CN1989467A - 电路的保护方法、保护电路及利用其的电源装置 - Google Patents

电路的保护方法、保护电路及利用其的电源装置 Download PDF

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Abstract

提供一种能够用简单的结构来对应于输出电压使限制电流变化的过电流保护电路。电源装置(100)包括基于基准电压将输出电压调节为一定的稳压器(10)和过电流保护电路(20)。稳压器(10)是包含输出晶体管(14)、误差放大器(12)、电阻(R1、R2)的一般的三端子稳压器。过电流保护电路(20)通过第一晶体管(M1)检测输出电流(Iout)，并由可变电阻器(Rvar)变换为电压。电压比较器(24)通过将该电压和与限制电流对应的阈值电压(Vth)进行比较从而检测过电流状态。电流调整电路(26)在检测出过电流状态时降低稳压器(10)的驱动能力，保护电路。基于输出电压(Vout)来设定可变电阻器(Rvar)的电阻值，并根据输出电压来变更限制电流的值。

Description

电路的保护方法、保护电路及利用其的电源装置
技术领域
本发明涉及保护电路，特别涉及电路的过电流保护技术。
背景技术
在将电压稳定的稳压器等中，作为输出晶体管，设有功率MOSFET(MetalOxicide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)、双极功率晶体管等。这些晶体管作为最大许用电流，被设计为对正常工作时流过的电流值具有充分的余量。
但是，即使在这样进行设计以具有充分的余量的情况下，在输出负载电路短路的情况下等，超过最大许用电流的大的过电流流过输出晶体管，存在对其可靠性产生影响的问题。此外，即使在输出晶体管的最大许用电流以下，也有为了保护连接到稳压器的负载电路想要进行电流限制的情况。
因此，以往为了保护晶体管不受过电流影响或者限制负载电路中流过的电流，设计了使稳压器具有电流限制功能的保护电路(参照专利文献1、专利文献2)。
专利文献1：特开2002-196830号公报
专利文献2：特开平2-109110号公报
发明内容
这里，输出晶体管中流过的输出电流由保护电路限制在限制电流Ilim时，输出晶体管中消耗的功率P使用输入电压Vin、输出电压Vout，由P＝(Vin-Vout)×Ilim的关系式得到。当前，输入电压Vin一定，在过负载时或短路时输出电压Vout降低时，输出晶体管中消耗的功率P增大。消耗的功率成为热，有时对电路的可靠性产生影响，因此最好降低消耗功率P。在使稳压器的输出电流Iout和输出电压Vout的关系成为专利文献1的图3或专利文献2的图3所示的关系的情况下，按照上述关系式，输出电压Vout降低，同时输出晶体管中的功率消耗增加。
因此，如专利文献1的图4或专利文献2的图1所示，根据输出电压Vout变化该限制电流，输出电压Vout降低时，最好将限制电流Ilim配合它也设定得低。
本发明鉴于这样的课题而完成，其目的在于提供一种能够通过简单的结构对应于输出电压来变化限制电流的过电流保护电路。
本发明的某一方式涉及电路的保护方法。该保护方法将与成为保护对象的电路的输出电流对应的电流和规定的基准电流分别变换为电压来进行比较，在与输出电流对应的电流大时，使成为保护对象的电路的驱动能力降低，并且在成为保护对象的电路的输出电压低于规定电压时，将基准电流设定得低。
根据该方式，由于在成为保护对象的电路的输出电压低时可以降低输出电流，因此在过负载时或短路时，能够适当地降低成为保护对象的电路中的消耗功率，同时保护负载电路。
本发明的其它方式涉及保护电路。该保护电路包括：电流生成电路，生成与成为保护对象的电路的输出电流对应的检测电流；可变电阻电路，一端的电位被固定，并且被设置在由电流生成电路生成的检测电流的路径上；以及辅助电路，在可变电阻电路引起的压降大于规定的基准电压时，使成为保护对象的电路的驱动能力降低。可变电阻电路在成为保护对象的电路的输出电压低于规定的电压时成为高电阻。
该保护电路将与输出电流对应的检测电流通过流过可变电阻电路而变换为电压，并与对应于限制电流的规定的基准电压进行比较，检测过电流状态。这里，‘与输出电流对应’的电流是指与输出电流具有相关的电流，包含输出电流和检测电流成比例的情况等。
根据该方式，通过改变将电流变换为电压的可变电阻电路的电阻值，从而该压降变化，与基准电压的关系相对地变化，因此可以对应于输出电压来变化限制电流的值。其结果，在成为保护对象的电路的输出电压低时，可以减少输出电流，在过负载时或短路时，能够适当地减少成为保护对象的电路的消耗功率。
可变电阻电路也可以在成为保护对象的电路的输出电流超过了规定值之后、输出电压低于规定电压时成为高电阻。
在成为保护对象的电路的输出电压上升以前，在不想将限制电流的值设定得低的情况下等，等待输出电流超过规定值，然后在输出电压低于规定电压时，将限制电流的值设定得低也可以。
辅助电路具有在控制端子被施加了所述可变电阻电路引起的压降的晶体管，在可变电阻电路引起的压降大于晶体管的阈值电压、该晶体管导通时，使成为保护对象的电路的驱动能力降低也可以。
‘晶体管的控制端子’在MOSFET中是指栅极端子，在双极晶体管中是指基极端子。通过在晶体管的栅极-源极间或者基极-发射极间施加可变电阻电路引起的压降，使晶体管的上升的阈值电压与基准电压对应，从而能够比较输出电流和限制电流的大小关系。
可变电阻电路也可以包括：串联连接的第一、第二电阻；以及旁路晶体管与第二电阻并联连接并在控制端子被施加与成为保护对象的电路的输出电压对应的电压。
在旁路晶体管截止时，由于第一、第二电阻被串联连接，因此对于电阻值大者，通过旁路晶体管导通，第二电阻被旁路，可变电阻电路的电阻值减小。
本发明的其它方式涉及电源装置。该电源装置包括：稳压电路，包含输出晶体管；以及保护电路，检测输出晶体管中流过的电流为过电流状态的情况，并降低输出晶体管的驱动能力。保护电路包括：第一晶体管，与输出晶体管并联设置，生成与稳压电路的输出电流对应的检测电流；可变电阻电路，一端的电位被固定，并且被设置在由第一晶体管生成的检测电流的路径上；以及辅助电路，在可变电阻电路引起的压降大于规定的基准电压时，强制地使输出晶体管的控制端子的电压向其驱动能力降低的方向变化。可变电阻电路在稳压电路的输出电压低于规定的电压时成为高电阻。
根据该方式，在由保护电路检测出过电流状态时，通过强制地减小稳压电路的输出晶体管的栅极-源极间电压或者基极-发射极间电压，从而可以降低输出晶体管的驱动能力，实现电源装置的保护。
稳压电路包括：输出晶体管，设置在输入端子和输出端子之间；以及误差放大器，调节输出晶体管的控制端子的电压，以使在输出端子呈现的输出电压接近期望的电压值；辅助电路包含第二晶体管，该第二晶体管一端连接到输出晶体管的控制端子，在可变电阻电路引起的压降超过了阈值电压时导通，并强制地使输出晶体管的控制端子的电压变化也可以。
根据该方式，在检测出过电流状态时，通过将稳压电路的输出晶体管的栅极-源极间或者基极-发射极间设置的第二晶体管导通，从而能够将栅极-源极间电压或基极-发射极间电压短路，降低输出晶体管的驱动能力，并实现电源装置的保护。
电源装置还包括：pnp型双极晶体管，连接在第一晶体管和可变电阻电路之间；以及npn型双极晶体管，连接在pnp双极晶体管的基极端子和输入端子之间；在npn型双极晶体管的基极端子施加输出电压也可以。
由于两个双极晶体管的基极-发射极间电压大致相等，因此pnp型双极晶体管的发射极端子被固定为接近于输出电压的值。其结果，第一晶体管和输出晶体管在三个端子全被施加大致相等的电压，因此第一晶体管可以准确地检测输出晶体管中流过的电流。
另外，将以上的构成元件的任意组合或本发明的构成元件或方法在方法、装置、系统等之间互相置换的结果作为本发明的方式也有效。
通过本发明的过电流的保护方法、保护电路可以对应于输出电压来改变限制电流，并且可以适当地保护负载电路以及成为保护对象的电路。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的电源装置的结构的电路图。
图2(a)～图2(c)是表示输出电压和可变电阻值、限制电流、输出电流的关系的图。
图3是表示用于进行图2(c)所示的电流限制的电源装置的结构的电路图。
图4是表示图3的电源装置的变形例的图。
图5是表示图3的电源装置的其它变形例的图。
图6是表示搭载了图1的电源装置的电子设备的结构的方框图。
符号说明
R1第一电阻，R2第二电阻，M1第一晶体管，Rvar可变电阻器，10稳压器，12误差放大器，14输出晶体管，16基准电压源，20过电流保护电路，22阈值电压源，24电压比较器，26电流调整电路，50负载电路，100电源装置，102输入端子，104输出端子，300电子设备，310电池，Vin输入电压，Vout输出电压，Vref基准电压，Vth阈值电压，Iout输出电流。
具体实施方式
图1是表示本发明的实施方式的电源装置100的电路图。在以后的图中，对同一构成元件赋予同一符号并适当省略说明。
该电源装置100包括基于基准电压将输出电压调节为一定的稳压器10和过电流保护电路20。通过该过电流保护电路20检测稳压器10的过电流状态，在过负载时或负载短路时，其驱动能力降低。
电源装置100被集成在一个半导体衬底上，包括输入端子102、输出端子104。将在各个端子上施加或呈现的电压称作输入电压Vin、输出电压Vout。该电源装置100的输出端子104上连接有负载电路50，将经由输出端子104流过负载电路50的电流称作输出电流Iout。
稳压器10是包含误差放大器12、输出晶体管14、基准电压源16、第一电阻R1、第二电阻R2的一般的三端子稳压器，基于由基准电压源16生成的基准电压Vref将输出端子104的输出电压Vout保持为一定。在以下的说明中，对电压信号、电流信号或电阻等附加的符号根据需要而作为表示各自的电压值、电流值或电阻值的符号来使用。
在误差放大器12的反相输入端子输入由基准电压源16生成的基准电压Vref。而且在同相输入端子反馈输入由第一、第二电阻R1、R2进行了电阻分割而成为R2/(R1+R2)倍的输出电压Vout。
输出晶体管14是P型MOSFET，源极端子是电源装置100的输入端子102，漏极端子为电源装置100的输出端子104。此外，栅极端子相当于控制端子，与误差放大器12的输出连接。
误差放大器12调节输出晶体管14的栅极电压，以使输入同相输入端子和反相输入端子的电压相等。从而，输出电压Vout被稳定化，以使Vout＝Vref×(R1+R2)/R2成立。
过电流保护电路20包含第一晶体管M1、可变电阻器Rvar、阈值电压源22、电压比较器24、电流调整电路26。过电流保护电路20在输出电流Iout达到规定的限制电流Ilim时，降低稳压器10的驱动能力，保护电路。
第一晶体管M1与稳压器10的输出晶体管14并联设置，以使它们的栅极电压以及源极电压相同，其电流能力被设定得低于输出晶体管14。第一晶体管M1中流过的检测电流I1依赖于输出晶体管14以及第一晶体管M1的尺寸比，如果将第一晶体管M1以及输出晶体管14的尺寸比设为S1，则检测电流I1和输出电流Iout中，I1＝Iout/S1的关系成立。换言之，该第一晶体管M1具有生成与输出电流Iout对应的检测电流I1的功能。
可变电阻器Rvar被设置在第一晶体管M1的漏极端子和接地端子之间，将检测电流I1变换为电压。可变电阻器Rvar中的压降，即可变电阻器Rvar上呈现的检测电压Vx被认为是输出晶体管14中流过的输出电流Iout被变换为电压后的值。检测电压Vx和输出电流Iout中，Vx＝I1×Rvar＝Iout/S1×Rvar的关系成立。
阈值电压源22生成阈值电压Vth。该阈值电压Vth是与检测电压Vx进行比较的电压，因此相当于决定过电流保护电路20中的限制电流Ilim的电压。由于在Vth＜Vx时判断为过电流状态，所以阈值电压Vth和限制电流Ilim中，Vth＝Ilim/S1×Rvar的关系成立。
在电压比较器24的同相输入端子输入检测电压Vx，在反相输入端子输入阈值电压Vth。该电压比较器24将与输出电流Iout对应的检测电压Vx和与过电流保护电路20的限制电流Ilim对应的阈值电压Vth进行比较，在Vx＞Vth时，判断为过电流状态。
电流调整电路26具有在电压比较器24中为Vx＞Vth、判断为过电流状态时降低稳压器10的驱动能力的功能。稳压器10的驱动能力依赖于输出晶体管14的栅极-源极间电压Vgs，为了降低驱动能力，必须减小栅极-源极间电压Vgs。因此，电流调整电路26在过电流状态时，通过强制地使输出晶体管14的栅极电压上升从而降低作为保护对象的稳压器10的驱动能力，即输出电流，从而实现电路保护。
这里，依赖于输出电压Vout来决定可变电阻器Rvar的电阻值。由于限制电流Ilim由Ilim＝S1×Vth/Rvar得到，因此通过变化可变电阻器Rvar的电阻值从而能够变化限制电流Ilim。
图2(a)表示可变电阻器Rvar的电阻值和输出电压Vout的关系。图2(b)表示图2(a)所示的关系成立时的输出电压Vout和限制电流Ilim的关系。图2(c)表示此时的输出电压Vout和输出电流Iout的关系。在正常工作时，输出电压Vout使用基准电压Vref被稳定为(R1+R2)/R2×Vref的值。输出电流Iout达到Ilim2时，输出晶体管14的栅极电压被强制地提高而施加电流限制，示出如图2(c)这样的所谓的“フ”形的特性。
现在，在过负载时或负载短路时，稳压器10不能维持一定的输出电压Vout、输出电压Vout低于阈值电压Vt时，输出电流Iout由限制电流Ilim1限制，输出晶体管14中的消耗功率被降低。
图3示出详细地表示了用于进行图2(c)所示的电流限制的过电流保护电路20的电源装置100的结构。
在该电源装置100中，过电流保护电路20包含第一晶体管M1、可变电阻器Rvar、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五电阻R5。
可变电阻器Rvar包含第三电阻R3、第四电阻R4、旁路晶体管M2。旁路晶体管M2的栅极端子上连接有稳压器10的输出端子104，施加输出电压Vout。
输出电压Vout大于旁路晶体管M2的栅极阈值电压Vt2时，旁路晶体管M2导通，第四电阻R4被旁路，因此可变电阻器Rvar的电阻值大致为R3。在输出电压Vout降低、Vout＜Vt2时，旁路晶体管M2截止，可变电阻器Rvar的电阻值被提高设定为R3+R4。这样，可以使可变电阻器Rvar的电阻值具有如图2(a)所示的输出电压依赖性。在图2(a)中，Rvar1＝R3+R4，Rvar2＝R3。此外，旁路晶体管M2的栅极阈值电压Vt2成为图2中的Vt。
在第三晶体管M3的栅极端子上施加相当于可变电阻器Rvar中的压降的电压Vx。将该第三晶体管M3的栅极阈值电压设为Vt3时，在Vx＞Vt3时，第三晶体管M3导通，在Vx＜Vt3时，第三晶体管M3截止。即，在图3的电源装置100中，对应于第三晶体管M3的导通/截止来进行过电流状态的检测，第三晶体管M3起到图1中的电压比较器24的功能。此外，栅极阈值电压Vt3相当于图1中的阈值电压Vth。
可变电阻器Rvar的电阻值为R3或R3+R4时的限制电流Ilim的值可以如下求出。可变电阻器Rvar中的压降Vx使用输出电流Iout由Vx＝Iout/S1×Rvar得到，由于该压降Vx与第三晶体管M3的栅极阈值电压Vt3相等时的输出电流Iout为限制电流Ilim，因此根据Vt3＝Ilim/S1×Rvar，成为Ilim＝Vt3×S1/Rvar。从而，在Rvar＝R3+R4时，成为Ilim1＝Vt3×S1/(R3+R4)。此外，在Rvar＝R3时，成为Ilim2＝Vt3×S1/R3。从而，图2(b)中的限制电流的值Ilim1、Ilim2的值可以通过第三电阻R3以及第四电阻R4的电阻值调节。
在可变电阻器Rvar的压降Vx上升、第三晶体管M3导通时，第五电阻R5中流过电流。第五电阻R5中的压降大于第四晶体管M4的栅极阈值电压Vt4时，第四晶体管M4导通，源极-漏极间的电压变得大致相等，因此输出晶体管14的栅极电压与输入电压Vin大致相等，输出晶体管14的驱动能力降低。即，第四晶体管M4以及第五电阻R5起到图1中的电流调整电路26的功能。
在如以上这样构成的图3所示的电源装置100中，可变电阻R3的电阻值具有如图2(a)所示这样的输出电压依赖性。此外，图2(b)中的阈值Vt相当于旁路晶体管M2的栅极阈值电压Vt2，在Vout＜Vt2时输出电流的值被限制为Ilim1，在Vout＞Vt2时被限制为Ilim2，可以适当地实现与输出电压Vout对应的过电流保护。
图4表示图3所示的电源装置100的变形例。过电流保护电路20除了图3的构成元件之外，还包括npn型双极晶体管Q1、pnp型双极晶体管Q2。设置该双极晶体管Q1、Q2以通过第一晶体管M1准确地生成与输出电流Iout对应的检测电流I1。
在理想的MOSFET的电流电压特性(Ids-Vds特性)下，饱和区域中的漏极电流Ids不依赖于漏极-源极间电压Vds而取一定值，但实际的MOSFET不一定，依赖于Vds而变化。这里，在图3中，第一晶体管M1的漏极端子为可变电阻器Rvar中的压降Vx。该压降Vx根据可变电阻器Rvar的电阻值以及检测电流I1而变化，因此不一定与输出电压Vout相等。换言之，输出晶体管14和第一晶体管M1的栅极-源极间电压相等，但漏极-源极间电压不一定相等，由第一晶体管M1生成的输出电流Iout所对应的电流值有时偏差。双极晶体管Q1、Q2为了解决该问题而设置。
双极晶体管Q1的基极端子上施加输出电压Vout，发射极端子连接到双极晶体管Q2的基极端子。两个双极晶体管Q1、Q2的基极-发射极间电压都为0.7V左右，因此第一晶体管M1的漏极端子的电压与输出电压Vout大致相等。其结果，第一晶体管M1和输出晶体管14的栅极、源极、漏极的三个端子都被施加大致相等的电压。其结果，第一晶体管M1能够准确地生成与输出电流Iout对应的检测电流I1，并可以进行更稳定的过电流保护。
图5表示电源装置100的其它的变形例。该电源装置100的过电流保护电路20包含第一晶体管M1、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、可变电阻器Rvar2。
第五、第六晶体管M5、M6构成电流镜电路，与由第一晶体管M1生成的输出电流Iout对应的检测电流I1流过可变电阻器Rvar2。从而，可变电阻器Rvar2中的压降Vy由Vy＝I1×Rvar2得到。输出电流Iout即检测电流I1增大时，压降Vy增加。压降Vy大于第四晶体管M4的栅极阈值电压Vt4时，第四晶体管M4导通，输出晶体管14的栅极电压被强制地接近于源极电压，驱动能力降低，施加过电流保护。
可变电阻器Rvar2中的压降Vy成为Vy＝Rvar2×I1＝Rvar2/S1×Iout。从而，该过电流保护电路20中的限制电流Ilim使用第四晶体管M4的栅极阈值电压Vt4由Ilim＝Vt4×S1/Rvar2得到。可变电阻器Rvar2的电阻值根据输出电压Vout切换，可以使限制电流Ilim依赖于输出电压Vout，并可以得到如图2(c)所示的电流-电压特性。
图6是表示从图1或图3至图5中搭载了电源装置100的电子设备300的结构的方框图。电子设备300例如是携带电话终端或PDA(Personal DigitalAssistance)、CD播放机等电池驱动型的小型信息终端，包括电池310、电源装置100、负载电路50。电池310例如是锂离子电池，输出3～4V左右的电池电压Vbat。负载电路50是在电子设备300内使用的电路块中即使电池消耗了的情况下也通常应提供一定电源电压的电路，例如对应于需要电源电压Vdd＝3V的数字IC、模拟IC等。电源装置100将从电池310输出的电池电压Vbat稳定并对负载电路50提供3V左右的电源电压Vdd。
由于负载电路50的短路等而在电源装置100中流过过电流时，通过过电流保护电路20进行如图2(a)～(c)所示的电路保护，并能够适当地保护电源装置100以及负载电路50。
上述实施方式为例示，这些各构成元件或各处理过程的组合可以有各种变形例，而且这样的变形例也属于本发明的范围，这一点本领域技术人员应该理解。
在本实施方式中，对三端子线性稳压器使用过电流保护电路，将电流调整电路26的输出连接到输出晶体管14的栅极端子而强制地使其电压变化，从而降低了驱动能力，但不限定于此。例如，将电流调整电路26的输出连接到误差放大器12并变化误差放大器12的输出等，只要能够变化输出晶体管14的栅极电压就也可以是其它部件。
在本实施方式中，说明了对三端子线性稳压器应用了过电流保护电路的情况但不限定于此。成为保护对象的电路也可以是开关稳压器或开关电容器型的DC/DC转换器等电源装置。在该情况下，在由过电流保护电路20检测出过电流状态时，对PWM控制电路施加降低驱动能力的反馈即可。即，本发明的过电流保护电路可以应用于限制输出电流的全部用途。
在图3中，说明了可变电阻器Rvar由两个电阻构成的情况，但通过串联连接更多的电阻而对应于输出电压Vout使各电阻旁路，从而变化更多的电阻值也可以。在该情况下，在图3(c)中，由于对应于输出电压Vout来细致地设定限制电流Ilim，因此能够更适当地进行过电流保护。
此外，将第三电阻R3和旁路晶体管M2串联连接，并将第四电阻R4与其并联连接等，电阻以及晶体管的组合可以进行各种变更。此时，将输出电压Vout移动电平等，适当地使旁路晶体管导通/截止即可。
此外，作为输出电流Iout的检测方法，也可以与将检测电阻与输出晶体管14串联连接，对该检测电阻中的压降进行监视的方法等进行置换。
在本实施方式中，作为输出晶体管14或各晶体管M1～M6，以MOSFET为例进行了说明，但也可以使用双极晶体管等其它类型的晶体管，它们的选择由电源装置100所要求的设计规格、使用的半导体制造工艺等决定即可。
在本实施方式中，构成电源装置100的元件可以都被一体集成，或者可以被构成为多个LSI，而且也可以其一部分作为分立部件构成。将哪一部分集成化由成本或占有面积等决定即可。
产业上的可利用性
通过本发明的过电流的保护方法、保护电路，可以对应于输出电压来变化限制电流，并且可以适当地保护负载电路以及成为保护对象的电路。

Claims (10)

1.一种电路的保护方法，其特征在于，将与成为保护对象的电路的输出电流对应的电流和规定的基准电流分别变换为电压来进行比较，在与所述输出电流对应的电流大时，使所述成为保护对象的电路的驱动能力降低，并且在所述成为保护对象的电路的输出电压低于规定电压时，将所述基准电流设定得低。
2.一种保护电路，其特征在于，包括：
电流生成电路，生成与成为保护对象的电路的输出电流对应的检测电流；
可变电阻电路，一端的电位被固定，并且被设置在由所述电流生成电路生成的检测电流的路径上；以及
辅助电路，在所述可变电阻电路引起的压降大于规定的基准电压时，使所述成为保护对象的电路的驱动能力降低；
所述可变电阻电路在所述成为保护对象的电路的输出电压低于规定的电压时成为高电阻。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述可变电阻电路在所述成为所述保护对象的电路的输出电流超过了规定值之后、所述输出电压低于规定电压时成为高电阻。
4.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述辅助电路具有在控制端子被施加了所述可变电阻电路引起的压降的晶体管，在所述可变电阻电路引起的压降大于所述晶体管的阈值电压、该晶体管导通时，使所述成为保护对象的电路的驱动能力降低。
5.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述可变电阻电路包括：
串联连接的第一、第二电阻；以及
旁路晶体管，与所述第二电阻并联连接，并在控制端子被施加与所述成为保护对象的电路的输出电压对应的电压。
6.一种电源装置，其特征在于，包括：
稳压电路，包含输出晶体管；以及
保护电路，检测所述输出晶体管中流过的电流为过电流状态的情况，并降低所述输出晶体管的驱动能力；
所述保护电路包括：
第一晶体管，与所述输出晶体管并联设置，生成与所述稳压电路的输出电流对应的检测电流；
可变电阻电路，一端的电位被固定，并且被设置在由所述第一晶体管生成的所述检测电流的路径上；以及
辅助电路，在所述可变电阻电路引起的压降大于规定的基准电压时，强制地使所述输出晶体管的控制端子的电压向其驱动能力降低的方向变化；
所述可变电阻电路在所述稳压电路的输出电压低于规定的电压时成为高电阻。
7.如权利要求6所述的电源装置，其特征在于，所述稳压电路包括：
输出晶体管，设置在输入端子和输出端子之间；以及
误差放大器，调节所述输出晶体管的控制端子的电压，以使在所述输出端子呈现的输出电压接近期望的电压值；
所述辅助电路包含第二晶体管，该第二晶体管一端连接到所述输出晶体管的控制端子，在所述可变电阻电路引起的压降超过了阈值电压时导通，并强制地使所述输出晶体管的控制端子的电压变化。
8.如权利要求6所述的电源装置，其特征在于，还包括：
pnp型双极晶体管，连接在所述第一晶体管和所述可变电阻电路之间；以及
npn型双极晶体管，连接在所述pnp双极晶体管的基极端子和所述输入端子之间；
在所述npn型双极晶体管的基极端子施加所述输出电压。
9.如权利要求6至8的任何一项所述的电源装置，其特征在于，所述电源装置被一体集成在一个半导体衬底上。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：
电池；
如权利要求6至8的任何一项所述的电源装置，将所述电池的电压稳定后提供给负载电路。
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