。

图15是示出了灰度级级别比率与觉察到伪等值线的产生的最低帧频之间的关系的曲线图。

图16A是常规子帧周期的示意图，图16B是本发明的子帧周期的示意图。

图17示出了灰度级级别与光发射子帧周期之间的关系，以及灰度级级别与通过与低一个灰度级级别的情况比较获得的共享比之间的关系的曲线图。

图18是示出了本发明的像素部分和表格的示意图。

图19A到图19E是示出了本发明的时间图的示意图。

图20A到图20D是示出了本发明的具体表格a的示意图。

图21A到图21D是示出了本发明的具体表格b的示意图。

图22A到图22D是示出了本发明的具体表格c的示意图。

图23A到图23D是示出了本发明的具体表格d的示意图。

具体实施方式

尽管将在下文中参考附图通过实施模式和实施例描述本发明，但是，应当理解，各种变化和修改对应本领域技术人员而言是显而易见的。因此，除非这样的变化和修改脱离本发明的范围，否则就应当将其视为包含在本发明的范围内。注意，在用于描述实施模式和实施例的附图中，采用相同的附图标记表示相同部分或具有相同功能的部分。因此，将只对其做一次描述。

(实施模式1)

在本实施模式中，进行描述所依据的情况为，将多个表格用于多个像素。

如图1所示，在像素部分100内包括多个像素101。

在像素101当中，为任意相邻像素(A)和(B)提供不同的表格(表格a和表格b)。换言之，表格a和表格b是从多个表格中选出的，每一所述表格存储用于确定光发射子帧周期的数据，分别为相邻的像素(A)和(B)提供表格a和表格b。

在这种情况下，可以分别通过(m，n)和(m，n+1)表示相邻像素(A)和(B)的位置，其中假设m为沿行方向的像素部分的任意像素编号，n为沿列方向的像素部分的任意像素编号。在这种情况下，在接下来的第(m+1)行内，将像素(A)和(B)设置为不会分别沿列方向与第m行的像素(A)和(B)邻接。也就是说，分别由(m+1，n+1)和(m+1，n)表示第(m+1)行的像素(A)和(B)的位置。

这样的像素布局整体呈现为分别沿对角线设置像素(A)和像素(B)。

将为具有上述布局的对应像素提供的表格a和表格b设为在不同时刻显示某一灰度级。

为了实现在不同时刻显示某一灰度级，将考虑共享比确定子帧周期的长度。这里应当注意，共享比是指在相差一个灰度级级别的相邻帧周期内共同出现的光发射子帧周期的长度比。

具体而言，共享比的获得方式如下：假设将一个帧周期划分为三个子帧周期SF₁到SF₃，当一个帧周期内的光发射子帧周期仅为SF3，而下一帧周期内的光发射子帧周期为SF₁到SF₃，那么共享比为SF₃/(SF₁+SF₂+SF₃)×100％。

典型地，将子帧周期的长度设为2⁰∶2¹∶2²∶2³...；但是，本发明不限于此，可以考虑共享比确定子帧周期的长度。

图16A和图16B示出了子帧周期结构的实例。图16A示出了在用于显示的总灰度级级别为24的情况下，分别用于第7灰度级级别和第8灰度级级别的常规子帧周期结构。在图16A中，采用了四个子帧周期SF₁到SF₄，并将子帧周期SF₄进一步一分为二。将子帧周期SF₁到SF₄的长度比设为SF₁∶SF₂∶SF₃∶∑SF₄＝1∶2∶4∶8。应当注意，周期BK对应于强行使发光元件不发射光的周期(非显示周期)，其无助于灰度级级别。

就图16A中显示第7灰度级级别的情况而言，光发射子帧周期为SF₁、SF₂和SF₃，非光发射子帧周期为SF₄。就显示第8灰度级级别的情况而言，光发射子帧周期为SF₄，非光发射子帧周期为SF₁、SF₂和SF₃。因此，没有共同的光发射子帧周期，因而共享比为0％。根据图16A所示的子帧周期结构，易于产生伪等值线。

接下来，图16B示出了考虑共享比的子帧周期结构，其不同于图16A所示的结构。图16B示出了在与图16A类似的情况下，即用于显示的总灰度级级别为2⁴的情况下，分别用于第7灰度级级别和第8灰度级级别的子帧周期结构。在图16B中，采用了八个子帧周期SF₁到SF₈。将子帧周期SF₁到SF₈的长度比设为SF₁∶SF₂∶SF₃∶SF₄∶SF₅∶SF₆∶SF₇∶SF₈＝1∶1∶2∶2∶2∶3∶3。应当注意，周期BK对应于非显示周期，其无助于灰度级级别。

就图16B中显示第7灰度级级别的情况而言，光发射子帧周期为SF₃、SF₇和SF₈，非光发射子帧周期为SF₁、SF₂、SF₄、SF₅和SF₆。就显示第8灰度级级别的情况而言，光发射子帧周期为SF₆、SF₇和SF₈，非光发射子帧周期为SF₁、SF₂、SF₃、SF₄和SF₅。因此，共同显示的光发射子帧周期为SF₇和SF₈，因而共享比为(SF₇+SF₈)×100/(SF₆+SF₇+SF₈)，即75％。根据图16B所示的子帧周期结构，所产生的伪等值线少于图16A所示的情况。

此外，根据本发明的子帧周期，在显示诸如第7灰度级级别或第8灰度级级别的某一灰度级时，存在多种光发射子帧周期的组合。例如，在图16B中，显示第7灰度级级别的光发射子帧周期可以是(SF₁、SF₇和SF₈)、(SF₂、SF₇和SF₈)、(SF₁、SF₄、SF₅和SF₆)等。同时，显示第8灰度级级别的光发射子帧周期可以是(SF₆、SF₇和SF₈)、(SF₁、SF₂、SF₇和SF₈)、(SF₁、SF₂、SF₄、SF₅和SF₆)等。因此，可以为像素提供不同的表格。可以根据共享比确定将要提供的子帧周期的组合。因此，在所提供的显示装置中，可以根据所述表格确定灰度级级别，从而减少伪等值线的产生。

下面将描述通过共享比R_Sh和总灰度级级别确定一个帧周期内每一子帧周期的长度的具体方法。

首先，基于用于驱动的帧频计算共享比R_sh。帧频越高所产生的伪等值线越少，相反，帧频越低所产生的伪等值线越多。因此，通过预先确定帧频，可以为每一显示装置确定抑制伪等值线的产生的最低共享比。

图5示出了帧频(Hz)与抑制伪等值线的产生的最低共享比(％)之间的关系的实例。

如图5所示，共享比越低，抑制伪等值线的产生所需的帧频越高。注意，由于可以任意确定用于判断是否正在产生伪等值线的标准，因此未必一定能获得与图5所示的相同的数值关系。但是，在某一预定的判断标准下，帧频(Hz)与抑制伪等值线的产生的最低共享比(％)之间的关系表明，帧频越高，伪等值线的产生受到的抑制就越高。

从图5所示的曲线图可以看出，在采用特定帧频的情况下，获得了抑制伪等值线的产生的最低共享比(％)，由此能够确定大于等于所述最低共享比的共享比R_Sh的值。随着共享比R_Sh的确定，可以确定每一子帧周期的长度。

首先，按照长度的递增顺序，将一个帧周期内的n个子帧周期称为SF₁到SF_n。这里假设，当在所有的SF₁到SF_p(p＜n)内执行光发射时，能够显示第m灰度级级别(m＜2ⁿ)。在这种情况下，由T_m表示用于显示第m灰度级级别的光发射子帧周期SF₁到SF_p的总长度，可以通过下述公式1表示T_m。

[公式1]

T_{m} = Σ_{n = 1}^{p} {SF}_{n}

接下来，考虑显示第(m+1)灰度级级别的情况。由于可以通过在所有的SF₁到SF_p内发光而显示第m灰度级级别，因此必须采用比SF_p长的SF_p+1来实现显示第(m+1)灰度级级别的目的。同时，必须从子帧周期SF₁到SF_p中减去一个或多个子帧周期，以执行显示，所述一个或多个子帧周期对应于通过从SF_p+1中减去一个灰度级级别的长度(例如，对应于SF₁的长度)而得到的长度。因而，在由T_m+1表示用于显示第(m+1)灰度级级别的光发射子帧周期的总长度时，可以通过下述公式2表示T_m+1。

[公式2]

T_{m + 1} = Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - ({SF}_{p + 1} - {SF}_{1})

当比率SF_p+1/∑(SF₁～SF_p+1)为子帧比R_SF时，可以通过下述公式3表示R_SF。

[公式3]

R_{SF} = \frac{{SF}_{p + 1}}{Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n}}

可以从公式3派生出下面的公式4。

[公式4]

{SF}_{p + 1} = Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} \times R_{SF}

于是，在由W_m/m+1表示在显示第m灰度级级别和显示第(m+1)灰度级级别时共同出现的光发射子帧周期的总长度时，可以通过下面的公式5表示W_m/m+1。

[公式5]

W_m/m+1＝T_m-(SF_p+1-SF₁)

相应地，从公式1、公式4和公式5派生出了公式6。

[公式6]

W_{m / m + 1}

= Σ_{n = 1}^{p} {SF}_{n} - ({SF}_{p + 1} - {SF}_{1})

= Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - {SF}_{p + 1} - ({SF}_{p + 1} - {SF}_{1})

= Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - 2 \times R_{SF} \times Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} + {SF}_{1}

由下面的公式7表示在显示第m灰度级级别和显示第(m+1)灰度级级别时共同出现的光发射子帧周期的共享比R_sh。

[公式7]

R_sh＝W_m/m+1/T_m+1

因此，由公式2、公式4、公式6和公式7派生出了下面的公式8。

[公式8]

R_{sb}

= {Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - 2 \times R_{SF} \times Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} + {SF}_{1}} / {Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - R_{SF} \times Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} + {SF}_{1}}

\approx {Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - 2 \times R_{SF} \times Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n}} / {Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n} - R_{SF} \times Σ_{n = 1}^{p + 1} {SF}_{n}}

= (1 - 2 R_{SF}) / (1 - R_{SF})

此外，可以从公式8派生出下面的公式9。

[公式9]

R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)

因此，可以将共享比R_sh的值代入公式9，由此得到子帧比R_SF的值。子帧比R_SF为比率SF_p+1/∑(SF₁～SF_p+1)。可以采用这一子帧比R_SF由最长的子帧周期SF_n的长度依次确定每一子帧周期的长度。

如上文所述，通过考虑共享比确定子帧周期的长度，在显示某一灰度级时，可以存在多种光发射子帧周期的选项。也就是说，存储用于确定光发射子帧周期的数据的多个表格中的每者均具有冗余项。因此，可以将从所述多个表格中选出的一些表格提供给多个像素。

通过为如上的至少两个或更多像素提供表格，使倾向于产生伪等值线的灰度级级别扩散，因而能够更少地察觉伪等值线。

在这一实施模式中分别为像素(A)和(B)提供表格；但是本发明不限于此。例如，可以为像素提供四个表格，可以将相应像素布置为矩形。也就是说，根据本发明，与常规方法相比，可以通过为至少两个或更多像素提供每一表格防止伪等值线的产生。

在执行本发明的驱动方法的显示装置中，对应于输入信号而输出预定信号的表格是一种查表表格，其通过诸如ROM、RAM存储器等硬件存储。

在本实施模式所描述的驱动方法中，可以使任何子帧周期反转。例如，在一个帧周期内，可以在一组子帧周期的末尾对其反转。因此，能够进一步防止产生伪等值线，尤其是防止产生活动图像伪等值线。

(实施模式2)

在本实施模式中将描述子帧周期的一个具体例子。

图6示出了光发射子帧周期的具体例子，其中采用4位视频信号，总灰度级级别为2⁴。图6中的横坐标轴表示灰度级级别，左侧纵坐标轴表示光发射周期，即光发射子帧周期的总周期。在图6B中，右侧纵坐标轴表示通过与低一个灰度级级别的情况相比较得到的共享比R_sh(％)。在图6中，采用了九个子帧周期SF₁到SF₉。将子帧周期SF₁到SF₉的长度比设为SF₁∶SF₂∶SF₃∶SF₄∶SF₅∶SF₆∶SF₇∶SF₈∶SF₉＝1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。

在这些子帧周期中存在具有相同长度的周期。因此，针对某一灰度级的显示存在多种子帧周期的组合，可以根据所述组合设置不同的表格。

这样表格是一种查表表格，其通过诸如ROM、RAM存储器等的硬件存储。

在图6中，在显示灰度级4到16时，通过确定子帧周期的长度使共享比R_sh(％)保持大于等于65％。注意，在共享比R_sh(％)的所述定义下，在第0灰度级级别和第1灰度级级别中未满足所述R_sh(％)。此外，在第2灰度级级别中也未满足所述共享比Rsh(％)，在图6中该值较低，因为在这样的较少产生伪等值线的低灰度级级别中未必一定要满足所述共享比Rsh(％)。

图17示出了光发射子帧周期的具体例子，其中采用6位视频信号，总灰度级级别为2⁶。图17中的横坐标轴表示灰度级级别，左侧纵坐标轴表示光发射周期，即光发射子帧周期的总周期。根据光发射周期的长度确定所要显示的灰度级。在图17中，右侧纵坐标轴表示通过与低一个灰度级级别的情况相比较得到的共享比R_sh(％)。在图17中，采用了12个子帧周期SF₁到SF₁₂。将子帧周期SF₁到SF₁₂的长度比设为SF₁∶SF₂∶SF₃∶SF₄∶SF₅∶SF₆∶SF₇∶SF₈∶SF₉∶SF₁₀∶SF₁₁∶SF₁₂＝1∶2∶3∶3∶4∶4∶5∶6∶7∶8∶9∶11。

在图17中，在显示灰度级12到63时，通过确定相应的子帧周期的长度使共享比R_sh(％)保持大于等于70％。注意，在共享比Rsh(％)的所述定义下，在第0灰度级级别和第1灰度级级别中未满足所述Rsh(％)。此外，在第2到第11灰度级级别中也未满足所述共享比Rsh(％)，在图17中这些值相对较低，因为在这样的较少产生伪等值线的低灰度级级别中未必一定要满足所述共享比Rsh(％)。

如上所述，通过考虑共享比确定子帧周期可以设定多个不同的表格。通过未像素提供多个表格，可以防止伪等值线的产生。

(实施模式3)

在在本实施模式中所描述的情况为，对应于每一像素的表格不是固定的，而是按照帧周期发生变化。

如图2A所示，假设在第t帧内，分别为相邻像素(A)和(B)提供表格a和b。

之后，在第(t+1)帧内根据像素(A)和(B)的位置以和第t帧中的情况相反的方式提供表格a和b，如图2B所示。可以通过这种方式根据帧改变对应于每一像素提供的表格。可以将与表格变化相关的内容和数据存储到ROM或RAM中。

通过根据帧改变对应于每一像素的表格，即如上所述的存储用于确定光发射子帧周期的数据的表格，能够进一步防止产生伪等值线。

在这一实施模式中分别为像素(A)和(B)提供表格；但是本发明不限于此。例如，可以为像素提供四个表格，为其提供了每一表格的对应像素可以布置为矩形形状。也就是说，根据本发明，与常规方法相比，可以通过为至少两个或更多像素提供表格防止伪等值线的产生。

(实施模式4)

在本实施模式中将描述作为一种显示装置的发光装置的具体构造。图7A和图7B是本发明的发光装置的示范性构造的方框图。图7A和图7B所示的发光装置包括屏板104、控制器102和表格103。屏板104包括像素部分100、信号线驱动电路105和扫描线驱动电路106，像素部分100包括多个每者均具有发光元件的像素。

表格103通过诸如ROM和RAM存储器的硬件存储，其中可以根据像素提供多个表格103。存储器存储对应于每一表格的与像素布局相关的数据等。存储器还根据子帧比R_SF存储一个帧周期内的多个子帧周期的编号和长度，以及存储用于从多个子帧周期中确定每一灰度级级别的光发射子帧周期的数据。可以在根据帧频确定共享比R_sh之后计算子帧比R_SF。

控制器102可以根据存储在表格103内的数据确定取决于输入视频信号的灰度级级别的光发射子帧周期，并将其输出。此外，控制器102具有帧存储器，并且能够产生各种控制信号，例如时钟信号和起始脉冲信号，后者取决于存储在表格103内的多个子帧周期的每一长度、信号线驱动电路105和扫描线驱动电路106的工作频率等。

视频信号的转换和控制信号的产生均通过图7A中的控制器102执行；但是，本发明不局限于这一构造。可以在发光装置中分别设置用于转换视频信号的控制器和用于产生控制信号的控制器。

图7B是图7A所示的屏板104的示范性具体构造。

在图7B中，信号线驱动电路105包括移位寄存器110、锁存器A111和锁存器B112。将诸如时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)的控制信号输入到移位寄存器110内。在输入时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)后，在移位寄存器110内产生定时信号。将所产生的定时信号串行输入到第一级锁存器A111内。在向锁存器A111输入定时信号的同时，将由控制器102输入的视频信号串行输入到锁存器A111内，并保持，其中，所述的视频信号的输入与输入的定时信号的脉冲同步。注意，在本实施模式中向锁存器A111内串行输入视频信号；但是本发明不局限于这一结构。或者，可以执行所谓的划分驱动，其中，将锁存器A111划分为几组，从而向每组并行输入视频信号。这里将组的数量称为划分数。例如，在将锁存器划分为四个级别组时，执行四分驱动。

将用于将视频信号输入到锁存器A111的所有锁存器级内的周期称为行选周期。实际上，可能存在这样的情况，即除了前述行选周期之外，行选周期还包括水平回扫周期。

在一个行选周期终止的同时，将作为控制信号之一的锁存信号提供给第二级锁存器B112。在与所述锁存信号同步的情况下，将保持在锁存器A111内的视频信号同时写入到锁存器B112内。在将视频信号传输至锁存器B112之后，再次与来自移位寄存器110的定时信号同步，将下一比特的视频信号串行输入到锁存器A111内。在第二个行选周期内，将写入并保持于锁存器B112内的视频信号输入到像素部分100内。

应当注意，可以采用诸如译码器的能够选择信号线的电路替代移位寄存器110。

接下来，将描述扫描线驱动电路106的构造。扫描线驱动电路106包括移位寄存器113和缓冲器114。此外，如有必要可以包括电平移动器。在扫描线驱动电路106中，将时钟信号(CLK)和起始脉冲信号(SP)输入到移位寄存器113内，以生成选择信号。在缓冲器114内将所生成的选择信号放大，并将其提供给对应的的扫描线。由于提供给扫描线的选择信号控制着包含在一行像素内的晶体管的操作，因此，优选采用能够为扫描线提供相对较大的电流量的缓冲器作为缓冲器114。

应当注意，可以采用诸如译码器的能够选择信号线的电路替代移位寄存器113。

在本发明中，可以在与像素部分100相同的衬底上，也可以在不同衬底上形成扫描线驱动电路106和信号线驱动电路105。例如，可以采用有待安装的IC芯片形成扫描线驱动电路106或信号线驱动电路105。本发明的发光装置的屏板构造不限于图7A和图7B所示，只要屏板104所具有的构造能够实现根据由控制器102输入的视频信号控制像素灰度级级别即可。

通过在这样的发光装置中采用多个表格，能够防止伪等值线的产生。

在除上述显示装置以外的其他显示装置中，也可以通过采用存储多个表格的存储器防止伪等值线的产生。

(实施模式5)

接下来，将参考图8A到图8C描述本发明的发光装置中的像素的等效电路图。

图8A是像素等效电路图的例子，其包括信号线6114、电源线6115、扫描线6116、发光元件6113、晶体管6110和6111以及电容器6112。通过信号线驱动电路向信号线6114输入视频信号。晶体管6110可以根据输入至扫描线6116内的选择信号控制向晶体管6111的栅极提供视频信号电势。晶体管6111可以根据视频信号电势控制向发光元件6113提供电流。电容器6112可以保持晶体管6111的栅极和源极之间的电压(将其称为栅极-源极电压)。注意，在图8A中提供了电容器6112；但是，可以不提供电容器6112，只要晶体管6111的栅电容或其他寄生电容能够替代它即可。

图8B是像素的等效电路图，其中，在图8A所示的像素中额外提供了晶体管6118和扫描线6119。可以通过晶体管6118使晶体管6111的栅极和源极电势相等，从而迫使电流无法流入发光元件6113。因此，可以将每一子帧周期的长度设为短于向所有像素输入视频信号的周期。因此，可以以高总灰度级级别执行显示，同时抑制工作频率。

图8C是像素的等效电路图，其中，在图8B所示的像素中额外提供了晶体管6125和线路6126。通过线路6126固定晶体管6125的栅极电势。此外，晶体管6111和6125串联于电源线6115和发光元件6113之间。相应地，在图8C中，晶体管6125控制提供给发光元件6113的电流量，而晶体管6111则控制是否向发光元件6113提供电流。

应当注意，本发明的发光装置的像素电路构造不限于本实施模式中描述的构造，并且可以将本发明应用于任何执行时间灰度级显示的显示装置中。可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

(实施模式6)

在本实施模式中，以图6所示的本发明的驱动方法为例，描述了每一子帧周期的出现时机。

图9示出了在总灰度级级别为24的情况下的时间图，其中，采用了图6所示的本发明的驱动方法。图9的横坐标轴表示一个帧周期内的子帧周期SF₁到SF₉的长度，纵坐标轴表示扫描行的选择顺序。将子帧周期SF₁到SF₉的长度比设为，从SF₁开始依次为1∶1∶1∶1∶1∶2∶2∶3∶3。因此，在显示(例如)第3灰度级级别时，光发射周期对应于SF1到SF3的总子帧周期、SF1到SF4中的任何一个与SF6或SF7的总子帧周期或者子帧周期SF8或SF9。因此，存储用于确定光发射子帧周期的数据的表格可以具有冗余项；因此，可以为像素提供不同的表格。

在每一子帧周期开始后，通过共享一条扫描线的一行像素执行视频信号输入。在将视频信号输入到像素内之后，发光元件根据视频信号的数据发光或不发光。每一像素内的发光元件根据视频信号保持发光或保持不发光，直到开始下一子帧周期。

注意，在图9所示的时间图中，在向像素内输入视频信号的同时，发光元件根据视频信号的数据发光或不发光；但是，本发明不限于这一结构。或者，在将视频信号输入到所有像素内之前，使发光元件保持不发光，在将视频信号输入到所有像素内之后，发光元件根据视频信号的数据发光或不发光。

此外，在图9所示的时间图内，所有的子帧周期连续出现，但是，本发明不限于这一结构。也有可能在子帧周期之间提供迫使发光元件不发光的周期(非显示周期)。可以通过凭借图8B和图8C所示的晶体管6118释放电容器6112的电荷而提供非显示周期。所述非显示周期可以开始于在恰好位于所述非显示周期之前的子帧周期内完成向所有像素输入视频信号之前或之后。

(实施模式7)

在本实施模式中，采用图10A到图10C描述像素的截面结构，其中，用于控制向发光元件提供电流的晶体管为P沟道薄膜晶体管(TFT)。注意，在本说明书中，将发光元件的阳极和阴极之一称为第一电极，将另一个称为第二电极，可以通过晶体管控制所述阳极和阴极的电势。进行描述所依据的情况为，在图10A到图10C中，第一电极为阳极，第二电极为阴极；但是，也可能第一电极为阴极，而第二电极为阳极。

图10A是像素的截面图，其中，TFT 6001为P沟道型，从第一电极6004一侧提取来自发光元件6003的光。在图10A中，将发光元件6003的第一电极6004电连接到TFT 6001。

采用层间绝缘膜6007覆盖TFT 6001，在层间绝缘膜6007上形成具有开口的堤6008。在堤6008的开口内，部分暴露了第一电极6004，并且依次叠置着第一电极6004、电致发光层6005和第二电极6006。

可以采用有机树脂膜、无机绝缘膜或含有基于硅氧烷的材料作为起始材料并具有Si-O-Si键的绝缘膜(下文称为“硅氧烷绝缘膜”)形成层间绝缘膜6007。硅氧烷绝缘膜含有作为取代基的氢，此外还可以含有氟、烷基和芳香烃中的至少一种。还可以采用所谓的低介电常数材料(低k材料)形成层间绝缘膜6007。

可以采用有机树脂膜、无机绝缘膜或硅氧烷绝缘膜形成堤6008。就有机树脂膜而言，例如，可以采用丙烯酸、聚酰亚胺或聚酰胺。就无机绝缘膜而言，可以采用氧化硅、氮氧化硅等。堤6008优选由光敏有机树脂膜形成，并且具有位于第一电极6004上的开口，将所述开口形成为使其侧面具有带有连续曲率的斜坡，其能够防止第一电极6004和第二电极6006相互连接。

采用透光材料或以透光厚度，并且采用适于用作阳极的材料形成第一电极6004。例如，可以采用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)和掺镓氧化锌(GZO)的透光导电氧化物形成第一电极6004。或者，可以采用含有氧化硅的氧化锌、含有氧化硅的氧化铟锡(以下简称ITSO)或者ITSO与2％到20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成第一电极6004。此外，除了前述透光导电氧化物之外，还可以采用(例如)由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种材料构成的单层膜、由氮化钛膜和主要含有铝的膜构成的叠层结构或者由氮化钛膜、主要含有铝的膜和氮化钛膜构成的三层结构形成第一电极6004。注意，在采用此类材料而不是透光导电氧化物时，使所形成的第一电极6004的厚度薄到足以透射光(优选为大约5到30nm)。

采用反射或遮挡光的材料，以反射或遮挡光的厚度形成第二电极6006，其中，所采用的材料是诸如金属、合金、导电化合物或其组合的具有低功函数的材料。具体而言，可以采用诸如Li和Cs的碱金属、诸如Mg、Ca和Sr的碱土金属、含有此类金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此类金属的化合物(CaF₂或Ca₃N₂)或诸如Yb和Er的稀土金属。在提供电子注入层的情况下，可以采用诸如Al层的导电层作为替代。

通过单层或多层构造电致发光层6005。就多层而言，可以根据载流子输运特性将这些层划分为空穴注入层、空穴输运层、光发射层、电子输运层、电子注入层等。当电致发光层6005具有除光发射层以外的空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何一个时，那么在第一电极6004上依次叠置空穴注入层、空穴输运层、光发射层、电子输运层和电子注入层。注意，层与层之间不一定具有明晰的边界，由于形成各个层的材料部分混合，因而可能无法清晰地区分所述边界。可以采用有机材料或无机材料形成每一层。就有机材料而言，可以采用具有高分子量、中等分子量和低分子量的材料中的任何一种。注意，中等分子量材料是指结构单元的重复次数(聚合度)为2到20的低聚物。在空穴注入层和空穴输运层之间不存在明显的区别，在两者之中空穴输运特性(空穴迁移率)均尤为显著。空穴注入层与阳极接触，为了方便起见，将与空穴注入层接触的层称为空穴输运层。其同样适用于电子输运层和电子注入层，将与阴极接触的层称为电子注入层，同时将与电子注入层接触的层称为电子输运层。此外，光发射层也可以具有电子输运层的作用，因此可以将其称为光发射电子输运层。

在图10A所示的像素中，可以从如空心箭头所示的第一电极6004一侧提取从发光元件6003中发射的光。

图10B是像素的截面图，其中，TFT 6011为P沟道型，从第二电极6016一侧提取由发光元件6013发射的光。在图10B中，将发光元件6013的第一电极6014电连接到TFT 6011。在第一电极6014上，依次叠置电致发光层6015和第二电极6016。

采用反射或遮挡光的材料并以反射或遮挡光的厚度形成第一电极6014，其中，所采用的材料适于用作阳极。例如，可以采用由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种材料构成的单层膜、由氮化钛膜和主要含有铝的膜构成的叠层结构或者由氮化钛膜、主要含有铝的膜和氮化钛膜构成的三层结构形成第一电极6014。

采用透光材料或以透光厚度形成第二电极6016，并且可以采用具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其混合物形成第二电极6016。具体而言，可以采用诸如Li和Cs的碱金属、诸如Mg、Ca和Sr的碱土金属、含有此类金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此类金属的化合物(CaF2或Ca₃N₂)或诸如Yb和Er的稀土金属。在提供电子注入层的情况下，可以诸如Al层的导电层作为替代。使所形成的第二电极6016的厚度薄到足以透射光(优选为大约5到30nm)。注意，还可以采用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)和掺镓氧化锌(GZO)的透光导电氧化物形成第二电极6016。或者，可以采用含有氧化硅的氧化锌、含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者ITSO与2％到20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成第二电极6016。就采用此类透光导电氧化物的情况而言，优选在电致发光层6015内提供电子注入层。

所形成的电致发光层6015可以类似于图10A所示的电致发光层6005。

在图10B所示的像素中，可以从如空心箭头所示的第二电极6016一侧提取由发光元件6013发射的光。

图10C为像素截面图，其中，TFT 6021为P沟道型，并且同时从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧提取由发光元件6023发射的光。在图10C中，将发光元件6023的第一电极6024电连接到TFT6021。在第一电极6024上，依次叠置电致发光层6025和第二电极6026。

所形成的第一电极6024可以类似于图10A所示的第一电极6004，所形成的第二电极6026可以类似于图10B所示的第二电极6016。所形成的电致发光层6025可以类似于图10A所示的电致发光层6005。

在图10C所示的像素中，可以同时从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧提取由发光元件6023发射的光，如空心箭头所示。

可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

(实施模式8)

在本实施模式中，参考图11A到图11C描述像素的截面结构，其中，用于控制向发光元件提供电流的晶体管为N沟道型。注意，在图11A到图11C中，第一电极为阴极，第二电极为阳极；但是，也可能第一电极为阳极，第二电极为阴极。

图11A是像素的截面图，其中，TFT 6031为N沟道型，从第一电极6034一侧提取由发光元件6033发射的光。在图11A中，将发光元件6033的第一电极6034电连接到TFT 6031。在第一电极6034上，依次叠置电致发光层6035和第二电极6036。

采用透光材料或以透光厚度形成第一电极6034，并且可以采用具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其混合物形成第一电极6034。具体而言，可以采用诸如Li和Cs的碱金属、诸如Mg、Ca和Sr的碱土金属、含有此类金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此类金属的化合物(CaF₂或Ca₃N₂)或诸如Yb和Er的稀土金属。在提供电子注入层的情况下，可以诸如Al层的导电层作为替代。此外，使所形成的第一电极6034的厚度薄到足以透射光(优选为大约5到30nm)。此外，还可以采用透光导电氧化物额外形成透光导电层，并使之接触前述具有足以透射光的厚度的导电层的顶部或底部，以抑制第一电极6034的薄层电阻。注意，也可以仅采用导电层形成第一电极6034，其中，所述导电层采用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)和掺镓氧化锌(GZO)的透光导电氧化物。或者，可以采用含有氧化硅的氧化锌、含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者ITSO与2％到20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成第一电极6034。在采用此类透光导电氧化物时，优选在电致发光层6035内提供电子注入层。

采用反射或遮挡光的材料并以反射或遮挡光的厚度形成第二电极6036，其中所采用的材料适于用作阳极。例如，可以采用由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种材料构成的单层膜、由氮化钛膜和主要含有铝的膜构成的叠层结构、由氮化钛膜、主要含有铝的膜和氮化钛膜构成的三层结构等形成第二电极6036。

所形成的电致发光层6035可以类似于图10A所示的电致发光层6005。当电致发光层6035具有除光发射层以外的空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何一个时，那么在第一电极6034上依次叠置电子注入层、电子输运层、光发射层、空穴输运层和空穴注入层。

在图11A所示的像素中，可以从如空心箭头所示的第一电极6034一侧提取由发光元件6033发射的光。

图11B为像素的截面图，其中，TFT 6041为N沟道型，从第二电极6046一侧提取由发光元件6043发射的光。在图11B中，将发光元件6043的第一电极6044电连接到TFT 6041。在第一电极6044上，依次叠置电致发光层6045和第二电极6046。

采用反射或遮挡光的材料并以反射或遮挡光的厚度形成第一电极6044，并且可以采用具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其混合物形成第一电极6044。具体而言，可以采用诸如Li和Cs的碱金属、诸如Mg、Ca和Sr的碱土金属、含有此类金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等)、此类金属的化合物(CaF₂或Ca₃N₂)或诸如Yb和Er的稀土金属等。在提供电子注入层的情况下，可以诸如Al层的导电层作为替代。

采用透光材料或以透光厚度，并且采用适于用作阳极的材料形成第二电极6046。例如，可以采用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)和掺镓氧化锌(GZO)的透光导电氧化物。或者，可以采用含有氧化硅的氧化锌、含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者ITSO与2％到20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成第二电极6046。此外，除了前述透光导电氧化物之外，还可以采用(例如)由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种材料构成的单层膜、由氮化钛膜和主要含有铝的膜构成的叠层结构或者由氮化钛膜、主要含有铝的膜和氮化钛膜构成的三层结构形成第二电极6046。注意，在采用此类材料而不是透光导电氧化物时，使所形成的第二电极6046的厚度薄到足以透射光(优选为大约5到30nm)。

所形成的电致发光层6045可以类似于图11A所示的电致发光层6035。

在图11B所示的像素中，可以从如空心箭头所示的第二电极6046一侧提取由发光元件6043发射的光。

图11C为像素的截面图，其中，TFT 6051为N沟道型，并且同时从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧提取由发光元件6053发射的光。在图11C中，将发光元件6053的第一电极6054电连接到TFT6051。在第一电极6054上，依次叠置电致发光层6055和第二电极6056。

所形成的第一电极6054类似于图11A所示的第一电极6034，所形成的第二电极6056类似于图11B所示的第二电极6046。所形成的电致发光层6055可以类似于图11A所示的电致发光层6035。

在图11C所示的像素中，可以同时从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧提取由发光元件6053发射的光，如空心箭头所示。

可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

(实施模式9)

在本实施模式中描述的情况为，采用以丝网印刷和胶印为代表的印刷法或者微滴释放法制造所述发光装置。微滴释放法是一种通过微孔喷射含有预定成分的微滴而形成预定图案的方法，其包括喷墨法。在采用这样的印刷法或微滴释放法时，可以在不采用曝光掩模的情况下形成以信号线、扫描线和选择线为代表的各种线路、TFT的栅极、发光元件的电极等。但是，不一定要将印刷法或微滴释放法用于整个图案形成过程。例如，有可能将印刷法或微滴释放法用于所述过程的至少一部分，并额外采用光刻法，操作如下：通过印刷法或微滴释放法形成线路和栅极，并通过光刻法对半导体薄膜构图。注意，可以通过印刷法或微滴释放法形成用于构图的掩模。

图12是采用微滴释放法形成的本发明的发光装置的示范性截面图。在图12中，附图标记1301和1302均表示TFT，1304表示发光元件。将TFT 1302电连接到发光元件1304的第一电极1350。TFT 1302优选为N沟道型，在这种情况下，第一电极1350优选为阴极，第二电极1331优选为阳极。

起着开关元件的作用的TFT 1301具有栅极1310、包括沟道形成区域的第一半导体膜1311、形成于栅极1310和第一半导体膜1311之间的栅极绝缘膜1317、起着源极或漏极作用的第二半导体薄膜1312和1313、连接至第二半导体膜1312的线路1314和连接至第二半导体膜1313的线路1315。

TFT 1302具有栅极1320、包括沟道形成区域的第一半导体膜1321、形成于栅电极1320和第一半导体膜1321之间的栅极绝缘膜1317、起着源极或漏极作用的第二半导体膜1322和1323、连接至第二半导体膜1322的线路1324和连接至第二半导体膜1323的线路1325。

线路1314对应于信号线，将线路1315电连接到TFT 1302的栅极1320。线路1325对应于电源线。

通过采用微滴释放法或印刷法形成图案，可以简化光刻法的一系列步骤，包括形成光致抗蚀剂、曝光、显影、蚀刻和剥离。此外，与光刻法不同的是，微滴释放法或印刷法可以避免浪费否则将通过蚀刻去除的材料。此外，由于不需要昂贵的掩模，能够降低发光装置的制造成本。

此外，与光刻法不同的是不需要通过蚀刻形成线路。相应地，与光刻法相比，可以在极短的时间内完成形成线路的步骤。具体而言，在形成具有大于等于0.5μm(优选大于等于2μm)的厚度的线路时，可以抑制线路电阻。相应地，能够抑制线路电阻随着发光装置的扩大而增大，同时缩短线路形成步骤所需的时间。

第一半导体薄膜1311和1321可以是无定形半导体或半无定形半导体(SAS)。

可以通过辉光放电使硅源气体分解，由此获得无定形半导体。可以采用SiH₄或Si₂H₆作为典型的硅源气体。可以采用氢气或者氢气和氦气稀释硅源气体。

类似地，可以通过辉光放电使硅源气体分解，由此获得SAS。可以采用SiH₄以及Si₂H₆、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄、SiF₄等作为典型的硅源气体。可以采用氢气或氢气与从氦、氩、氪和氖中选出的一种或多种稀有气体元素的混合气体稀释硅源气体，由此容易地形成SAS。优选以1∶2到1∶1000的比率稀释硅源气体。此外，可以将硅源气体与诸如CH₄和C₂H₆的碳源气体、诸如GeH₄和GeF₄的锗源气体以及F₂等混合，从而使能带宽度为1.5到2.4eV或者0.9到1.1eV。采用SAS作为第一半导体膜的TFT能够表现出1到10cm²/Vsec或更高的迁移率。

也可以采用通过使无定形半导体或半无定形半导体(SAS)结晶得到的半导体形成第一半导体薄膜1311和1321。例如，采用激光器或加热炉使无定形半导体或SAS结晶。

可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

(实施模式10)

在本实施模式中，将参考图13A和图13B描述对应于本发明的发光装置的一个模式的屏板的外视图。图13A是屏板的顶视平面图，其中，采用密封剂将形成于第一基板上的TFT和发光元件密封至第一基板和第二基板之间。图13B是沿A-A′线截取的图13A的截面图。

在第一基板4001上提供信号线驱动电路4003和扫描线驱动电路4004，并提供至少包围像素部分4002的密封剂4005。此外，至少在像素部分4002之上提供第二基板4006，密封剂4005插置于二者之间。在图13A和图13B所示的发光装置中，通过第一基板4001、密封剂4005和第二基板4006连同填充材料4007一起对像素部分4002、信号线驱动电路4003和扫描线驱动电路4004紧密密封。

形成于第一基板4001之上的像素部分4002、信号线驱动电路4003和扫描线驱动电路4004每者均包括多个TFT。图13B示出了信号线驱动电路4003包括的TFT 4008和像素部分4002包括的TFT 4009。

附图标记4011表示发光元件，连接至TFT 4009的漏极的线路4017部分起着发光元件4011的第一电极的作用。光发射导电膜4012起着发光元件4011的第二电极的作用。注意，发光元件4011不限于本实施模式中描述的结构，可以根据由发光元件4011发射的光的提取方向、TFT 4009的极性等适当改变其结构。

通过引线4014和4015自连接端子4016向信号线驱动电路4003、扫描线驱动电路4004和像素部分4002提供各种信号和电压，但是在图13B的截面图中未示出。

在本实施模式中，采用与发光元件4011的第一电极相同的导电膜形成连接端子4016。采用与线路4017相同的导电膜形成引线4014。采用与TFT 4009和4008各自的栅电极相同的导电膜形成引线4015。

将连接端子4016通过各向异性导电膜4019电连接到FPC 4018的端子。

可以采用玻璃、金属(典型为不锈金属)、陶瓷或塑料形成第一基板4001和第二基板4006。就塑料而言，可以采用FRP(玻璃纤维增强塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜或丙烯酸树脂膜。此外，也可以采用薄板，所述薄板具有通过PVF膜或聚酯膜夹持铝的结构。

应当注意，要求设置于由发光元件4011发射的光的提取侧的基板能够透射光。在这种情况下，将采用透光材料，例如玻璃基板、塑料基板、聚酯膜和丙烯酸树脂膜。

就填充材料4007而言，除了诸如氮气和氩气的惰性气体之外，可以采用紫外线固化树脂或热固树脂，例如，可以采用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂、有机硅树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-乙酸乙烯共聚物)。在在本实施模式中采用氮气作为填充材料。

可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

(实施模式11)

本发明的显示装置可以抑制伪等值线的产生，其适用于诸如便携式电话、便携式游戏机或电子图书的便携式电子设备、摄像机和数字静物摄影机的显示部分。此外，由于本发明的显示装置能够防止伪等值线的产生，因此，本发明适用于具有显示部分的电子设备，例如能够通过其复制活动图像的，用于图像显示的显示装置。

此外，还可以将本发明的显示装置用于诸如摄像机、数字照相机、护目镜型显示器(头戴式显示器)、导航系统、还音装置(例如汽车音频系统和音频成分系统)、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒质的图像复制装置(典型的是复制诸如DVD(数字通用盘)的记录媒质并且具有用于显示复制后的图像的显示器的装置)的电子设备。图14A到图14C示出了此类电子设备的具体例子。

图14A示出了一种移动电话，其包括主体2101、显示部分2102、音频输入部分2103、音频输出部分2104和操作键2105。可以采用本发明的显示装置形成显示部分2102，从而完成作为本发明的电子设备之一的移动电话的制作。

图14B示出了一种摄像机，其包括：主体2601、显示部分2602、外壳2603、外部连接端口2604、遥控接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、音频输入部分2608、操作键2609和目镜部分2610。可以采用本发明的显示装置形成显示部分2602，由此完成作为本发明的电子设备之一的摄像机的制作。

图14C示出了一种显示装置，其包括外壳2401、显示部分2402和扬声器部分2403。可以采用本发明的显示装置形成显示部分2402，由此完成作为本发明的电子设备之一的显示装置的制作。注意，就其自身范畴而言，所述显示装置包括任何用于显示信息的显示装置，例如用于个人计算机、接收TV广播和显示广告的显示装置。

如上所述，本发明的应用范围广到可以将其应用到各个领域的电子设备当中。可以将本实施模式与上述实施模式自由组合。

[实施例]

(实施例1)

在本实施例中，将描述用于研究共享比与伪等值线的产生之间的关系的测试。

本发明人通过执行下述测试研究共享比与伪等值线的产生之间的关系。

首先，将一个帧周期划分为两个子帧周期SF₁和SF₂，在第一帧周期和第二帧周期内显示图3所示的图案。具体而言，在子帧周期SF₁内显示棋盘形图案，在子帧周期SF₂内，整个区域显示白色。这里，应当注意，在第一帧周期和第二帧周期内，相对于白色区域和黑色区域反转在子帧周期SF₁内显示的图案。

由此，将两个帧周期设为交替显示。通过这种方式检查伪等值线的产生。在由R₁(％)表示子帧周期SF₁在一个帧周期内所占的比率时，R₁(％)与觉察到伪等值线的产生的最低帧频F(Hz)之间具有图4所示的关系。如图3所示，子帧周期SF₁内的显示图案根据各帧周期而不同。如图4所示，随着R₁(％)的降低，即随着用于显示不同图案的子帧周期的长度比的降低，察觉到伪等值线的产生的最低帧频F(Hz)也降低。相反，随着R₁(％)的增大，察觉到伪等值线的产生的最低帧频F(Hz)也提高。

换言之，随着每相邻子帧周期的子帧周期SF₁的缩短，所产生的伪等值线也更少。同时，随着每两个帧周期内的显示相同图案的子帧周期SF₂的延长，所产生的伪等值线越少。在这种状态下，在两个帧周期内共同出现的光发射子帧周期SF₂的比率高，其表明共享比高。

根据上述测试结果证明，相邻帧周期内的共享比越高，对伪等值线的产生的抑制就越高。注意，共享比(％)对应于100-R₁(％)。

(实施例2)

在上述实施例中，所有的SF_n到SF₁都分别采用恒定的子帧比R_SF；但是，本发明不局限于这一结构。例如，即使在总灰度级级别为2ⁿ的情况下，子帧周期的数量也未必一定要限于n。在每一子帧周期采用根据公式9计算出的长度时，在很多情况下，子帧周期的数量最终超过n。但是，就显示低灰度级的短子帧周期而言，即使不满足前述共享比Rsh的值，也不会对伪等值线的产生造成影响。原因如下：就低灰度级级别而言，灰度级级别的倒数×100所得的值(灰度级级别的比率)大于高灰度级级别的情况。因此，能够觉察到由灰度级级别之间的差异导致的等值线，从而使觉察到的伪等值线减少。

为了对其予以说明，研究了灰度级级别比率(％)与觉察到伪等值线的产生的最低帧频F(Hz)之间的关系，图15示出了其结果。图15中的横坐标轴表示灰度级级别比率(％)，纵坐标轴表示觉察到伪等值线的产生的最低帧频F(Hz)。从图15中可以确认，随着灰度级级别比率(％)的提高，即随着灰度级级别的降低，能够抑制伪等值线的产生的帧频也降低。因此，在用于显示低灰度级级别的短子帧周期内不一定满足所述共享比。

考虑到上述内容，优选将重点放在降低驱动电路的工作频率上，而不是提供很多对伪等值线的产生没有影响的短子帧周期；因此，优选去除短子帧周期，并在其余子帧周期内满足所述共享比。通过计算，在提供每者对应一个灰度级的多个短子帧周期的情况下，在一个或几个子帧周期内不满足所述共享比。

具体而言，对总灰度级级别进行三等分，在其中的最低灰度级组内，不一定满足共享比R_sh的值；相反，在其中的中间和最高灰度级组内满足共享比R_sh的值。例如，在总灰度级级别为26(＝64)的情况下，对第0到第63灰度级级别进行三等分，得到21。在这种情况下，最低灰度级级别为第0到第21灰度级级别，中间灰度级级别为第22到第42灰度级级别，最高灰度级级别为第43到第c灰度级级别。注意，在无法对总灰度级级别三等分时，对其余数四舍五入。

(实施例3)

在本实施模式中，将在提供四个表格的情况下描述具体时间图及其表格。

如图18所示，像素部分100包括多个像素101。

在像素101当中，我们只关注像素(A)、(B)、(C)和(D)，分别以(m，n)、(m，n+1)、(m+1，n)和(m+1，n+1)表示它们的位置。应当注意，m是沿行方向的像素部分的任意像素编号，n是沿列方向的像素部分的任意像素编号。

在下文中，将在按照矩形形状相邻布置像素(A)、(B)、(C)和(D)的情况下描述时间图和表格。

图19A到图19E为时间图。由于帧频为60Hz，因此每秒出现60个帧，这里一个帧周期的长度为16.67ms左右。在一个帧周期内提供16个子帧周期，这些子帧周期帧周期内随机出现。在本实施例中，子帧周期SF1到SF16按照下述顺序出现：SF₂、SF₄、SF₆、SF₈、SF₁₀、SF₁₂、SF₁₄、SF₁₆、SF₁₅、SF₁₃、SF₁₁、SF₉、SF₇、SF₅、SF₃、SF₁。将子帧周期的长度比设为SF₁∶SF₂∶SF₃∶SF₄∶SF₅∶SF₆∶SF₇∶SF₈∶SF₉∶SF₁₀∶SF₁₁∶SF₁₂∶SF₁₃∶SF₁₄∶SF₁₅∶SF₁₆＝1∶2∶4∶8∶10∶10∶10∶12∶12∶14∶17∶21∶25∶30∶36∶43。如图19B所示，从第一行到最后一行依次在像素中执行显示。在图19B所示的最后一行像素显示之下给出了子帧周期的长度比。

图19C示出了由扫描线驱动电路执行的用于擦除操作的扫描定时。在本实施例中，分别在子帧周期SF1到SF15内提供擦除周期Se1到Se15。

图19D示出了由扫描线驱动电路执行的用于写入操作的扫描定时。在子帧周期内分别提供写入周期Ta1到Ta16。

如图19E所示，在一个写入周期内提供一列(整列)扫描周期，其中选中所有行(在本实施例中为324行)。

注意，一个帧周期包括反向电压施加周期(DS周期)。通过向发光元件施加反向电压，改善发光元件的劣化状态，并且能够提高可靠性。发光元件可能具有如下初始缺陷：由于粘附异物而导致其阳极和阴极短路，由阳极或阴极的微小突起造成的一些针孔或者电致发光层的非均匀性。可以通过施加反向电压消除这些初始缺陷，从而呈现良好的图像显示。注意，优选在运输之前执行对短路部分的绝缘。

可以在这些子帧周期内选择显示某一灰度级的子帧周期，例如SF₅、SF₆和SF₇，或者SF₈和SF₉。因此，可以提供多个表格。

图1到图4就上述时间图示出了表格的具体例子。注意，这里的“0”表示图1到图4所示的表格a到d中的非发光状态，“1”表示其中的发光状态。

表格a到d中的每者都是一种查寻表格，其通过诸如ROM、RAM存储器等的硬件存储。不必说，表格数据不限于表格a到d，其可以根据功耗和图像质量任意设置。

来看表格a到d中第191灰度级级别的子帧比，可以看出光发射子帧周期根据每个表格而不同。

如上所述，提供多个表格，并确定对应所述表格的相邻像素组合；例如，如果有四个表格，那么可以确定如图18所示的像素(A)到(D)的组合。也就是说，表格的数量优选等于形成组合的像素的数量。换言之，从每者存储着用于确定光发射子帧周期的数据的多个表格中选择表格a到d，按照下述说明将表格a到d提供给通过布置与至少两个像素彼此相邻的像素(A)到(D)：将表格a提供给像素(A)，将表格b提供给像素(B)，将表格c提供给像素(C)，将表格d提供给像素(D)。

注意，像素结构不限于图18所示。例如，在与图18的情况类似为划为一组的四个像素提供四个表格的情况下，可以沿竖直方向或水平方向布置像素(A)到(D)；但是，要求这些配有不同表格的像素当中的至少两个像素彼此邻接。

因此，在相邻像素中，所选择的用于显示某一灰度级的子帧周期可以不同。因此，能够使倾向于容易地产生伪等值线的灰度级级别得到空间扩散。注意，倾向于容易地产生伪等值线的灰度级级别具有低共享比，并且对应于中间或高灰度级级别。

在本实施例描述的时间图中，就60Hz的帧频而言，将一个帧周期划分为16个子帧周期；但是，子帧周期的数量可以根据帧频的不同而变化。

此外，如上文中的实施模式所述，不要求对应于每一像素的表格是固定的，其可以随每一帧周期而变化。也就是说，存储用于确定光发射子帧周期的数据的表格可以随每一帧周期而变化。

Claims

1.一种显示装置，包括：

多个表格，其存储用于确定光发射子帧周期的数据；

控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及

包括像素的像素部分，根据输出的所述视频信号控制所述像素的灰度级级别，

其中，所述多个表格在所述像素部分的相邻像素之间互不相同。

2.一种显示装置，包括：

多个表格，其存储用于确定光发射子帧周期的数据；

控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及

其中，所述多个表格在所述像素部分的相邻像素之间互不相同，并且

其中，对应于所述像素的所述表格随具有子帧周期的每一帧周期而不同。

3.一种显示装置，包括：

多个表格，其存储用于确定光发射子帧周期的数据；

控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及

其中，根据通过共享比R_sh算出的子帧比R_SF确定所述多个子帧周期的数量和长度。

4.一种显示装置，其中，一个帧周期包括多个子帧周期，所述显示装置包括：

多个表格，其存储用于在所述多个子帧周期中确定光发射子帧周期的数据；

控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；以及

其中，所述多个表格在所述像素部分的相邻像素之间互不相同，

其中，对应于所述像素的所述表格随每一帧周期而不同，并且

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述子帧比R_SF和所述共享比R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述子帧比R_SF和所述共享比R_sh满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在对总灰度级级别三等分时，在中间灰度级级别和最高灰度级级别内，所述多个表格每者均满足根据子帧比R_SF确定的多个子帧周期的数量和长度。

8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在对总灰度级级别三等分时，在中间灰度级级别和最高灰度级级别内，所述多个表格每者均满足根据子帧比R_SF确定的多个子帧周期的数量和长度。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在对总灰度级级别三等分时，在中间灰度级级别和最高灰度级级别内，所述多个表格每者均满足根据子帧比R_SF确定的多个子帧周期的数量和长度。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

11.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

12.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

13.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个表格存储于存储器内。

15.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个表格存储于存储器内。

16.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个表格存储于存储器内。

17.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个表格存储于存储器内。

18.具有根据权利要求1所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

19.具有根据权利要求2所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

20.具有根据权利要求3所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

21.具有根据权利要求4所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

22.一种驱动显示装置的方法，包括的步骤有：

至少提供彼此相邻的第一像素和第二像素；以及

为所述第一像素提供从多个存储着用于确定光发射子帧周期的数据的表格中选出的第一表格，为所述第二像素提供从所述多个表格中选出的第二表格。

23.一种驱动显示装置的方法，包括的步骤有：

至少提供彼此相邻的第一像素和第二像素；以及

为所述第一像素提供从多个存储着用于确定光发射子帧周期的数据的表格中选出的第一表格，为所述第二像素提供从所述多个表格中选出的第二表格；以及

使针对某一灰度级显示确定的子帧周期组合在所述多个表格当中是不同的。

24.一种驱动显示装置的方法，包括的步骤有：

至少提供彼此相邻的第一像素和第二像素；以及

为所述第一像素提供从多个存储着用于确定光发射子帧周期的数据的表格中选出的第一表格，为所述第二像素提供从所述多个表格中选出的第二表格；

在所述多个表格的每者当中存储所述子帧周期的数量和长度，所述数量和长度是根据通过共享比R_sh算出的子帧比R_SF确定的；以及

25.根据权利要求24所述的驱动显示装置的方法，其中，所述共享比R_sh和所述子帧比R_SF满足R_SF＝(1-R_sh)/(2-R_sh)。

26.根据权利要求24所述的驱动显示装置的方法，其中，在对总灰度级级别三等分时，在中间灰度级级别和最高灰度级级别内，所述多个表格每者均满足根据子帧比R_SF确定的多个子帧周期的数量和长度。

27.根据权利要求22所述的驱动显示装置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格随具有子帧周期的每一帧周期而变化。

28.根据权利要求23所述的驱动显示装置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格随具有子帧周期的每一帧周期而变化。

29.根据权利要求24所述的驱动显示装置的方法，其中，所述第一表格和所述第二表格随具有子帧周期的每一帧周期而变化。

30.具有根据权利要求22所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

31.具有根据权利要求23所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

32.具有根据权利要求24所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。

33.一种显示装置，包括：

至少第一表格和第二表格，其存储用于确定光发射子帧周期的数据；

至少第一像素和第二像素，根据所输出的视频信号控制所述像素的灰度级级别；以及

控制器，其用于根据所述数据输出视频信号；

其中，所述第一像素与所述第一表格相关，并且

其中，所述第二像素与所述第二表格相关。

34.根据权利要求33所述的显示装置，其中，在所述多个表格当中，所确定的用于显示某一灰度级的子帧周期的组合是不同的。

35.根据权利要求33所述的显示装置，其中，所述多个表格存储于存储器内。

36.具有根据权利要求33所述的显示装置的电子设备，其中，所述电子设备选自下述集合：诸如数字照相机和摄像机的照相机、护目镜型显示器、导航系统、还音装置、笔记本式个人计算机、游戏机、配有记录媒体的图像复制装置和移动电话。