CN1946629A - 制造半导体器件的方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。

Description

制造半导体器件的方法

技术领域

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，适于在制造诸如MEMS(微机电系统)之类的微机械中使用。

背景技术

近年来，已经提出了利用半导体制造技术将构成加速度传感器或角速度传感器构造成微机械。这种类型的微机械需要具有相对较大惯性质量的质量体。作为一种构成此类质量体的方法，可以设想在具有相对大厚度尺寸(几百微米)的半导体衬底中形成通孔(包括狭长形通孔)，以便将质量体与其余区域分离。借助于例如湿法蚀刻工艺或反应离子蚀刻工艺之类的蚀刻技术，在具有相对较大厚度尺寸的半导体衬底中形成该通孔。例如，在Sunil A.Bhavc等的“AN INTEGRATEDVERTICAL-DRIVE，IN-PLANE-SENSE MICROGYROSCOPE”，TRANSDUCERS‘03(IEEE，The 12th International Conference on Solid-StateSensor，Actuators and Microsystems)，USA，June 8-12，2003，p.171中，该技术已被公开。

众所周知，在使用上述技术在半导体衬底中形成通孔的工艺中，去除半导体材料的速度或速率依赖于在掩模中设置的开口的宽度。即，与对应于相对较窄开口宽度的区域相比，对应于相对较宽开口宽度的半导体衬底的区域沿深度方向具有较大的去除速率。因此，在同一个半导体衬底上形成两种不同宽度尺寸的通孔类型的工艺中，在具有较大宽度尺寸的通孔已经穿透半导体衬底时，很可能具有较小宽度尺寸的其他通孔还没有穿透半导体衬底。如果开口宽度的差异较小，则在较宽宽度的通孔穿透半导体衬底和较窄宽度的通孔穿透半导体衬底的各自必需时间之间的差异将处于允许的误差和容限之内。然而，如果开口宽度的差异较大，则在较宽宽度的通孔穿透半导体衬底之后，必需等待相对较长的时间，直到较窄宽度的通孔穿透半导体衬底。这引起了在等待时间期间较宽宽度的通孔的内部外围表面被侵蚀或腐蚀的问题，导致较宽宽度的通孔的尺寸精度恶化。

如果试图通过使用传统技术来避免这种问题，则不得不将形成两种宽度尺寸不同的通孔类型的工艺分成两个独立的工艺。由于需要由保护材料保护在前一个工艺中形成的通孔并且去除保护材料，这引起形成通孔的工艺时间和工艺数量的增加。因此，工艺时间将显著地增加。

发明内容

考虑到上述情况，因此本发明的一个方面提出了一种半导体器件制造方法，能够在公共半导体衬底中形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，而不会带来工艺时间的实质增加。

具体地，本发明提出了一种通过使用穿孔工艺来制造半导体器件的方法，所述穿孔工艺包括：在半导体衬底上设置具有开口的掩模；以及在半导体衬底上形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，其中沿半导体衬底的深度方向上半导体材料的去除速率随着开口的开口宽度的增大而增加，所述方法包括：第一步骤，在与具有相对较窄的开口宽度的掩模的开口相对应的半导体衬底的第一区域中，在半导体衬底的第一表面中形成凹入部分，以使第一区域具有小于半导体衬底其余的第二区域的厚度；以及第二步骤，利用在半导体衬底相反的第二表面上设置的掩模，执行穿孔工艺，以便在半导体衬底的第二区域中形成到达第一表面的第一通孔，以及到达凹入部分的第二通孔。

根据上述方法，半导体衬底的厚度尺寸与通孔各自的宽度尺寸成比例的变化，以使通孔各自的穿孔时间近似相等。这使得可以通过单个或同时的穿孔工艺来形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，从而在实质上不增加工艺时间的情况下形成具有较高精确度的通孔。

优选地，上述半导体器件制造方法包括：在第一步骤之后，将半导体衬底的第一表面和支撑衬底结合(join)在一起，然后执行第二步骤。

在这种情况下，在要形成通孔的半导体衬底中形成凹入部分，以便在半导体衬底上得到厚度不同的多个区域，然后，将半导体衬底与支撑衬底结合在一起。随后，在半导体衬底中形成通孔。因此，即使通孔将半导体衬底的区域彼此分离，也能够预先将分离的区域与支撑衬底结合在一起，以便防止分离之后区域之间的相对位移。

本发明提出了另一种通过使用穿孔工艺来制造半导体器件的方法，所述穿孔工艺包括：在半导体衬底上设置具有开口的掩模；以及在半导体衬底上形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，其中，沿半导体衬底的深度方向上的半导体材料的去除速率随着所述开口的开口宽度的增大而增加，所述方法包括：第一步骤，使用设置在半导体衬底的第一表面上的掩模来执行穿孔工艺，直到具有相对较宽的宽度尺寸的第一通孔到达半导体衬底相反的第二表面为止；以及第二步骤，在与具有相对较窄的开口宽度的掩模的开口相对应的半导体衬底的区域中，在半导体衬底的第二表面中形成凹入部分，以使具有相对较窄的宽度尺寸的第二通孔穿透到凹入部分的下表面。

根据上述方法，即使具有相对较窄宽度尺寸的第二通孔还没有穿透半导体衬底，也能够完成形成通孔的工艺，然后，在第一表面相反侧的第二表面中形成凹入部分，以使具有相对较窄宽度尺寸的第二通孔能够穿透。这使得能够通过单个或同时的穿孔工艺来形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，从而在实质上不增加工艺时间的情况下形成具有较高精确度的通孔。

根据本发明的半导体器件的制造方法，可以通过单个穿孔工艺来形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，并且仅在形成通孔的穿孔工艺中增加了形成凹入部分的工艺。因此可以在实质上不增加工艺时间的情况下精确地形成通孔。

附图说明

当结合附图考虑优选实施例的以下详细描述时，可获得对本发明更好的理解。在附图中，相同的部件或元件用相同的参考数字或代码定义。

图1A到1C是示出了根据本发明第一实施例的方法的工艺图；

图2是由图1的工艺形成的陀螺传感器的放大透视图；

图3是由图1的工艺形成的陀螺传感器的透视图；

图4是示出了由图1的工艺形成的陀螺传感器的主基板的顶视图；

图5是示出了将由图1的工艺形成的陀螺传感器的主基板的不连续顶视图；

图6A到6C是示出了根据第一实施例工艺的另一示例的图；以及

图7A到7D是示出了根据本发明第二实施例的方法的工艺图。

具体实施方式

本申请基于在日本提交的在先日本专利申请No.2004-73218并要求其优先权，该申请的全部内容合并在此作为参考。参考附图，现在将具体地描述本发明的实施例。现在将具体地描述本发明的一些实施例。

(第一实施例)

根据本发明第一实施例的方法意欲在包括半导体衬底的主基板1中形成具有相对较宽宽度尺寸的第一通孔4a和具有相对较窄宽度尺寸的第二通孔4b，如图1C所示。虽然设想使用硅衬底形成主基板1，但本发明的技术思想可以应用于使用任何其他适当半导体衬底形成的基板上。基板1具有第一和第二区域，形成每一个区域，以使其具有不同的厚度尺寸。在图1C中，将较大的厚度尺寸t1设为例如大约300微米，而将较小的厚度尺寸t2设为例如大约150微米。设置第一通孔4a，使其具有大约100微米的宽度尺寸w1，以及设置第二通孔4b，使其具有大约5微米的宽度尺寸w2。

典型地，当在如上所述具有相对较大厚度尺寸的半导体衬底中形成通孔4a、4b时，在半导体衬底的表面上设置具有与通孔4a、4b相对应的开口的掩模，并且通过反应离子蚀刻工艺去除形成有通孔4a、4b的区域中的半导体材料。在反应离子蚀刻工艺中，众所周知的是，与具有较窄宽度尺寸的半导体衬底的区域相比，具有较宽宽度尺寸的半导体衬底的区域沿半导体衬底深度方向具有去除半导体材料的较高速率，或较高深度方向去除速率。因此，如果试图在具有相同厚度尺寸的半导体衬底的区域中，形成宽度尺寸不同的通孔4a、4b，则很可能在较宽宽度的通孔4a穿透半导体衬底时，较窄宽度的通孔4b还没有穿透半导体衬底。具体地，在形成宽度尺寸w1、w2具有如上所述较大差异的通孔4a、4b的工艺中，如果提供了等待时间，直到较窄宽度的通孔4b穿透半导体衬底，则很可能较宽宽度的通孔4a的内部外围表面已被腐蚀，或引起通孔4a的宽度尺寸精度恶化。

考虑到这一点，如图1A所示，在第一实施例中，在主基板1的第一和第二表面上各形成氧化膜之后，使用第一表面或图1A中的下侧表面的氧化膜6b作为掩模，在要形成较窄宽度通孔4a的主基板1的第一区域中，在主基板1的第一表面上形成凹入部分7。即，在主基板1中形成凹入部分7，以使要形成较窄宽度的通孔4a的第一区域具有小于主基板1其余的第二区域的厚度尺寸t2(第一步骤)。然后，如图1B所示，在相反的第二表面或图1B的上表面上的氧化膜中形成与通孔4a、4b相对应的开口。然后，使用氧化膜6a作为掩模，对第二表面进行反应离子蚀刻工艺。通过该工艺，形成图1C中所示的通孔4a、4b(第二步骤)。

如上所述，在主基板1的第一表面中形成凹入部分7，以便为主基板提供厚度尺寸不同的第一和第二区域，然后，使用在主基板1的第二表面上设置的掩模，在主基板1的第二表面一侧形成通孔4a、4b。因此，在较宽宽度的通孔4a穿透主基板1的第二区域时，较窄宽度的通孔4b可以到达凹入部分7的下表面。这使得较宽宽度的通孔4a和较窄宽度的通孔4b能够近似同时地穿透。按照这种方式，主基板1可以精确地形成没有由于通孔4a内表面的表面腐蚀导致的宽度尺寸精度恶化的通孔4a。

上述技术可用于制造如图2和3所示的陀螺传感器。示出的陀螺传感器具有三层结构，通过以下方式形成所述三层结构：将包括玻璃衬底的支撑基板2叠加在包括半导体衬底的主基板1的一个表面上，并且将包括玻璃衬底的盖层(cap)3叠加在主基板1的另一个表面上。在这种结构中，例如，每一个支撑基板2和盖层3通过阳极键合工艺与主基板1结合在一起。

如图4所示，主基板1包括：驱动质量体11和检测质量体12，在顶视图中，以矩形形状形成、并沿主基板1的板表面彼此平行地方式放置所述质量体。主基板1还包括：矩形形状框架10，环绕在驱动质量体11和检测质量体12周围。因此，在支撑基板2和盖层3与主基板1结合在一起之后的状态中，驱动质量体11和检测质量体12被密封地包含在由支撑基板2、盖层3和框架10包围的空间中。在下面的描述中，将沿对准驱动质量体11和检测质量体12的方向定义为Y方向，以及将在沿主基板1的板表面的平面内与Y方向正交的方向定义为X方向。此外，将同时与X方向和Y方向、或与主基板1的板表面方向正交的方向定义为Z方向。

驱动质量体11和检测质量体12通过各沿X方向延伸的一对驱动弹簧13连续地/整体地彼此连接。更具体地，按照每一个狭长槽14b一端(或者第一端)朝着驱动质量体11的对应一个X方向相反边缘开口的方式，主基板1形成有长度稍小于检测质量体12沿X方向整个长度的狭长槽14a以及与沿X方向延伸的直线对准的两个狭长槽14b。在狭长槽14a和每一个狭长槽14b之间形成每一个驱动弹簧13。每一个驱动弹簧13的一端(或者第一端)与狭长槽14a的相反一端和检测质量体12对应一侧之间的区域相连，而每一个驱动弹簧13的另一端(或者第二端)通过两个狭长槽14b各自的第二端之间的区域与驱动质量体11相连。形成每一个驱动弹簧13，作为可扭转变形的扭矩弹簧，因此，驱动质量体11相对于驱动弹簧13周围的检测质量体12是可替换的。换句话说，相对于检测质量体12，驱动质量体11被设计成可以沿Z方向平移，并且可以围绕X方向轴转动。

沿Y方向延伸的一对检测弹簧15各具有与检测质量体12的对应一个X方向相反侧相连的一端(或者第一端)，并且检测弹簧15各自的第二端通过沿X方向延伸的耦合段16连续并整体地彼此相连。即，在顶视图中具有反C形的构件是由成对的检测弹簧15和耦合段16形成的。耦合段16被设计成具有比驱动弹簧13和检测弹簧15足够高的刚性。在耦合段16沿纵向的中间部分中，以突出的方式设置固定段17。固定段17与支撑基板2相结合，并被固定在给定位置。通过反C形的狭长槽14c将驱动质量体11和检测质量体12与检测弹簧15和耦合段16相分离，各个狭长槽14b的第一端与狭长槽14c相连。每一个检测弹簧15沿X方向可弯曲地变形，以使驱动质量体11和检测质量体12能够沿X方向相对于固定段17移动。

检测质量体12具有沿其厚度方向穿透检测质量体12的4个切断孔(cutoff hole)18，以及分别放置在切断孔18中的4个静止构件20。每一个静止构件20具有放置在检测质量体12沿X方向相反一端附近的电极段21、以及从沿X方向电极段21延伸的梳状骨架(comb-skeleton)段22。电极段21和梳状骨架段22整体上具有L形状。电极段21和梳状骨架段22与支撑基板2结合在一起，以便将静止构件20固定在给定位置。切断孔18沿静止构件20的外部外围表面的形状具有内部外围表面，并且在静止构件20和切断孔18的内部外围表面之间形成了特定的间隔或间隙。两个电极段21被放置在检测质量体12沿X方向相反的每一端。多个静止梳齿段23被放置在梳状骨架段22沿宽度方向相反的每一个边缘上，并且沿X方向彼此平行地放置。另外，多个可移动梳齿段24被放置在与梳状骨架段22相反的切断孔18的内部表面上，并且沿X方向相对于对应的静止梳齿段23相反地、彼此平行地放置所述梳齿段24，如图5所示。静止梳齿段23和对应的可移动梳齿段24被设计成彼此间隔，并且检测响应沿X方向检测质量体12的位移、由静止梳齿段23和对应的可移动梳齿段24之间的距离改变而引起的静电电容的改变。

在与驱动质量体11相反的支持基板2的表面区域上，形成由诸如铝之类的导电金属制成的薄膜构成的静止驱动电极25(参见图2)。此外，在与固定段17、静止构件20的电极段21以及静止驱动电极25相对应的、支撑基板2的每一个区域中，形成通孔26。在示例中，按照将固定段17夹在中间的方式，在与固定段17相邻的框架10的区域中形成一对接地段19，并且在与每一个接地段19相对应的支撑基板2的区域中形成附加通孔26。在每一个通孔26的内部外围表面上，形成由诸如铝之类的导电金属制成的薄膜构成的电极配线(未示出)，所述薄膜与通过通孔电镀工艺获得的膜相类似。每一个通孔26具有锥形，所述锥形具有在越靠近主基板1的位置处越小的内径。形成电极配线，以便除了通孔26的每一个内部外围表面之外，还覆盖主基板1的表面。具体地，按照电极配线与主基板1的每一个部件电连接的方式，通过电极配线闭合每一个通孔26开口的一端。一部分电极配线延伸到支撑基板2的前表面(沿厚度方向在主基板1相反一侧的表面)。延伸到支撑基板2的前表面的这部分电极配线充当电极焊点28。

下面将描述上述陀螺传感器的操作。如结合传统的陀螺传感器所述，在以给定参数振动驱动质量体11的情况下，当由于外力引起的角速度作用在其上时，陀螺传感器也可以进行操作，从而检测到检测质量体12的位移。可以将正弦波或方波振动电压施加到静止驱动电极25和驱动质量体11之间，以便振动驱动质量体11。当优选使用AV电压时，没必要转换极性。驱动质量体11通过驱动弹簧13、检测质量体12、检测弹簧15和耦合段16与固定段17电连接。在与固定段17和静止驱动电极25相对应的区域中，支撑基板2形成有通孔26。因此，可以将振动电压施加到与两个通孔26相对应的电极焊点28，以便在驱动质量体11和静止驱动电极25之间产生静电力，从而沿Z方向相对于支撑基板2和盖层3来振动驱动质量体11。可以调整振动电压，以使其具有与通过驱动质量体11和检测质量体12的质量、以及驱动弹簧13和检测弹簧15的弹簧系数所确定的谐振频率相同的频率，从而能够利用相对较小的驱动力得到较大的振动幅度。

在正在振荡驱动质量体11的情况下，当围绕Y方向轴的角速度作用于主基板1上时，沿X方向产生Coriolis力，并因此检测质量体12(和驱动质量体11)沿X方向相对于静止构件20移动。因此，可移动梳齿段24相对于静止梳齿段23移动，由此可移动梳齿段24和静止梳齿段23之间的距离改变。因此，可移动梳齿段24和静止梳齿段23之间的静电电容改变。可以从与四个静止构件20相连的电极配线拾取静电电容的改变。具体地，沿X方向对准的每一对电极段21之间的静电电容反映了静止梳齿段23和可移动梳齿段24之间的距离改变，并且这对电极段21等同于可变电容器的电极。即，演示的结构包括两个可变电容器。因此，可以通过检测每一个可变电容器的静电电容或检测彼此并联的可变电容器的组合电容来确定检测质量体12的位移。驱动质量体11的振动参数是已知的，因此，可以通过检测检测质量体12的位移来确定Coriolis力。

可移动梳齿段24的位移与(驱动质量体11的质量)/(驱动质量体11的质量+检测质量体12的质量)成比例。因此，当驱动质量体11的质量与检测质量体12的质量相比具有较大的数值时，将增大可移动梳齿段24的位移以提供更高的灵敏度。在第一实施例中，主基板1包括具有大约300微米厚度的第二区域和具有大约150微米厚度的第一区域。因此，可以分别在具有较大厚度尺寸的第二区域和具有较小厚度尺寸的第一区域中形成驱动质量块11和检测质量块12。

更具体地，在检测质量块12中形成的可移动梳齿段24和静止梳齿段23之间的每一个间隔小于在检测质量体12中形成的切断孔18的内部外围表面和静止构件20的外部外围表面之间的间隔。因此，当将如图1A到1C示出的工艺应用到这些区域时，检测质量体可以被设计成在可移动梳齿段24和静止梳齿段23之间将形成有较窄缝隙的区域中，具有较小的厚度尺寸。该技术可用于确保在可移动梳齿段14和静止梳齿段23之间的尺寸精度、以及切断孔18的内部外围表面和静止构件20之间的尺寸精度，并减小检测质量体12的厚度尺寸，以便相对于驱动质量体11的质量减小检测质量体12的质量，从而获得更高的灵敏度。

在使用上述技术制造陀螺传感器的工艺中，如图6A所示，在主基板上形成凹入部分7，然后，将形成有凹入部分7的主基板1的第一表面与支撑基板2结合在一起，如图6B所示。然后，如图6C所示，在主基板1上形成通孔4a、4b。更具体地，在与支撑基板2相反的、主基板1的第一表面中形成凹入部分7，然后，将主基板1与形成有通孔26的支撑基板2结合在一起。可以理解，在主基板1与支撑基板2结合在一起之前，氧化膜6b被去除。在主基板1刚与支撑基板2结合在一起之后的状态中，主质量体1的组件(框架10、驱动质量体11、检测质量体12、和静止构件20)并没有被彼此分开。因此，从与盖层3相反的主基板1的第二表面一侧，形成用于分离框架10的凹槽、狭长槽14a到14c、以及用于分离静止构件20的凹槽，以使组件彼此分离。即，在主基板1中形成通孔4a、4b。在主基板1的组件彼此分离之后的状态中，固定段17与支撑基板2结合在一起，并因此由支撑基板2夹持驱动质量体11和检测质量体12，这是因为他们与固定段17相连。另外，静止构件20也与支撑基板2结合在一起。然后，当盖层3与主基板1结合在一起时，驱动质量体11和检测质量体12被密封地包含在由支撑基板2、盖层3、和框架10包围的空间中。然后，在支撑基板2的通孔26的每一个内部外围表面中形成电极配线，并且形成电极焊点28。通过该工艺，形成了上述陀螺传感器。

(第二实施例)

第一实施例已经使用的技术包括：首先在主基板1中形成凹入部分7，然后在主基板1中形成通孔4a、4b。第二实施例使用的技术包括：首先在主基板1中形成通孔4a、4b，然后在主基板1中形成凹入部分。更具体地，如图7A所示，在分别具有氧化膜6A、6B的主基板1中，其中沿所述主基板1的厚度方向在相反的表面上形成所述氧化膜6A、6B，在氧化膜之一6A上形成开口8(见图1A-1C)，并且使用氧化膜6A作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成具有不同宽度尺寸w1、w2(w1＞w2)的通孔4a、4b。在较宽宽度的通孔4a到达另一氧化膜6B时，反应离子蚀刻工艺停止。此时，如图7A所示，较窄宽度的通孔4b还没有穿透主基板1，或仅到达具有与主基板1的厚度尺寸的中点相等深度尺寸t2的位置。在此阶段中，如图7B所示，根据需要可以去除一部分主基板1。例如，去除一部分主基板1以便减少检测质量体12的厚度尺寸，这是因为检测质量体12是可移动的，并且没有与支撑基板2结合在一起。在上述工艺期间，主基板1的组件通过氧化膜6a整体地彼此连接，从而在主基板1的组件之间没有位移出现。

然后，如图7C所示，去除氧化膜6a，并且将主基板1与支撑基板2结合在一起。随后，在氧化膜6b中形成掩模图样，并且在与较窄宽度的通孔4b相对应的主基板1的区域中形成凹入部分7，如图7D所示。设置凹入部分7，以使其具有其下表面能够到达通孔4b的深度，使得通孔4b穿透到凹入部分7的底部。在图7D中，去除氧化膜，以便将主基板1和盖层3结合在一起。其余结构和第一实施例中的一样。

第二实施例中的技术可用于在可移动组件彼此分离之前，将固定组件与可移动组件相分离，图7A中所示，并且将主基板1的这些组件和支撑基板2整体地结合在一起，如图7C所示。此外，可以适当地调整一部分可移动组件的厚度尺寸，如图7B所示，因此，可以独立于半导体材料的去除速率来任意地设置可移动组件的活动范围。

虽然已经将上述实施例描述为其中形成具有两种厚度尺寸类型的多个通孔4a、4b的示例，也可以形成具有三种或更多厚度尺寸的多个通孔。在这种情况下，可以与具有最窄宽度尺寸的通孔相对应地形成凹入部分7。

虽然已结合特定实施例描述了本发明，对本领域的普通技术人员而言，各种改进和修改显而易见。因此，本发明并不局限于这里演示的实施例，而仅由所附的权利要求及其等价物所限定。

工业实用性

如上所述，本发明的半导体器件制造方法在形成诸如MEMS之类的微机械方面尤其有用，并且适于用作一种加速度传感器或角速度传感器的制造方法。

Claims (3)

1.一种通过使用穿孔工艺来制造半导体器件的方法，所述穿孔工艺包括：在半导体衬底上设置具有开口的掩模；以及在所述半导体衬底上形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，其中沿所述半导体衬底的深度方向上半导体材料的去除速率随着所述开口的开口宽度的增大而增加，所述方法包括：

第一步骤，在与具有所述相对较窄的开口宽度的所述掩模的开口相对应的所述半导体衬底的第一区域中，在半导体衬底的第一表面中形成凹入部分，以使所述第一区域具有小于所述半导体衬底其余的第二区域的厚度；以及

第二步骤，利用在所述半导体衬底相反的第二表面上设置的所述掩模，执行所述穿孔工艺，以便在所述半导体衬底的所述第二区域中形成到达所述第一表面的第一通孔，以及到达所述凹入部分的第二通孔。

2.如权利要求1所述的方法，包括：在所述第一步骤之后，将所述半导体衬底的所述第一表面支撑衬底和支撑衬底结合在一起，然后执行所述第二步骤。

3.一种通过使用穿孔工艺来制造半导体器件的方法，所述穿孔工艺包括：在半导体衬底上设置具有开口的掩模；以及在所述半导体衬底上形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔，其中，沿所述半导体衬底的深度方向上的半导体材料的去除速率随着所述开口的开口宽度的增大而增加，所述方法包括：

第一步骤，使用设置在半导体衬底的第一表面上的所述掩模来执行所述穿孔工艺，直到具有相对较宽的宽度尺寸的第一通孔到达所述半导体衬底相反的第二表面为止；以及

第二步骤，在与具有相对较窄的开口宽度的所述掩模的开口相对应的所述半导体衬底的区域中，在所述半导体衬底的所述第二表面中形成凹入部分，以使具有相对较窄的宽度尺寸的第二通孔穿透到所述凹入部分的下表面。

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