CN100550560C - 过流保护电路 - Google Patents

Abstract

提供一种能够迅速地检测过流状态而不损害电路的稳定性并进行电流限制的过流保护电路，以及使用它的电压调节器。电压生成电路(100)包括调节器(10)、第1检测电路(20)、第2检测电路(30)。第1检测电路(10)包括第1晶体管(22)、第1电阻(R1)、以及误差放大器(24)。第2检测电路(30)包括第2晶体管(32)、第2电阻(R2)、以及检测晶体管(34)。检测晶体管(34)在输出电流Iout超过检测阈值电流时导通而对运算放大器(12)进行限制输出电流的反馈。第2检测电路(30)的检测阈值电流比第1检测电路(20)的检测阈值电流设定得高，其检测动作速度也比第1检测电路(20)的检测动作速度设定得快。

Description

过流保护电路

技术领域

本发明涉及过流保护电路，特别涉及对用作电源电路的电压生成电路的过电流的电路保护技术。

背景技术

在使电压稳定的调节器等中，将功率MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(绝缘栅型双极晶体管)、双极功率晶体管等用作输出晶体管。这些晶体管，作为最大容许电流，以对通常动作时流过的电流值具有足够的余量来设计。

可是，即使在这样以具有足够的设计余量进行设计的情况下，在输出负载电路发生短路的情况等中，超过最大容许电流的过电流流过晶体管，仍然存在对其可靠性产生影响的问题。此外，即使在晶体管的最大容许电流以下，但为了保护被连接到晶体管的负载电路，有进行电流限制的情况。

因此，以往为了保护晶体管避免过电流，或限制在负载电路中流过的电流，在调节器中设置具有电流限制功能的保护电路(专利文献1)。

[专利文献1]特开平5-315852号公报

可是，如在上述文献中也指出的那样，检测在晶体管中流过的电流并具有反馈的电流限制功能的保护电路，存在对电路的稳定性产生影响的问题。即，在为了提高对输出电流的变动的跟踪性而扩大反馈环的频带的情况下，电路的稳定性被损害，存在电路容易发生振荡的问题。相反，在优先电路的稳定性而降低反馈环的增益并将频带变窄，形成不易产生振荡的电路的情况下，不能跟踪输出电流的急剧变化，需要时间来施加电流限制，并存在该期间流过大电流的问题。即，在具有电流限制功能的保护电路中，电路的稳定性和检测动作速度存在权衡(trade-off)的关系。

发明内容

本发明是鉴于上述课题的发明，其目的在于提供一种不损害电路的稳定性而可迅速地检测过电流并进行电流限制的过流保护电路及使用它的电压生成电路。

为了解决上述课题，本发明一方案的对生成电压提供给负载的电压生成电路进行保护的过流保护电路，其特征在于，包括：第1检测电路，监视与所述电压生成电路的输出电流相应的第1电流，当所监视的第1电流大于第1阈值时，限制所述输出电流；和第2检测电路，监视与所述电压生成电路的输出电流相应的第2电流，当所监视的第2电流大于比所述第1阈值高的第2阈值时，限制所述输出电流；其中，使所述第2检测电路的检测动作速度比所述第1检测电路的检测动作速度快。

根据该方案，在优先设计稳定性的第1检测电路中输出电流以不能跟踪的速度急剧上升的情况下，通过动作速度比稳定性优先设置的第2检测电路来进行电流限制，然后，在输出电流比第2检测电路的检测阈值电流小后，只第1检测电路进行电流限制动作。其结果，在第2检测电路变得不稳定、产生振荡前切换为第1检测电路的电流限制，或即使产生振荡也以非常短的时间切换为第1检测电路的电流限制，所以不损害电路的稳定性，可以限制急剧的输出电流的上升。

第1检测电路和第2检测电路的第1阈值、第2阈值的至少一个也可以在电压生成电路的输出电压低时被设定得低。在输出电压低时，即在负载电路短路时，通过将输出电流的限制值设定得低，在输出电流与输出电压特性中，可以获得所谓的フ字特性，可以适当地抑制电路的发热。

可以是所述电压生成电路包括设置在所述输出电流的路径上的输出晶体管和控制所述输出晶体管的运算放大器；所述第1检测电路包括控制端子与所述输出晶体管的控制端子相连，生成与流过所述输出晶体管的输出电流对应的第1电流的第1晶体管，和一端电位被固定，设置在流过所述第1晶体管的第1电流的路径上的第1电阻，将所述第1电阻的另一端产生的电压与对应于所述第1阈值的检测阈值电压进行比较，根据比较结果，对所述运算放大器进行限制所述输出电流的反馈的误差放大器；所述第2检测电路包括控制端子与所述输出晶体管的控制端子相连，生成与流过所述输出晶体管的输出电流对应的第2电流的第2晶体管，一端电位被固定，设置在流过所述第2晶体管的第2电流的路径上的第2电阻，以及一端电位被固定，控制端子被输入所述第2电阻的另一端的电位的检测晶体管，所述检测晶体管通过流过它的电流，对所述运算放大器进行限制所述输出电流的反馈。

‘晶体管的控制端子’指对晶体管的导通/截止进行控制的端子，在FET中指栅极端子，在双极晶体管中指基极端子。

本发明的另一方案是电压生成电路。该电压生成电路的特征在于，包括：包含输出晶体管和控制所述输出晶体管的运算放大器的调节器电路；以及第1检测电路、第2检测电路；所述第1检测电路包括：与所述输出晶体管并联设置的第1晶体管；将一端的电压固定并设置在所述第1晶体管的电流路径上的第1电阻；以及比较所述第1电阻的另一端上呈现的电压和预定的阈值电压，在所述第1电阻的另一端上呈现的电压高时，对所述运算放大器进行限制流过所述输出晶体管的输出电流的反馈的误差放大器；所述第2检测电路包括：与所述输出晶体管并联设置的第2晶体管，将一端的电压固定并设置在所述第2晶体管的电流路径上的第2电阻；以及将所述第2电阻的另一端上呈现的电压输入到控制端子，与其导通/截止动作对应来检测过流状态，并在检测出过流状态时，对所述运算放大器进行限制流过所述输出晶体管的输出电流的反馈的检测晶体管；当将所述预定的阈值电压记为Vth、将所述第1电阻的电阻值记为R1、将所述输出晶体管相对于所述第1晶体管的尺寸比记为M1、将所述检测晶体管的导通和截止的阈值电压记为Vf、将所述第2电阻的电阻值记为R2、将所述输出晶体管相对于所述第2晶体管的尺寸比记为M2时，将以Ith2＝M2/R2×Vf给出的所述第2检测电路的检测阈值电流Ith2设定得比以Ith1＝M1/R1×Vth给出的所述第1检测电路的检测阈值电流Ith1高。

根据该方案，通过高速的第2检测电路和稳定的第1检测电路两个检测电路来检测调节器电路的输出晶体管的过流状态并进行对电流进行限制的反馈，可以不损害电路的稳定性而高速地进行检测、驱动限制。

第1检测电路也可以包括被设置在所述第1电阻的电位固定的一端和接地电位间的第3电阻、以及将所述第3电阻旁路的开关晶体管。在开关晶体管的控制端子上，也可以施加电压生成电路的输出电压。

在开关晶体管被导通时，即在输出电压比阈值电压高时，第3电阻被旁路，所以电流仅通过第1电阻被变换为电压。相反，在输出电压比开关晶体管的栅极阈值电压低时，开关晶体管截止，所以第1电阻和第3电阻被直接连接而进行电流电压变换。根据该方案，按照输出电压，实质性地调节检测阈值电流，所以在输出电压低时，即在负载电路短路时，通过将输出电流的限制值设定得低，在输出电流与输出电压特性中，可以获得所谓的フ字特性，可以适当地抑制电路的发热。

同样地，第2检测电路还可以包括被设置在所述第2电阻的电位固定的一端和接地电位间的第4电阻，以及将所述第4电阻旁路的开关晶体管，在开关晶体管的控制端子上，也可以施加电压生成电路的输出电压。

应该指出，上述结构部件的任意组合或重新排布等都是有效的，并被本发明实施方式所包含。

此外，本发明的发明内容不必论述所有必要特征，以致本发明也可以具有这些论述特征的子组合。

附图说明

图1是表示本发明实施方式的电压生成电路的电路图。

图2(a)、图2(b)是表示被连接到图1的电压生成电路的负载电路短路的情况下的电压、电流的时间波形的图。

图3是表示在第1检测电路中，用于设定与输出电压对应的检测阈值电流的结构的电路图。

图4是表示装载了图1的电压生成电路的电子装置的结构的方框图。

具体实施方式

以下，根据优选实施方式来说明本发明，这些优选实施方式不是限定本发明的范围而是例示本发明。实施方式中论述的所有特征和其组合，对于本发明并不是必需的。

图1是表示本发明实施方式的电压生成电路100的电路图。该电压生成电路100是根据基准电压而将输出电压调节为一定的三端子电压调节器，包括过流保护电路。

图4是表示装载了图1的电压生成电路100的电子装置300的结构的方框图。电子装置300例如是携带电话或PDA(Personal Digital Assistance)、数字照相机、CD播放机等。电子装置300包括电池310、电压生成电路100、负载320。电池310例如是锂离子电池，输出3～4V左右的电池电压。该电池电压Vbat被输入到电压生成电路100的输入端子102。电压生成电路100将输入的电池电压Vbat降压至规定的目标电压，并将输出电压Vout从输出端子104输出。在电压生成电路100的输出端子104上，连接负载320。负载320是将稳定的电压作为必需的各种电路，在电子装置300中，例如CPU、LED和电机、振荡器等被作为负载而装载。在负载320中，流过电压生成电路100的输出电流Iout。

返回到图1。电压生成电路100包括输入端子102、输出端子104、基准电压端子106的三端子。将各个端子上施加的、或呈现的电压称为输入电压Vin、输出电压Vout、基准电压Vref。输入电压Vin是图4的电池电压Vbat。

该电压生成电路100包括调节器10、第1检测电路20、第2检测电路30。

调节器10是包括输出晶体管14、运算放大器12、电阻R16、R18的普通的三端子调节器，根据基准电压端子106上施加的基准电压Vref而将输出端子104的输出电压Vout保持一定。在输出端子104上，连接未图示的负载电路。

运算放大器12的反转输入端子上输入基准电压Vref。而在非反转端子上，反馈输入由电阻R16、R18进行了电阻分割的R18/(R16+R18)倍的输出电压Vout。运算放大器12的输出被输入到输出晶体管14的栅极端子。

输出晶体管14为P型的MOSFET，源极端子成为电压生成电路100的输入端子102，漏极端子成为电压生成电路100的输出端子104。

在调节器10中，运算放大器12对输出晶体管14的栅极电压进行调节，以使非反转输入端子和反转输入端子上输入的电压相等。因此，输出电压Vout被稳定，以使Vout＝Vref×(R16+R18)/R18成立。将通过输出晶体管14流过负载电路的电流称为输出电流Iout。

第1检测电路20包括作为P型MOSFET的第1晶体管22、第1电阻R1、误差放大器24、恒压源26。第1晶体管22与调节器10的输出晶体管14并联设置，以使栅极电压和源极电压相同，其电流能力比输出晶体管14小。因此，在第1晶体管22上，流过与输出电流Iout对应的电流I1。该第1晶体管22中流过的电流I1依赖于输出晶体管14和第1晶体管22的晶体管尺寸比，如果第1晶体管22和输出晶体管14的尺寸比为M1，则在电流I1和输出电流Iout上，Iout＝M1×I1成立。

第1电阻R1设置在第1晶体管22的漏极端子和接地电位端子间，将电流I1变换为电压。即，第1电阻R1上呈现的第1检测电压V1是将输出晶体管14中流过的输出电流Iout所对应的电流变换为电压所得的电压，V1＝I1×R1＝Iout/M1×R1成立。

恒压源26生成检测阈值电压Vth。该检测阈值电压Vth是与第1检测电压V1进行比较的电压，相当于决定与第1检测电路20中的检测阈值电流对应的输出电流(以下，假设为检测阈值电流Ith1)的电压。即，检测阈值电压Vth用检测阈值电流Ith1，根据关系式Vth＝Ith1/M1×R1来决定。

在误差放大器24上，输入第1检测电压V1和由恒压源26生成的检测阈值电压Vth。该误差放大器24将与输出电流Iout对应的第1检测电压V1和与第1检测电路20的检测阈值电流Ith1对应的阈值电压Vth进行比较，在V1＞Vth时，判断为过流状态，并进行反馈，以对运算放大器12限制输出电流。即，第1检测电路20通过将输出电流Iout与检测阈值电流Ith1进行比较，而对负载电路的短路状态进行检测。

为了降低输出晶体管14的输出电流Iout，只要提高输出晶体管14的栅极端子的电压并接近输入电压Vin就可以。在由差动输入级、放大级、输出级构成的普通的运算放大器的情况下，通过将误差放大器24的输出连接到运算放大器12的放大级，在过流状态的情况下使输出晶体管14的栅极电压被强制地改变，也可以进行电流限制。

以上那样构成的第1检测电路20形成从电压生成电路100的输出至运算放大器12的反馈环。因此，误差放大器24为了确保充分的相位裕度并提高电路的稳定性，而降低反馈环的增益，将频带设定得窄。由于不需要使误差放大器24高速响应，所以容易降低误差放大器24的消耗电流，可获得将使用电池的装置的工作时间延长的效果。

第2检测电路30包括作为P型MOSFET的第2晶体管32、第2电阻R2、检测晶体管34。第2晶体管32也与第1晶体管22同样，与调节器10的输出晶体管14并联设置，以使栅极电压和源极电压相同。因此，在第2晶体管32中流过与输出电流Iout对应的电流I2。如果第2晶体管32和输出晶体管14的尺寸比为M2，则对于电流I2和输出电流Iout，Iout＝M2×I2成立。

第2电阻R2设置在第2晶体管32的漏极端子和接地电位端子间，将电流I2变换为电压。即，第2电阻R2上呈现的第2检测电压V2也是将输出晶体管14中流过的输出电流Iout变换为电压所得的电压，V2＝I2×R2＝Iout/M2×R2成立。

检测晶体管34是NPN型的双极晶体管，其基极端子上，被输入第2检测电压V2。在第2检测电路30中，对通过该检测晶体管34而将输出电流Iout变换为电压所得的第2检测电压V2和基极-发射极间二极管的正向上升电压Vf进行比较，根据检测晶体管34的导通/截止而进行过流状态的判定。正向上升电压Vf在通常的硅工艺中为0.7V左右的值。

如上所述，V2＝Iout/M2×R2成立，在该第2检测电压V2超过正向上升电压Vf时判定为过流状态。设该状态反转时的输出电流为Ith2。第2检测电路30通过将输出电流Iout与按Ith2＝M2/R2×Vf提供的检测阈值电流Ith2进行比较，检测负载电路的短路状态。

在过流状态、即Iout＞Ith2时，V2＞Vf，检测晶体管34导通。检测晶体管34的集电极端子也可以与第1检测电路20同样地连接到运算放大器12的放大级。此时，在过流状态中检测晶体管34导通时，检测晶体管34从运算放大器12的放大级引入集电极电流，所以使其电压强制地改变并可以限制输出电流Iout。

以上那样构成的第2检测电路30因具有由检测晶体管34构成的高速的响应速度而具有宽频带。第2检测电路30中的检测阈值电流Ith2与第1检测电路20中的检测阈值电流Ith1的关系中，以Ith2＞Ith1成立来设定。

根据图2(a)、图2(b)来说明有关以上那样构成的电压生成电路100的动作。图2(a)、图2(b)是表示被连接到电压生成电路100上的负载电路短路的情况下的电压、电流的时间波形。设在时刻T0～T1，进行通常的动作，在时刻T1时负载电路发生短路。首先，说明有关只使第1检测电路20动作的情况。

如图2(a)所示，如果在时刻T1时负载电路发生短路，则输出电压Vout下降至接近0V。在该时刻Iout＜Ith1，所以不进行第1检测电路20的电流限制，调节器10要生成以基准电压Vref为基础的输出电压Vout。其结果，如图2(b)所示，输出晶体管14的输出电流Iout急剧地上升。

在时刻T2时，如果输出电流Iout达到第1检测电路20的检测阈值电流Ith1，则误差放大器24开始电流限制。即，通过对运算放大器12施加反馈而使输出晶体管14的栅极电压上升，使输出电流Iout减少。可是，包含该误差放大器24的第1检测电路20的反馈环的频带因确保稳定性而被设定得窄，第1检测电路20的响应速度没有快到能够跟踪输出电流Iout的上升。因此，如图2(b)中虚线所示，在第1检测电路20中，在V1＞Vth1、即Iout＞Ith1后输出电流Iout’继续上升。然后，通过误差放大器24的反馈而使运算放大器12受到控制，输出晶体管14的输出电流Iout’缓慢地减少，接近至检测阈值电流Ith1。

这样，在仅通过第1检测电路20进行电流限制的情况下，因其检测动作速度的限制，输出电流Iout在超过了检测阈值电流Ith1后仍上升并流过大电流，所以作为电路保护是不充分的。

而在仅通过第2检测电路30进行电流限制的情况下，因检测晶体管34的频率宽而确保足够快的检测动作速度，在输出电流Iout超过了检测阈值电流Ith2时立即施加反馈，使输出电流Iout减少。可是，由于相位裕度未充分确保，所以有时电路不稳定，产生振荡。

下面，说明同时使用第1检测电路20和第2检测电路30的情况下的动作。此时的输出电流Iout的波形用图2(b)中实线表示。

如果在时刻T1时负载电路发生短路，则输出电压Vout急剧地变低，输出电流Iout急剧地开始上升。在时刻T2时如果Iout＞Ith1，则通过第1检测电路20检测出过流状态，对运算放大器12施加反馈，以使输出电流Iout减少。可是，如上述那样，由于第1检测电路20的检测动作速度慢，所以输出电流Iout继续上升。

进而，输出电流Iout在时刻T3时上升至第2检测电路30的检测阈值电流Ith2时，检测晶体管34导通，对运算放大器12施加反馈，以对输出电流Iout进行限制。第2检测电路30的检测动作速度快到能够充分跟踪输出电流Iout的变化，所以输出电流Iout立即被限制到Ith2。然后，在时刻T4时，检测动作速度慢的第1检测电路20的反馈开始施加，输出电流Iout开始缓慢地减少，以达到第1检测电路20的检测阈值电流Ith1。由此，与只有第1检测电路20的情况相比，不使输出电流Iout增加，并且尽快地对输出电流Iout施加限制。此外，如果输出电流Iout比第2检测电路30的检测阈值电流Ith2小，则V2＜Vf，第2检测电路30的检测晶体管34截止，反馈路径被断路，所以将电路的不稳定性消除。

如以上那样，根据本实施方式的电压生成电路100，可以应对输出电流Iout的急剧变化来进行电流限制而不损害电路的稳定性。即，在优先设计稳定性的第1检测电路20中，输出电流Iout以不能跟踪的速度急剧地上升的情况下，通过优先设计动作速度的第2检测电路30来进行电流限制，然后，在输出电流Iout比第2检测电路30的检测阈值电流Ith2小后，仅第1检测电路20进行电流限制。

其结果，即使电路因第2检测电路30的反馈路径而不稳定，由于只切换为第1检测电路20的电流限制，所以不损害电路的稳定性，可以限制急剧的输出电流Iout的上升。

而且，在本实施方式中，也可以通过与输出电压Vout对应的电压来改变第1检测电路20和第2检测电路30的检测阈值电流Ith1、Ith2。图3是表示在第1检测电路20中用于设定与输出电压Vout对应的检测阈值电流Ith1的结构的电路图。图3所示的第1检测电路20除了图1所示的第1检测电路20的结构部件以外，还包括第3电阻R3、以及N型的MOSFET的开关晶体管SW3。

第3电阻R3与第1电阻R1串联设置，开关晶体管SW3与第3电阻R3并联设置。

在输出电压Vout比开关晶体管SW3的栅极阈值电压Vt高时，开关晶体管SW3被导通，第3电阻R3被旁路，所以仅通过第1电阻R1，电流被变换为电压。因此，第1检测电压V1按V1＝I1×R1＝Iout/M1×R1来提供。

相反，在输出电压Vout比开关晶体管SW3的栅极阈值电压低时，由于开关晶体管SW3截止，所以第1电阻R1和第3电阻R3被直接连接，进行电流电压变换。此时，第1检测电压V1按V1＝I1×R1＝Iout/M1×(R1+R3)来提供。这意味着在开关晶体管SW3导通的情况下，检测阈值电流Ith1被设定为Ith1＝Vth×M1/R1，在开关晶体管SW3截止的情况下，检测阈值电流Ith1为Ith1＝Vth×M1/(R1+R3)，比导通时设定得低。

例如，设开关晶体管SW3上使用的N型MOSFET的栅极阈值电压Vt为1V，在Vout＜1V时检测阈值电流Ith1被设定得低。在负载电路发生短路，Vout＜1V的情况下，通过将输出晶体管14的电流限制到更低的值，削减通常动作时的无用的消耗电流，同时可以在短路时将输出电流Iout限制到更小的值，从而适当地抑制输出晶体管14的发热。关于第2检测电路30，第2电阻R2也可以同样地构成。此外，取代输出电压Vout，根据将输出电压Vout分压后的电压，也可以对开关晶体管SW3的导通、截止进行控制。

上述实施方式是例示，本领域技术人员应该理解，在它们的各结构部件和各处理工艺的组合上有各种变形例，而这些变形例也在本发明的范围内。

在本实施方式中，以连接到输出端子的负载电路发生短路的情况为例说明了有关过流保护电路的动作，但该电路在负载电路未发生短路的情况下也有效地起作用。例如，在与负载电路并联，或作为负载电路而连接电容器的情况下，在将输出电压Vout提高时，需要使电容器充电。此时，在将输出电压Vout急剧地提高的情况下，电容器中流入突入电流。该突入电流有时有对连接的电容器和其他电路元件的可靠性产生影响的危险。在这样的情况下，本发明的过流保护电路可通过第1检测电路20和第2检测电路30而将输出电流Iout抑制到检测阈值电流Ith1、Ith2以下。

在本实施方式中，说明了对于三端子线性调节器采用过流保护电路的情况，但不限于此。例如，也可以应用于带有调节功能的升压电路等。这种情况下，第1和第2检测电路检测出过流状态时，也可以对PWM控制电路等施加用于限制电流的反馈。即，本发明的过流保护电路可以完全应用于限制输出电流的用途。

在本实施方式中，作为输出晶体管14和第1晶体管22、第2晶体管32，以MOSFET为例进行了说明，但也可以使用双极晶体管等其他类型的晶体管，它们的选择，也可以根据电压生成电路所要求的设计标准、使用的半导体制造工艺等来决定。相反，对于检测晶体管34，也可以使用MOSFET等的晶体管。

在本实施方式中，可以将构成电压生成电路100的元件全部一体集成化，也可以将其一部分用分立部件来构成。将哪个部分集成化，根据成本和占有面积等来决定就可以。

在实施方式中，说明了将电压生成电路100装载在被电池驱动的电子装置300上的情况，但不限于此。例如，在电压生成电路100的输入端子102上，取代电池310，连接AC/DC变换器和DC/DC变换器等的电源，也可以使从电源输出的电压稳定。因此，实施方式的电压生成电路100可以广泛地应用于汽车和家用电器等需要进行过流保护的各种用途。

Claims (7)

1.一种对生成电压提供给负载的电压生成电路进行保护的过流保护电路，其特征在于，包括：

第1检测电路，监视与所述电压生成电路的输出电流相应的第1电流，当所监视的该第1电流大于第1阈值时，限制所述输出电流；和

第2检测电路，监视与所述电压生成电路的输出电流相应的第2电流，当所监视的该第2电流大于比所述第1阈值高的第2阈值时，限制所述输出电流；

其中，使所述第2检测电路的检测动作速度比所述第1检测电路的检测动作速度快。

2.如权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第1检测电路和第2检测电路的所述第1阈值、第2阈值的至少一个在所述电压生成电路的输出电压低时被设定得低。

3.如权利要求1或2所述的过流保护电路，其特征在于，所述电压生成电路包括设置在所述输出电流的路径上的输出晶体管和控制所述输出晶体管的运算放大器；

所述第1检测电路包括

控制端子与所述输出晶体管的控制端子相连，生成与流过所述输出晶体管的输出电流对应的所述第1电流的第1晶体管，

一端电位被固定，设置在流过所述第1晶体管的所述第1电流的路径上的第1电阻，和

将所述第1电阻的另一端产生的电压与对应于所述第1阈值的检测阈值电压进行比较，根据比较结果，对所述运算放大器进行限制所述输出电流的反馈的误差放大器；

所述第2检测电路包括

控制端子与所述输出晶体管的控制端子相连，生成与流过所述输出晶体管的输出电流对应的所述第2电流的第2晶体管，

一端电位被固定，设置在流过所述第2晶体管的所述第2电流的路径上的第2电阻，以及

一端电位被固定，控制端子被输入所述第2电阻的另一端的电位的检测晶体管，

所述检测晶体管通过流过它的电流，对所述运算放大器进行限制所述输出电流的反馈。

4.一种电压生成电路，其特征在于，包括：包含输出晶体管和控制所述输出晶体管的运算放大器的调节器电路；以及第1检测电路、第2检测电路；

其中，所述第1检测电路包括

与所述输出晶体管并联设置的第1晶体管，

将一端的电压固定并设置在所述第1晶体管的电流路径上的第1电阻，以及

比较所述第1电阻的另一端上呈现的电压和预定的阈值电压，在所述第1电阻的另一端上呈现的电压高时，对所述运算放大器进行限制流过所述输出晶体管的输出电流的反馈的误差放大器；

所述第2检测电路包括

与所述输出晶体管并联设置的第2晶体管，

将一端的电压固定并设置在所述第2晶体管的电流路径上的第2电阻，以及

将所述第2电阻的另一端上呈现的电压输入到控制端子，与其导通/截止动作对应来检测过流状态，并在检测出过流状态时，对所述运算放大器进行限制流过所述输出晶体管的输出电流的反馈的检测晶体管；

当将所述预定的阈值电压记为Vth、将所述第1电阻的电阻值记为R1、将所述输出晶体管相对于所述第1晶体管的尺寸比记为M1、将所述检测晶体管的导通和截止的阈值电压记为Vf、将所述第2电阻的电阻值记为R2、将所述输出晶体管相对于所述第2晶体管的尺寸比记为M2时，将以

Ith2＝M2/R2×Vf

给出的所述第2检测电路的检测阈值电流Ith2设定得比以

Ith1＝M1/R1×Vth

给出的所述第1检测电路的检测阈值电流Ith1高。

5.一种电子装置，其特征在于，包括：

电池；以及

将所述电池的电压供给负载的权利要求4所述的电压生成电路。

6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，还包括与所述负载并联连接的电容器。

7.一种电子装置，其特征在于，包括；

电池；以及

对从所述电池流入负载的电流进行限制的权利要求1或2所述的过流保护电路。

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