CN114089226B - 具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，包括可控基准电压产生单元、供电与过流保护单元、有源负载检测单元、防静电损伤单元和逻辑状态输出单元，可控基准电压产生单元输出可调节的电压信号至供电与过流保护单元、有源负载检测电路；供电与过流保护单元的输出电流至有源负载检测单元，该电流在供电与过流保护单元、有源负载检测单元内部产生的电压与参考电压比较，输出比较结果至逻辑状态输出单元；有源负载检测单元连接负载接入端和防静电损伤单元。实现同一射频或模拟集成电路芯片能兼顾不同的应用环境，能够自动检测外置负载情况，能够提供芯片和外置负载的静电和过流保护功能。

Description

具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路
技术领域
本发明涉及射频与模拟集成电路技术领域，具体的说，是一种具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路。
背景技术
射频与模拟集成的电路芯片，在不同的应用场景中，外接器件需求不同，对射频与模拟集成电路芯片的性能指标要求也不同，主芯片需要根据用户外接负载情况进行不同的响应，比如在接收芯片射频输入端，用户可能采用不同的天线，当采用有源天线时，会增加射频前端的功率增益，这会影响接收芯片的链路预算，这就需要接收芯片识别天线种类，并自适应的进行链路预算调整；又如一些电源管理芯片，需要外接一定阻值的电阻，并根据外接电阻值范围进行相应的逻辑操作。这些均需要主芯片具备负载检测能力，并根据检测结果进行不同响应。此外，在外接负载时，可能存在反复插拔、焊接，这很容易产生静电，导致芯片烧毁，这就需要主芯片对负载检测端口进行静电防护，提高主芯片的可靠性；同时，外接负载可能出现失效或者负载不满足使用要求，导致负载电流过大，过大的电流输出，容易导致主芯片功能失效，这就需要主芯片具备过流保护能力。而现有技术中尚没有一种能够同时实现静电防护和过流保护的负载检测电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，用于解决现有技术中尚没有一种能够同时实现静电防护和过流保护的负载检测电路的问题。
本发明通过下述技术方案解决上述问题：
一种具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，包括可控基准电压产生单元、供电与过流保护单元、有源负载检测单元、防静电损伤单元和逻辑状态输出单元，其中：可控基准电压产生单元输出可调节的第一输出信号输入供电与过流保护单元的第一输入端；可控基准电压产生单元输出可调节的第二输出信号输入有源负载检测单元的第一输入端；供电与过流保护单元的第一输出端输出电流至有源负载检测单元的第二输入端，该电流在供电与过流保护单元内部产生的电压与所述第一输出信号比较，由供电与过流保护单元的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元的第一输入端，逻辑状态输出单元的第一输出端用于指示是否接入负载；所述电流在有源负载检测单元产生的电压与所述第二输出信号比较，由有源负载检测单元的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元的第二输出端，逻辑状态输出单元的第二输出端用于指示是否过流以及是否接入负载；有源负载检测单元的第一输出端连接负载接入端和防静电损伤单元的输入端，防静电损伤单元用于将静电或大电流泄放。
工作原理：
当有源负载检测单元的负载接入端连接有源负载时，有源负载检测单元根据来源与供电与过流保护单元输出的电流在有源负载检测单元产生一路电压，该电压与从可控基准电压产生单元得到的第二输出信号进行比较，并比较结果通过第二输出端输出至逻辑状态输出单元，经过逻辑状态输出单元处理，最终从逻辑状态输出单元的第二输出端输出，逻辑状态输出单元的处理逻辑为，当负载接入端有负载接入时，逻辑状态输出单元的第二输出端输出逻辑高电平，反之，输出逻辑低电平，实现接入负载检测。
供电与过流保护单元实时检测其输出至有源负载检测单元的电流，并在其内部产生一路电压，该电压与从可控基准电压产生单元得到的第一输出信号比较，并将比较结果通过供电与过流保护单元的第一输出端输出至逻辑状态输出单元，经过逻辑状态输出单元处理，由逻辑状态输出单元的第一输出端输出。逻辑状态输出单元的处理逻辑为，当负载接入端连接的有源负载不满足要求、焊接短路等异常情况出现时，可能会出现供电与过流保护单元输出至有源负载检测单元的电流过大，此时，供电与过流保护单元会关闭有源负载电流，逻辑状态输出单元的第一输出端输出逻辑高电平；当负载接入端未接入有源负载时，或者接入的有源负载未过流时，逻辑状态输出单元的第一输出端输出逻辑低电平。
在接入有源负载瞬间产生静电或者过流情况下，防静电损伤单元将静电或大电流进行有效泄放，防止电路失效。在无静电或者未过流情况下，此时防静电损伤单元处于高阻抗状态，视为该单元断路。
可控基准电压产生单元的第一输出信号和第二输出信号可以根据输入的数控信号进行调节，使供电与过流保护单元、有源负载检测单元中电压比较的基准电压大小改变，从而可以调整外置有源负载电流阈值、过流保护电流的电流阈值。
通过改变第一输出信号、第二输出信号，最终改变的是逻辑状态输出单元的第一输出端、第二输出端的输出信号的翻转阈值。例如：可控基准电压产生单元产生的第一输出信号越大，外置负载从IL端抽出电流越小，便会导致逻辑状态输出单元的第一输出端信号从0向1翻转。外置负载电流正常阈值区间与可控基准电压产生单元的第二输出信号的关系，与以上描述类似。
应用时，通过将主芯片与有源负载接入端连接，本电路输出的第一输出端和第二输出端输出信号输入主芯片，主芯片可以根据输出信号状态进行主芯片内部电路控制，主芯片逻辑控制的方式根据主芯片的功能而定。因此，本电路能够使主芯片自适应调整芯片内部的电路结构或者性能参数。
优选地，所述供电与过流保护单元包括第一比较器、第一触发器和MOS管M1，第一比较器的正向输入端连接所述第一输出信号，第一比较器的负向输入端通过电阻Rn+1连接工作电压，第一比较器的负向输入端与所述MOS管M1的源极连接，第一比较器的输出端连接第一触发器的控制端，第一触发器的第一输出端连接逻辑状态输出单元的第一输入端，第一触发器的第二输出端连接MOS管M1的栅极；MOS管M1的漏极连接有源负载检测单元的第一输入端。
优选地，所述有源负载检测单元包括第二比较器和电阻Rn+2，电阻Rn+2的一端连接所述MOS管M1的漏极，另一端分别连接第二比较器的负向输入端、所述负载接入端和防静电损伤单元的第一输入端，第二比较器的正向输入端连接所述第二输出信号，第二比较器的输出端连接所述逻辑状态输出单元的第二输入端。
优选地，所述防静电损伤单元包括MOS管M10和电阻Rn+3，MOS管M10的漏极与所述负载接入端连接，MOS管M10的漏极的栅极连接所述电阻Rn+3后与MOS管M10的漏极的源极连接并接地。
优选地，所述可控基准电压产生单元根据输入的第一数控信号调节第一输出信号的大小，根据输入的第二数控信号调节第二输出信号的大小。
优选地，可控基准电压产生单元为N输入转两路输出的选择电路。
优选地，所述逻辑状态输出单元由两个相同的逻辑电路构成，每个所述逻辑电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，MOS管M2和MOS管M3的源极连接工作电压，MOS管M4和MOS管M5的源极接地，MOS管M2和MOS管M4共栅极连接并作为逻辑电路的输入端，MOS管M2的漏极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的栅极和MOS管M5的栅极连接，MOS管M3和MOS管M5共漏极连接并作为逻辑电路的输出端，其中一个逻辑电路的输入端与供电与过流保护单元的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第一输出端；另一个逻辑电路的输入端与有源负载检测单元的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第二输出端。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本发明实现同一射频或模拟集成电路芯片能兼顾不同的应用环境，能够自动检测外置负载情况，自适应调整芯片内部的电路结构或者性能参数，从而实现芯片的高性能、低成本和应用的兼容性。同时，能够提供芯片和外置负载的静电和过流保护功能。
附图说明
图1为本发明的电路结构框图；
图2为本发明的电路原理图；
图3为N路输入转两路输出的选择电路示意图；
图4为第一比较器、第二比较器的电路示意图；
图5为第一触发器的电路示意图；
其中，101-可控基准电压产生单元；102-供电与过流保护单元；103-有源负载检测单元；104-防静电损伤单元；105-逻辑状态输出单元；VREF1-第一输出信号；VREF2-第二输出信号；FLAG1-第一逻辑电平；FLAG2-第二逻辑电平；IN1-第一数字控制码；IN2-第二数字控制码；mux-选择电路；INN-第一输入端；INP-第二输入端；OUT-输出端。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例：
结合附图1和图2所示，一种具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，包括可控基准电压产生单元101、供电与过流保护单元102、有源负载检测单元103、防静电损伤单元104和逻辑状态输出单元105，其中：可控基准电压产生单元101的第一输出端输出可调节的第一输出信号至供电与过流保护单元102的第一输入端；可控基准电压产生单元101的第二输出端输出可调节的第二输出信号至有源负载检测单元103的第一输入端；供电与过流保护单元102的第一输出端输出电流至有源负载检测单元103的第二输入端，该电流在供电与过流保护单元102内部产生的电压与所述第一输出信号比较，由供电与过流保护单元102的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元105的第一输入端，逻辑状态输出单元105的第一输出端用于指示是否接入负载；所述电流在有源负载检测单元103产生的电压与所述第二输出信号比较，由有源负载检测单元103的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元105的第二输出端，逻辑状态输出单元的第二输出端用于指示是否过流以及是否接入负载；有源负载检测单元103的第一输出端连接负载接入端IL和防静电损伤单元104的输入端，防静电损伤单元104用于将静电或大电流泄放。
可控基准电压产生单元101根据其第一输入端的第一数字控制码IN1和第二输入端的第二数字控制码IN2，分别输出第一输出信号VREF1至供电与过流保护单元102，以及输出第二输出信号VREF2至有源负载检测单元103；
供电与过流保护单元102，根据输入的VREF1和其第一输出端的电流大小比较结果，产生第二输出端的比较电压VO1至逻辑状态输出单元105；
有源负载检测单元103，根据输入的VREF2和其第一输出端电流大小比较结果，产生其第二输出端的比较电压VO2至逻辑状态输出单元105；
防静电损伤单元104，会将有源负载检测单元103第三输出端产生的静电或者在外置有源负载过流时产生的尖峰电压进行泄放，从而实现防静电损伤功能；
逻辑状态输出单元105，根据输入的VO1和VO2，产生其第一输出端的第一逻辑电平FLAG1和其第二输出端的第二逻辑电平FLAG2，其中FLAG1指示当前是否过流，FLAG2指示当前是否正确接入有源负载；
作为本发明的优选实施方式，可控基准电压产生单元101，包括R0-Rn共N+1个电阻，N值根据实际要求合理选取、一个N端输入转两端输出的选择电路mux，mux可选用的电路见图3。图3中P1<n:1>、N1<n:1>分别为IN1转换的第一路逻辑控制信号、第二路逻辑控制信号；P1<n:1>包含P1<1>至P1<n>，N1<n:1>包含N1<1>至N1<n>；P2<n:1>、N2<n:1>分别为IN2转换的第一路逻辑控制信号、第二路逻辑控制信号；P2<n:1>包含P2<1>至P2<n>，N2<n:1>包含N2<1>至N2<n>。对应的第一路逻辑控制信号与第二路逻辑控制信号互补。可以分别通过IN1、IN2对VREF1、VREF2进行控制，实现调节基准电压功能。IN1、IN2为数控信号，位宽均为log2(n)。
作为本发明的优选实施方式，所述供电与过流保护单元包括第一比较器、第一触发器和MOS管M1，第一比较器的正向输入端连接所述第一输出信号，第一比较器的负向输入端通过电阻Rn+1连接工作电压VDD，第一比较器的负向输入端与所述MOS管M1的源极连接，第一比较器的输出端连接第一触发器的控制端，第一触发器的第一输出端Q1连接逻辑状态输出单元的第一输入端，第一触发器的第二输出端Q2连接MOS管M1的栅极；MOS管M1的漏极连接有源负载检测单元的第一输入端。第一比较器可选用但不限于如图4所示电路，图4中，INN为比较器的第一输入端；INP为比较器的第二输入端；OUT为比较器的输出端，第一触发器可选用但不限于如图5所示的电路。
作为本发明的优选实施方式，所述有源负载检测单元包括第二比较器和电阻Rn+2，电阻Rn+2的一端连接所述MOS管M1的漏极，另一端分别连接第二比较器的负向输入端、所述负载接入端和防静电损伤单元的第一输入端，第二比较器的正向输入端连接所述第二输出信号，第二比较器的输出端连接所述逻辑状态输出单元的第二输入端。第二比较器可选用但不限于如图4所示的电路。
作为本发明的优选实施方式，所述防静电损伤单元包括MOS管M10和电阻Rn+3，MOS管M10的漏极与所述负载接入端连接，MOS管M10的漏极的栅极连接所述电阻Rn+3后与MOS管M10的漏极的源极连接并接地。
作为本发明的优选实施方式，所述逻辑状态输出单元由两个相同的逻辑电路构成，一个逻辑电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，MOS管M2和MOS管M3的源极连接工作电压，MOS管M4和MOS管M5的源极接地，MOS管M2和MOS管M4共栅极连接并作为逻辑电路的输入端，MOS管M2的漏极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的栅极和MOS管M5的栅极连接，MOS管M3和MOS管M5共漏极连接并作为逻辑电路的输出端，其输入端与供电与过流保护单元的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第一输出端；另一个逻辑电路包括MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8和MOS管M9，MOS管M6和MOS管M7的源极连接工作电压，MOS管M8和MOS管M9的源极接地，MOS管M6和MOS管M8共栅极连接并作为逻辑电路的输入端，MOS管M6的漏极、MOS管M8的漏极、MOS管M7的栅极和MOS管M9的栅极连接，MOS管M7和MOS管M9共漏极连接并作为逻辑电路的输出端，另一个逻辑电路的输入端与有源负载检测单元的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第二输出端。FLAG1、FLAG2分别为VO1、VO2的缓冲输出，主要增加驱动能力。
作为本发明的优选实施方式，所述防静电损伤单元包括MOS管M10和电阻Rn+3，MOS管M10的漏极与所述负载接入端连接，MOS管M10的漏极的栅极连接所述电阻Rn+3后与MOS管M10的漏极的源极连接并接地。
如图2所示，当外置有源负载未接入到负载接入端IL时，在电路启动阶段，第一触发器dff开始充电，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑高，此时MOS管M1处于关闭状态，流过MOS管M1的电流I为0，电阻Rn+1、MOS管M1、电阻Rn+2的电压降均为0。供电与过流保护单元102的第一比较器负向输入端为高电位，VO3电位为逻辑低，有源负载检测单元103的第二比较器负向输入端为高电位，VO2电位为逻辑低；当第一触发器dff充电完成后，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1保持为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑低，此时MOS管M1处于打开状态。由于此时未接入有源负载，流过MOS管M1的电流I依然为0，因此VO2、VO3电位均保持为逻辑低，电路启动完成。在电路启动开始到最终正常工作的整个过程中，VO1、VO2、VO3均为逻辑低，由于逻辑状态输出单元105为缓冲器输出，不改变逻辑状态，因此，逻辑状态输出单元105输出的FLAG1=VO1=0、FLAG2=VO2=0；
当外置有源负载接入到负载接入端IL且IL输出电流未过流时，在电路启动阶段，第一触发器dff开始充电，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑高，此时MOS管M1处于关闭状态，流过MOS管M1的电流I为0，电阻Rn+1电压降为0，供电与过流保护单元102的第一比较器负向输入端为高电位，VO3电位为逻辑低。由于此时外置有源负载已经接入到负载接入端IL，外置有源负载的低输入阻抗将有源负载检测单元103的第二比较器负向输入端拉低为低电位，导致VO2电位为逻辑高；当第一触发器dff充电完成后，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1保持为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑低，此时MOS管M1处于打开状态，开始提供电流给外置有源负载，由于此时电流未过流，电阻Rn+1电压降不足以导致VO3翻转，VO3依然保持逻辑低状态，此时由于外置有源负载低输入阻抗，VO2保持逻辑高状态，电路启动完成。在电路启动开始到最终正常工作的整个过程中，VO1、VO3均为逻辑低，VO2均为逻辑高，由于逻辑状态输出单元105为缓冲器输出，不改变逻辑状态，因此，逻辑状态输出单元105输出的FLAG1=VO1=0、FLAG2=VO2=1。此状态下，电流I满足：
(VDD-VREF2)/(Rn+1+Rn+2)<I<(VDD-VREF1)/Rn+1
当外置有源负载接入到负载接入端IL且IL输出电流过流时，在电路启动阶段，第一触发器dff开始充电，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑高，此时MOS管M1处于关闭状态，流过MOS管M1的电流I为0，电阻Rn+1电压降为0，供电与过流保护单元102的第一比较器的负向输入端为高电位，VO3电位为逻辑低。由于此时外置有源负载已经接入到负载接入端IL，外置有源负载的低输入阻抗将有源负载检测单元103的第二比较器的负向输入端拉低为低电位，导致VO2电位为逻辑高；当第一触发器dff充电完成后，其Q1输出端输出逻辑低，即VO1保持为逻辑低，其Q2输出端输出逻辑低，此时MOS管M1处于打开状态，开始提供电流给外置有源负载，由于此时电流已经过流，电阻Rn+1电压降过大，导致VO3从低电平翻转为高电平，第一触发器dff将数据输入端D的高电位VDD传递到输出端Q1，即VO1从低电平翻转为高电平，Q2也从低电平翻转为高电平，从而关闭MOS管M1，VO3从高电平翻转为低电平，VO1保持逻辑高。在整个过程中，由于外置有源负载的接入，VO2始终保持逻辑高状态，电路启动完成。在电路启动开始到最终正常工作的整个过程中，VO1、VO2最终输出逻辑高，由于逻辑状态输出单元105为缓冲器输出，不改变逻辑状态，因此，逻辑状态输出单元105输出的FLAG1=VO1=1、FLAG2=VO2=1。此状态下，电流I需要满足：
I>(VDD-VREF1)/Rn+1
在负载接入端IL产生静电或者过流产生尖峰电压时，防静电损伤单元104可以提供泄放通路，从而保护了检测电路，提高了芯片可靠性；具备护以及防静电损伤功能，并可以采用CMOS工艺集成到芯片内部，提高芯片可靠性并节省了应用成本。
应用时，通过将主芯片与有源负载接入端连接，本电路输出的第一输出端和第二输出端输出信号输入主芯片，主芯片可以根据输出信号状态进行主芯片内部电路控制，主芯片逻辑控制的方式根据主芯片的功能而定，差异很大，不过一般都可以通过FLAG1和FLAG2组合实现。比如：FLAG1=1、FLAG2=1时，表示目前过流，主芯片有烧毁风险，主芯片会根据这个状态断开电源。又比如：FLAG1=0、FLAG2=1时，表示有源负载工作正常，主芯片打开其全部功能开始工作。因此本发明实现同一射频或模拟集成电路芯片能兼顾不同的应用环境，能够自动检测外置负载情况，自适应调整芯片内部的电路结构或者性能参数。
尽管这里参照本发明的解释性实施例对本发明进行了描述，上述实施例仅为本发明较佳的实施方式，本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。

Claims (7)

1.一种具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，包括可控基准电压产生单元、供电与过流保护单元、有源负载检测单元、防静电损伤单元和逻辑状态输出单元，其中：可控基准电压产生单元输出可调节的第一输出信号输入供电与过流保护单元的第一输入端；可控基准电压产生单元输出可调节的第二输出信号输入有源负载检测单元的第一输入端；供电与过流保护单元的的第一输出端输出电流至有源负载检测单元的第二输入端，该电流在供电与过流保护单元内部产生的电压与所述第一输出信号比较，由供电与过流保护单元的的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元的第一输入端，逻辑状态输出单元的第一输出端用于指示是否接入负载；所述电流在有源负载检测单元产生的电压与所述第二输出信号比较，由有源负载检测单元的第二输出端输出比较结果至逻辑状态输出单元的第二输入端，逻辑状态输出单元的第二输出端用于指示是否过流以及是否接入负载；有源负载检测单元的第一输出端连接负载接入端和防静电损伤单元的输入端，防静电损伤单元用于将静电或大电流泄放。
2.根据权利要求1所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，所述供电与过流保护单元包括第一比较器、第一触发器和MOS管M1，第一比较器的正向输入端连接所述第一输出信号，第一比较器的负向输入端通过电阻Rn+1连接工作电压，第一比较器的负向输入端与所述MOS管M1的源极连接，第一比较器的输出端连接第一触发器的控制端，第一触发器的第一输出端连接逻辑状态输出单元的第一输入端，第一触发器的第二输出端连接MOS管M1的栅极；MOS管M1的漏极连接有源负载检测单元的第一输入端。
3.根据权利要求2所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，所述有源负载检测单元包括第二比较器和电阻Rn+2，电阻Rn+2的一端连接所述MOS管M1的漏极，另一端分别连接第二比较器的负向输入端、所述负载接入端和防静电损伤单元的第一输入端，第二比较器的正向输入端连接所述第二输出信号，第二比较器的输出端连接所述逻辑状态输出单元的第二输入端。
4.根据权利要求3所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，所述防静电损伤单元包括MOS管M10和电阻Rn+3，MOS管M10的漏极与所述负载接入端连接，MOS管M10的漏极的栅极连接所述电阻Rn+3后与MOS管M10的漏极的源极连接并接地。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，所述可控基准电压产生单元根据输入的第一数控信号调节第一输出信号的大小，根据输入的第二数控信号调节第二输出信号的大小。
6.根据权利要求5所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，可控基准电压产生单元为N输入转两路输出的选择电路。
7.根据权利要求1-4中任意一项所述的具有防静电损伤和可控过流保护功能的有源负载检测电路，其特征在于，所述逻辑状态输出单元由两个相同的逻辑电路构成，每个所述逻辑电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5，MOS管M2和MOS管M3的源极连接工作电压，MOS管M4和MOS管M5的源极接地，MOS管M2和MOS管M4共栅极连接并作为逻辑电路的输入端，MOS管M2的漏极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的栅极和MOS管M5的栅极连接，MOS管M3和MOS管M5共漏极连接并作为逻辑电路的输出端，其中一个逻辑电路的输入端与供电与过流保护单元的的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第一输出端；另一个逻辑电路的输入端与有源负载检测单元的第二输出端连接，输出端作为逻辑状态输出单元的第二输出端。
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