JP6768619B2 - 定電圧電源回路 - Google Patents

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Description

本実施形態は、定電圧電源回路に関する。
従来、過負荷状態になった時に、電源回路や負荷の破壊を防止する為に過電流保護回路を備えた定電圧電源回路が開示されている。例えば、過負荷状態になった時に出力トランジスタをオフさせることにより、保護動作を行う。しかし、出力トランジスタをオフさせた場合には定電圧を維持する帰還ループが遮断される為、出力電圧が不安定になり、また、過負荷状態が解消した時に定電圧状態に正常に復帰しない場合が生じる。過負荷状態における出力電圧を安定させ、また、定電圧状態に円滑に復帰することが出来る定電圧電源回路が望まれる。
国際公開WO2006/016456号公報
一つの実施形態は、過負荷状態における出力電圧を安定させ、また、定電圧状態に円滑に復帰することが出来る定電圧電源回路を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、定電圧電源回路は、定電圧電源回路は、出力電圧が所定の制御電圧に等しくなる様に制御する電圧帰還回路を有する。出力電流を検知し、前記出力電流が所定の電流値に達するまでは前記所定の制御電圧を一定の電圧に保持し、前記出力電流が前記所定の電流値に達した時に前記所定の制御電圧の値を変化させる電流帰還回路を有する。
図1は、第1の実施形態の定電圧電源回路を示す図である。 図2は、第1の実施形態の定電圧電源回路の動作波形を示す図である。 図3は、第1の実施形態の定電圧電源回路の電圧電流特性を示す図である。 図4は、第2の実施形態の定電圧電源回路を示す図である。 図5は、第2の実施形態の定電圧電源回路の電圧帰還ループの信号伝達特性を示す図である。 図6は、第2の実施形態の定電圧電源回路の電流帰還ループの信号伝達特性を示す図である。 図7は、第2の実施形態の定電圧電源回路の負荷変動に対する応答特性を示す図である。 図8は、第3の実施形態の定電圧電源回路を示す図である。 図9は、第3の実施形態の電源回路の電圧電流特性を示す図である。 図10は、第3の実施形態の定電圧電源回路の消費電力特性を示す図である。 図11は、第3の実施形態の定電圧電源回路の負荷変動に対する応答特性を示す図である。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる定電圧電源回路を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の定電圧電源回路を示す図である。本実施形態の定電圧電源回路は、参照電圧源1を有する。参照電圧源1は、参照電圧Vrefを出力する。参照電圧Vrefは、選択回路2に供給される。
選択回路2は、例えば、過電流検知コンパレータ9の出力する過電流検知信号OCPによって制御されるトランスファゲートで構成される。過電流検知信号OCPによって、参照電圧源1から供給される参照電圧Vrefと電流フィードバック制御用差動増幅器8の電流制御信号Vlmtを選択して出力する。過電流検知信号OCPが「1」の時、すなわち、過電流検知状態の時には電流フィードバック制御用差動増幅器8の電流制御信号Vlmtを出力し、過電流検知状態ではない時、すなわち、過電流検知信号OCPが「0」の時には、参照電圧Vrefを電圧制御信号Vctlとして出力する。
選択回路2の電圧制御信号Vctlは、電圧フィードバック制御用差動増幅器3の反転入力端に供給される。電圧フィードバック制御用差動増幅器3の非反転入力端には、出力電圧Voが抵抗分圧器4によって分圧された出力電圧フィードバック信号Vfbが供給される。抵抗分圧器4は、抵抗41と抵抗42の直列接続を有する。抵抗41と抵抗42は、接続端10で接続される。
電圧フィードバック制御用差動増幅器3は、出力電圧フィードバック信号Vfbと電圧制御信号Vctlの電位差を増幅して、ドライブ制御信号Vdrvを出力する。
ドライブ制御信号Vdrvは、PMOS出力トランジスタ5と出力電流検知用PMOSトランジスタ6のゲート端子に共通に供給される。
PMOS出力トランジスタ5はソースが供給電源Viに接続され、ドレインが出力電圧Voを出力する出力端子12に接続される。PMOS出力トランジスタ5は、ゲートに供給されるドライブ制御信号Vdrvの電圧に従い、供給電源Viから負荷(図示せず)に供給される出力電流Ioを制御する。
出力電流検知用PMOSトランジスタ6は、PMOS出力トランジスタ5と同様に、ソースが供給電源Viに接続され、ゲートがPMOS出力トランジスタ5のゲートと共通接続される。この為、PMOS出力トランジスタ5と出力電流検知用PMOSトランジスタ6はカレントミラー回路を構成する。PMOS出力トランジスタ5と出力電流検知用PMOSトランジスタ6は、同じ電気特性を持つ素子であることが望ましい。
PMOS出力トランジスタ5と出力電流検知用PMOSトランジスタ6の寸法を調整することにより、両トランジスタの電流駆動能力の比を設定することが出来る。この電流駆動能力の比は電流ミラー比と呼ばれる。例えば、出力電流検知用PMOSトランジスタ6とPMOS出力トランジスタ5の寸法の比は1対1000の様に、PMOS出力トランジスタ5に対して出力電流検知用PMOSトランジスタ6の電流駆動能力が小さくなる様に設定する。この場合、電流ミラー比MISは、1/1000となり、出力電流検知用PMOSトランジスタ6には、PMOS出力トランジスタ5を流れる出力電流IoのMIS倍の電流が流れる。すなわち、出力電流検知用PMOSトランジスタ6に流れる電流Isは、Is=MIS×Ioとなる。すなわち、電流帰還回路120の出力電流検知用PMOSトランジスタ6は、出力電流Ioを検知する。
電流Isが、出力電流量測定抵抗7を流れることにより、出力電流量測定抵抗7の抵抗値をRISとすると、VIS=Is×RISで示される電圧降下が出力電流量測定抵抗7の一端11に生じる。電流量検知信号VISは、電流制御用差動増幅器8の反転入力端子に与えられる。
一方、電流フィードバック制御用差動増幅器8の非反転入力端子には、参照電圧源1の出力信号である参照電圧Vrefが供給される。
電流フィードバック制御用差動増幅器8は、参照電圧Vrefと電流量検知信号VISの電位差を増幅して、電流制限信号Vlmtを出力する。
電流制限信号Vlmtは、選択回路2のアクティブ入力端子に接続されると同時に、過電流検知コンパレータ9の反転入力端子に接続される。
一方、過電流検知コンパレータ9の非反転入力端子には、参照電圧源1が出力する参照電圧Vrefが接続されている。過電流検知コンパレータ9は電流制限信号Vlmtの電位が参照電圧Vrefの電位より低いときに、過電流検知信号OCPとして過電流状態、つまり「1」を出力し、逆のときには、非過電流状態を示す「0」を出力する。
選択回路2は、前述のように、過電流検知コンパレータ9が出力する過電流検知信号OCPの状態に従って、過電流検知信号OCPが過電流検知状態、つまり「1」のとき電流制限信号Vlmtを選択し、過電流検知信号OCPが非過電流検知状態、つまり「0」のとき参照電圧Vrefを選択して、その電位を電圧制御信号Vctlとして出力する。
出力電圧Voは抵抗分圧器4に入力され、抵抗分圧器4はその分圧比Hfbで求められる出力電圧フィードバック信号Vfb(=Vo/Hfb)を出力する。出力電圧フィードバック信号Vfbは、電圧制御用差動増幅器3にフィードバックされ、電圧制御用差動増幅器3の作用により、出力電圧フィードバック信号Vfbの電圧と電圧制御信号Vctlの電圧が一致するように、制御される。すなわち、出力電圧Voは、Vctl×Hfbとなるように制御される。
出力電圧フィードバック信号Vfbの電圧が高くなると、電圧制御用差動増幅器3の非反転入力端の電圧が上昇する。これにより、ドライブ制御信号Vdrvが上昇する為、PMOS出力トランジスタ5のゲート電圧が上昇する。この為、PMOS出力トランジスタ5の導電度が下がる為、出力電流Ioが減少し、出力電圧Voを下げる。すなわち、電圧帰還回路110は、負帰還ループを構成する。
この作用により、過負荷状態のときに、出力電流Ioは、Io=Vref/RIS/MISで定められる値に制限される。一方、非過負荷状態のとき、つまり通常動作状態では、出力電圧Voは、Vo=Vref・Hfbで定められる定電圧源として動作する。
図2は、第1の実施形態の電源回路の動作波形を示す図である。図2の上段は抵抗負荷(1/R)、中段は出力電圧Vo、下段は、出力電流Ioを示す。負荷の抵抗Rが小さくなるのに従って出力電流Ioが増える為、便宜的に、抵抗負荷としては抵抗Rの逆数である1/Rで示している。以下、同様である。図2の動作波形図は、出力端子12に接続された抵抗負荷(図示せず)が軽い状態から徐々に重くなり、やがて、過負荷状態となり、再び、軽い状態に戻るときの、出力端子12の出力電圧Voと出力電流Ioを表している。
抵抗負荷が軽く、すなわち、Vo/R<Vref/RIS/MISで表されるような軽い状態(通常動作状態)では、出力電圧Voは、Vref・Hfbで表されるように一定の値を示す。
抵抗負荷(1/R)が徐々に大きくなるに従って、出力電流Ioは、Io=Vref・Hfb/Rで示されるように徐々に増加する。
やがて、抵抗負荷が、Vo/R>Vref/RIS/MISで表されるように過負荷状態となったとき、出力電流Ioは、Vref/RIS/MISで表される一定値に制限され、出力電圧Voは、R・Vref/RIS/MISで表されるように低下する。
即ち、この状態が過電流保護状態であり、出力電圧Voを下げることにより、負荷に流れる電流を制限し、発熱や破壊というトラブルを防いでいる。再び、抵抗負荷(1/R)が軽くなると出力電圧Voはそれに応じて上昇し、過負荷状態が解消したときに、定電圧状態に復帰する。
図3は、第1の実施形態の定電圧電源回路の電圧電流特性を示す図である。横軸は出力電流Io、縦軸は出力電圧Voを示す。第1の実施形態の定電圧電源回路の電圧電流特性は、図3に示されるように、出力電流Ioが過電流状態の座標点(Vref/RIS/MIS)で、出力電圧Voが90度折れ曲がるように急峻に低下する。すなわち、垂下型過電流保護特性を示す。そして、過負荷状態が解消したときに、定電圧状態に復帰する。すなわち、点線(i)で示す軌跡を辿る動作特性を示す。
本実施形態の定電圧電源回路は、出力電圧Voを分圧した出力電圧フィードバック信号Vfbが電圧制御信号Vctlの電圧に等しくなるように制御する電圧帰還回路110を有する。定常状態では、出力電圧Voが所定の電圧値Vref・Hfbに等しくなるように制御する。
過電流状態になると、出力電圧Voは、急峻に低下する。しかし過電流状態においても、電圧帰還回路110は正常に動作している。過電流状態においては、出力電圧Voを追随させる電圧制御信号Vctlの電圧を定電圧の参照電圧Vrefから変化させ、出力電圧Voを参照電圧Vrefと出力電流Ioに応じて変化する電流量検知信号VISの差電圧に応じて変化する電流制限信号Vlmtに追随させる制御が行われる。
選択回路2から出力される電圧制御信号Vctlを参照電圧Vrefと電流制限信号Vlmtとの間で切換える制御は、過電流検知コンパレータ9による参照電圧Vrefと電流制限信号Vlmtとの比較結果によって行われる。すなわち、電流帰還回路120の制御の下で行われる。
電流制限信号Vlmtは、参照電圧Vrefと出力電流Ioに応じて変化する電流量検知信号VISとの差電圧に応じて変化するが、選択回路2から出力される電圧制御信号Vctlの上限値は参照電圧Vrefである。また、出力電流Ioは、過電流状態の座標点(Vref/RIS/MIS)で制限される。すなわち、過電流状態の出力電流Ioが一定になる様に制御される。
出力電流Ioが設定した電流値(Vref/RIS/MIS)に達した時に、電圧帰還回路110のPMOS出力トランジスタ5のゲートに供給される電圧制御信号Vctlの電圧を参照電圧Vrefから電流制限信号Vlmtに変化させる制御が行われる。
従って、過電流保護移行時と復帰時の電圧電流特性が異なるというようなことはなく、過負荷状態の解消時に出力電圧Voがオーバーシュートするようなこともない。過負荷状態においても過剰な出力電流Ioが流れることを防止し、さらに、復帰時においても出力電圧Voが高電圧にオーバーシュートすることがない安全な定電圧電源回路を提供することができる。
(第2の実施形態)
図4は、第2の実施形態の定電圧電源回路を示す図である。既述の実施形態に対応する構成には同一の符号を付している。本実施形態の定電圧電源回路は、出力端子12に、平滑コンデンサ510を備える。平滑コンデンサ510は、負荷抵抗511に並列に接続される。平滑コンデンサ510は、出力電圧Voのリップルを低減させ、安定した電圧を負荷抵抗511に供給する。便宜的に、平滑コンデンサ510と負荷抵抗511により負荷51が構成される構成にしている。
本実施形態の定電圧電源回路の電圧帰還回路110は、電圧制御用差動電圧電流増幅器31と電圧制御用位相補償回路32を備える。電圧制御用差動電圧電流増幅器31は、非反転入力端と反転入力端の間の電圧差に対して電圧制御用差動電圧電流増幅器31の利得倍の電流を出力する。
電圧制御用位相補償回路32は2つの位相補償容量321と322を有する。
電流帰還回路120は、電流制御用差動電圧電流増幅器81と電流制御用位相補償回路82と電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83を備える。電流制御用差動電圧電流増幅器81は、非反転入力端と反転入力端の間の電圧差に対して電流制御用差動電圧電流増幅器81の利得倍の電流を出力する。
電流制御用位相補償回路82は、位相補償容量823と2つの位相補償抵抗821、822を有する。
本実施形態の定電圧電源回路の電圧帰還回路110のフィードバック制御の安定性について説明する。出力電圧フィードバック信号Vfbを切断したときのオープンループ小信号伝達特性のボード(bode)線図を図5に示す。図5において、実線(ii)は利得(gain)を示し、点線(iii)は位相を示す。
まず、位相補償容量321によりPMOS出力トランジスタ5のゲート端子とドレイン端子を接続して、ドライバポールpdrvの周波数を下げ、ファーストポールポールp1に設定する。このとき、その位相補償容量321の容量Cc1を調整して、電圧フィードバック制御の電圧フィードバック制御ユニティゲイン周波数fvuを定める。
次に、位相補償容量322と抵抗42により出力電圧Voと出力電圧フィードバック信号Vfbを接続して、ポールp2とゼロZ2を追加する。このとき、位相補償容量322の容量Cc2と抵抗42の抵抗値Rfbの大きさを調整して、追加するゼロZ2の周波数を出力電源ポールpoの周波数に合わせて相殺し、追加するポールp2を電圧フィードバック制御ユニティゲイン周波数fvuより高く設定する。このように、位相マージンPMを、例えば、60度程に設定することにより、電圧帰還回路110の負帰還制御の安定性を確保する。
出力端子12に平滑コンデンサ510を設けることにより、電圧帰還回路110における帰還制御に遅れが生じる。電圧帰還回路110における位相遅れを、電圧制御用位相補償回路32によって利得を下げることによって補い、電圧帰還回路110の発振を防ぐことができる。電圧制御用位相補償回路32の構成は、所望する特性に応じて、適宜変更することが出来る。
つぎに、本実施形態の電源回路の電流帰還回路120のフィードバック制御の安定性について、図6を用いて説明する。図6において、実線(ii)は利得(gain)を示し、点線(iii)は位相を示す。
電流制御用位相補償回路82を接続して、電流帰還回路120のフィードバック制御系の安定化を図る。まず、位相補償容量823と位相補償抵抗822を直列に接続して、電流制御用位相補償回路82の出力端子と反転入力端子とを接続する。これにより、電流制限ポールは低い周波数に移動して電流フィードバック制御用位相補償ポールp3となり、高周波領域に電流フィードバック制御用位相補償ゼロ点Z3が生成される。
このとき、電流フィードバック制御用位相補償ポールp3と電流フィードバック制御用位相補償ゼロ点Z3により電圧フィードバック制御ポールpvと電流センスゼロ点Zisを挟むように、位相補償容量823の容量Cc3と位相補償抵抗822の抵抗値Rc3の大きさを調整する。
尚、電流センスゼロ点Zisの周波数は出力端子12に接続される負荷の大きさにより変動するので注意が必要である。
位相補償抵抗821を介して、電流量検知信号VISを電流制御用差動電圧電流増幅器81の反転入力端子に接続する。このとき、位相補償抵抗821の抵抗値Rc4の大きさを調整して、電流フィードバック制御オープンループゲインが等倍(0dB)となる周波数、すなわち、電流フィードバック制御ユニティゲイン周波数fiuが電流フィードバック制御用位相補償ゼロ点Z3の数倍の大きさになるように設定する。すなわち、位相補償抵抗821は、利得(gain)調整に用いられる。
このように電流フィードバック制御ユニティゲイン周波数fiuにおける位相マージンPMを60度程に設定することが出来れば、電流帰還回路120の帰還動作の安定性を確保できる。
もし、図示されない雑多なポールの周波数が電流フィードバック制御ユニティゲイン周波数fiuより低く、十分な大きさの位相マージンPMが得られない場合には、位相補償抵抗821の抵抗値Rc4を調整して電流フィードバック制御ユニティゲイン周波数fiuを低く抑えるとともに、位相補償容量823の容量Cc3と位相補償抵抗822の抵抗値Rc3を調整して位相補償ゼロ点Z3の周波数を低く抑えることが出来る。
本実施形態の定電圧電源回路は、電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83を有する。電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83は、過電流検知信号OCPを受けて、非過電流状態のとき位相補償容量823の両端端子を短絡する。この作用により、非過電流状態のとき、電流制御用差動電圧電流増幅器81は位相補償抵抗822と位相補償抵抗821の抵抗値の比により電圧増幅率が設定される反転増幅器として動作する。
同時に、過電流検知信号OCPは選択回路2の接続状態を制御する。選択回路2は、過電流保護状態のとき電流制御用差動電圧電流増幅器81が出力する電流制限信号Vlmtを電圧制御信号Vctlとして出力し、非過電流保護状態のとき電圧制御信号Vctlを参照電圧源1が出力する参照電圧Vrefに切換える。
本実施形態の定電圧電源回路では、電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83は非過電流状態のときに、電流制御用差動電圧電流増幅器81の出力、電流制限信号Vlmtの電圧を1.2〜2Vの範囲に抑え、位相補償容量823が飽和状態になることを防ぐ。
この動作により、再び過負荷状態になったときに、電流帰還回路120を平衡状態に戻す為のセットリング期間が短縮され、即座に過電流保護状態に移行することができる。なお、電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83は、PMOSトランジスタに限らず、過電流検知信号OCPを受けて短絡状態と開放状態を切替えられるスイッチであればよい。
図7は、第2の実施形態の定電圧電源回路の動作波形図を示す。この動作波形図は、出力端子12に接続された抵抗負荷(1/R)が軽い状態(2mS:ジーメンス)から重い状態(24mS〜200mS)へ瞬時に変化し、一定時間経過後、再び軽い状態(2mS)へ瞬時に変化したときの、出力電圧Voと出力電流Ioの振舞を表している。
図7は、最上段に抵抗負荷(1/R)を示し、以下、下段に向かって、電流制限信号Vlmt、過電流検知信号OCP、電圧制御信号Vctl、出力電圧Vo、出力電流Ioを示す。
まず、過電流保護動作について説明する。図7の最上段の波形が示すように、4ms(秒)時のタイミングで、抵抗負荷(1/R)が瞬時に重くなっている。
それに伴い、図7の出力電圧Voの波形図に点線の円A1で示す様に、出力電圧Voが微小に降下する。出力電圧Voの降下に電圧帰還回路110が反応して、出力電圧Voを元の電圧に戻すため、出力電流Ioが急増する。
その出力電流Ioの増加に、電流制御用差動電圧電流増幅器81が応答して、電流制限信号Vlmtの電圧を急降下させる。電流制限信号Vlmtが参照電圧Vrefの電圧、例えば、1.2Vを下回ると、過電流検知コンパレータ9は負荷状態と判断して、過電流検知信号OCPを高電位にする。
過電流検知信号OCPを選択回路2が受けて、それまで参照電圧Vrefに接続されていた電圧制御信号Vctlを電流制限信号Vlmtに切替える。この作用により、電圧制御信号Vctlの電圧は、1.2Vから徐々に降下する。
電流制限信号Vlmtの電圧が降下するのに従って、電圧帰還回路110は出力電圧Voを降下させる。一旦は急増した出力電流Ioは、出力電圧Voの降下に伴い、再び急降下し、電流帰還回路120の制御により、過電流保護の設定値(Vref/RIS/MIS:例えば、100mA)に安定して保たれる。
ここで、図7に示すように、抵抗負荷(1/R)が1mSから200mSに、例えば、10μsの短時間の間に急増する場合、図7の下段の出力電流Ioの波形図に点線の円A3で示す様に、出力電流Ioは過電流保護の設定値100mAを大きく越え、その2倍の200mA程度に達する。
それでも、その出力電流Ioの大きさは負荷の重さ(1/R:200mS)と出力電圧Voの設定値5Vから求められる電流量(1A)より遥かに小さい値に抑えられている。また、その出力電流Ioが過電流保護の設定値を越える期間は、過電流検知信号OCPが反応するまでの2μs程度である。出力電流Ioが過電流保護の設定値を超える時の値とその期間を、この程度に抑えれば、PMOS出力トランジスタ5が破壊するような不具合が発生するようなことはない。
次に、過電流保護解除動作について説明する。図7の最上段の波形が示すように、5msのタイミングで抵抗負荷(1/R)が2mSへ、瞬時に軽くなっている。それに伴い出力電圧Voが、点線の円A2で示す様に、上昇(回復)し始める。出力電流Ioも、点線の円A4で示す様に減少し始める。
その出力電圧Voの回復速度は的確に制限されている。これは、電流帰還回路120の作用によるもので、出力端子12に接続されている平滑コンデンサ510の容量Coを充電する電流と負荷抵抗(1/R)に流れる電流の和が過電流保護の設定値(=Vref/RIS/MIS)である100mAに保たれるためである。
出力電圧Voが回復するのに従い、電流制限信号Vlmtの電圧も上昇する。その電流制限信号Vlmtが参照電圧Vrefの電圧(=1.2V)より高くなったとき、過電流検知コンパレータ9は過電流保護が解除されたと判断し、過電流検知信号OCPを低電位にする。これを選択回路2が受けて、それまで電流制限信号Vlmtに接続されていた電圧制御信号Vctlを参照電圧Vrefに切替える。
その後は再び定電圧電源回路として動作する。この電流保護動作およびその復帰動作において、電圧帰還回路110の制御ループが切れるようなことはないので、出力電圧Voが不安定になったり、あるいは、設定値を越えてオーバーシュートするような不具合は発生しない。
また、定電圧動作に復帰後、電流帰還回路120の制御ループは切断されるが、代わりに電流フィードバック制御用倍率変更スイッチ83が導通状態となる。このため、電流制御用差動電圧電流増幅器81は反転増幅器として動作し、その出力である電流制限信号Vlmtの電圧は出力電流Ioの大きさに応じて、1.2V〜2Vの間に保たれる。このように、出力電流Ioの大きさは常に監視されているため、次に過負荷状態になったとき、瞬時に過電流保護動作を開始することができる。
本実施形態の定電圧電源回路は、出力負荷が急激に過負荷状態に遷移する場合においても、その出力電流Ioが過大になることを防止し、安定した電流出力を保つことができる。さらに、本実施形態の定電圧電源回路は、過負荷状態が急激に解消された場合において、その出力電圧Voの回復動作が適切に制御され、その電圧が設定値を越えてオーバーシュートするようなことはない。これにより、接続された負荷が急激に変動した場合においても、負荷や定電圧電源回路が破壊することはなく、安全が保たれる。
(第3の実施形態)
図8に第3の実施形態の定電圧電源回路を示す。本実施形態の定電圧電源回路は、図1に示す第1の実施形態の定電圧電源回路に対して、フの字特性過電流保護信号生成器15と過電流保護特性切替器16を加えた例である。その他の部分は第1の実施形態の定電圧電源回路と同様なので、同一の構成要素には同一の符号を付し、説明の重複を避ける。
フの字特性過電流保護信号生成器15は電圧フィードバック信号ボルテージフォロア151とフの字特性過電流保護信号オフセット加算器152と抵抗素子155、156から構成される。抵抗素子156の抵抗値は、抵抗素子155の抵抗値Raddをオフセット比率Dofsで除した値(Radd/Dofs)を有する。
過電流保護特性切替器16は過電流保護特性切替用コンパレータ161と選択回路162から構成される。
電圧フィードバック信号ボルテージフォロア151は抵抗分圧器4の出力である出力電圧フィードバック信号Vfbを受け、その電圧と同じ電圧の信号を出力する。その出力信号を抵抗素子155と156により、参照電圧源1の出力である参照電圧Vrefと結線し、その中点をフの字特性過電流保護信号オフセット加算器152の非反転端子に接続する。
抵抗素子153と154を直列に接続してフの字特性過電流保護信号オフセット加算器152の出力端子と接地電源を結線し、抵抗素子153と154の接続点をフの字特性過電流保護信号オフセット加算器152の反転端子に接続する。
このように構成されたフの字特性過電流保護信号生成器15は、出力電圧フィードバック信号Vfbの電圧と参照電圧Vrefをオフセット比率Dofs倍した電圧を加算した電圧の信号(Vfb+Vref・Dofs)を出力する。
フの字特性過電流保護信号生成器15の出力信号(Vfb+Vref・Dofs)は、過電流保護特性切替用コンパレータ161の反転入力端子に供給され、過電流保護特性切替用コンパレータ161の非反転入力端子には、参照電圧Vrefが供給される。
同様に、選択回路162の一方の入力端子に、フの字特性過電流保護信号生成器15の出力信号(Vfb+Vref・Dofs)が供給され、選択回路162の他方の入力端子に参照電圧Vrefが供給される。選択回路162の制御端子に、過電流保護特性切替用コンパレータ161の出力であるフの字特性選択信号FUが供給される。
フの字特性選択信号FUに応答して、過電流保護特性切替器16は(Vfb+Vref・Dofs)と参照電圧Vrefのいずれかを選択して、フの字特性電流保護信号Vfuとして出力する。
本実施形態の定電圧電源回路の電圧電流特性を図9に示す。負荷が軽い通常状態では、この定電圧電源回路は定電圧源として動作する。
負荷が重くなり、図9において点線で示す負荷直線(L1〜L5)の傾きが小さくなると、出力電圧VoはVref・Hfbで一定のまま、出力電流Ioが増加する。各負荷直線(L1〜L5)と電圧電流特性曲線との交点をQ1〜Q5で示す。電圧電流特性曲線と各負荷直線との交点Q1〜Q5は動作の安定点を示す。
さらに負荷(1/R)が重くなり、(1/R)>1/(Hfb・RIS・MIS)で示されるように重くなり、出力電流Ioが(Vref/RIS/MIS)に達すると、定電圧電源回路は過電流制限動作に入る。このとき、過負荷状態であることを示す過電流検知信号OCPが活性化される。
その後しばらく、負荷が増加しても、出力電流Ioは、Io=Vref/RIS/MISで一定となり、定電圧電源回路は定電流源として動作する。このとき、負荷の増加に伴い出力電圧Voは設定電圧(Vref・Hfb)より低下する。なお、ここまでの動作は図3に示す、第1の実施形態の定電圧電源回路の垂下過電流保護特性と同じである。
さらに負荷が重くなり、出力電圧Voが(Vref・Hfb−Dofs・Vref・Hfb)より低下すると、本実施形態の定電圧電源回路は過電流保護動作に入る。その後、負荷が更に増加すると、出力電圧Voと出力電流Ioを共に減少させる。
その傾き(Vo/Io)を、Vo/Io=Hfb・RIS・MISとし、オフセット比率Dofsを0.1程度の小さな値に設定すると、図9に示すように、過電流保護動作状態において負荷が少しでも重くなると、出力電圧Voと出力電流Ioは急激に減少する。
この傾きとオフセット比率Dofsは、既述したフの字特性過電流保護信号オフセット加算器152に接続される4つの抵抗素子153〜156の比率を調整することにより、自在に設定可能である。
負荷が短絡に近いような重い状態のとき、出力電圧Voは、略、0Vにまで減少し、出力電流Ioは、Io=Dofs・Vref/RIS/MISとなる。
その後、負荷が再び軽くなると、同じ軌道を辿って、出力電圧Voと出力電流Ioは回復する。再び負荷(1/R)が(1/R)<1/(Hfb・RIS・MIS)で示されるように軽くなると、通常の定電圧電源回路に戻り、出力電圧VoはVo=Vref・Hfbのように一定となる。そして、過負荷状態であることを示す過電流検知信号OCPが非活性化される。すなわち、本実施形態の定電圧電源回路は、点線の矢印(iv)で示す軌道を辿る動作特性を示す。
既述した様に、電圧電流特性曲線と各負荷直線との交点Q1〜Q5は動作の安定点を示す。すなわち、安定点をプロットして描いた電圧電流特性曲線がフの字になる特定がフの字特性と呼ばれる。
過電流保護出力電圧電流特性をフの字特性とする目的は、過負荷状態のとき、負荷の保護を強化すると同時に、定電圧電源回路自身を保護することにある。
図3に示されるような垂下特性の過電流保護の場合、負荷で消費される負荷消費パワーP(=Vo・Io)は、負荷(1/R)が増大するのに伴い出力電圧Voは減少し、出力電流Ioは一定なので、減少する。その負荷消費パワーPは、P=R・(Vref/RIS/MISで表される。
しかし、定電圧電源回路を構成するPMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrv(=Vi・Io−P)は、供給電源Viの電圧と出力電流Ioが一定なので、負荷(1/R)が増加し、負荷で消費される負荷消費パワーPが減少するのに伴い、むしろ増加する。
この消費パワーPdrvは熱になるので、過負荷状態で放置すると、PMOS出力トランジスタ5の温度は上昇する。過電流保護機能がない場合は、負荷(1/R)が重くなるのに従い、出力電流Ioが増加し発熱量は非常に大きくなる。
本実施形態の定電圧電源回路の負荷消費パワーPとPMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrvの関係を図10に破線と実線でそれぞれ示す。破線が負荷消費パワーPを示し、実線がPMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrvを示す。本実施形態の定電圧電源回路の過電流保護電圧電流特性はフの字特性となっている。
定電圧動作中の負荷消費パワーPは負荷(1/R)が増加するのに従って増大し、電流制限動作との境界で最大となる。
電流制限動作中の負荷消費パワーP(=Vo・Io)は、負荷(1/R)が増加するのに従い、出力電流Ioは一定に保持されるが出力電圧Voは減少するため、減少する。
負荷(1/R)が更に増加し過電流保護動作に入ると、出力電圧Voと出力電流Ioは共に減少するので、負荷消費パワーPは急速に減少する。一方、PMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrv(=Vi・Io−P)は、定電圧動作では負荷(1/R)が増加するのに従って増大する。
負荷(1/R)が更に増加し、電流制限動作に入っても、PMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrvは増大を続け、その傾きはむしろ急峻になる。しかし、過電流保護動作に入り、負荷(1/R)が更に増大を続けると、出力電流Ioが減少する効果が現れはじめ、PMOS出力トランジスタ5で消費されるパワーPdrvは減少に転じる。
このように、本実施形態の定電圧電源回路が有するフの字特性の過電流保護機能は、負荷が増大して過負荷状態に陥っても、負荷で消費されるパワーを急激に減少させ、負荷が破損することを防ぐことが出来る。同時に、定電圧電源回路を構成する出力トランジスタで消費されるパワーも減少させ、PMOS出力トランジスタ5が破損することも防止する。
尚、本実施形態の定電圧電源回路では、理解を容易にするため、電圧制御用差動増幅器3、8を用いて回路を構成して、その構造と効果を説明した。実際の回路では、第2の実施形態の定電圧電源回路に示されるように、電圧制御用差動電圧電流増幅器31、電流制御用差動電圧電流増幅器81を用いて実装し、電圧制御用位相補償回路32、電流制御用位相補償回路82を加えて、電圧帰還回路110及び電流帰還回路120のフィードバック制御ループを安定化する。その詳細な構成の説明は省略するが、第3の実施形態の定電圧電源回路において、電圧制御用差動電圧電流増幅器31、電流制御用差動電圧電流増幅器81と電圧制御用位相補償回路32、電流制御用位相補償回路82を加えて構成された定電圧電源回路の動作波形を図11に示す。
図11は、図4の第2の実施形態の定電圧電源回路の動作を説明するために用いた図7の動作波形図と同様に、出力端子12に接続された抵抗負(1/R)が軽い状態(2mS)から重い状態(24mS〜200mS)へ瞬時に変化し、一定時間経過後、再び軽い状態(2mS)へ瞬時に変化したときの、出力電圧Voと出力電流Ioの振舞を表している。両者を比較すると第3の実施形態の定電圧電源回路の動作の違いが見えてくる。
抵抗負荷(1/R)が軽い状態(2mS)から重い状態(24mS〜200mS)へ瞬時に変化した4ms直後の各信号の振舞は、垂下特性の過電流保護機能を持つ第2の実施形態の定電圧電源回路の例と、フの字特性の過電流保護機能を持つ第3の実施形態の定電圧電源回路では同じである。4ms時のタイミングで、抵抗負荷(1/R)が瞬時に重くなると、図11の出力電圧Voの波形図に点線の円A5で示す様に、出力電圧Voが降下する。
その後、過負荷状態が継続するときの振舞が異なる。垂下特性の過電流保護では、出力電流Ioは、Io=Vref/RIS/MISで設定される電流制限値、100mA程度の一定の値に留まるが、フの字特性の過電流保護では、点線の円A7で示す様に、出力電流Ioは徐々に低下して行き、やがて、出力電流Ioと出力電圧Voは共に、抵抗負荷(1/R)の大小に応じて、非常に低い状態に安定する。
5msのタイミングで抵抗負荷(1/R)が再び軽い状態(2mS)に急変すると、垂下特性の第2の実施形態、フの字特性の第3の実施形態は共に、その出力電流Ioと出力電圧Voは回復を開始する。
第3の実施形態の定電圧電源回路における、この出力電流Ioと出力電圧Voの回復速度は第2の実施形態の定電圧電源回路に比べてゆっくりである。第3の実施形態の定電圧電源回路においては、過負荷時の出力電圧Voが非常に低い状態になるので、回復に要する時間は長くなる。
出力電圧Voが定電圧状態に復帰したとき、点線の円A8で示す様に、出力電流Ioはピークに達し、その後、軽い負荷状態に合わせて出力電流Ioは急速に減少する。なお、出力電流Ioのピーク値はIo=Vref/RIS/MISで設定される電流制限値、100mA程度で同じである。
また、出力電圧Voの定電圧への復帰直後、点線の円A6で示す様に、その出力電圧Voが設定値を越えるようなオーバーシュートも発生しない。また、図11に示す保護動作において、急激に過負荷状態に移行した直後から過電流保護動作に入るまでの期間以外は、出力電圧Voおよび出力電流Ioが不連続になることがない。さらに、位相補償が適切に施されているならば、負荷(1/R)が過負荷状態を含めて、如何なる値であっても、出力電圧Voが発振するようなことがない。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
なお、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1)
前記差動増幅回路は、前記所定の参照電圧が供給される非反転入力端と前記出力電流に応じた帰還電圧が供給される反転入力端を有し、前記差動増幅回路の前記反転入力端と前記差動増幅回路の出力端の間に接続される位相補償回路を具備することを特徴とする請求項5に記載の定電圧電源回路。
(付記2)
前記出力電圧が供給される出力端子と接地間に接続される平滑コンデンサを有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の定電圧電源回路。
(付記3)
前記電流帰還回路は、前記第1の出力トランジスタと共にカレントミラー回路を構成する第2の出力トランジスタを有することを特徴とする請求項5に記載の定電圧電源回路。
(付記4)
前記電流帰還回路は、
フの字特性過電流保護信号生成器と、
前記フの字特性過電流保護信号生成器の出力電圧と前記所定の参照電圧を選択して出力する第1の選択回路と、
前記出力電流に応じた帰還電圧と前記第1の選択回路の出力が供給される差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力と前記所定の参照電圧を比較する第2の比較回路と、
前記第2の比較回路の出力に応答して、前記所定の参照電圧と前記差動増幅回路の出力のいずれかを選択して前記第1の比較回路に供給する第2の選択回路と、
を具備することを特徴とする請求項2に記載の定電圧電源回路。
(付記5)
前記所定の参照電圧と前記フの字特性過電流保護信号生成器の出力電圧を比較する第3の比較回路を備え、前記第1の選択回路は、前記第3の比較回路の出力によって制御されることを特徴とする付記4に記載の定電圧電源回路。
1 参照電圧源、2 選択回路、4 抵抗分圧器、5 PMOS出力トランジスタ、6 出力電流検知用PMOSトランジスタ、7 出力電流量測定抵抗、12 出力端子、110 電圧帰還回路、120 電流帰還回路。

Claims (5)

  1. 出力電圧が所定の制御電圧に等しくなる様に制御する電圧帰還回路と、
    出力電流を検知し、前記出力電流が所定の電流値に達するまでは前記所定の制御電圧を一定の電圧に保持し、前記出力電流が前記所定の電流値に達した時に前記所定の制御電圧の値を変化させる電流帰還回路と、
    を具備し、
    前記電圧帰還回路は、
    前記出力電圧を分圧した帰還電圧と前記所定の制御電圧を比較する第1の比較回路を具備し、
    前記電流帰還回路は、
    前記出力電流に応じた帰還電圧と所定の参照電圧が供給される差動増幅回路と、
    前記差動増幅回路の出力と前記所定の参照電圧を比較する第2の比較回路と、
    前記第2の比較回路の出力に応答して、前記所定の参照電圧と前記差動増幅回路の出力のいずれかを選択して前記第1の比較回路に供給する選択回路と、
    を具備することを特徴とする定電圧電源回路。
  2. 前記第1の比較回路は、反転入力端と非反転入力端を有し、前記出力電圧を分圧した帰還電圧が前記非反転入力端に供給され、前記所定の制御電圧が前記反転入力端に供給されることを特徴とする請求項に記載の定電圧電源回路。
  3. 出力電圧が所定の制御電圧に等しくなる様に制御する電圧帰還回路と、
    出力電流を検知し、前記出力電流が所定の電流値に達するまでは前記所定の制御電圧を一定の電圧に保持し、前記出力電流が前記所定の電流値に達した時に前記所定の制御電圧の値を変化させる電流帰還回路と、
    を具備し、
    前記電圧帰還回路は、
    前記出力電圧を分圧した帰還電圧が非反転入力端に供給され、前記所定の制御電圧が反転入力端に供給される増幅回路と、
    前記増幅回路の出力端と前記非反転入力端の間に接続される位相補償回路と、
    を具備し、
    前記電流帰還回路は、
    前記出力電流に応じた帰還電圧と所定の参照電圧が供給される差動増幅回路と、
    前記差動増幅回路の出力と前記所定の参照電圧を比較する第1の比較回路と、
    前記第1の比較回路の出力に応答して、前記所定の参照電圧と前記差動増幅回路の出力のいずれかを選択して前記差動増幅回路に供給する選択回路を具備することを特徴とする定電圧電源回路。
  4. 出力電圧が所定の制御電圧に等しくなる様に制御する電圧帰還回路と、
    出力電流を検知し、前記出力電流が所定の電流値に達するまでは前記所定の制御電圧を一定の電圧に保持し、前記出力電流が前記所定の電流値に達した時に前記所定の制御電圧の値を変化させる電流帰還回路と、
    を具備し、
    前記電圧帰還回路は、
    前記出力電圧を分圧した帰還電圧と前記所定の制御電圧を比較する第1の比較回路を具備し、
    前記電流帰還回路は、
    前記出力電圧を分圧した帰還電圧と所定の参照電圧を所定の比率倍した電圧を加算した電圧を出力するフの字特性過電流保護信号生成器と、
    前記フの字特性過電流保護信号生成器の出力電圧と前記所定の参照電圧のいずれか一方を選択して出力する第1の選択回路と、
    前記出力電流に応じた帰還電圧と前記第1の選択回路の出力が供給される差動増幅回路と、
    前記差動増幅回路の出力と前記所定の参照電圧を比較する第2の比較回路と、
    前記第2の比較回路の出力に応答して、前記所定の参照電圧と前記差動増幅回路の出力のいずれかを選択して前記第1の比較回路に供給する第2の選択回路と、
    を具備することを特徴とする定電圧電源回路。
  5. 前記所定の参照電圧と前記フの字特性過電流保護信号生成器の出力電圧を比較する第3の比較回路を備え、前記第1の選択回路は、前記第3の比較回路の出力によって制御されることを特徴とする請求項4に記載の定電圧電源回路。
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