JP3330004B2 - 直流安定化電源 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は直流安定化電源に関
し、特に出力用トランジスタと該出力用トランジスタの
駆動トランジスタとを有し、該駆動トランジスタのベー
スドライブ電流を制限する電流制限回路を有する直流安
定化電源に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ワープロ、パーソナルコンピュー
タ等の技術開発に伴い、これらの電源となる直流安定化
電源（以下、単に安定化電源と記す）の低電圧化が必要
とされており、５Ｖ以下、特に３．３Ｖの安定化電源が
必要とされ、このための各種回路設計がなされている。

【０００３】ここで、従来例による安定化電源回路につ
いて、図７を参照して説明する。

【０００４】図７に示すように、出力用トランジスタＱ
１のベースには、ベースドライブ用トランジスタＱ２の
コレクタが接続され、このベースドライブ用トランジス
タＱ２のエミッタはベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１を
介して接地されている。また、ベースドライブ電流制限
用トランジスタＱ３のベースが、前記ベースドライブ用
トランジスタＱ２とベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１間
に、エミッタがＧＮＤに、コレクタがベースドライブ用
トランジスタＱ２のベースに接続されている。

【０００５】出力用トランジスタＱ１のエミッタは、入
力電源端子Ｖ_CCに接続され、さらにこのエミッタとベー
スドライブ用トランジスタＱ２のベースとの間に定電流
源Ｉ₁が介挿されている。

【０００６】また、出力用トランジスタＱ１のコレクタ
は出力端子Ｖ_Oに接続され、この出力端子Ｖ_OとＧＮＤ間
には、分圧用の抵抗Ｒ２及びＲ３が直列に介挿され、両
抵抗の接続点が、基準電圧Ｖｒｅｆとの比較用のオペア
ンプＯＰ１の−端子に入力されている。そして、オペア
ンプＯＰ１の＋端子には基準電圧Ｖｒｅｆが入力されて
いる。

【０００７】上記図７の回路動作について簡単に説明す
ると、分圧用の抵抗Ｒ２、Ｒ３の接続点のＶ₁の電位の
変化を、オペアンプＯＰ１において基準電圧Ｖｒｅｆと
の比較によって検知し、出力が所定の値より大きくなっ
た場合はベースドライブ用トランジスタＱ２のベース電
流を低減するよう働き、逆に出力が所定の値より小さく
なった場合はベース電流を増加させるよう働き、出力電
圧の安定化を図っている。

【０００８】以上の動作は出力電圧の安定化を図るもの
であるが、同時に上記回路構成において、出力用トラン
ジスタＱ１のベースに流れるベース電流の制限も行って
いる。これは、ベース電流が流れ過ぎると、出力トラン
ジスタＱ１に電流が流れ過ぎ、出力トランジスタＱ１を
破壊する恐れがあるためである。

【０００９】具体的には、ベースドライブ電流検出抵抗
Ｒ１の両端はベースドライブ電流制限用トランジスタＱ
３のベース・エミッタ間に接続されているので、この抵
抗Ｒ１とベースドライブ用トランジスタＱ２の接続点の
Ｖ２は０．７Ｖを越えることはない。従って、Ｒ１×Ｉ
ｄｏ≦０．７Ｖの関係が満たされる範囲においてのみ電
流（ドライブ電流制限）Ｉｄｏが流れ、Ｒ１×Ｉｄｏ＞
０．７Ｖとなるような電流は流れないよう制限される。

【００１０】ところで、上記７６の回路において、ベー
スドライブ電流検出抵抗Ｒ１を流れるドライブ制限電流
Ｉｄｏは、 Ｉｄｏ＝Ｖ_BE［Ｑ３］／Ｒ１ ・・・（１） で表される。ここで、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特
性ｄ｛Ｉｄｏ｝を求めると、 ｄ｛Ｉｄｏ｝＝ｄ｛Ｖ_BE［Ｑ３］／Ｒ１｝ ・・・（２） となる。

【００１１】つまり、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特
性は、トランジスタＱ３のベース・エミッタ間順方向電
圧Ｖ_BE［Ｑ３］の温度特性と抵抗Ｒ１の温度特性により
決定される。

【００１２】図８は他の従来例による安定化電源回路の
回路図である。図７の回路との違いは、基準電圧Ｖｒｅ
ｆとドライブ電流検知抵抗Ｒ１の端子電圧Ｖ２とを比較
する差動回路を構成するために、トランジスタＱ４、抵
抗Ｒ４を付加した点である。ここで、トランジスタＱ４
のベース・コレクタは短絡されている。

【００１３】図７の回路の場合、ドライブ制限電流Ｉｄ
ｏは、 Ｉｄｏ＝Ｖｒｅｆ／Ｒ１ ・・・（３） で表され、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性ｄ（Ｉｄ
ｏ）は、 ｄ（Ｉｄｏ）＝Ｖｒｅｆ×ｄ｛１／Ｒ１｝ ・・・（４） となる。

【００１４】ここで、基準電圧Ｖｒｅｆの温度特性はフ
ラットである為、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性は
抵抗Ｒ１の温度特性によって決定されることになる。

【００１５】上記図７の回路構成では、ドライブ制限電
流Ｉｄｏは大きな負の温度特性を有しており（−４００
０ｐｐｍ／℃程度）、高温においてはドライブ制限電流
Ｉｄｏが小さくなってしまうため、常温における設定値
を大きく設定しておく必要がある。

【００１６】一方、図８の回路構成も、ドライブ制限電
流Ｉｄｏは比較的大きな負の温度特性を有しており（−
２０００ｐｐｍ／℃）、図７と同様の問題がある。

【００１７】ところで、図７の回路の温度特性（−４０
００ｐｐｍ／℃）は以下のように求められる。

【００１８】Ｔｊ＝２５℃でＶ_BE＝０．７Ｖ、Ｖ_BE及び
抵抗Ｒ１の温度特性をΔＶ_BE＝−２ｍＶ／℃、ΔＲ１＝
＋２０００ｐｐｍ／℃としたときに、（２）式より、 （０．７Ｖ＋（−２ｍＶ／℃）×ΔＴ）／（Ｒ１×（１
＋２０００ｐｐｍ／℃×ΔＴ））＝−４０００ｐｐｍ／
℃ また、図８の回路の温度特性（−２０００ｐｐｍ／℃）
は次のように求められる。即ち、（４）式より、 Ｖｒｅｆ／（Ｒ１×（１＋２０００ｐｐｍ／℃×Δ
Ｔ））＝−２０００ｐｐｍ℃ ここで、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性を変えるに
は、ドライブ制限電流Ｉｄｏを検出する抵抗Ｒ１として
温度特性の異なるものを使用するか、または以下のよう
にトランジスタの追加を行う方法がある。この内容につ
いて、図９及び図１０を参照して説明する。

【００１９】例えば温度特性を増やすには、図９のよう
に、図８の回路構成に対してＰＮＰトランジスタＱ５及
び定電流回路Ｉ１０を追加する。これにより、ドライブ
制限電流Ｉｄｏは、 Ｉｄｏ＝（Ｖｒｅｆ＋Ｖ_BE［Ｑ５］）／Ｒ１ ・・・・・（５） となるので、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性ｄ（Ｉ
ｄｏ）は、 ｄ｛Ｉｄｏ｝＝Ｖｒｅｆ×ｄ｛１／Ｒ｝＋ｄ｛Ｖ_BE［Ｑ５］／Ｒ１｝ ・・・・・（６） となる。

【００２０】上記図９の回路構成におけるドライブ制限
電流Ｉｄｏの温度特性は約７００ｐｐｍ／℃となる。

【００２１】また、温度特性を減らすには、図１０のよ
うに、図８の回路構成に対してＮＰＮトランジスタＱ６
を追加する。これにより、ドライブ制限電流Ｉｄｏは、 Ｉｄｏ＝（Ｖｒｅｆ−Ｖ_BE［Ｑ４］）／Ｒ１ ・・・・・（７） となり、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性ｄ｛Ｉｄ
ｏ｝は ｄ｛Ｉｄｏ｝＝Ｖｒｅｆ×ｄ｛１／Ｒ｝−ｄ｛Ｖ_BE［Ｑ４］／Ｒ１｝ ・・・・・（８） となる。

【００２２】但し、ここで、Ｖｒｅｆ＞Ｖ_BE［Ｑ４］＋
Ｖ_BE［Ｑ６］＋Ｖ３である。

【００２３】このように、図９及び図１０に示す従来例
では、ドライブ制限電流Ｉｄｏ温度特性の調整のため
に、トランジスタを追加するという手段をとっていた。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように温度特性の異なる抵抗の採用、トランジスタの追
加によってドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性の適性化
を図ろうとしても、なお以下のような問題があった。

【００２５】即ち、ドライブ電流検出抵抗Ｒ１の温度特
性を変えるとしても、ベースドライブ回路をＩＣ化する
場合のドライブ電流検出抵抗Ｒ１としては、温度特性の
異なるものは数種類しか存在しない。

【００２６】また、トランジスタのベース・エミッタ間
電圧Ｖ_BEの温度特性は約−２ｍＶ／℃であるため、トラ
ンジスタの追加だけでは約−２ｍＶ／℃ずつしか変化さ
せることができない。

【００２７】以上のような理由により、いづれの手段を
とっても、或いは両者を組み合わせたとしても、ドライ
ブ制限電流Ｉｄｏの温度特性はとびとびの値でしか調整
することができなかった。つまり、ドライブ制限電流Ｉ
ｄｏの温度特性を、回路構成に合わせて任意の値に設定
することができない。そして、温度特性が大きな負特性
になれば、前述のように高温時に出力電流が低下すると
いう問題があり、逆に大きな正特性であれば、高温時に
出力電流が流れすぎ熱暴走をする可能性があるという問
題がある。

【００２８】さらに、上記従来の回路では、ドライブ電
流を検出する抵抗Ｒ１での電圧降下が図７の構成で０．
７Ｖ、図８の構成ではＶｒｅｆと同じ１．２５Ｖ、図９
の構成ではＶｒｅｆ＋０．７Ｖ＝２Ｖ、図１０の構成で
はＶｒｅｆ−０．７Ｖ＝１Ｖ（但し、Ｖｒｅｆ≧１．７
Ｖであることが必要でありＶｒｅｆ＝１．２５Ｖは不可
能）と大きいため、ベースドライブ電流制限回路の低電
圧動作化の妨げになっていた。

【００２９】そこで、本発明の目的は、ベースドライブ
制限電流Ｉｄｏの温度特性を精細な値で設定でき、高温
での動作安定化を図るとともに、従来よりも低電圧動作
化が可能なベースドライブ電流制限回路を実現すること
にある。

【００３０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、入出力端子間に介挿された
出力用トランジスタと、該出力用トランジスタを駆動す
る駆動用トランジスタを介して接続された駆動電流検出
抵抗と、該駆動電流検出抵抗に流れる駆動電流の大きさ
に応じて前記駆動用トランジスタを制御する駆動電流制
限回路と、を有する直流安定化電源において、前記駆動
電流制限回路は、ベースが共通接続された第１及び第２
のトランジスタを有し、前記第１のトランジスタのエミ
ッタが所定の基準電圧に接続され、前記第２のトランジ
スタのエミッタが前記駆動用トランジスタと前記駆動電
流検出抵抗との間に接続され、前記第１のトランジスタ
のコレクタが前記駆動用トランジスタのベースに接続さ
れてなることを特徴とする。

【００３１】また、請求項２に記載の発明は、入出力端
子間にエミッタ及びコレクタが介挿された出力用トラン
ジスタと、該出力用トランジスタのベースに駆動用トラ
ンジスタを介して接続された駆動電流検出抵抗と、該駆
動電流検出抵抗に流れる駆動電流の大きさに応じて前記
駆動用トランジスタのベース電流を制御する駆動電流制
限回路を有する直流安定化電源において、前記駆動電流
制限回路は、ベースが共通接続された第１及び第２のト
ランジスタを有し、前記第１のトランジスタのエミッタ
が所定の基準電圧に接続され、前記第２のトランジスタ
のエミッタが前記駆動用トランジスタ及び駆動電流検出
抵抗間に接続され、前記第１のトランジスタのコレクタ
が前記駆動用トランジスタのベースに接続され、前記第
１のトランジスタと前記駆動用トランジスタ間の接続点
と入力端子間に第１の定電流源が接続され、前記第２の
トランジスタのコレクタが第２の定電流源を介して前記
入力端子に接続されてなることを特徴とする。

【００３２】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２のいづれかに記載の直流安定化電源において、前記基
準電圧は基準電圧源の電圧が分圧用抵抗によって分圧さ
れたものであることを特徴とする。

【００３３】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の直流安定化電源において、基準電圧源と分圧用抵抗と
の間に基準電圧調整用のトランジスタを介挿してなるこ
とを特徴とする。

【００３４】請求項１の構成によれば、駆動電流検出抵
抗の両端電圧が基準電圧と一致するように回路動作が行
われる。これによって、駆動用トランジスタに流れる駆
動電流が流れ過ぎないように制御される。ここで、駆動
電流制限抵抗に流れる駆動電流の温度特性は、第２のト
ランジスタのベース・エミッタ温度特性の制御によって
精細に設定することができる。また、第２のトランジス
タのエミッタが駆動電流検出抵抗に接続される構成とな
っているので、従来のようにトランジスタのベースが接
続される構成に比較して、電圧降下を低く抑えることが
でき、回路の低電圧動作化を図れる。

【００３５】請求項２の構成では、第１及び第２の定電
流源を設けている。この第２の定電流源の電流値を変え
ることによって、駆動電流検出抵抗の温度特性を任意且
つ精細に設定することができる。これは、駆動電流検出
抵抗の温度特性は第２のトランジスタのベース・エミッ
タ温度特性を変えることによって変化するものであり、
さらに、第２のトランジスタのベース・エミッタ温度特
性は、第２のトランジスタのコレクタ電流、即ち、この
回路構成においては第２の定電流源の電流値と比例関係
にあるためである。

【００３６】請求項３の構成によれば、基準電圧源の電
圧を任意の基準電圧に容易に設定することができる。

【００３７】請求項４のように、基準電圧調整用のトラ
ンジスタを介挿することによって、請求項１または２の
構成によって得られる第２の定電流源の電流値と駆動電
流の温度特性の関係を、上下方向（即ち、温度特性の高
低の方向）に任意にシフトさせることができる。これに
よって、温度特性の変化範囲を非常に大きくカバーする
ことができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、図１
を参照して説明する。図１は本実施例による直流安定化
電源回路の回路図である。図７乃至図１０に示した従来
例と同一機能部分には同一記号を付している。

【００３９】図１に示すように、出力用トランジスタＱ
１のベースにはベースドライブ用トランジスタＱ２のコ
レクタが接続されている。このベースドライブ用トラン
ジスタＱ２のエミッタはベースドライブ電流検出抵抗Ｒ
１を介して接地され、ベースは定電源Ｉ₁を介して入力
電源端子Ｖ_CC（以下、電源Ｖ_CCと記す）に接続されてい
る。出力用トランジスタＱ１のエミッタは電源Ｖ_CCに、
コレクタは直列接続された分圧用の抵抗Ｒ２、Ｒ３を介
してＧＮＤに接続されている。分圧用の抵抗Ｒ２、Ｒ３
の接続点は基準電圧との比較用のオペアンプＯＰ１の＋
端子に入力され、このオペアンプＯＰ１の−端子には基
準電圧Ｖｒｅｆが入力されている。オペアンプＯＰ１の
出力はベースドライブ用トランジスタＱ２のベースに接
続されている。

【００４０】また、第１のトランジスタであるトランジ
スタＱ７のコレクタがベースドライブ用トランジスタＱ
２のベースに、またエミッタが、直列接続された分圧用
抵抗Ｒ５、Ｒ６の接続点に接続されている。

【００４１】また、トランジスタＱ７にベースが共通接
続された第２のトランジスタであるトランジスタＱ８の
エミッタが、前記ベースドライブ用トランジスタＱ２と
ベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１との接続点に、また、
コレクタが定電流源Ｉ₂を介して電源Ｖ_CCに接続されて
いる。抵抗Ｒ５の他端はオペアンプＯＰ１の−端子に、
抵抗Ｒ６の他端は接地されている。図中、Ｉ_Dが本実施
例の特徴であるドライブ電流制限回路である。

【００４２】上記図１の回路において、誤差増幅器ＯＰ
１の＋入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆ（ここでは１．２５
Ｖ）が入力されており、出力電圧分割抵抗の抵抗Ｒ２、
Ｒ３間の接続点の電圧Ｖ１が基準電圧の１．２５Ｖにな
るように誤差増幅器ＯＰ１が動作する。

【００４３】例えば、出力電圧Ｖ_Oが下がると、出力電
圧分割用の抵抗Ｒ２、Ｒ３の抵抗間の電圧Ｖ１も下が
り、誤差増幅器となるオペアンプＯＰ１で増幅され、ト
ランジスタＱ２をドライブし出力トランジスタＱ１のベ
ース電流を引き、出力に電流を流し、電圧Ｖ１を１．２
５Ｖに保とうとする。

【００４４】また、出力電圧が上昇すると、出力電圧分
割用の抵抗Ｒ２、Ｒ３の抵抗間の電圧Ｖ１も上がること
により、誤差増幅器で増幅されトランジスタＱ２のベー
ス電流を少なくし、出力トランジスタＱ１へのベース電
流を少なくし出力電流を減らし、出力電圧分割用の抵抗
Ｒ２、Ｒ３の抵抗間の電圧Ｖ１を１．２５Ｖに保とうと
する。

【００４５】ドライブ電流制限回路ＩＤの動作は、ベー
スドライブ電流検出抵抗Ｒ１の電圧Ｖ２と抵抗Ｒ５、Ｒ
６間の電圧Ｖ３とを比較して、両電圧が等しくなるよう
にトランジスタＱ７にコレクタ電流が流れ、トランジス
タＱ２のベース電流を制御することによりドライブ制限
電流Ｉｄｏが決定される。

【００４６】以下、より具体的に説明する。まず、ドラ
イブ制限電流がＩｄｏとなったときにベースドライブ電
流が制限されるものとすると、まず、無負荷時にはＩｄ
＜Ｉｄｏで、この時、出力トランジスタＱ１のコレクタ
電流は抵抗Ｒ２、Ｒ３に流れるのみである。この時の電
流をｉ１とすると、出力トランジスタＱ１のベース電流
Ｉｄは、出力トランジスタＱ１の１／ｈＦＥの電流が流
れるのでＩｄ＝ｉ１／ｈＦＥとなる。従ってオペアンプ
ＯＰ１から流れる電流はＩｄの１／ｈＦＥとなる。

【００４７】ここで、ドライブ電流検出抵抗Ｒ１の電位
Ｖ２はＶ３の電位よりも低く設定されているので、トラ
ンジスタＱ７は動作しない。

【００４８】そして、徐々に負荷電流を引くと出力段の
抵抗Ｒ２、Ｒ３の電圧が下がり、オペアンプＯＰ１によ
り増幅され抵抗Ｒ３の電位Ｖ１がＶｒｅｆと同電位にな
るように動作する。ベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１の
電位Ｖ２は出力電流１／ｈＦＥのＩｄ×Ｒ１で、このと
きはまだトランジスタＱ８のエミッタ電位よりもトラン
ジスタＱ７のエミッタ電位の方が高いためにトランジス
タＱ７は動作しない。さらに出力電流を流していくと、
同様の動作によって、Ｉｄが大きくなり抵抗Ｒ１とＲ６
の電位が等しくなり、トランジスタＱ７が動作し始め、
トランジスタＱ７のコレクタ電流がトランジスタＱ８の
コレクタ電流と同じ電流を引く。

【００４９】さらに出力電流が増えるとトランジスタＱ
８のエミッタ電位はトランジスタＱ７のエミッタ電位よ
りも高くなるため、トランジスタＱ８は動作しなくなり
定電流回路のｉ２の電流がすべてトランジスタＱ７に流
れる。この結果、トランジスタＱ７のコレクタ電流はＩ
１×ｈＦＥで、オペアンプＯＰ１の電流からこのＩ１×
ｈＦＥを引いた残りの電流のｈＦＥ倍がＩｄｏとなる。
つまり、Ｉｄｏはこの値で制限されることになる。

【００５０】このとき、ドライブ制限電流Ｉｄｏは Ｉｄｏ＝（Ｖｒｅｆ×（Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６））＋ΔＶ_BE）／Ｒ１・・・（９） ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性ｄ（Ｉｄｏ）は ｄ｛Ｉｄｏ｝＝Ｖｒｅｆ×Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）×ｄ｛１／Ｒ１｝ −ｄ｛（ΔＶ_BE）／Ｒ１｝・・・（１０） ΔＶ_BE＝Ｖ_BE［Ｑ７］−Ｖ_BE［Ｑ８］ ・・・・・（１１） となり、ΔＶ_BEを変えることによってドライブ制限電流
Ｉｄｏの温度特性を変えることができる。

【００５１】トランジスタのＶ_BEの温度特性は図２のよ
うに、コレクタ電流とＶ_BEの温度特性は比例関係にあ
り、ΔＶ_BEを変えるにはトランジスタＱ７、Ｑ８の電流
比を変えることにより、温度特性を細かい値で調整でき
る。

【００５２】具体的には、図３に示すように、定電流源
Ｉ２の電流ｉ２の値を変えることによって、ラインＡ上
であれば任意の温度特性に設定することができる。ここ
で、ｉ１＝１００μＡとしている。

【００５３】なお、図３中でラインＢ及びＣはそれぞ
れ、本実施例の他の回路、図４及び図５に対応する特性
である。図４は図１の回路に対してトランジスタＱ９を
追加した構成、図５は図１の回路に対してトランジスタ
Ｑ１０、定電流源Ｉ３を追加した構成である。

【００５４】図３に示したラインＡ、Ｂ、Ｃの特性は、
トランジスタＱ７及びＱ８のエミッタ面積比を変えるこ
とによって、さらに上下にシフトさせることができる。
具体的には、例えば図１の場合をとりあげると、トラン
ジスタＱ８のエミッタ面積をトランジスタＱ７のエミッ
タ面積より大きくすれば、図３のラインは上方にシフト
する。逆に、トランジスタＱ７のエミッタ面積の方を大
きくすれば、ラインは下方にシフトする。

【００５５】実際にエミッタ比を変えるには、例えばト
ランジスタを２個使い（並列接続）にすることによって
実現できる。

【００５６】このように、図１に示すような電流制限回
路を有する安定化電源回路によれば、図４、図５の実施
例のようなトランジスタの追加及びトランジスタのエミ
ッタ比の変更によって、温度特性を任意に設定すること
ができる。

【００５７】ところで、ドライブ制限電流Ｉｄｏの温度
特性をどの程度に設定すれば、回路全体として適切な値
となるかは、回路構成によって個々異なってくるもので
あり、単純にドライブ制限電流Ｉｄｏの温度特性を０に
するようにすればよいものではない。例えば、図１の回
路においては出力トランジスタＱ１のｈＦＥが有する温
度特性もあり、これらを総合的に考慮した上で回路設計
する必要がある。しかも、トランジスタのｈＦＥが有す
る温度特性は図６に示すように、トランジスタの機種を
変えるだけでも大きく変化するものであり、各回路の設
計毎に様々な温度特性が要求される。

【００５８】従来においてもこれらの温度特性を考慮し
てはいたが、（発明が解決しようとする課題）でも述べ
たように、精細な温度特性の刻みを設けることができな
かったため、高温で出力電圧が低下するといった可能性
を残す信頼性に欠ける回路設計を行わざるを得なかっ
た。

【００５９】また、図７乃至図１０に示した従来回路で
は、ベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１がベースドライブ
電流制限用トランジスタＱ３のベースに接続されている
ため、ベースドライブ用トランジスタＱ２とベースドラ
イブ電流検出抵抗Ｒ１との接続点の電位Ｖ２は、最低で
もベースドライブ電流制限用トランジスタＱ３をＯＮさ
せる電圧、つまり１Ｖ_BE以上が必要であったが、本実施
例ではベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１がベースドライ
ブ電流制限用トランジスタＱ３のエミッタに接続されて
いるため、０．１Ｖ設定でも作動する。

【００６０】具体的には、前述したように、従来例によ
る図７の回路では１ＶＢＥ（約０．７Ｖ）、図８ではＶ
ｒｅｆ（主に１．２５Ｖ）、図９ではＶｒｅｆ＋ＶＢＥ
（Ｖｒｅｆ＝１．２５Ｖのとき約１．９５Ｖ）、図１０
ではＶｒｅｆ−ＶＢＥ（Ｖｒｅｆ＞１．７Ｖが必要）で
あったのに対して、本実施例ではＩｄｏ×Ｒ１なのでＲ
１を小さくすることによって低電圧化することができ
る。例えばＩｄｏ＝１００ｍＡでＲ１を３．３Ωとする
と０．３３Ｖとなり従来に比べて低い値とできることが
わかる。つまり、ベースドライブ電流検出抵抗Ｒ１での
電圧降下を小さくすることができ、低電圧動作化が可能
となる。

【００６１】近年、安定化電源の低電圧化、特に３．３
Ｖの電圧が要求されており、この点においても本発明は
極めて有効である。

【００６２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、安定化電源回路における出力トランジスタのドライ
ブ電流の温度特性を任意に且つ精細に設定することがで
き、この結果、高温時であっても動作が安定している高
信頼性の安定化電源回路を実現できる。

【００６３】また、出力トランジスタのドライブ電流検
出抵抗の抵抗値を小さくできることから、この抵抗にお
ける電圧降下を下げることができ、低電圧動作化が可能
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による安定化電源回路の回路
図である。

【図２】トランジスタのコレクタ電流と温度特性との関
係図である。

【図３】本発明の効果を示すための温度特性図である。

【図４】本発明の他の実施例による安定化電源回路の回
路図である。

【図５】本発明のさらに他の実施例による安定化電源回
路の回路図である。

【図６】トランジスタの温度−ｈＦＥ特性図である。

【図７】従来例による安定化電源回路の回路図である。

【図８】他の従来例による安定化電源回路の回路図であ
る。

【図９】さらに他の従来例による安定化電源回路の回路
図である。

【図１０】さらに他の従来例による安定化電源回路の回
路図である。

【符号の説明】

Ｖ_CC 入力端子 Ｖ_O 出力端子 Ｑ１ 出力用トランジスタ Ｑ２ 駆動用トランジスタ Ｑ７ 第１のトランジスタ Ｑ８ 第２のトランジスタ Ｒ１ 駆動電流検出抵抗 Ｉ_D 駆動電流制限回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−1016（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62609（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−186909（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−175513（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−12919（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G05F 1/445,1/56,1/613 G05F 1/618,3/26 H03F 1/30 - 1/40

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入出力端子間に介挿された出力用トラン
   ジスタと、該出力用トランジスタを駆動する駆動用トラ
   ンジスタを介して接続された駆動電流検出抵抗と、該駆
   動電流検出抵抗に流れる駆動電流の大きさに応じて前記
   駆動用トランジスタを制御する駆動電流制限回路と、を
   有する直流安定化電源において、 前記駆動電流制限回路は、ベースが共通接続された第１
   及び第２のトランジスタを有し、前記第１のトランジス
   タのエミッタが所定の基準電圧に接続され、前記第２の
   トランジスタのエミッタが前記駆動用トランジスタと前
   記駆動電流検出抵抗との間に接続され、前記第１のトラ
   ンジスタのコレクタが前記駆動用トランジスタのベース
   に接続されてなることを特徴とする直流安定化電源。
2. 【請求項２】 入出力端子間にエミッタ及びコレクタが
   介挿された出力用トランジスタと、該出力用トランジス
   タのベースに駆動用トランジスタを介して接続された駆
   動電流検出抵抗と、該駆動電流検出抵抗に流れる駆動電
   流の大きさに応じて前記駆動用トランジスタのベース電
   流を制御する駆動電流制限回路を有する直流安定化電源
   において、 前記駆動電流制限回路は、ベースが共通接続された第１
   及び第２のトランジスタを有し、前記第１のトランジス
   タのエミッタが所定の基準電圧に接続され、前記第２の
   トランジスタのエミッタが前記駆動用トランジスタ及び
   駆動電流検出抵抗間に接続され、前記第１のトランジス
   タのコレクタが前記駆動用トランジスタのベースに接続
   され、前記第１のトランジスタと前記駆動用トランジス
   タ間の接続点と入力端子間に第１の定電流源が接続さ
   れ、前記第２のトランジスタのコレクタが第２の定電流
   源を介して前記入力端子に接続されてなることを特徴と
   する直流安定化電源。
3. 【請求項３】 請求項１または２のいづれかに記載の直
   流安定化電源において、前記基準電圧は基準電圧源の電
   圧が分圧用抵抗によって分圧されたものであることを特
   徴とする直流安定化電源。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の直流安定化電源におい
   て、前記基準電圧源と前記分圧用抵抗との間に基準電圧
   調整用のトランジスタを介挿してなることを特徴とする
   直流安定化電源。