JP2721100B2 - 電流制限装置 - Google Patents

電流制限装置

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JP2721100B2
JP2721100B2 JP30724492A JP30724492A JP2721100B2 JP 2721100 B2 JP2721100 B2 JP 2721100B2 JP 30724492 A JP30724492 A JP 30724492A JP 30724492 A JP30724492 A JP 30724492A JP 2721100 B2 JP2721100 B2 JP 2721100B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の内部回路
を保護する電流制限装置に係わり、特に基準電圧を増幅
して出力するタイプの電源回路を過電流から保護するた
めの電流制限装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体素子には、内部回路に異
常な電流が流れるのを防止するための電流制限装置が設
けられている。このような異常電流の原因としては、電
圧印加中に、例えば取扱い上の不注意等により半導体素
子の出力端子間をショートさせたり、あるいは外部端子
に接続された負荷回路中に誤ってショートさせたような
場合が考えられる。以下、従来の電流制限装置について
説明する。
【0003】図3は、従来の電流制限装置を備えた電源
回路の一例を表したものである。この図で、電流制限装
置10は、基準電圧を増幅して出力するPNP出力型電
源回路の出力部に用いられ、出力端子15を介して外部
負荷16に過電流が流れることによって起こる出力トラ
ンジスタQ1 の破壊を防止するようになっている。
【0004】この図で、差動増幅器11は、基準電圧源
12から供給される基準電圧Vrefと帰還電圧Vb との
差分を相互コンダクタンス(もしくはゲイン)gm で定
まる電圧/電流変換効率で電流に変換し、ベースを共通
接続したPNP型の出力トランジスタQ1 及び過電流検
出用トランジスタQ2 (以下、検出トランジスタQ2
記す)の各ベースに供給する。ここで、検出トランジス
タQ2 のエミッタ・コレクタ接合面積(もしくはエミッ
タ個数)は、出力トランジスタQ1 のそれの1/nとな
っている。
【0005】出力トランジスタQ1 のエミッタは定電圧
ccの印加端子に接続される一方、コレクタは、外部負
荷16を接続するための出力端子15に接続されるとと
もに第1の分圧抵抗13の一端に接続されている。この
分圧抵抗13の他端bは、第2の分圧抵抗14の一端に
接続されるとともに差動増幅器11の(+)端子に接続
されている。第2の分圧抵抗14の他端は接地接続され
ている。
【0006】一方、検出トランジスタQ2 のエミッタは
定電圧Vccの印加端子に接続される一方、コレクタは、
一端を接地接続したドライブ抵抗18の他端aに接続さ
れるとともに、相互コンダクタンスgm を制御するため
の制限用トランジスタQ3 のベースに接続されている。
この制限用トランジスタQ3 のエミッタは接地接続さ
れ、コレクタは差動増幅器11の(gm )端子に接続さ
れている。
【0007】以下、上記のような構成の電流制限装置の
動作を説明する。
【0008】差動増幅器11は、基準電圧Vref と帰還
電圧Vb との差分電圧を、相互コンダクタンスgm に応
じた変換効率で電圧/電流変換を行い、出力電流I0
出力トランジスタQ1 及び検出トランジスタQ2 のベー
スに供給する。これにより出力トランジスタQ1 からは
コレクタ電流Ic が出力され、第1の分圧抵抗13及び
第2の分圧抵抗14を介して接地へと流れる。このと
き、点bの電位は帰還電圧Vb として差動増幅器11の
(+)端子に入力される。
【0009】差動増幅器11は、帰還電圧Vb が基準電
圧Vref 以下のときは出力電流I0を増加させるよう動
作するため、出力トランジスタQ1 からのコレクタ電流
cが増加し、帰還電圧Vb も増加する。一方、帰還電
圧Vb が基準電圧Vref を越えると出力電流I0 が減少
し、帰還電圧Vb も減少する。これにより、帰還電圧V
b と基準電圧Vref との差分は0に近づくよう制御さ
れ、安定出力状態においては、Vb =Vref となる。
【0010】このときの出力トランジスタQ1 のコレク
タ電流Ic をI1 とすると、出力端子15からの出力電
圧V0 及び帰還電圧Vb は次の(1),(2)式で表さ
れる。
【0011】 V0 =I1 (Rx +Ry ) ・・・ (1) Vb =I1 y ・・・ (2) 但し、Rx ,Ry はそれぞれ第1,第2の分圧抵抗1
3,14の抵抗値である。従って、両式より出力電圧V
0 は次の(3)式となる。
【0012】 V0 =(Vb /Ry )(Rx +Ry ) =Vref 〔(Rx +Ry )/Ry )〕 ・・・・・ (3) 一方、検出トランジスタQ2 は、そのエミッタ・コレク
タ接合面積が出力トランジスタQ1 のそれの1/nであ
るため、定常出力状態でのコレクタ電流はI1/nとな
り、a点で電位Va は次の(4)式となる。
【0013】 Va =(I1 /n)R1 ・・・・・ (4) そして、このVa が次の(5)式に示すように、制限用
トランジスタQ3 のベース・エミッタ間電圧VBEを越え
ると、このQ3 がドライブされ、相互コンダクタンスg
m が絞られることとなる。
【0014】 (I1 /n)R1 ≧VBE ・・・・・ (5) 従って、例えば外部負荷16におけるショート等に起因
して、出力トランジスタQ1 のコレクタ電流Ic がI1
を越えた場合には、検出トランジスタQ2 のコレクタ電
流もI1 /nを越え、上記した(5)式の条件が満たさ
れるため、相互コンダクタンスgm が絞られ、すなわち
差動増幅器11の電圧/電流変換効率が低下し、出力電
流I0 が抑制される。これにより、出力トランジスタQ
1 のコレクタ電流Ic も制限されI1 を大きく越えるこ
とがなくなるため、出力トランジスタQ1 が保護される
こととなる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図4に示す
ように、バイポーラトランジスタにおける活性領域で
は、一般にコレクタ電流Ic は、ベース電流IB が一定
であればエミッタ・コレクタ間電圧VCEに依存しないと
考えられる。しかしながら、厳密に見ると依存する。す
なわち、図4において例えばベース電流IB =αの場合
を見ると、エミッタ・コレクタ間電圧VCEがVCE1 のと
きとVCE2 のときとでは、僅かながらではあるが、コレ
クタ電流Ic がΔIA だけ増加している。これは、いわ
ゆるアーリー効果(Early Effect) によるものである。
これは、VCEの増加につれてコレクタ接合の空乏層がベ
ース側にも広がり、その結果ベース幅が狭くなって、電
流増幅率hFEが上がるために生じるものである。
【0016】従って、上記した図3の場合においても、
このようなアーリー効果により、検出トランジスタQ2
の定常時でのコレクタ電流はI1 /nとはならない。
【0017】すなわち、出力トランジスタQ1 と検出ト
ランジスタQ2 のエミッタ・コレクタ間電圧VCEをそれ
ぞれVCE1 ,VCE2 とすると、これらはそれぞれ次の
(6),(7)式で表される。
【0018】 VCE1 =Vcc−V0 ・・・・・ (6) VCE2 =Vcc−V2 =Vcc−VBE ・・・・・ (7) 今、例えばVcc=10V、V0 =5V,VBE=0.7V
とすると、(6),(7)式より、VCE1 =5V,V
CE2 =9.3Vとなる。従って、出力トランジスタQ1
のコレクタ電流Ic がI1 となった状態においては、Q
1 とQ2 のエミッタ・コレクタ間電圧VCEは4.3Vの
差があることとなり、図4に示すように、アーリー効果
によるコレクタ電流の増分ΔIA が生じ、検出トランジ
スタQ2 のコレクタ電流は(I1 /n)+ΔIA とな
る。このため、制御用トランジスタQ3 のベース電位V
2 は、出力トランジスタQ1 のコレクタ電流Ic が設定
値I1となる前にVBEを越えて制御用トランジスタQ3
がドライブされてしまう。すなわち、予め定めた設定値
よりも低い電流値で電流制限動作が行われ、精度よく電
流制限を行うことができないという問題があった。
【0019】この発明は、係る課題を解決するためにな
されたもので、アーリー効果による設定ずれをなくし、
精度よく電流制限を行うことができる電流制限装置を得
ることを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電流制限
装置は、帰還電圧と基準電圧との差分に応じた電圧を出
力する差動増幅器と、エミッタを第1電源に接続すると
ともに前記差動増幅器の出力電圧をベースに印加しそれ
に応じた出力電流をコレクタより出力する出力トランジ
スタと、この出力トランジスタのコレクタに接続された
出力端子とを有する電源回路において、(i) ベース及び
エミッタを前記出力トランジスタのベース及びエミッタ
にそれぞれ共通接続し、かつ該出力トランジスタのベー
ス・エミッタ接合面積のn分の1のベース・エミッタ接
合面積を有する検出用トランジスタと、(ii)コレクタを
前記第1電源に接続しベースを前記出力端子に接続した
第1の電圧相殺用トランジスタと、(iii) この第2の電
圧相殺用トランジスタのコレクタから流れ込む電流によ
りドライブ電圧を発生するドライブ用抵抗と、(iv)この
第2の電圧相殺用トランジスタのコレクタから流れ込む
電流によりドライブ電圧を発生するドライブ用抵抗と、
(v) エミッタを第2電源に接続するとともにコレクタを
前記差動増幅器に接続し、ベースに印加される前記ドラ
イブ電圧に応じて前記差動増幅器の相互コンダクタンス
を変化させて前記出力トランジスタの出力電流を制限す
る制限用トランジスタとを備えたことを特徴とするもの
である。
【0021】
【作用】この発明に係る電流制限装置によれば、互いに
相殺する逆極性の電圧を出力する第3、第4のトランジ
スタを設けたことにより、電流制限がかかる時点での検
出トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧と出力トラ
ンジスタのコレクタ・エミッタ間電圧とが等しくなる。
従って、従来より問題となっていたところの検出トラン
ジスタのコレクタ電流が出力トランジスタのコレクタ電
流のn分の1以上になるといういわゆるアーリー効果の
影響を排除することができる。すなわち、検出トランジ
スタのコレクタには、出力トランジスタの出力電流の丁
度n分の1の検出電流が流れることとなり、制限用トラ
ンジスタの動作タイミングを本来設定された電流制限動
作時に正確に一致させることが可能となる。
【0022】
【実施例】以下図面に基づき、本発明を詳細に説明す
る。
【0023】図1は、本発明の一実施例における電流制
限装置を備えた電源回路を表したものである。この図
で、前記図3に示す従来例と同一部分には同一の符号を
付し、重複説明を省略する。
【0024】本実施例における電流制限装置の特徴とす
るところは、図1に示すように、電流制限装置20内に
電圧相殺用トランジスタとしてNPN型トランジスタQ
4 とPNP型トランジスタQ5 を設けたことにある。こ
のうち、トランジスタQ4 のコレクタは定電圧Vccに接
続され、ベースは出力端子15に接続される一方、エミ
ッタはトランジスタQ5 のベースに接続されるとともに
一端を接地接続した定電流源21の一端に接続されてい
る。トランジスタQ5 のエミッタは、検出トランジスタ
2 のコレクタに接続され、コレクタは一端を接地接続
したドライブ抵抗18の他端a及び制限用トランジスタ
3 のベースに接続されている。その他の構成は前記図
3に示す従来例と同様である。
【0025】なお、図1における差動増幅器11は、例
えば図2に示すような回路で構成することができる。こ
の回路は、定電圧Vccに接続された定電流源61〜6
3、PNP型トランジスタ51〜54、NPN型トラン
ジスタ55〜57、及び抵抗65から構成される。この
図に示すように、トランジスタ51のベースには図1の
基準電圧Vref が印加され、トランジスタ54のベース
には帰還電圧Vb が印加される。また、トランジスタ5
7のベースは図1の制限用トランジスタQ3 のコレクタ
に接続され、トランジスタ57のコレクタは出力として
図1の出力トランジスタQ1 及び検出トランジスタQ2
に接続される。
【0026】以下、このような構成の電流制限装置の動
作を説明する。
【0027】差動増幅器11は、基準電圧Vref が基準
電圧Vref 以下のときは出力電圧I0 を増加させるよう
に動作し、出力トランジスタQ1 からのコレクタ電流I
c は第1の分圧抵抗13及び第2の分圧抵抗14を介し
て接地へと流れる。このとき、点bにおける分圧電位は
帰還電圧Vb として差動増幅器11の(+)端子に入力
される。
【0028】また点dの電位はトランジスタQ4 のベー
スに印加されるため、トランジスタQ4 からはコレクタ
電流が定電流源21を介して接地へ流れ、点eの電位は
トランジスタQ5 のベースに印加される。
【0029】これにより、検出トランジスタQ2 からの
コレクタ電流I2 =I1 /nが、トランジスタQ5 及び
ドライブ抵抗18を介して接地へ流れる。このとき、点
aの電位が制限用トランジスタQ3 のベース・エミッタ
間電圧VBEを越えると、この制限用トランジスタQ3
ドライブされて、差動増幅器11の相互コンダクタンス
m が絞られることになる。
【0030】ここで、制限用トランジスタQ3 が動作し
て電流制限がかかる時点での出力トランジスタQ2 のコ
レクタ電流I1 は(5)式より次の(8)式で示され
る。
【0031】 I1 =n(VBE/R 1) ・・・・・ (8) また、出力電圧V0 は(3)式に示したものである。い
ま、トランジスタQ4 のベース・エミッタ間電圧VF
FQ4 、トランジスタQ5 のベース・エミッタ間電圧V
F をVFQ5 とすると、点xの電位Vx はVx =V0 −V
FQ4 +VFQ5 となる。そこで、VFQ4 =VFQ5 とする
と、Vx =V0 となり、トランジスタQ1 ,Q2 のコレ
クタ・エミッタ間電圧が等しくなる。これにより、検出
トランジスタQ2 に流れる電流は正しくI2 =I1 /n
となり、アーリー効果によるコレクタ電流の増分△IA
がなくなるため、、電流制限動作時の設定ズレを無くす
ることができる。
【0032】また、周囲温度の変化に対してトランジス
タQ4 ,Q5 のベース・エミッタVBEが変化しても、点
xの電位Vx は変化しない。従って、温度変化にも強い
ものである。
【0033】なお、本実施例ではトランジスタQ4 のエ
ミッタ側に定電流源21を設けているが、この定電流源
21の代りに抵抗を接続してもよい。
【0034】また、本実施例では、PNP出力型電源回
路の電流制限を行う場合について説明したが、これに限
るものではなく、NPN出力型電源回路にも適用できる
のはもちろんである。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、互いに相殺する逆極性の電圧を出力するトランジス
タを設けたこととしたので、電流制限がかかる時点での
検出トランジスタと出力トランジスタの各コレクタ・エ
ミッタ間電圧を相互に等しくできる。従って、従来より
問題となっていたアーリー効果の影響が除かれ、検出ト
ランジスタのコレクタには、出力トランジスタの出力電
流の丁度n分の1の検出電流が流れることとなり、制限
トランジスタの動作タイミングを本来の電流制限動作時
に正確に一致させることが可能となる。すなわち、電源
回路の出力電流を設定値どおりに精度よく制限すること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における電流制限装置を適用
した電源回路を示すブロック図である。
【図2】図1における差動増幅器の一構成例を示す回路
図である。
【図3】従来の電流制限装置を適用した電源回路を示す
ブロック図である。
【図4】バイポーラトランジスタにおけるアーリー効果
を説明するための説明図である。
【符号の説明】
11 差動増幅器 12 基準電圧源 15 出力端子 16 外部負荷 18 ドライブ抵抗 20 電流制限装置 Q1 出力トランジスタ Q2 検出トランジスタ Q3 制限用トランジスタ Q4 電圧相殺用NPNトランジスタ Q5 電圧相殺用PNPトランジスタ

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 帰還電圧と基準電圧との差分に応じた電
    圧を出力する差動増幅器と、エミッタを第1電源に接続
    するとともに前記差動増幅器の出力電圧をベースに印加
    しそれに応じた出力電流をコレクタより出力する出力ト
    ランジスタと、この出力トランジスタのコレクタに接続
    された出力端子とを有する電源回路において、 ベース及びエミッタを前記出力トランジスタのベース及
    びエミッタにそれぞれ共通接続し、かつ該出力トランジ
    スタのベース・エミッタ接合面積のn分の1のベース・
    エミッタ接合面積を有する検出用トランジスタと、 コレクタを前記第1電源に接続しベースを前記出力端子
    に接続した第1の電圧相殺用トランジスタと、 エミッタを前記検出用トランジスタのコレクタに接続し
    ベースを前記第1の電圧相殺用トランジスタのエミッタ
    に接続した第2の電圧相殺用トランジスタと、 この第2の電圧相殺用トランジスタのコレクタから流れ
    込む電流によりドライブ電圧を発生するドライブ用抵抗
    と、 エミッタを第2電源に接続するとともにコレクタを前記
    差動増幅器に接続し、ベースに印加される前記ドライブ
    電圧に応じて前記差動増幅器の相互コンダクタンスを変
    化させて前記出力トランジスタの出力電流を制限する制
    限用トランジスタと、 を備えたことを特徴とする電流制限装置。
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