JP2600430Y2 - 電圧検出回路 - Google Patents

電圧検出回路

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JP2600430Y2
JP2600430Y2 JP1992009874U JP987492U JP2600430Y2 JP 2600430 Y2 JP2600430 Y2 JP 2600430Y2 JP 1992009874 U JP1992009874 U JP 1992009874U JP 987492 U JP987492 U JP 987492U JP 2600430 Y2 JP2600430 Y2 JP 2600430Y2
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は電圧検出回路に係り、特
に電源電圧の変動を検出して他の回路に報知する電圧検
出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、CPU(Central Processing
Unit :中央処理装置)システム等において電源電圧の
変動を検出して、電源投入時にCPUを初期リセットし
たり、電源電圧の瞬時低下時にCPUをリセットするた
めの電圧検出回路が知られている。
【0003】図9は、従来の電圧検出回路の一例になる
回路図を示す。同図中、1は電圧検出回路を示し、Iin
は電源からの入力電流を示す。また、VOUT は電源電圧
が所定の電圧に達したか否かを検出して外部回路に報知
する検出端子である。
【0004】図9において、電圧検出回路1が動作する
のに必要な電圧よりも電源電圧VCCが低い場合には、電
圧検出回路1からベース電流を供給されるトランジスタ
9はベース・エミッタ間電圧VBE9 (抵抗R8 の両端
電圧)が小さいので、動作しない。また、トランジスタ
9 のコレクタ電流が流れないためにトランジスタQ10
に流れ込むベース電流が小さく、トランジスタQ10も動
作しない。
【0005】この場合、第1に、抵抗R11の両端電圧V
11がトランジスタQ11のベース・エミッタ間電圧VBE11
よりも低いときは、トランジスタQ10のコレクタ電流は
11を介して流れ、トランジスタQ11はオンとならな
い。したがって、検出端子VOUT に電流が流れないの
で、検出出力はハイレベルとなる。このとき、入力電流
inは流れない。
【0006】第2に、電源電圧VCCが少し高くなり、抵
抗R11の両端電圧V11がトランジスタQ11のベース・エ
ミッタ間電圧VBE11より高くなると、トランジスタQ11
がオンとなる。したがって、検出端子VOUT に電流が流
れ、検出出力はローレベルとなる。そして、入力電流I
inが流れ始める。
【0007】第3に、電源電圧VCCがさらに高くなる
と、トランジスタQ6 に電流が流れ始め、電圧検出回路
1は動作を開始する。そして、抵抗R2 の両端電圧V2
がトランジスタQ4 およびQ5 (Q5 のエミッタ接合面
積はQ4 のn倍となっている)によって設定されるオフ
セット電圧よりも高くなると、トランジスタQ3 がオン
となる。その結果、トランジスタQ8 〜Q11はすべてオ
フとなり、検出端子VOUT に電流が流れなくなるので、
検出出力はハイレベルとなる。このときの電源電圧VCC
が検出しようとする閾値電圧値VSHである。なお、入力
電流IinはトランジスタQ8 〜Q11がオフとなったた
め、その分だけ少なくなる。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】図10は、従来の電圧
検出回路の一例において電源電圧を変化させたときの検
出端子電圧VOUT および入力電流Iinの値を示す。同図
中、実線αは検出端子電圧VOUT を、破線iは入力電流
inを、それぞれ示す。
【0009】図10に示すように、従来の電圧検出回路
においては、電源電圧VCCが上昇すると、それに比例し
て電源からの入力電流も増大して、電力を浪費しやすい
という問題点があった。
【0010】本考案は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、所定の閾値電圧VSHより電源電圧VCCが高いと
きの電源からの入力電流を低減して、電力の浪費を抑え
ることができる電圧検出回路を提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本考案は上記問題点を解
決するために、一端が検出電圧Vccの一方の極性側に接
続され、該検出電圧Vccに応じた第1の電圧と、該検出
電圧Vccに応じ、かつ、該第1の検出電圧より小さい第
2の分圧電圧とを生成する電圧検出手段(抵抗R 1 、R
2 、R 3 )と、 一端が前記検出電圧V cc の一方の極性側
に接続され、前記電圧検出手段(抵抗R 1 、R 2
3 )で生成された前記第1の検出電圧と前記第2の検
出電圧との差に応じた差動信号を出力する差動増幅部
(トランジスタQ 2 〜Q 5 、抵抗R 4 、R 5 )と、 一端
が前記検出電圧V cc の一方の極性側に接続され、制御端
子に前記差動増幅部(トランジスタQ 2 〜Q 5 、抵抗R
4 、R 5 )の出力差動信号が供給され、前記差動増幅部
(トランジスタQ 2 〜Q 5 、抵抗R 4 、R 5 )の出力差
動信号に応じた検出信号を出力する出力回路部(トラン
ジスタQ 8A )と、 エミッタが前記検出電圧V cc の一方の
極性側に接続され、ベースに前記差動増幅部(トランジ
スタQ 2 〜Q 5 、抵抗R 4 、R 5 )の出力差動信号が供
給される第1のトランジスタ(トランジスタQ 8B )と、
一端に前記第1のトランジスタ(トランジスタQ 8B )の
コレクタが接続され、他端が前記検出電圧V cc の他方の
極性側に接続された第1の抵抗(抵抗R 8 )と、 ベース
が前記第1のトランジスタ(トランジスタQ 8B )のコレ
クタと前記第1の抵抗(抵抗R 8 )の一端との接続点に
接続され、エミッタが前記検出電圧Vccの他方の極性側
に接続された第2のトランジスタ(トランジスタQ 7
と、 一端が前記電圧検出手段(抵抗R 1 、R 2 、R 3
の他端に接続され、他端が前記第2のトランジスタ(ト
ランジスタQ 7 )のコレクタに接続された第2の抵抗
(抵抗R 7 )と、 一端が前記電圧検出手段(抵抗R 1
2 、R 3 )の他端と前記第2の抵抗(抵抗R 7 )の一
端との接続点に接続され、他端が前記検出電圧V cc の他
方の極性側に接続され、制御端子が前記第2のトランジ
スタ(トランジスタQ 7 )のコレ クタと前記第2の抵抗
(抵抗R 7 )の他端との接続点に接続され、前記第2の
トランジスタ(トランジスタQ 7 )のコレクタと前記第
2の抵抗(抵抗R 7 )の他端との接続点から該制御端子
に供給される制御信号に応じて該一端に供給される電流
C1 を制御する第1の電流制御手段(トランジスタ
1 )と、 一端が前記差動増幅部(トランジスタQ 2
5 、抵抗R 4 、R 5 )の他端に接続され、他端が前記
検出電圧Vccの他方の極性側に接続され、制御端子が前
記第2のトランジスタ(トランジスタQ 7 )のコレクタ
と前記第2の抵抗(抵抗R 7 )の他端との接続点に前記
第1の電流制御手段(トランジスタQ 1 )の前記制御端
子と共通に接続され、該制御端子に供給される前記制御
信号に応じて該一端に供給される電流I C6 を制御する第
2の電流制御手段(トランジスタQ 6 、抵抗R 6 )と、
一端が前記出力回路部(トランジスタQ 8A )の他端に接
続され、他端が前記検出電圧の他方の極性側に接続さ
れ、制御端子が前記第2のトランジスタ(トランジスタ
7 )のコレクタと前記第2の抵抗(抵抗R 7 )の他端
との接続点に前記第1及び第2の電流制御手段(トラン
ジスタQ 1 ;トランジスタQ 6 及び抵抗R 6 )の前記制
御端子と共通に接続され、該制御端子に供給される前記
制御信号に応じて該一端に供給される電流I C9 を制御す
る第3の電流制御手段(トランジスタQ 9 及び抵抗
9 )とを有し、 前記検出電圧V CC が所定の電圧より大
きい場合に、前記検出電圧V CC により入力される入力電
流I in を前記検出電圧が前記所定の電圧と等しい場合の
電流より大きくならないように前記第1、第2のトラン
ジスタ(トランジスタQ 8B 、Q 7 )および前記第1、第
2の抵抗(抵抗R 8 、R 7 )それぞれの素子定数を設定
したことを特徴とする。
【0012】
【作用】上記の構成によれば、電源電圧が所定の電圧よ
り大きいときの電源からの入力電流は、電源電圧が所定
の電圧と等しいときの電源からの入力電流より、大きく
なることはない。したがって、電源電圧が所定の電圧よ
り大きいときの回路による電力の浪費を抑えることがで
きる。
【0013】
【実施例】図1は、本考案になる第1実施例の回路図を
示す。同図中、1は電圧検出回路を示し、Q1 〜Q7
9 ,Q11はNPN型トランジスタを、Q8AおよびQ8B
はエミッタ接合面積比が異なるPNP型トランジスタ
を、Q10はPNP型トランジスタを、R1 〜R11および
L は抵抗を、VCCは検出電圧を、VOUT は検出端子
を、それぞれ示す。なお、本実施例において、電源電圧
Vccは特許請求の範囲の検出電圧、抵抗R 1 〜R 3 は特
許請求の範囲の電圧検出手段、トランジスタQ 2 〜Q 5
及び抵抗R 4 、R 5 は特許請求の範囲の差動増幅部、ト
ランジスタQ 8A は特許請求の範囲の出力回路部、トラン
ジスタQ 8B は特許請求の範囲の第1のトランジスタ、ト
ランジスタQ 7 は特許請求の範囲の第2のトランジス
タ、抵抗R 8 は特許請求の範囲の第1の抵抗、抵抗R 7
は特許請求の範囲の第2の抵抗、トランジスタQ 1 は特
許請求の範囲の第1の電流制御手段、トランジスタQ 6
及び抵抗R 6 は特許請求の範囲の第2の電流制御手段、
トランジスタQ 9 及び抵抗R 9 は特許請求の範囲の第3
の電流制御手段に相当し、また、電流I in は特許請求の
範囲の入力電流に相当する。
【0014】また、説明のために抵抗R2 の両端電圧V
2 と、抵抗R4 の両端電圧R4 と、抵抗R7 の両端電圧
7 と、抵抗R8 の両端電圧V8 と、電源からの入力電
流Iinと、抵抗R1 ,R2 ,R3 を流れる電流I1 と、
抵抗R5 を流れる電流I5 と、抵抗R7 を流れる電流I
7 とを定義し、同図中に示す。
【0015】さらに、トランジスタQ1 のベース・エミ
ッタ間電圧VBE1 ,コレクタ電流IC1,コレクタ・エミ
ッタ間電圧VC と、トランジスタQ4 のベース・エミッ
タ間電圧VBE4 ,ベース電流iB4,コレクタ電流I
C4と、トランジスタQ5 のベース・エミッタ間電圧V
BE5 ,コレクタ電流IC5と、トランジスタQ6 のコレク
タ電流IC6と、トランジスタQ7 のベース・エミッタ間
電圧VBE7 ,コレクタ電流IC7と、トランジスタQ8A
よびQ8Bのベースに流れ込む電流iB8と、トランジスタ
8Aのコレクタ電流IC8A と、トランジスタQ8Bのコレ
クタ電流IC8B と、トランジスタQ9 のコレクタ電流I
C9とを定義し、同図中に示す。
【0016】図1において、抵抗R1 の一端は、直流電
源VCCに接続されている。R1 の他端には、抵抗R2
よびR4 の一端が接続されている。R2 の他端は、抵抗
3の一端およびトランジスタQ5 のベースに接続され
ている。抵抗R4 の他端は、抵抗R5 の一端およびトラ
ンジスタQ4 のベースに接続されている。抵抗R5 の他
端は、トランジスタQ6 のコレクタに接続されている。
【0017】トランジスタQ2 およびQ3 のエミッタは
直流電源VCCに接続され、両者のベースは相互に接続さ
れており、さらにトランジスタQ3 のコレクタはベース
と短絡されている。トランジスタQ2 のコレクタは、Q
4 のコレクタに接続されている。トランジスタQ3 のコ
レクタは、Q5 のコレクタに接続されている。トランジ
スタQ4 およびQ5 のエミッタは、相互に接続され、さ
らにトランジスタQ6のコレクタに接続されている。ト
ランジスタQ6 のベースはトランジスタQ1 と共有さ
れ、エミッタは抵抗R6 を介してアースされている。ト
ランジスタQ2 〜Q5 は差動増幅器を構成しており、ト
ランジスタQ4 のコレクタ端子がその出力端子として、
8AおよびQ8Bのベースに接続されている。
【0018】抵抗R3 の他端には、抵抗R7 の一端とト
ランジスタQ1 のコレクタが接続されている。トランジ
スタQ1 のベースは抵抗R7 の他端に接続され、エミッ
タはアースされている。
【0019】トランジスタQ7 のベースは抵抗R8 を介
してアースされ、コレクタは抵抗R7 の他端に接続さ
れ、エミッタはアースされている。トランジスタQ8A
ベースはトランジスタQ4 のコレクタに、エミッタは直
流電源VCCに、コレクタはトランジスタQ8Bのベースと
トランジスタQ9 のコレクタに、それぞれ接続されてい
る。トランジスタQ8BのベースはQ8Aのベースと共有さ
れ、エミッタは直流電源VCCに、コレクタはトランジス
タQ7 のベースに、それぞれ接続されている。
【0020】トランジスタQ9 のベースはトランジスタ
1 ,Q6 のベースと共有され、エミッタは抵抗R9
介してアースされている。トランジスタQ10のエミッタ
は直流電源VCCに、コレクタは抵抗R10を介してトラン
ジスタQ11のベースに、それぞれ接続されている。トラ
ンジスタQ11のベースは抵抗R11を介してアースされ、
コレクタは負荷抵抗RL を介して直流電源VCCに接続さ
れ、エミッタはアースされている。
【0021】
【0022】図1において、第1に、 0≦VCC<V
BE1 の場合には、回路に電流は流れないので、 V
out =VCC すなわち、検出出力はハイレベルとなる。
【0023】第2に、 VBE1 ≦VCC<VSH となる
と、トランジスタQ1 がオンとなり、トランジスタQ 1
とともにベースを共有するQ6 ,Q 9 もオンとなる。た
だし、VSHは本実施例における所定の電圧すなわち閾値
電圧であり、その値 B4≪I5 ≪I1 とすると、 VSH=VBE1 +{V2 ×(R1 +R2 +R3 )/R2 } +R1 ×I5 (1) と表せる。
【0024】なお、(1)式中の抵抗R2 の両端電圧V
2 の値は、 V2 = (R4 /R5 ) ×{Vgo×(1−T/T0 )+VBE04× (T/T0 )} + (k×T/q )×ln(n) (2) である。ただし、VgoはトランジスタQ4,5 を構成す
るシリコンの禁制帯幅のエネルギー (1.12〜1.17
〔eV〕),Tは動作温度〔°K〕、T0 は基準となる動
作温度〔°K〕、VBE04はT=T0 のときのトランジス
タQ4 のべース・エミッタ間電圧〔V〕、kはボルツマ
ン定数1.380662×10-23 〔JK-1〕、qは電子の電荷
量 1.6021892×10-19 〔C〕である。
【0025】このとき、差動増幅器の出力すなわちトラ
ンジスタQ8A,Q8Bのベース入力はオフである。したが
って、トランジスタQ9 のコレクタ電流によってトラン
ジスタQ10,Q11がオンとなる。そして、負荷抵抗RL
に電流が流れるので、 Vout =0 すなわち、検出出
力はローレベルとなる。
【0026】第3に、 VSH≦VCC の場合には、抵抗
2 の両端電圧V2 は先述の(2)式を満たすように制
御されており、差動増幅器の出力が反転してオンとな
る。すると、トランジスタQ8Aがオンとなるので、トラ
ンジスタQ10,Q11はオフとなり、負荷抵抗RL に電流
が流れなくなる。すなわち、 Vout =VCC であり、
検出出力はハイレベルとなる。このとき、トランジスタ
8Bもオンとなり、抵抗R8 を介してコレクタ電流I
C8B が流れる。
【0027】第4に、さらに電源電圧VCCが増大してト
ランジスタQ8Bのコレクタ電流IC8B が増大し、 V8
(=R8 ×IC8B )≧VBE7 となると、トランジスタ
7がオンとなってコレクタ電流が流れるようになり、
抵抗R7 を流れる電流I7 が増大するので、抵抗R7
よる電圧降下も増大し、図1のC点の電圧が上昇する。
【0028】このとき、差動増幅器とトランジスタQ8A
およびQ9 で構成されるアンプの利得は1より十分大き
くなるように各素子定数が設定されているので、電流I
7 は抵抗R2 の両端電圧V2 は、先述の(2)式を満た
す。このとき、抵抗R7 の両端電圧V7 は、VBE1 がほ
ぼ一定で、I7 に比べてQ1 のベース電流が十分小さい
とする。一方、(2)式に示すように閾値V SH は、抵抗
1 、R 2 、R 3 に印加される電圧にトランジスタQ 1
のベース−エミッタ間電圧V BE1 を加算した電圧であ
る。 よって、(2)式から電源電圧V cc は、 cc =V SH +V 7 で表せる。 よって、抵抗R 7 に印加される電圧V 7 は、7 =I7 ×R7 =VCC−VSH (3)と表せる。
【0029】また、前述したように、V cc ≦V SH では、
5 ≪I 1 であるので、抵抗R 1 ,R 2 およびR 3 を流
れる電流をI 1 とすると、抵抗R 2 に印加される電圧V
2 は、 2 =R 2 ×I 1 で表され、よって、電流I 1 は、1 =V2 /R2 (4)で表される。抵抗R 2 に印加される電圧V 2 は先述の
(2)式を満たすように制御されるので、 (4)式の
値はほぼ一定となる。
【0030】さらに、トランジスタQ1 のコレクタ電流
C1は、(3),(4)式より、 IC1=I1 −I7 =(V2 /R2 )−{(VCC−VSH)/R7 } (5) と、表される。
【0031】図2にて、本考案および従来例になる回路
において電源電圧を変化させたときの回路各部の電圧値
を示す。同図中、破線iiは従来例になる回路において抵
抗R1 に流れる電流I1 の値を、実線IIは本実施例にな
る回路において抵抗R1 ,R2 ,R3 に流れる電流I1
の値を、一点鎖線III は本実施例になる回路においてト
ランジスタQ1 に流れるコレクタ電流IC1を、二点鎖線
IVは本実施例になる回路において抵抗R7 に流れる電流
7 を、それぞれ示す。
【0032】図2において、 VCC<VSH の場合に
は、従来例と本実施例になる回路との電流I1 は一致
し、さらにそれはIC1とも一致する。 VCC≧VSH
場合には、従来例ではI1 は電源からの入力電流Iin
比例して増大し続ける。しかし、本実施例になる回路で
は、電源からの入力電流Iinに比例する帰還電流IC8B
によってIC1を低減する電流I7 を生成するので、I1
は横這いとなる。
【0033】また、図3にて、本実施例になる回路にお
いて電源電圧を変化させたときの回路各部の電圧値を示
す。同図中、実線αは検出端子VOUT で検出される電圧
値を、一点鎖線βはトランジスタQ1 のコレクタ・エミ
ッタ間電圧VC を、二点鎖線γは抵抗R2 の両端電圧V
2 を、それぞれ示す。
【0034】図3において、電圧変動検出端子VOUT
電圧は、先述したように 0≦VCC<VBE1 または
SH≦VCC のときは Vout =VCC であり、 V
BE1 ≦VCC<VSH のときは Vout =0 となってい
る。
【0035】図1において電源電圧VCCが増大すると、
(5)式によってトランジスタQ1に流れる電流IC1
減少するので、Q1 とベースを共有するQ6 およびQ9
のコレクタ電流IC6およびIC9も減少する。
【0036】ここで、 VSH≦VCC のときの電源から
の入力電流Iinは Iin=I1 +IC6+IC8A +IC8B (6) と表すことができ、さらに、 IC6 =(V2 /R2 )×ln(IC1/IC6) (7) IC8A +IC8B ={1+(1/n2 )}×IC8A (8) IC8A =(V2 /R2 )×ln(IC1/IC8A ) (9) と表せる。したがって(6)式により、IinはI c6 の減
少に伴って減少する。
【0037】図4は前記で述べた本実施例になる回路に
おいて電源電圧を変化させたときの回路各部の電流値を
示す。同図中、実線Iは電源からの入力電流Iinを、実
線IIは抵抗R1 ,R2 ,R3 に流れる電流I1 を、一点
鎖線III はトランジスタQ1に流れるコレクタ電流IC1
を、実線IVは抵抗R7 に流れる電流I7 を、破線Vはト
ランジスタQ6 に流れるコレクタ電流IC6を、二点鎖線
VIはトランジスタQ8Aに流れるコレクタ電流IC8A を、
二点鎖線VII はトランジスタQ8Bに流れるコレクタ電流
C8B を、それぞれ示す。
【0038】このように、トランジスタQ8Bによって電
源からの入力電流に比例する帰還電流IC8B を生成し、
電源電圧VCCが所定の閾値電圧VSH以上となったとき
に、電源からの入力電流が低減しはじめるように抵抗R
8 を設定し、トランジスタQ8A,Q8Bのエミッタ接合面
積比n2 およびR7 の抵抗値を適当に決めることによっ
て低減の度合いを設定することにより、電圧検出回路の
消費電力を抑えることができる。
【0039】図5〜図8において、本考案になる他の実
施例を示す。図5は信号出力回路部が、図6は比較回路
部が、図7は検出信号の正逆が、図8は負帰還電流の検
出点が、それぞれ第1実施例と異なっている。
【0040】なお、トランジスタおよび直流電源の極性
を反転しても、同様に動作可能である。
【0041】
【考案の効果】上述の如く、本考案によれば、電源電圧
が所定の電圧以上のときの電源からの入力電流は、両者
が等しいときの電源からの入力電流より、大きくならな
いので、電源電圧が所定の電圧以上のときの回路による
消費電力を低く抑えることができる。したがって、経済
的で安全性の高い回路を提供することが可能になるとい
う特長がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案になる第1実施例の回路図である。
【図2】本考案および従来例になる回路において電源電
圧を変化させたときの回路各部の電圧値を示す図であ
る。
【図3】本実施例になる回路において電源電圧を変化さ
せたときの回路各部の電圧値を示す図である。
【図4】本実施例になる回路において電源電圧を変化さ
せたときの回路各部の電流値を示す図である。
【図5】本考案になる第2実施例の回路図である。
【図6】本考案になる第3実施例の回路図である。
【図7】本考案になる第4実施例の回路図である。
【図8】本考案になる第5実施例の回路図である。
【図9】従来の電圧検出回路の一例になる回路図であ
る。
【図10】従来の電圧検出回路の一例において電源電圧
を変化させたときの検出端子電圧および入力電流の値を
示す図である。
【符号の説明】
1 電圧検出回路 VOUT 検出端子 VCC 電圧を検出される直流電圧源 VSH 検出する閾値電圧値 Iin 電源からの入力電流 I1 抵抗R1 を流れる電流 n1 トランジスタQ5 のQ4 に対するエミッタ接合
面積比 n2 トランジスタQ8AのQ8Bに対するエミッタ接合
面積比

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端が検出電圧の一方の極性側に接続さ
    れ、該検出電圧に応じた第1の検出電圧と、該検出電圧
    に応じ、かつ、該第1の検出電圧より小さい第2の検出
    電圧とを生成する電圧検出手段と、 一端が前記検出電圧の一方の極性側に接続され、前記電
    圧検出手段で生成された前記第1の検出電圧と前記第2
    との差に応じた差動信号を出力する差動増幅部と、 一端が前記検出電圧の一方の極性側に接続され、制御端
    子に前記差動増幅部の出力差動信号が供給され、前記差
    動増幅部の出力差動信号に応じた検出信号を出力する出
    力回路部と、 エミッタが前記検出電圧の一方の極性側に接続され、ベ
    ースに前記差動増幅部の出力差動信号が供給される第1
    のトランジスタと、 一端に前記第1のトランジスタのコレクタが接続され、
    他端が前記検出電圧の他方の極性側に接続された第1の
    抵抗と、 ベースが前記第1のトランジスタのコレクタと前記第1
    の抵抗の一端との接続点に接続され、エミッタが前記検
    出電圧の他方の極性側に接続された第2のトランジスタ
    と、 一端が前記電圧検出手段の他端に接続され、他端が前記
    第2のトランジスタのコレクタに接続された第2の抵抗
    と、 一端が前記電圧検出手段の他端と前記第2の抵抗の一端
    との接続点に接続され、他端が前記検出電圧の他方の極
    性側に接続され、制御端子が前記第2のトランジスタの
    コレクタと前記第2の抵抗の他端との接続点に接続さ
    れ、前記第2のトランジスタのコレクタと前記第2の抵
    抗の他端との接続点から該制御端子に供給される制御信
    号に応じて該一端に供給される電流を制御する第1の電
    流制御手段と、 一端が前記差動増幅部の他端に接続され、他端が前記検
    出電圧の他方の極性側に接続され、制御端子が前記第2
    のトランジスタのコレクタと前記第2の抵抗の他端との
    接続点に前記第1の電流制御手段の前記制御端子と共通
    に接続され、該制御端子に供給される前記制御信号に応
    じて該一端に供給される電流を制御する 第2の電流制御
    手段と、 一端が前記出力回路部の他端に接続され、他端が前記検
    出電圧の他方の極性側に接続され、制御端子が前記第2
    のトランジスタのコレクタと前記第2の抵抗の他端との
    接続点に前記第1及び第2の電流制御手段の前記制御端
    子と共通に接続され、該制御端子に供給される前記制御
    信号に応じて該一端に供給される電流を制御する第3の
    電流制御手段とを有し、 前記検出電圧が所定の電圧より大きい場合に、前記検出
    電圧により回路に供給される入力電流を前記検出電圧が
    前記所定の電圧と等しい場合の電流より大きくならない
    ように前記第1、第2のトランジスタおよび前記第1、
    第2の抵抗それぞれの素子定数を設定したことを特徴と
    する電圧検出回路。
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