JP2001223372A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は太陽電池の電極を簡易なプロセスで
量産する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明による太陽電池の製造方法は、電
極形状に対応する開口部を有するマスク装置をシリコン
基板上に設ける工程と、前記マスク装置を設けた前記シ
リコン基板上に研掃材を噴射することにより前記開口部
に対応する溝を形成する工程と、前記シリコン基板に形
成された溝に電極を形成する工程とを含むものである。
量産する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明による太陽電池の製造方法は、電
極形状に対応する開口部を有するマスク装置をシリコン
基板上に設ける工程と、前記マスク装置を設けた前記シ
リコン基板上に研掃材を噴射することにより前記開口部
に対応する溝を形成する工程と、前記シリコン基板に形
成された溝に電極を形成する工程とを含むものである。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は多結晶シリコン基板
を用いた太陽電池の製造方法、特に変換効率の向上に重
要となる表面電極の形成方法に関するものである。
を用いた太陽電池の製造方法、特に変換効率の向上に重
要となる表面電極の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６に一般的な太陽電池の表面構造を示
す。光電変換により生じた電流は受光面においてグリッ
ド電極２によって集められ、バス電極３を介して出力さ
れる。現在、一般的に量産されている多結晶シリコン太
陽電池の電極は金属ペーストをスクリーン印刷によりシ
リコン基板上に印刷し、これを焼成することにより形成
される。スクリーン印刷により形成されるグリッド電極
２の幅は１２０〜１５０μｍ程度で、その厚みは５〜１
０μｍ程度である。
す。光電変換により生じた電流は受光面においてグリッ
ド電極２によって集められ、バス電極３を介して出力さ
れる。現在、一般的に量産されている多結晶シリコン太
陽電池の電極は金属ペーストをスクリーン印刷によりシ
リコン基板上に印刷し、これを焼成することにより形成
される。スクリーン印刷により形成されるグリッド電極
２の幅は１２０〜１５０μｍ程度で、その厚みは５〜１
０μｍ程度である。
【０００３】しかし、一般にシリコン基板１の表面には
数〜数十μｍのピラミッド上の凹凸（いわゆるテクスチ
ャ構造）が形成されているためスクリーン印刷後、金属
ペーストが焼成するまでにテクスチャの凹部に流れ込む
ことで電極幅が広がり厚みが減少していた。またこれに
より、テクスチャの凹凸や粒界間の段差で電極の断線が
生じやすくなっていた。
数〜数十μｍのピラミッド上の凹凸（いわゆるテクスチ
ャ構造）が形成されているためスクリーン印刷後、金属
ペーストが焼成するまでにテクスチャの凹部に流れ込む
ことで電極幅が広がり厚みが減少していた。またこれに
より、テクスチャの凹凸や粒界間の段差で電極の断線が
生じやすくなっていた。
【０００４】太陽電池などの光電変換装置では受光面に
おいて光を多く吸収すると同時に光電効果により生じた
電流をできるだけ少ない損失で集めることが高性能化に
必要とされる。そのためには受光面の電極面積を減らす
と同時にその厚みを大きくして電気抵抗を小さくする必
要がある。通常のスクリーン印刷により電極を形成した
場合、グリッド電極２（以下、単に電極と称す）の幅を
１００μｍ以下に狭めることは可能であるが、厚みが減
少し電気抵抗が増すため特性向上にはつながらない。そ
こで、機械加工やレーザ加工によりシリコン基板１に溝
を形成し、その溝にメッキ等で電極を埋め込む方法があ
る。図７は受光面の電極形成部に溝を形成し、Ｃｕメッ
キ部およびＮｉメッキ部からなる電極を埋め込んだもの
である。また図８はシリコン基板１に形成された溝の側
面にＡｌからなる電極を形成したものである。図８に示
す太陽電池において電極形成には蒸着法が用いられてお
り、Ａｌ蒸着源に対してシリコン基板１を傾けることに
より同図に示す電極が形成される。この方法によれば、
フォトリソグラフィを行わずに電極パターンを形成する
ことができる。これらの太陽電池の詳細な説明は、Tech
nical Digest of the International PVSEC-11（1999
年）p.21および同文献のp.587 に記載されている。
おいて光を多く吸収すると同時に光電効果により生じた
電流をできるだけ少ない損失で集めることが高性能化に
必要とされる。そのためには受光面の電極面積を減らす
と同時にその厚みを大きくして電気抵抗を小さくする必
要がある。通常のスクリーン印刷により電極を形成した
場合、グリッド電極２（以下、単に電極と称す）の幅を
１００μｍ以下に狭めることは可能であるが、厚みが減
少し電気抵抗が増すため特性向上にはつながらない。そ
こで、機械加工やレーザ加工によりシリコン基板１に溝
を形成し、その溝にメッキ等で電極を埋め込む方法があ
る。図７は受光面の電極形成部に溝を形成し、Ｃｕメッ
キ部およびＮｉメッキ部からなる電極を埋め込んだもの
である。また図８はシリコン基板１に形成された溝の側
面にＡｌからなる電極を形成したものである。図８に示
す太陽電池において電極形成には蒸着法が用いられてお
り、Ａｌ蒸着源に対してシリコン基板１を傾けることに
より同図に示す電極が形成される。この方法によれば、
フォトリソグラフィを行わずに電極パターンを形成する
ことができる。これらの太陽電池の詳細な説明は、Tech
nical Digest of the International PVSEC-11（1999
年）p.21および同文献のp.587 に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方法によ
り太陽電池の受光面において幅が小さく厚みの大きい電
極を形成することができるが、メッキや蒸着による電極
形成はスクリーン印刷に比べて生産速度が遅い上にコス
トが高くなる問題がある。本発明は太陽電池の電極を簡
易なプロセスで量産する方法を提供することを目的とす
る。
り太陽電池の受光面において幅が小さく厚みの大きい電
極を形成することができるが、メッキや蒸着による電極
形成はスクリーン印刷に比べて生産速度が遅い上にコス
トが高くなる問題がある。本発明は太陽電池の電極を簡
易なプロセスで量産する方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による太陽電池の
製造方法は、電極形状に対応する開口部を有するマスク
装置をシリコン基板上に設ける工程と、前記マスク装置
を設けた前記シリコン基板上に研掃材を噴射することに
より前記開口部に対応する溝を形成する工程と、前記シ
リコン基板に形成された溝に電極を形成する工程とを含
むものである。また、上記の太陽電池の製造方法におい
て、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する工程
が、前記電極の形状に対応する開口部を有するスクリー
ンマスクを介して前記シリコン基板に形成された溝に導
電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴とするも
のである。また、上記の太陽電池の製造方法において、
スクリーンマスクの電極形状に対応する開口部の幅がシ
リコン基板に形成された溝の幅よりも小さいことを特徴
とするものである。また、上記の太陽電池の製造方法に
おいて、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する
工程が、前記シリコン基板に形成された溝にノズルを用
いて導電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴と
するものである。また上記の太陽電池の製造方法が、シ
リコン基板に形成された溝に埋め込まれた導電性ペース
ト上に粒子状の導電材料を付着させる工程を含むことを
特徴とするものである。また、上記の太陽電池の製造方
法において、電極形状に対応する開口部を有するマスク
装置をスクリーン印刷により形成することを特徴とする
ものである。また、上記の太陽電池の製造方法におい
て、電極形状に対応する開口部を有するマスク装置に板
状の金属部材を用いることを特徴とするものである。
製造方法は、電極形状に対応する開口部を有するマスク
装置をシリコン基板上に設ける工程と、前記マスク装置
を設けた前記シリコン基板上に研掃材を噴射することに
より前記開口部に対応する溝を形成する工程と、前記シ
リコン基板に形成された溝に電極を形成する工程とを含
むものである。また、上記の太陽電池の製造方法におい
て、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する工程
が、前記電極の形状に対応する開口部を有するスクリー
ンマスクを介して前記シリコン基板に形成された溝に導
電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴とするも
のである。また、上記の太陽電池の製造方法において、
スクリーンマスクの電極形状に対応する開口部の幅がシ
リコン基板に形成された溝の幅よりも小さいことを特徴
とするものである。また、上記の太陽電池の製造方法に
おいて、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する
工程が、前記シリコン基板に形成された溝にノズルを用
いて導電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴と
するものである。また上記の太陽電池の製造方法が、シ
リコン基板に形成された溝に埋め込まれた導電性ペース
ト上に粒子状の導電材料を付着させる工程を含むことを
特徴とするものである。また、上記の太陽電池の製造方
法において、電極形状に対応する開口部を有するマスク
装置をスクリーン印刷により形成することを特徴とする
ものである。また、上記の太陽電池の製造方法におい
て、電極形状に対応する開口部を有するマスク装置に板
状の金属部材を用いることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による方法を
用いて形成される太陽電池の電極構造を図１に示す。図
１に示す太陽電池の電極４は、シリコン基板１上にブラ
スト加工により溝６を形成し、この溝６にスクリーン印
刷を用いて金属ペーストを埋め込んだ後これを焼成して
形成される。スクリーン印刷により電極４を形成する
際、電極４の形成部に溝６を設けることにより金属ペー
ストの広がりを防ぎ、かつ電極４の厚さを大きくするこ
とがきる。
用いて形成される太陽電池の電極構造を図１に示す。図
１に示す太陽電池の電極４は、シリコン基板１上にブラ
スト加工により溝６を形成し、この溝６にスクリーン印
刷を用いて金属ペーストを埋め込んだ後これを焼成して
形成される。スクリーン印刷により電極４を形成する
際、電極４の形成部に溝６を設けることにより金属ペー
ストの広がりを防ぎ、かつ電極４の厚さを大きくするこ
とがきる。
【０００８】図２にブラスト加工による溝６の形成方法
を示す。図２において、９は溝６の形成部に対応して開
口部９ａが形成されたマスク部材、１０はブラスト加工
用の研掃材、１１は研掃材１０を噴射するノズルであ
る。図２に示すブラスト加工によりシリコン基板１上に
溝６を形成した後、マスク部材９を除去し、スクリーン
印刷を用いて溝６に金属ペーストを埋め込む。図３にス
クリーン印刷による金属ペーストの埋め込み方法を示
す。スクリーン印刷により金属ペーストを溝６に埋め込
む際、溝６とスクリーンマスク１３に形成された開口部
１３ａのパターンが揃うようにスクリーンマスク１３の
位置を調整する。ここで、電極４の長さが１５ｃｍ程度
の場合、溝６の長手方向に対してスクリーンマスク１３
の開口部１３ａの傾きは１０μｍ以下にとどめることが
必要である。また、スクリーンマスク１３の開口部１３
ａの幅も溝６の幅に合わせて調整することが必要であ
る。図４は幅がそれぞれ９０，１１０，１３０μｍ、深
さ１５μｍの溝に、開口部１３ａの幅が１００μｍのス
クリーンマスク１３を用いて形成した電極の断面図であ
る。幅９０μｍの溝では金属ペーストが溝からはみ出し
た。一方、溝の幅がスクリーンマスク１３の開口部１３
ａより広い場合、金属ペーストは溝に収まった。しか
し、幅１３０μｍの溝に形成された電極は、幅１１０μ
ｍの溝に形成されたものと比較して電極幅が若干広く、
かつ厚みが薄くなる傾向があった。従って電極の印刷に
用いるスクリーンマスク１３の開口部１３ａの幅は溝６
より（例えば１割程度）狭くすることが望ましい。
を示す。図２において、９は溝６の形成部に対応して開
口部９ａが形成されたマスク部材、１０はブラスト加工
用の研掃材、１１は研掃材１０を噴射するノズルであ
る。図２に示すブラスト加工によりシリコン基板１上に
溝６を形成した後、マスク部材９を除去し、スクリーン
印刷を用いて溝６に金属ペーストを埋め込む。図３にス
クリーン印刷による金属ペーストの埋め込み方法を示
す。スクリーン印刷により金属ペーストを溝６に埋め込
む際、溝６とスクリーンマスク１３に形成された開口部
１３ａのパターンが揃うようにスクリーンマスク１３の
位置を調整する。ここで、電極４の長さが１５ｃｍ程度
の場合、溝６の長手方向に対してスクリーンマスク１３
の開口部１３ａの傾きは１０μｍ以下にとどめることが
必要である。また、スクリーンマスク１３の開口部１３
ａの幅も溝６の幅に合わせて調整することが必要であ
る。図４は幅がそれぞれ９０，１１０，１３０μｍ、深
さ１５μｍの溝に、開口部１３ａの幅が１００μｍのス
クリーンマスク１３を用いて形成した電極の断面図であ
る。幅９０μｍの溝では金属ペーストが溝からはみ出し
た。一方、溝の幅がスクリーンマスク１３の開口部１３
ａより広い場合、金属ペーストは溝に収まった。しか
し、幅１３０μｍの溝に形成された電極は、幅１１０μ
ｍの溝に形成されたものと比較して電極幅が若干広く、
かつ厚みが薄くなる傾向があった。従って電極の印刷に
用いるスクリーンマスク１３の開口部１３ａの幅は溝６
より（例えば１割程度）狭くすることが望ましい。
【０００９】
【実施例】実施例１．実施例１では、シリコン基板１上
にローラーではりつけたＵＶ硬化性フィルムの上に溝６
の形成部に対応するパターンマスクを配置し、ＵＶ露
光、現像処理を行うことによりブラスト加工に用いるマ
スク部材９を作成した。この方法により作成されたマス
ク部材９の厚さは３０μｍ、開口部９ａの幅は１００μ
ｍである。このマスク部材９を用いて幅１〜２ｍｍ、長
さ約１０ｍｍのノズル１１から粒径５〜１５μｍの炭化
珪素を研掃材１０としてブラスト加工を行い溝６を形成
した。ブラスト加工により形成される溝の深さはブラス
ト処理時間に比例し、深さ１５μｍの溝を形成したとこ
ろ、その幅は約１１０μｍとなった。ブラスト加工完了
後にマスク部材９を除去し、溝６の形成部にスクリーン
印刷により銀ペーストをに埋め込み、焼成して電極４を
形成した。焼成後の電極４は銀ペーストが焼成により収
縮するためエッジ部分は基板より若干浮いたが、厚みは
約１５μｍとなった。電極形成と共に不純物拡散処理、
反射防止膜の形成を行い完成させた太陽電池の特性を表
１に示す。また比較例として、溝６を形成せずにスクリ
ーン印刷により電極４を形成した場合の太陽電池の特性
を示す。溝６を形成せずに実施例１に用いたものと同様
のスクリーンマスク１３を用いて電極形成を行ったとこ
ろ、電極４の幅は約１３０μｍ、厚みは約８μｍとなっ
た。尚、比較例に示す太陽電池の他の作成条件は実施例
１と同様のものである。
にローラーではりつけたＵＶ硬化性フィルムの上に溝６
の形成部に対応するパターンマスクを配置し、ＵＶ露
光、現像処理を行うことによりブラスト加工に用いるマ
スク部材９を作成した。この方法により作成されたマス
ク部材９の厚さは３０μｍ、開口部９ａの幅は１００μ
ｍである。このマスク部材９を用いて幅１〜２ｍｍ、長
さ約１０ｍｍのノズル１１から粒径５〜１５μｍの炭化
珪素を研掃材１０としてブラスト加工を行い溝６を形成
した。ブラスト加工により形成される溝の深さはブラス
ト処理時間に比例し、深さ１５μｍの溝を形成したとこ
ろ、その幅は約１１０μｍとなった。ブラスト加工完了
後にマスク部材９を除去し、溝６の形成部にスクリーン
印刷により銀ペーストをに埋め込み、焼成して電極４を
形成した。焼成後の電極４は銀ペーストが焼成により収
縮するためエッジ部分は基板より若干浮いたが、厚みは
約１５μｍとなった。電極形成と共に不純物拡散処理、
反射防止膜の形成を行い完成させた太陽電池の特性を表
１に示す。また比較例として、溝６を形成せずにスクリ
ーン印刷により電極４を形成した場合の太陽電池の特性
を示す。溝６を形成せずに実施例１に用いたものと同様
のスクリーンマスク１３を用いて電極形成を行ったとこ
ろ、電極４の幅は約１３０μｍ、厚みは約８μｍとなっ
た。尚、比較例に示す太陽電池の他の作成条件は実施例
１と同様のものである。
【００１０】
【表１】
【００１１】以上のようにシリコン基板１の電極形成部
に溝６を形成することでクリーン印刷により電極４を印
刷する際、その幅を狭く、かつ厚さを大きくすることが
できる。これにより表１に示すように、高効率の太陽電
池を低コストで量産することが可能となる。
に溝６を形成することでクリーン印刷により電極４を印
刷する際、その幅を狭く、かつ厚さを大きくすることが
できる。これにより表１に示すように、高効率の太陽電
池を低コストで量産することが可能となる。
【００１２】実施例２．実施例２では、ブラスト加工に
用いるマスク部材９をレジストをシリコン基板１上にス
クリーン印刷することにより形成した。レジスト印刷に
おいて、溝６の形成部に対応するパターンの幅が１００
μｍのスクリーンマスクを用いたところ、印刷後のレジ
ストの流動によりマスク部材９の開口部９ａの幅は約８
０μｍとなった。またＵＶ露光、現像により形成される
開口部９ａと比較してエッジ部分の樹脂の厚みが薄くな
り、最も厚い部分でのレジストの厚みは約２０μｍとな
った。レジスト印刷により形成されたマスク部材９を用
いて実施例１と同様にブラスト加工を行ったところ、断
面がおよそＵ字型の溝６が形成された。溝６の幅は約１
１０μｍ、深さは約１５μｍとなった。形成された溝６
には実施例１と比べてチッピングが多く見られたが、こ
の溝６にスクリーン印刷で電極ペーストを印刷し、焼成
したところ実施例１とほぼ同様の断面を有する電極が形
成された。実施例２のようにレジストをスクリーン印刷
することによりブラスト加工用のマスク部材９を形成す
る方法によれば、実施例１のようなＵＶ露光、現像処理
などの工程が不要となり生産性を向上させることができ
る。
用いるマスク部材９をレジストをシリコン基板１上にス
クリーン印刷することにより形成した。レジスト印刷に
おいて、溝６の形成部に対応するパターンの幅が１００
μｍのスクリーンマスクを用いたところ、印刷後のレジ
ストの流動によりマスク部材９の開口部９ａの幅は約８
０μｍとなった。またＵＶ露光、現像により形成される
開口部９ａと比較してエッジ部分の樹脂の厚みが薄くな
り、最も厚い部分でのレジストの厚みは約２０μｍとな
った。レジスト印刷により形成されたマスク部材９を用
いて実施例１と同様にブラスト加工を行ったところ、断
面がおよそＵ字型の溝６が形成された。溝６の幅は約１
１０μｍ、深さは約１５μｍとなった。形成された溝６
には実施例１と比べてチッピングが多く見られたが、こ
の溝６にスクリーン印刷で電極ペーストを印刷し、焼成
したところ実施例１とほぼ同様の断面を有する電極が形
成された。実施例２のようにレジストをスクリーン印刷
することによりブラスト加工用のマスク部材９を形成す
る方法によれば、実施例１のようなＵＶ露光、現像処理
などの工程が不要となり生産性を向上させることができ
る。
【００１３】実施例３．実施例３では、ブラスト加工に
用いるマスク部材９として溝６の形成部に対応する開口
部を有する金属板を用いた。マスク部材９に金属板を用
いることにより、レジストの印刷および剥離といった工
程が不要となり生産性を向上させることができる。図５
に示すように、幅約１．５ｍｍ、厚み０．４ｍｍの焼結
アルミナからなる金属板１５を０．１〜０．１５ｍｍの
間隔を開けて結晶シリコン基板上に密着させて実施例１
同様にブラスト加工を行ったところ幅１００〜２００μ
ｍの溝が形成された。この溝にスクリーン印刷で導電性
ペーストを埋め込み、焼成したところ実施例１と同様の
電極が形成された。マスク部材９に金属板１５を用いた
場合に生じる溝６の幅のばらつきはシリコン基板１の表
面と金属板１５との隙間によるものなので、本実施例は
表面の凹凸が少ないシリコン基板に適用すると効果的で
ある。尚、本実施例における板状の金属からなるマスク
部材９としては、アルミナの他にジルコニアといった研
掃材１０よりもモース硬度の高い材料を用いてもよい。
用いるマスク部材９として溝６の形成部に対応する開口
部を有する金属板を用いた。マスク部材９に金属板を用
いることにより、レジストの印刷および剥離といった工
程が不要となり生産性を向上させることができる。図５
に示すように、幅約１．５ｍｍ、厚み０．４ｍｍの焼結
アルミナからなる金属板１５を０．１〜０．１５ｍｍの
間隔を開けて結晶シリコン基板上に密着させて実施例１
同様にブラスト加工を行ったところ幅１００〜２００μ
ｍの溝が形成された。この溝にスクリーン印刷で導電性
ペーストを埋め込み、焼成したところ実施例１と同様の
電極が形成された。マスク部材９に金属板１５を用いた
場合に生じる溝６の幅のばらつきはシリコン基板１の表
面と金属板１５との隙間によるものなので、本実施例は
表面の凹凸が少ないシリコン基板に適用すると効果的で
ある。尚、本実施例における板状の金属からなるマスク
部材９としては、アルミナの他にジルコニアといった研
掃材１０よりもモース硬度の高い材料を用いてもよい。
【００１４】実施例４．実施例４では、実施例１と同様
の方法によりシリコン基板１に形成された溝６に埋め込
んだ銀ペースト上に銀粒子を付着させて電極４を形成し
た。実施例１と同様にシリコン基板上にブラスト加工で
幅約１００μｍ、深さ１５μｍの溝６を形成し、スクリ
ーン印刷で銀ペーストを埋め込んだ後、銀ペーストが乾
燥する前に粒径が数μｍの銀粒子をペースト表面に付着
させ、電極形成部以外に付着した不要の銀粒子を除去
し、１２０℃程度で乾燥、焼成した。焼成後の電極４を
観察すると銀粒子は完全に印刷電極に取り込まれてお
り、電極４の厚みは最も厚い部分で約１８μｍであっ
た。このように導電性ペースト上に粒子状の導電材料を
付着させることにより抵抗値の小さい電極を形成するこ
とが可能となる。
の方法によりシリコン基板１に形成された溝６に埋め込
んだ銀ペースト上に銀粒子を付着させて電極４を形成し
た。実施例１と同様にシリコン基板上にブラスト加工で
幅約１００μｍ、深さ１５μｍの溝６を形成し、スクリ
ーン印刷で銀ペーストを埋め込んだ後、銀ペーストが乾
燥する前に粒径が数μｍの銀粒子をペースト表面に付着
させ、電極形成部以外に付着した不要の銀粒子を除去
し、１２０℃程度で乾燥、焼成した。焼成後の電極４を
観察すると銀粒子は完全に印刷電極に取り込まれてお
り、電極４の厚みは最も厚い部分で約１８μｍであっ
た。このように導電性ペースト上に粒子状の導電材料を
付着させることにより抵抗値の小さい電極を形成するこ
とが可能となる。
【００１５】尚、実施例１〜４ではスクリーン印刷を用
いて電極４を形成したが、先端の穴径が１００μｍ程度
のノズルを用いてから金属ペーストを溝６に埋め込むこ
とにより電極４を形成してもよい。
いて電極４を形成したが、先端の穴径が１００μｍ程度
のノズルを用いてから金属ペーストを溝６に埋め込むこ
とにより電極４を形成してもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明の太陽電池の製造方法は、シリコ
ン基板上の電極形成部分に溝を形成し、スクリーン印刷
等を用いて導電性ペーストを溝に埋め込み電極を形成す
るので電極幅の広がりを生じることなく簡易な工程で太
陽電池を製造することができる。
ン基板上の電極形成部分に溝を形成し、スクリーン印刷
等を用いて導電性ペーストを溝に埋め込み電極を形成す
るので電極幅の広がりを生じることなく簡易な工程で太
陽電池を製造することができる。
【図１】 本発明の実施の形態による太陽電池の電極構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図２】 ブラスト加工による溝の形成方法を示す図で
ある。
ある。
【図３】 スクリーン印刷による電極の形成方法を示す
図である。
図である。
【図４】 スクリーン印刷により形成された太陽電池の
電極の構造を示す断面図である。
電極の構造を示す断面図である。
【図５】 実施例３による太陽電池の電極の形成方法を
示す図である。
示す図である。
【図６】 太陽電池の構成を示す図である。
【図７】 太陽電池の電極構造を示す断面図である。
【図８】 太陽電池の電極構造を示す断面図である。
１ シリコン基板，２ グリッド電極，３ バス電極，
４ 電極，９ マスク部材, １０ 研掃材，１１ ノズ
ル，１３ スクリーンマスク，１５ 金属板
４ 電極，９ マスク部材, １０ 研掃材，１１ ノズ
ル，１３ スクリーンマスク，１５ 金属板
Claims (7)
- 【請求項１】 電極形状に対応する開口部を有するマス
ク装置をシリコン基板上に設ける工程と、前記マスク装
置を設けた前記シリコン基板上に研掃材を噴射すること
により前記開口部に対応する溝を形成する工程と、前記
シリコン基板に形成された溝に電極を形成する工程とを
含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する
工程が、前記電極の形状に対応する開口部を有するスク
リーンマスクを介して前記シリコン基板に形成された溝
に導電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴とす
る太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、スクリーンマスクの電極形状に対応する開口部
の幅がシリコン基板に形成された溝の幅よりも小さいこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、シリコン基板に形成された溝に電極を形成する
工程が、前記シリコン基板に形成された溝にノズルを用
いて導電性ペーストを埋め込む工程を含むことを特徴と
する太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２〜４のいずれか一項に記載の太
陽電池の製造方法が、シリコン基板に形成された溝に埋
め込まれた導電性ペースト上に粒子状の導電材料を付着
させる工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の太
陽電池の製造方法において、電極形状に対応する開口部
を有するマスク装置をスクリーン印刷により形成するこ
とを特徴とする太陽電池の形成方法。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれか一項に記載の太
陽電池の製造方法において、電極形状に対応する開口部
を有するマスク装置に板状の金属部材を用いることを特
徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000029355A JP2001223372A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000029355A JP2001223372A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001223372A true JP2001223372A (ja) | 2001-08-17 |
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ID=18554629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000029355A Pending JP2001223372A (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001223372A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7705236B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-04-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrode material, solar cell, and method for producing solar cell |
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-
2000
- 2000-02-07 JP JP2000029355A patent/JP2001223372A/ja active Pending
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