CN1985360A - 电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 - Google Patents

电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1985360A
CN1985360A CNA2005800239420A CN200580023942A CN1985360A CN 1985360 A CN1985360 A CN 1985360A CN A2005800239420 A CNA2005800239420 A CN A2005800239420A CN 200580023942 A CN200580023942 A CN 200580023942A CN 1985360 A CN1985360 A CN 1985360A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
electrode material
solar cell
average grain
grain diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800239420A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100411104C (zh
Inventor
石川直挥
生岛聪之
大塚宽之
狩野东彦
矢野政信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN1985360A publication Critical patent/CN1985360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100411104C publication Critical patent/CN100411104C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本发明的电极材料，是至少含有银粉末、玻璃料和有机介质的电极材料，该电极材料的Ag含量，是75wt％以上95wt％以下，且该电极材料中的平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％。本发明的太阳能电池，是具有以此电极材料所形成的电极的太阳能电池。藉此，可以提供一种电极材料，能稳定地充填至已经形成于半导体基板上的电极槽内，并容易形成线宽细且电阻损失小的电极；以及提供一种高输出的太阳能电池，具有以该电极材料所形成的电极。

Description

电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法
技术领域
本发明涉及含有银粉末的电极材料和使用该电极材料来形成电极的太阳能电池等的半导体器件(device)、以及太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池等形成有电极的半导体器件(device)，为了不要遮住光线，需要形成在受光面上的占有面积少且低电阻的电极。因此，以抑制电极宽度的尺寸同时增大电极剖面积为目的，太阳能电池等器件的制造，是通过在基板表面上形成规定的电极槽之后，在该槽的内部形成埋入电极的方式来进行。作为其中一例，例如日本特开平8-37318号公报与特开平8-191152号公报等所揭示，埋入型电极太阳能电池(埋入接触型太阳能电池)被开发出来。
形成太阳能电池的表面指状电极的情况，例如通过网版印刷法所形成的指状电极，通常是宽度120μm、高度15μm。但是，在前述发明的槽内部形成埋入型电极的情况，通过与电镀法联合，能够形成宽度30μm、深度60μm的指状电极。
如此形成的埋入型电极(指状电极)，具有与利用网版印刷法所形成的电极相同程度的电极剖面积，而能够制作出电极宽度小的太阳能电池。由此，不会增大指状电极部的电阻损失，而能够大幅地降低指状阴影损失且增大受光面积，所以可提高太阳能电池的输出。
然而，在如上述使用电镀法来形成埋入电极的工艺中，为了要将电极形成条件保持一致，也就是将析出速度、皮膜组成等等保持一致，电极的金属盐浓度、还原剂浓度等的溶液成分，必须与pH、温度等等，一起严格地分析管理，所以很难稳定地形成具有所希望的质量的电极。而且，使用无电解电镀法的情况，电极的形成成本降低，但是为了要形成规定的剖面积，需要长时间，而具有生产性低的致命缺点。进而，对于器件表面上的微小缺陷，由于容易发生异常析出，难以要求外表美观。
对于此种缺点，在第三次世界光致电压转换(photovoltaic conversion)大会的学术会议录「Buried Contact Solar Cells on Multicrystalline Silicon withOptimized Bulk and Surface Passivation」或日本特开2001-223372号公报中，揭示出一种发明，是通过网版印刷法对电极槽进行电极的埋入，来形成电极宽度小的电极。然而，例如日本特开2001-223372号公报等等，在半导体基板上，形成100μm的槽之后，若对于此槽，塞进通常在由网版印刷法所使用的太阳能电池用的电极材料(电极糊剂)，则在电极材料的烧成时，含在电极材料中的粘合成分烧光，并且电极材料由于银粒子的烧结而收缩。因此，电极材料没有充分地被充填在槽内，同时在槽内会产生电极材料的剥离，而有与半导体基板之间的接触面积降低这样的问题。进而，由于在印刷时与电极材料一起被塞进槽内的空孔在烧成时一口气地膨胀、或是烧光时的分解气体在没有排出口的情况下于槽内膨胀，而会发生使槽内的电极部分断线这样的问题。如此的问题，将会增大太阳能电池的串联电阻，更会导致太阳能电池的输出低下。
而且，在将电极材料塞进槽内的时候，通常是使电极材料的粘度低至40～100Pa·s程度，来使其容易流入槽内；此情况，电极材料会漏至槽外，而发生渗开(渗出(exudation))。在以此方式形成电极的时候，若发生渗开，则由于指状电极的电极宽度会变宽，所以会发生阴影损失增大而使太阳能电池的输出降低这样的问题。另一方面，为了要减少电极的渗开，若单纯地提高网版印刷时的橡皮辊(squeegee)速度，则槽内的电极会发生充填不足，结果指状电极容易断线，而有使太阳能电池输出降低这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于前述问题点而开发出来，本发明的目的在于提供一种电极材料，能够稳定地充填在已经形成于半导体基板上的电极槽内，而能够容易地形成线宽细且电阻损失小的电极；进而，提供一种具有使用该电极材料而形成的电极的高输出太阳能电池、以及太阳能电池的制造方法。
为了达成前述的目的，若根据本发明，提供一种电极材料，是至少含有银粉末、玻璃料和有机介质的电极材料，该电极材料的Ag含量，是75wt％以上95wt％以下，且该电极材料中的平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％。
再者，平均粒径，是指基于SEM照相，测量粒子的直径，然后算出其平均值而得到的SEM粒径。
电极材料，若是此电极材料的Ag含量，是75wt％以上95wt％以下，且该电极材料中的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％，则由于能够稳定地将此电极材料充填在已经形成于半导体基板上的电极槽内，所以能够容易地形成线宽细的电极且与基板之间不会发生间隙，防止槽内的电极发生剥离或断线，且能够稳定地形成电阻损失小的电极。
此时，前述电极材料的粘度是150Pa·s以上400Pa·s以下。
电极材料的粘度若是150Pa·s以上400Pa·s以下，则在将电极材料充填在电极槽内的时候，能够抑制电极材料发生从槽渗出而渗开(bleeding)、或是抑制在电极槽内发生电极的充填不足等的情况。而且，本发明中的粘度，是表示在25℃下，以Brookfield旋转粘度计(HB型SSA 15/6R)，所测得的粘度。
而且，前述电极材料的5rpm/50rpm中的触变性(thixotropy、TI值)为0.5以上2.5以下；又，5rpm/20rpm中的触变性(TI值)，优选为0.5以上2.0以下。
如此这般，电极材料的5rpm/50rpm中的触变性或5rpm/20rpm中的触变性，若是在规定的数值内，则在电极形成时，此电极材料能够更进一步地抑制发生渗开或充填不足的情况。而且，在本发明中，所谓的5rpm/50rpm中的触变性，是表示以旋转粘度计测得的5rpm时的粘度和50rpm时的粘度的比；所谓的5rpm/20rpm中的触变性，是表示以旋转粘度计测得的5rpm时的粘度和20rpm时的粘度的比。
进而，前述有机介质的分解开始温度是170℃以上250℃以下。
如此，有机介质的分解开始温度若是170℃以上250℃以下，由于能够提高电极形成时的有机介质的分解性，所以在烧成电极材料的时候，能够确实地防止有机介质的分解气体所造成的电极的断线，而能够稳定地形成电阻损失非常小的电极。
而且，所谓的分解开始温度，是指在热重量分析(TG)中，溶剂持续挥发，TG曲线往减少方向转变时的温度。
若根据本发明，能够提供一种半导体器件，其特征为：具有以使用前述本发明的电极材料所形成的电极；特别是前述半导体器件，是做成能够发挥作为光起电力器件的功能的太阳能电池。
如此，若是具有使用本发明的电极材料所形成的电极的半导体器件，则能够做成一种高质量的半导体器件：其电极的线宽细，且电极不会发生因为分解气体而断线或是由于电极材料烧成时的收缩所造成的剥离这样的问题，渗开或充填不足等的情况也会被抑制，进而形成电极固有电阻低的电极。特别是如此的本发明的半导体器件，
若是发挥作为光起电力器件的功能的太阳能电池，则由于其电极的线宽细且电阻损失小，所以能够做成可以得到高输出的高质量太阳能电池。
进而，若根据本发明，提供一种太阳能电池，是至少形成pn接合、表面电极和背面电极而构成的太阳能电池，前述表面电极是使用本发明的电极材料所形成。
如此，若是具有使用本发明的电极材料所形成的表面电极的太阳能电池，则能够做成一种太阳能电池：其电极的线宽细，且电极不会发生因为分解气体而断线或是由于电极材料烧成时的收缩所造成的剥离这样的问题，溢开或充填不足等的情况也会被抑制，且电阻损失小；因而能够做成一种可以得到高输出的高质量的太阳能电池。
又，本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征是至少含有：
在具有第一导电型的硅基板的表面，形成与第一导电型相异的第二导电型的不纯物层的步骤；
在前述第二导电型不纯物层上，形成反射防止膜的步骤；
在前述硅基板上，形成电极槽的步骤；及
在已经形成于前述硅基板上的电极槽，使用本发明的电极材料，形成电极的步骤。
若以如此的方式来制造太阳能电池，由于容易形成完全地被充填在电极槽内的线宽细的电极，不会发生剥离或断线，且抑制渗开或充填不足的发生，所以能够稳定地制造出电极的电阻损失被降低而可以得到高输出的高质量太阳能电池。
此情况，前述用以形成电极的步骤，优选是通过网版印刷法来进行。
通过以如此的方式来进行用以形成电极的步骤，由于能以高生产性来制造出高输出的太阳能电池，所以能够谋求太阳能电池的低成本化。
如上所述，若根据本发明的电极材料，由于能够稳定地将电极材料充填在已经形成于半导体基板上的电极槽内，所以能够容易且稳定地形成线宽细的电极，且防止槽内的电极发生剥离或断线。由此，由于能够通过网版印刷法稳定地制造出具有线宽细、电阻损失小的电极的高输出太阳能电池，所以能够以低成本来提供高质量的太阳能电池。
附图说明
图1是概略地表示本发明的太阳能电池构成的概略构成图。
图2是表示本发明的太阳能电池制造方法的一例的流程图。
图3是说明关于在形成电极槽的时候所使用的多片切割锯刀的概略说明图。
图4是表示实施例与比较例的太阳能电池中的电极剖面的剖面图。
【主要元件符号说明】
1：p型硅单结晶基板      2：低浓度的n型不纯物层
3：反射防止层           4：电极槽
5：高浓度的n型不纯物层  6：Al电极
7：高浓度p型不纯物层    8：埋入电极(Ag电极)
9：多片切割锯刀         10：太阳能电池
本发明的最佳实施方式
以下，说明关于本发明的实施形态，但是本发明不限于这些实施形态。
本发明的发明人，为了做成例如能够通过网版印刷法(screen printing)，稳定地形成线宽细、电阻损失小的电极，来作为太阳能电池等的半导体器件(device)的电极，经过细心的实验和重复检讨的结果，发现作为用来形成电极的电极材料，若采用其Ag含量为75wt％以上95wt％以下，且平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％这样的电极材料，是适当的，而完成本发明。
首先，说明关于本发明的电极材料。
本发明的电极材料，至少含有银粉末、玻璃料和有机介质(vehicle)，其电极材料的Ag含量，为75wt％以上95wt％以下，且电极材料中的平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％。
具体地说明，本发明的电极材料，作为主要成份，含有银粉末、玻璃料和有机介质，其电极材料的Ag含量，为75wt％以上95wt％以下。例如，若电极材料的Ag含量不到75wt％，则在形成电极的时候，电极固有电阻变高，太阳能电池的输出会大幅地降低；另一方面，若Ag含量超过95wt％，则会发生电极和半导体基板之间的密着性低、或是电极本身的结合性低下而容易产生电极的剥离或断线等的问题；但是，只要Ag含量在前述本发明的范围内，便不会发生剥离或断线等的问题，而可以稳定地形成电极固有电阻低的电极。
进而，本发明的电极材料，以(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％的比率，含有：平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子与平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的尺寸相异的2种类粒子。
例如，Ag粒子的平均粒径或含量比，若离开前述范围，则变成容易发生由于电极的收缩所导致的接触面积的减少或剥离.断线、或是电极固有电阻增大等等，因而难以形成具有所希望的输出的太阳能电池。也就是说，作为粒径小的Ag粒子，若含有平均粒径不到0.5μm的Ag粒子的情况，在形成电极时，电极材料发生收缩而会发生电极的接触面积减少或剥离等的情况；另一方面，若平均粒径超过3μm，则无法致密地将Ag粒子充填在槽内，变成容易发生电极的断线。作为粒径大的Ag粒子，若含有平均粒径不到4μm的Ag粒子的情况，电极材料依然会发生收缩而容易发生电极的接触面积减少或剥离等的情况；另一方面，若平均粒径超过8μm，则电极固有电阻变大，且也变成容易发生电极的渗开(bleeding)。进而，任一种平均粒径的Ag粒子超过80wt％而过度地含有的情况，在电极形成时，容易发生剥离，基板和电极之间的接触面积低下，而导致太阳能电池的输出低下。
因此，通过以前述的比率来含有平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子，来作为前述的Ag粒子，能够稳定地进行将电极材料充填在已经形成于半导体基板上的电极槽内，因而能够容易地形成线宽例如30～100μm程度的细电极；又，与基板之间不会发生间隙，防止槽内的电极发生剥离.断线，进而抑制渗开或充填不足的发生，而能稳定地形成电阻损失少的电极。而且，要做成如此的含量比时，例如只要分别将具有前述规定的平均粒径的2种银粉末，以规定的比率配合便可以。
而且，在本发明中，关于电极材料所含有的玻璃料和有机介质(vehicle)，并没有特别地限定，例如作为玻璃料，能够使用硼硅酸玻璃。又，作为有机介质，能够使用将具有粘合功能的树脂溶解于有机溶剂中而成；例如作为树脂，能够使用乙基纤维素树脂、醇酸树脂等等；作为有机溶剂，能够使用萜品醇、二甘醇单丁醚、二甘醇单丁醚乙酸酯等等。
如此的本发明的电极材料，其电极材料的粘度，例如在25℃下的Brookfield旋转粘度计(HB型SSA 15/6R)的测定中，优选为150Pa·s以上、400Pa·s以下；又，电极材料的5rpm/50rpm中的触变性(thixotropy、TI值)为0.5以上2.5以下；又，5rpm/20rpm中的触变性(TI值)，优选为0.5以上2.0以下。电极材料的粘度，特别是电极材料的5rpm/50rpm或5rpm/20rpm中的触变性，通过在前述范围内，在电极的形成时，能够有效地抑制发生电极材料从电极槽渗出而发生渗开的情况、或是抑制发生充填不足的情况。
而且，若根据本发明，能够提供一种具有使用前述本发明的电极材料所形成的电极的半导体器件；特别是此半导体器件，能够做成太阳能电池，发挥作为光起电力器件的功能。
也就是说，本发明提供一种太阳能电池，至少形成pn接合、表面电极和背面电极，其表面电极是使用本发明的电极材料所形成。
以下参照附图具体说明关于本发明的太阳能电池。此处，图1是概略地表示本发明的太阳能电池构成的概略构成图。
本发明的太阳能电池10，是在p型硅单结晶基板1的表面侧，低浓度扩散磷等的不纯物，形成低浓度的n型不纯物层2(也称为射极层、扩散层)，而构成pn接合；进而，在低浓度的n型不纯物层2上，形成反射防止层3。作为此反射防止层3，例如可形成氮化硅膜、氧化硅膜、二氧化钛膜、氧化锌膜、氧化锡膜等等。
另一方面，在硅基板的另一面(背面)，形成高浓度地扩散硼等的不纯物而成的高浓度p型不纯物层7、和在其上的作为背面电极的Al电极6。
进而，在已经形成前述反射防止层3的基板表面侧，形成电极槽4；在此电极槽4内，设置埋入电极(Ag电极)8，作为表面电极。在电极槽4的周边部，形成高浓度的n型不纯物层5。
而且，在本发明中，具有如此的构造的太阳能电池10，前述埋入电极8，是利用前述本发明的电极材料所形成。如此这般，若是具有使用本发明的电极材料所形成的埋入电极(表面电极)的太阳能电池，其电极的线宽例如能够细至30μm～100μm程度，且电极不会发生由于分解气体所造成的断线、由于电极材料烧成时的收缩所造成的剥离之类的问题，而成为渗开或充填不足等的发生也会被抑制的电阻损失少的太阳能电池，而能够作出可以得到高输出的高质量太阳能电池。
接着，参照图2说明关于制造如此的本发明的太阳能电池的方法。图2是表示本发明的太阳能电池制造方法的一例的流程图。
(准备硅基板：步骤a)
首先，例如准备结晶面方位(100)的已经掺杂硼的p型硅单结晶基板，作为具有第一导电型的硅基板。制造p型硅单结晶基板的方法，并没有特别地限定，例如通过切克劳斯基法(CZ法)、浮动区熔法(FZ法)等等，育成以规定浓度掺杂硼而成的单结晶锭，将此育成出来的单结晶锭切割成晶片之后，通过实施以往一般要进行的蚀刻步骤等的晶片加工步骤，能够容易地制造出p型硅单结晶基板。此时，准备的p型硅单结晶基板的电阻率，例如优选为做成0.1～20Ω·cm，特别若是做成0.5～2.0Ω·cm，在制造高性能的太阳能电池方面，是适合的。
(在基板表面形成凹凸形状：步骤b)
接着，按照需要，在准备的p型硅单结晶基板的表面，形成凹凸形状。如此地在基板表面形成凹凸形状的理由，是为了降低可视光域的反射率，而需要尽可能地以受光面进行2次以上的反射的缘故。作为在晶片表面形成凹凸形状的方法，例如将准备的硅单结晶基板，浸渍在将异丙醇添加入3重量％的氢氧化钠水溶液中而成的水溶液中，通过湿式蚀刻，能够在基板的两面，形成无规则网纹(random texture)面。又，作为其它代表面表面凹凸形状，可以举出V形槽、U形槽。这些槽可以利用磨削机来形成。又，为了在基板表面形成不规则的凹凸形状，也可以采用酸性蚀刻、反应性离子蚀刻等等。
(形成低浓度n型不纯物层：步骤c)
在基板表面形成凹凸形状之后，在晶片表面，形成与第一导电型(p型)相异的第二导电型的不纯物层也就是低浓度的n型不纯物层(扩散层)。低浓度的n型不纯物层，例如能够通过使用氯氧化磷液体源，并以820℃的温度进行热扩散来形成；由此，在基板表面，形成其薄片电阻大约为100Ω/□的n型不纯物层。此时，在基板背面，为了尽可能地使磷不要扩散，能够利用一种被称为背靠背扩散的扩散方法，将晶片背面互相重迭后，插入扩散晶舟的同一槽内，来进行扩散。在此种扩散方法中，虽然会有扩散掺杂物从基板的端部绕进数毫米左右的情形，但是若进行通过电浆蚀刻、雷射等等所实行的pn分离，则可以防止分路(shunt)。其它，作为形成低浓度n型不纯物层的方法，例如可以采用：利用固体源的热扩散法、使用氯氧化磷源的涂布扩散法、直接注入磷原子的离子植入法等的任何一种方法。
(形成反射防止膜：步骤d)
形成低浓度n型不纯物层之后，在此不纯物层上，形成反射防止膜。例如，使用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition：低压CVD)装置，将已形成有低浓度n型不纯物层的硅单结晶基板，投入LPCVD装置的炉内，然后通过在低压下的甲硅烷与氮气环境中使炉内的温度上升至800℃，能够形成由氮化硅所构成的反射防止膜。此情况，反射防止膜形成70～90nm的厚度是适当的。又，此情况，反射防止膜的折射率若是2.0左右，由于光吸收少、显示出低反射特性，所以较佳。
又，作为其它的反射防止膜，例如可以使用前述的二氧化硅膜、二氧化钛、氧化锌、氧化锡等等。这些反射防止膜之中，热二氧化硅膜的界面态密度(Interface state density)最少，在提高太阳能电池输出特性方面是适合的，但是由于其折射率为1.5左右，例如将太阳能电池封装在模块内的玻璃下的情况，将会有难以将反射率充分地降低的情况。
进而，关于反射防止膜的形成方法，除了前述LPCVD法以外，可以采用电浆CVD法、涂敷法、真空蒸镀法等等，根据耐热性能此点来考虑，通过LPCVD法来形成前述氮化硅膜是适合的。进而，整体的反射率成为最小的条件，例如若是在前述反射防止膜上，形成氟化镁膜这样的折射率在1至2之间的膜，则反射率更低，而能提高生成电流密度。
(形成电极槽：步骤e)
如前述地形成反射防止膜之后，使用例如图3所示的多片切割锯刀9，在已形成有p型硅单结晶基板的反射防止膜的基板表面侧，形成电极槽4。此时，电极槽的槽方向，非平行于<110>方向一事，在使之后的网版印刷时的良率提高方面，是重要的；优选为相对于<110>方向倾斜45度。又，电极槽的剖面形状，也可以是V字形状，但是若是U字形状或长方形状，由于能够更加扩大电极剖面积，所以较佳。又，电极槽，除了利用前述的机械磨削机的方法以外，也能够利用雷射加工法；又，也能够将在前述所形成的反射防止膜作为罩幕来利用，将一部分开口之后，利用通过氟硝酸、高浓度氢氧化钠水溶液所实行的湿式蚀刻法、通过反应性离子蚀刻等的干式蚀刻法等等，来形成电极槽。
(形成高浓度n型不纯物层与p型不纯物层：步骤f)
形成电极槽后，在该电极槽的周围，形成高浓度n型不纯物层，并在基板背面，形成p型不纯物层。例如，通过使用氯氧化磷液体源，并以870℃的温度对基板表面进行磷热扩散，能够在槽内部形成薄片电阻成为30Ω/□程度的高浓度n型不纯物层，之后，通过对基板的背面进行硼的热扩散，能够形成p型不纯物层。如此地在基板的表、背面，分别形成不纯物层的时候，为了避免例如在形成n型不纯物层时磷扩散至基板背面、或是在形成p型不纯物层时磷扩散至基板表面，优选为使用在前述所说明的背靠背扩散，来实施各自的热扩散。又，作为其它的方法，虽然也可以利用一种采用固体扩散源的热扩散法或离子植入法，但是例如将磷与硼掺杂物分别旋转涂布在硅晶片的表面和背面之后，一次堆栈多枚基板同时进行扩散，是一种既简单且经济的有效的方法。
(形成表面电极与背面电极：步骤g)
之后，通过网版印刷法，对基板背面，全面或格子状地涂布由Al所组成的糊剂等(先混合Al粉末和玻璃料、有机介质、溶剂等等，再以三根辊子混练分散后而成的糊剂。也有取代Al粉末而使用Ag和Al的混合物的情况。混练分散，除了使用三根辊子以外，也能够使用超微粉粉碎机(beads mill)、拌砂机(kneader)等等。)，然后例如在洁净的炉内以150℃使其干燥之后，通过在最高温度设定成750℃的近红外线炉内，经过10分钟的烘烤，在基板背面侧，形成Al电极(背面电极)。
进而，在基板表面侧，使用前述本发明的电极材料(先混合Ag粉末和玻璃料、有机介质、溶剂等等，再以三根辊子混练分散后而成的糊剂。)，通过网版印刷法来形成埋入电极(表面电极)。例如，能够使用网版印刷法，通过梳形电极图案印刷制版，在电极槽，印刷前述本发明的电极材料，然后在洁净的炉内以150℃使其干燥之后，通过在最高温度设定成700℃的近红外线炉内，经过5分钟的烘烤，形成埋入电极。而且，在本发明中，埋入电极的形成方法，并没有特别地限定，例如也能够通过分注器(dispenser)来形成埋入电极，但是如前述般地通过采用网版印刷法，由于能以高生产性来制造太阳能电池，所以可以谋求太阳能电池的低成本化。
通过以上的方式来制造太阳能电池，能够容易地形成完全地被充填在电极槽内的线宽细的电极，藉此，能够制造出例如图1所示的不会发生断线、剥离，也可抑制渗开、充填不足等的情况的发生，而可以得到高输出的高质量太阳能电池。
以下，显示实施例与比较例，更具体地说明本发明，但是本发明未限定于这些实施例。
(实施例1～11与比较例1～7)
使用以下的表1所示的18种类的电极材料，依照图2所示的流程图，如以下的方式进行太阳能电池的制造。
而且，电极材料，是由表中所记载的含量的Ag粉末、2wt％玻璃料及剩余含量的有机介质所构成。又，如表1所示，关于5rpm/50rpm中的TI值，由于材料粘度若超过200Pa·s则无法测定，所以关于实施例6～9、11与比较例3、4的电极材料，不行测定。
(准备硅基板：步骤a)
采用CZ法，准备多数枚结晶面方位(100)、10cm见方(10cm×10cm)、切片厚度250μm、比电阻2Ω·cm(掺杂物浓度7.2×1015cm-3)的掺杂硼的p型硅单结晶基板，浸在40重量％的氢氧化纳水溶液中，通过蚀刻来除去在基板上所产生的损伤层。而且，在实施例中，进行除去基板的损伤时，是使用氢氧化纳水溶液，也可以使用氢氧化钾等的强碱性水溶液；又，使用氟硝酸等的酸性水溶液也可以达到同样的目的。
(在基板表面形成凹凸形状：步骤b)
将准备的硅单结晶基板，浸渍在将异丙醇添加入3重量％的氢氧化钠水溶液中而成的水溶液中，通过湿式蚀刻，在基板的两面，形成无规则网纹(randomtexture)面。
(形成低浓度n型不纯物层：步骤c)
使用氯氧化磷液体源，并以820℃的温度对硅单结晶基板进行热扩散，在基板表面，形成其薄片电阻大约为100Ω/□的n型不纯物层。此时，在基板背面，为了尽可能地使磷不要扩散，使用背靠背扩散。
(形成反射防止膜：步骤d)
使用LPCVD装置，将硅单结晶基板在低压下的甲硅烷气体与氮气的环境中加热至800℃，在已形成有n型不纯物层的面上，以80nm的膜厚，形成由氮化硅膜所构成的反射防止膜。
(形成电极槽：步骤e)
使用图3所示的多片切割锯刀，在硅单结晶基板的表面，形成节距2.5mm、宽度60μm、深度50μm的电极槽4。此时，电极槽的槽方向，相对于结晶方位<110>，倾斜45度。
(形成高浓度n型不纯物层与p型不纯物层：步骤f)
在硅基板的表面侧，旋转涂布磷掺杂物，又在背面侧旋转涂布硼掺杂物之后，对基板进行热处理，在电极槽的周围，形成高浓度n型不纯物层，并在基板背面，形成p型不纯物层。
(形成表面电极与背面电极：步骤g)
以氟酸蚀刻除去已经被形成于基板的表面与背面的磷掺杂物、硼掺杂物之后，通过网版印刷法，将由Al所组成的糊剂全面地涂布在基板背面，然后在洁净的炉内以150℃使其干燥。之后，通过在最高温度设定成750℃的近红外线炉内，经过10分钟的烘烤，在基板背面侧，形成Al电极(背面电极)。进而，通过网版印刷法，将以下的表1所示的电极材料，印刷在基板表面侧，然后在洁净的炉内以150℃使其干燥之后，通过在最高温度设定成700℃的近红外线炉内，经过5分钟的烘烤，形成埋入电极槽中的电极(表面电极)。
[表1]
电极材料 Ag含量(wt％)             Ag粉末的配合比率(wt比率) 粘度(Pa·s)在25℃ TI值
0.5～3μm的Ag粒子 4～8μm的Ag粒子 5rpm/20rpm在25℃ 5rpm/50rpm在25℃
0.5μm 1.5μm 3μm 4μm 6μm 8μm
实施例1 85 20 80 200 1.5 2.0
实施例2 85 20 80 170 1.2 1.6
实施例3 85 20 80 150 0.9 1.2
实施例4 85 20 80 200 1.2 1.5
实施例5 85 20 80 180 0.9 1.2
实施例6 85 30 70 210 1.1 不行测定
实施例7 85 50 50 250 1.3 不行测定
实施例8 85 70 30 280 1.5 不行测定
实施例9 85 80 20 300 1.7 不行测定
实施例10 75 20 80 150 0.5 0.7
实施例11 95 80 20 400 1.9 不行测定
比较例1 85 10 90 30 0.3 0.4
比较例2 85 10 90 80 0.5 0.9
比较例3 85 90 10 480 2.5 不行测定
比较例4 85 90 10 350 2.2 不行测定
比较例5 75 90 10 130 1.2 0.9
比较例6 95 10 90 120 0.4 0.7
比较例7 70 80 20 80 0.4 0.5
而且，在25℃的环境中的太阳模拟(光强度：1kW/m2、光谱：总体(global)AM1.5)下，测定制作出来的实施例1～11与比较例1～7的10cm见方的太阳能电池的电流电压特性，并进行指状电极的外观检查。在以下的表2中，表示出此次制作的太阳能电池的典型的太阳能电池的各种特性。进而，在表3中，表示出进行外观检查与剖面观察的结果，并在图4(A)～(D)中，表示埋在电极槽内的表面电极的剖面状态。
[表2]
    电极材料     开放电压(mV)     短路电流密度(mA/cm2)     转换效率(％)     充填因子(Fill Factor)
    实施例1     631     35.9     17.9     0.791
    实施例2     630     35.5     17.6     0.785
    实施例3     629     35.4     17.4     0.781
    实施例4     631     35.6     17.7     0.786
    实施例5     629     35.7     17.6     0.782
    实施例6     630     36.1     17.9     0.788
    实施例7     628     34.7     17.0     0.778
    实施例8     629     36.0     17.3     0.765
    实施例9     632     36.2     18.0     0.787
    实施例10     630     35.8     17.4     0.770
    实施例11     628     36.0     17.4     0.771
    比较例1     623     33.0     15.4     0.750
    比较例2     625     32.8     15.3     0.745
    比较例3     628     35.5     15.7     0.705
    比较例4     631     35.7     15.7     0.699
    比较例5     629     35.5     15.9     0.710
    比较例6     623     33.2     15.5     0.751
    比较例7     628     35.3     15.7     0.707
[表3]
  电极材料   间隙·剥离   固有电阻   渗开   充填不足     剖面形状
  实施例1   -   -   -   -     图4(A)
  实施例2   -   -   -   -     图4(A)
  实施例3   -   -   -   -     图4(A)
  实施例4   -   -   -   -     图4(A)
  实施例5   -   -   -   -     图4(A)
  实施例6   -   -   -   -     图4(A)
  实施例7   -   -   部分发生   -     图4(A)与(D)
  实施例8   -   -   -   部分发生     图4(A)与(C)
  实施例9   -   -   -   部分发生     图4(A)与(C)
  实施例10   -   -   -   -   图4(A)
  实施例11   -   -   -   部分发生   图4(A)与(C)
  比较例1   -   增大   发生   -   图4(D)
  比较例2   -   增大   发生   -   图4(D)
  比较例3   -   -   -   发生   近似图4(A)的形状与(C)
  比较例4   -   -   -   发生   图4(C)
  比较例5   发生间隙·剥离   -   -   -   图4(B)
  比较例6   -   增大   发生   -   图4(D)
  比较例7   发生间隙   -   -   -   图4(B)
如前述表3所示，实施例1～11的太阳能电池，都没有发生剥离或断线，确认了电极和基板具有充分的接触面积，稳定地被形成于电极槽内。又，关于实施例7～9、11，虽然一部分的电极被观察到有渗开或充填不足的情况，其发生处极小，故可知渗开或充填不足的发生会被抑制。
另一方面，比较例1、2、6的太阳能电池，其电极材料的固有电阻增大，并明显地观察到图4(D)所示的渗开。又，关于比较例3、4的太阳能电池，明显地观察到图4所示的充填不足；进而，关于比较例5、7的太阳能电池，电极材料发生收缩而在形成电极时产生剥离或间隙，基板与电极之间的接触面积大幅地降低。
进而，如表2所示，实施例1～11的太阳能电池，其转换效率都高达17％以上，又其充填因子(Fill Factor)相较于比较例的太阳能电池也是优选的，可知其为性能非常高的太阳能电池。另一方面，比较例1～7的太阳能电池，其转换效率都是低至不足16％的值；进而，得知比较例3～5、7的太阳能电池，其充填因子大幅地降低。
而且，本发明并未被限定于前述实施形态。前述实施形态仅是例示，只要是具有与被记载于本发明的权利要求书中的技术思想实质上相同的构成，能得到同样的作用效果，不论为何，皆被包含在本发明的技术范围内。
例如，在前述中，为说明关于制造太阳能电池的情况，但是本发明的电极材料并未限定于应用于此，也同样地能应用于太阳能电池以外的具有电极的半导体器件(device)。

Claims (9)

1.一种电极材料，是至少含有银粉末、玻璃料和有机介质的电极材料，该电极材料的Ag含量是75wt％以上95wt％以下，且该电极材料中的平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子和平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子的含量比(平均粒径0.5μm以上3μm以下的Ag粒子)∶(平均粒径4μm以上8μm以下的Ag粒子)＝20～80wt％∶80～20wt％。
2.如权利要求1所述的电极材料，其中所述电极材料的粘度是150Pa·s以上400Pa·s以下。
3.如权利要求1或2所述的电极材料，其中所述电极材料的5rpm/50rpm中的触变性(TI值)是0.5以上2.5以下；5rpm/20rpm中的触变性(TI值)是0.5以上2.0以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电极材料，其中所述有机介质的分解开始温度是170℃以上250℃以下。
5.一种半导体器件，其特征为：
具有使用权利要求1至4中任一项所述的电极材料所形成的电极。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述半导体器件是发挥作为光起电力器件的功能的太阳能电池。
7.一种太阳能电池，是至少形成pn接合、表面电极和背面电极而构成的太阳能电池，所述表面电极是使用权利要求1至4中任一项所述的电极材料所形成。
8.一种太阳能电池的制造方法，其特征是至少含有：
在具有第一导电型的硅基板的表面，形成与第一导电型相异的第二导电型的不纯物层的步骤；
在所述第二导电型不纯物层上，形成反射防止膜的步骤；
在所述硅基板上，形成电极槽的步骤；及
在已经形成于所述硅基板上的电极槽，使用权利要求1至4中任一项所述的电极材料形成电极的步骤。
9.如权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其中所述用以形成电极的步骤，是通过网版印刷法来进行。
CNB2005800239420A 2004-07-16 2005-06-15 电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 Active CN100411104C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004210213A JP4393938B2 (ja) 2004-07-16 2004-07-16 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法
JP210213/2004 2004-07-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1985360A true CN1985360A (zh) 2007-06-20
CN100411104C CN100411104C (zh) 2008-08-13

Family

ID=35785022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005800239420A Active CN100411104C (zh) 2004-07-16 2005-06-15 电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7705236B2 (zh)
EP (1) EP1775759B1 (zh)
JP (1) JP4393938B2 (zh)
KR (1) KR101082114B1 (zh)
CN (1) CN100411104C (zh)
AU (1) AU2005264235B2 (zh)
ES (1) ES2523660T3 (zh)
WO (1) WO2006008896A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102592703A (zh) * 2012-02-13 2012-07-18 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料
CN104903973A (zh) * 2013-09-13 2015-09-09 第一毛织株式会社 太阳能电池电极用组成物及由该组成物制造的电极
CN105122463A (zh) * 2013-02-12 2015-12-02 索莱克赛尔公司 使用体晶片的单片岛型背接触背结太阳能电池
CN108269865A (zh) * 2018-03-06 2018-07-10 南京日托光伏科技股份有限公司 一种低成本、超细栅线的mwt太阳能电池制备方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060231802A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Takuya Konno Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom
JP2007235082A (ja) 2006-02-02 2007-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
JP4963866B2 (ja) * 2006-04-28 2012-06-27 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法
US20110132423A1 (en) * 2006-10-11 2011-06-09 Gamma Solar Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells
KR100846306B1 (ko) * 2007-09-06 2008-07-15 주식회사 코나텍 태양전지용 전극 조성물
JP2009146578A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Noritake Co Ltd 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト
US8308993B2 (en) * 2008-01-30 2012-11-13 Basf Se Conductive inks
US8383011B2 (en) 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers
US7736546B2 (en) 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
DE102008019402A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-15 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur selektiven Dotierung von Silizium sowie damit behandeltes Silizium-Substrat
KR100979509B1 (ko) * 2008-04-16 2010-09-24 엔바로테크 주식회사 태양전지용 전극 조성물
KR100974221B1 (ko) 2008-04-17 2010-08-06 엘지전자 주식회사 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
KR100982213B1 (ko) 2008-04-18 2010-09-14 계명대학교 산학협력단 태양전지용 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 형성방법
EP2279526A4 (en) * 2008-04-18 2015-11-04 1366 Tech Inc METHODS OF FORMING PATTERNS OF DIFFUSION LAYERS IN SOLAR CELLS AND SOLAR CELLS MADE THEREFROM
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
JP4986945B2 (ja) * 2008-07-25 2012-07-25 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
US20100037937A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Sater Bernard L Photovoltaic cell with patterned contacts
US20100037943A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Sater Bernard L Vertical multijunction cell with textured surface
US8053867B2 (en) 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
JP5168506B2 (ja) * 2009-05-11 2013-03-21 信越化学工業株式会社 電極、太陽電池セル及びその製造方法
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
EP2474004B1 (de) 2009-09-04 2015-02-25 Basf Se Zusammensetzung zum drucken von elektroden
ES2438745T3 (es) 2009-09-04 2014-01-20 Basf Se Composición para la impresión de circuitos impresos así como un procedimiento para la fabricación de células solares
CN102725433B (zh) 2010-01-21 2014-07-02 Oc欧瑞康巴尔斯公司 用以沉积防反射层于基材上的方法
KR101141578B1 (ko) * 2010-09-14 2012-05-17 (주)세미머티리얼즈 태양전지 제조방법.
WO2012117558A1 (ja) * 2011-03-03 2012-09-07 三菱電機株式会社 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール
KR20120140026A (ko) * 2011-06-20 2012-12-28 엘지전자 주식회사 태양전지
CN103415791B (zh) * 2011-06-29 2017-02-08 日东电工株式会社 防眩性薄膜、偏振片、图像显示装置及防眩性薄膜的制造方法
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
JP6068474B2 (ja) * 2011-09-09 2017-01-25 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 銀製の太陽電池接点
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
CN103094374B (zh) * 2011-10-27 2016-03-09 清华大学 太阳能电池
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US9515217B2 (en) * 2012-11-05 2016-12-06 Solexel, Inc. Monolithically isled back contact back junction solar cells
KR101882525B1 (ko) 2013-04-11 2018-07-26 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
JP6114171B2 (ja) * 2013-12-05 2017-04-12 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
KR20150117762A (ko) 2014-04-10 2015-10-21 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
KR20160126169A (ko) 2015-04-22 2016-11-02 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US20240088306A1 (en) 2022-09-09 2024-03-14 Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, photovoltaic module, and method for manufacturing photovoltaic module

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4626613A (en) 1983-12-23 1986-12-02 Unisearch Limited Laser grooved solar cell
AU570309B2 (en) 1984-03-26 1988-03-10 Unisearch Limited Buried contact solar cell
EP0214298B1 (en) * 1985-02-15 1993-07-28 Fujicopian Co., Ltd. Hot melt copy recording medium
EP0622816B1 (en) * 1993-04-30 1998-07-22 Kabushiki Kaisha Meidensha Electrode and process for forming an electrode material
JP3050064B2 (ja) * 1994-11-24 2000-06-05 株式会社村田製作所 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法
JP3237432B2 (ja) * 1995-01-23 2001-12-10 株式会社村田製作所 導電性ペースト
JP3642110B2 (ja) * 1996-06-11 2005-04-27 松下電器産業株式会社 電子部品の製造方法
US6071437A (en) * 1998-02-26 2000-06-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electrically conductive composition for a solar cell
JP2001223372A (ja) 2000-02-07 2001-08-17 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法
JP4023121B2 (ja) * 2001-09-06 2007-12-19 豊田合成株式会社 ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
KR100584073B1 (ko) * 2001-09-20 2006-05-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 은 도전성 조성물
JP3932858B2 (ja) * 2001-10-23 2007-06-20 株式会社村田製作所 導電性ペースト
JP2003133567A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料
FR2825631A1 (fr) * 2001-12-04 2002-12-13 Oreal Hydrogels contenant des microcapsules thermostabilisatrices
JP3800108B2 (ja) 2002-02-27 2006-07-26 株式会社村田製作所 導電性ペースト
JP3767514B2 (ja) * 2002-04-26 2006-04-19 株式会社村田製作所 導電性ペースト

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102592703A (zh) * 2012-02-13 2012-07-18 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料
CN102592703B (zh) * 2012-02-13 2014-04-16 江苏瑞德新能源科技有限公司 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料
CN105122463A (zh) * 2013-02-12 2015-12-02 索莱克赛尔公司 使用体晶片的单片岛型背接触背结太阳能电池
CN104903973A (zh) * 2013-09-13 2015-09-09 第一毛织株式会社 太阳能电池电极用组成物及由该组成物制造的电极
US9515202B2 (en) 2013-09-13 2016-12-06 Cheil Industries, Inc. Composition for forming solar cell electrode, and electrode produced from composition
CN108269865A (zh) * 2018-03-06 2018-07-10 南京日托光伏科技股份有限公司 一种低成本、超细栅线的mwt太阳能电池制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006008896A1 (ja) 2006-01-26
AU2005264235A1 (en) 2006-01-26
EP1775759B1 (en) 2014-10-08
EP1775759A1 (en) 2007-04-18
JP4393938B2 (ja) 2010-01-06
CN100411104C (zh) 2008-08-13
US7705236B2 (en) 2010-04-27
KR20070055489A (ko) 2007-05-30
US20070215203A1 (en) 2007-09-20
JP2006032698A (ja) 2006-02-02
ES2523660T3 (es) 2014-11-28
AU2005264235B2 (en) 2010-07-01
EP1775759A4 (en) 2011-10-26
KR101082114B1 (ko) 2011-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100411104C (zh) 电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法
JP5559510B2 (ja) 太陽電池素子及びその製造方法
EP2626908B1 (en) Solar cell element and method for manufacturing same
CN102859707B (zh) 用于制造具有选择性发射极的太阳能电池的方法
TWI432539B (zh) 用於形成太陽能電池電極之導電糊
EP2980857B1 (en) Conductive paste for solar cell element surface electrodes and method for manufacturing solar cell element
TWI408816B (zh) A solar cell manufacturing method, a solar cell, and a method of manufacturing a semiconductor device
WO2013161127A1 (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
JP2011519150A (ja) シリコン太陽電池用導電ペーストおよびグリッド電極
TWI628804B (zh) 導電性膠及結晶系矽太陽能電池的製造方法
KR20150022017A (ko) 국부 후면 필드 (lbsf) 를 갖는 태양전지들의 제조 방법
WO2011024587A1 (ja) 導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5754787B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法
KR20110052138A (ko) 태양전지의 제조방법
JP2004296799A (ja) 太陽電池素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant