CN1938457A - 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 - Google Patents

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 Download PDF

Info

Publication number
CN1938457A
CN1938457A CNA2005800100507A CN200580010050A CN1938457A CN 1938457 A CN1938457 A CN 1938457A CN A2005800100507 A CNA2005800100507 A CN A2005800100507A CN 200580010050 A CN200580010050 A CN 200580010050A CN 1938457 A CN1938457 A CN 1938457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
gallium nitride
nitride single
pressure
air pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800100507A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1938457B (zh
Inventor
岩井真
今井克宏
今枝美能留
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Publication of CN1938457A publication Critical patent/CN1938457A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1938457B publication Critical patent/CN1938457B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/10—Metal solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。

Description

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
技术领域
本发明涉及利用所谓的Na助熔剂法生长氮化镓单晶的方法。
背景技术
氮化镓薄膜结晶被瞩目为优良的蓝色发光元件，实用于发光二极管中，也期待成为光拾声器(ピックアップ)用的蓝紫色半导体激光元件。作为利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶的方法，例如可以是“Jan.J.Appl.Phys.”Vol.42，(2003)L4-L6页中，使用仅含氮的气氛时，气氛压力为50气压；使用40％氨、60％氮的混合气体的气氛时，总压为5气压。
此外，例如可以是日本特开2002-293696号公报中，使用氮和氨的混合气体，为10～100气压。日本特开2003-292400号公报中，生长时的气氛压力也为100气压以下，实施例中为2、3、5 Mpa(约20气压、30气压、50气压)。而且，在以往的任一技术中，生长温度全部为1000℃以下，实施例中全部为850℃以下。
发明内容
但是，在这些方法中，氮化镓单晶的生产性低、要求以良好的生产性生长优质的氮化镓单晶的技术。
本发明的目的在于提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。
本发明是使用至少含有钠金属的助熔剂生长氮化镓单晶的方法。其特征在于：在包含含有氮气的混合气体的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。
本发明还涉及氮化镓单晶，其特征在于是利用上述方法生长的。
本发明人，使用与以往技术的Na助熔剂法相比可以施加高温高压的装置，例如热等静压(HIP)装置，通过使总压为300气压以上、2000气压以下，控制氮分压，发现在900～1500℃比以往技术高温的范围内，可以得到良好的单晶，从而完成了本发明。
附图简述
图1是表示本发明的一实施方式中可使用的生长装置1的模式图。
实施发明的最佳方式
本发明中，使用至少含有钠金属的助熔剂生长氮化镓单晶。在该助熔剂中混合镓原料物质。作为镓原料物质，可以应用镓单体金属、镓合金、镓化合物，从操作上考虑镓单体金属也适合。
助熔剂中可以含有钠以外的金属，例如锂、钙、钾。镓原料物质和钠等助熔剂原料物质的使用比例适宜即可，一般而言，考虑使用Na过量。当然这不是限定的。
本发明中，在包含含有氮气的混合气体的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。通过使总压为300气压以上，例如在900℃以上的高温范围，更优选在950℃以上的高温范围，可以促进晶核形成，生长优质的氮化镓单晶。其原因还不清楚，但推测为高压气体的密度与至少含有金属钠的生长溶液的密度接近，因此促进对流，使氮气有效地溶进生长溶液中。如果气氛的总压超过2000气压，则高压气体的密度与生长溶液的密度很接近，因此生长溶液难以保持在坩埚内，因此不优选。为此使总压为2000气压以下，但更优选使总压为1500气压以下，进一步优选为1200气压以下。
表1
各种材料的密度(g/cm3)
 金属钠  氮  氩
 800℃·1气压  0.75  0.0003  0.0004
 927℃·300气压  0.08  0.11
 927℃·1 000气压  0.21  0.33
 927℃·2000气压  0.3(推测)  0.5(推测)
本发明中，优选生长时气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。通过使该氮分压为100气压以上，例如在1000℃以上的高温范围，可以促进晶核形成，生长优质的氮化镓单晶。从这个观点看，更优选使气氛的氮分压为120气压以上，进一步优选为200气压以上，最优选为300气压以上。还优选氮分压在实用中为1000气压以下。
对气氛中的氮以外的气体没有限定，但优选惰性气体，特别优选氩、氦、氖。氮以外气体的分压为从总压中除去氮气分压后的值。
本发明中，氮化镓单晶的生长温度优选为950℃以上，更优选1000℃以上，在所述高温范围也可以生长优质的氮化镓单晶。而且，可在高温下生长，因此具有使生产性提高的可能性。
氮化镓单晶的生长温度没有特定上限，但如果生长温度过高则结晶会难以生长，因此优选为1500℃以下，从这个观点看，更优选为1200℃以下。
对本发明中的实际生长方法没有特别限定。在优选的实施方式中，将晶种固定在规定位置，通过使容纳有助熔剂的坩埚向上方上升，使晶种接触助熔剂的表面。在高压状态下气体的密度变大，夹套上部的温度变高。因此，发现了将运转部安装在下方，使坩埚向上方移动或回转容易控制温度分布和气体的对流，适合于单晶的生长。
在优选的实施方式中，将容纳有助熔剂的坩埚容纳在压力容器内，使用热等静压装置在高压下进行加热。此时，将含有氮的气氛气体压缩至规定压力，供给到压力容器内，控制压力容器内的总压和氮分压。
图1是表示本发明的一实施方式中可使用的氮化镓单晶的生长装置1的模式图。将夹套3固定在HIP(热等静压)装置的压力容器2中，在夹套3内设置坩埚14。坩埚14固定在支撑棒9上，如箭头A所示可以上升和下降。坩埚14中，容纳构成助熔剂的至少含有钠和镓的原料。
在混合气体高压钢瓶(ボソベ)12内，填充规定组成的混合气体，通过压缩机11将该混合气体压缩至规定压力，如箭头B所示通过供给管10供给到压力容器2内。该气氛中的氮成为氮的来源，氩气等惰性气体抑制钠的蒸发。其压力通过没有图示的压力计监视。
在坩埚14和夹套3的周围设置加热器4，可以控制坩埚内的生长温度。
在坩埚14的上方，利用支撑棒6将晶种基板7悬挂、固定。将规定的原料容纳在坩埚14内，加热使之熔融，生成助熔剂8。接着将坩埚14如箭头A所示向上方驱动，使晶种基板7接触助熔剂8的表面、进行浸泡。在这种状态下，通过将坩埚14的温度在规定时间维持规定温度，在晶种7上形成氮化镓单晶膜。在通过回转支撑棒9，也可以使坩埚14回转。接着将坩埚14向下方驱动，冷却晶种7和氮化镓单晶。
对用于使氮化镓结晶外延生长的生长用基板的材质没有限定，例如可以是：蓝宝石、AlN模板、GaN模板、SiC单晶、MgO单晶、尖晶石(MgAl2O4)、LiAlO2、LiGaO2、LaAlO3、LaGaO3、NdGaO3等钙钛矿型复合氧化物。还可以使用组成式为[A1-y(Sr1-xBax)y][(Al1-zGaz)1-u·Du]O3(A为稀土类元素；D为一种以上选自铌和钽的元素；y＝0.3～0.98；x＝0～1；z＝0～1；u＝0.15～0.49；X+Z＝0.1～2)的立方晶体系的钙钛矿结构复合氧化物。还可以使用SCAM(ScAlMgO4)。还可以使用利用HVPE法等制备的GaN自立基板。
实施例
(实施例1)
使用图1的装置，按照参照图1说明的上述顺序，在晶种7上生长了氮化镓单晶膜。
具体而言，使用了磁轭框架式(ョ-クフレ-ムタイプ)的HIP(热等静压)装置。在该压力容器2中插入直径100毫米，高度120毫米的圆筒形的铝坩埚14，在坩埚14中加入了200g金属钠和200g金属镓。从高压钢瓶12供给氮浓度为40％(剩余部分为氩)的混合气体，在压缩机中加压至1200气压，加热至1000℃。此时的氮分压为480气压。在1000℃下保持24小时之后，上升坩埚14，向助熔剂8中插入直径为2英寸的AlN模板7，再保持100小时。其结果，生长了厚度约5mm、直径2英寸的GaN单晶。AlN模板是指在蓝宝石单晶基板上作成的AlN单晶外延薄膜。此时AlN薄膜的膜厚度为1微米。几乎没有发现金属钠的蒸发。
(实施例2)
除了使用总压为300气压，氮浓度为40％(剩余部分为氩)的混合气体以外，与实施例1同样地进行实验。此时氮分压为120气压。其结果，生长了厚度约2.5mm、直径2英寸的GaN单晶。有极微量的金属钠蒸发，但对生长没有影响。
(实施例3)
除了生长温度为850℃以外，与实施例1同样地进行实验。在坩埚壁面和AlN模板上生长了多数1～3mm左右大小的GaN单晶，未能得到大的单晶。
(实施例4)
除了使用100g金属镓、100g金属钠、0.5g金属锂，使用纯氮气总压为300气压以外，与实施例1同样地进行实验。氮分压为300气压。其结果，生长了厚度约4mm、直径2英寸的GaN单晶。有极微量的金属钠蒸发，但对生长没有影响。
(实施例5)
除了使用氮浓度为50％(剩余部分为氩)的混合气体，生长温度为1200℃以外，与实施例4同样地进行实验。气氛的总压为1200气压，氮分压为600气压。其结果，生长了厚度约5mm、直径2英寸的GaN单晶。有极微量的金属钠蒸发，但对生长没有影响。
(比较例1)
除了总压为200气压，氮分压为80气压以外，与实施例同样地进行实验。AlN模板被溶解，未能得到GaN单晶。而且，原料中的钠部分蒸发，液体高度发生了变化。
本发明说明了特定的实施方式，但并不表示本发明限定于这些特定的实施方式，在不离开权利要求书的范围内，可以边进行各种的变更和改变边实施。

Claims (7)

1.一种氮化镓单晶的生长方法，该方法是使用至少含有钠金属的助熔剂生长氮化镓单晶的方法，其特征在于：在包含含有氮气的混合气体的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长上述氮化镓单晶。
2.权利要求1的方法，其特征在于：上述气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。
3.权利要求1或2的方法，其特征在于：生长温度为900℃以上、1500℃以下。
4.权利要求1或2的方法，其特征在于：生长温度为950℃以上、1200℃以下。
5.权利要求1～4中任一项的方法，其特征在于：通过使容纳有上述助熔剂的坩埚上升，使晶种与上述助熔剂接触。
6.权利要求1～5中任一项的方法，其特征在于：使用热等静压装置生长上述氮化镓单晶。
7.一种氮化镓单晶，其特征在于：是利用权利要求1～6中任一项的方法生长的。
CN2005800100507A 2004-03-31 2005-03-30 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 Expired - Fee Related CN1938457B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP103093/2004 2004-03-31
JP2004103093 2004-03-31
PCT/JP2005/006692 WO2005095682A1 (ja) 2004-03-31 2005-03-30 窒化ガリウム単結晶の育成方法および窒化ガリウム単結晶

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1938457A true CN1938457A (zh) 2007-03-28
CN1938457B CN1938457B (zh) 2011-11-30

Family

ID=35063810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800100507A Expired - Fee Related CN1938457B (zh) 2004-03-31 2005-03-30 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8241422B2 (zh)
EP (1) EP1734158B1 (zh)
JP (1) JP4753869B2 (zh)
KR (1) KR100894460B1 (zh)
CN (1) CN1938457B (zh)
WO (1) WO2005095682A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1954101B (zh) * 2005-03-14 2010-05-19 株式会社理光 Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置
CN102575384A (zh) * 2009-10-16 2012-07-11 日本碍子株式会社 基底基板、3b族氮化物结晶及其制法
CN103180490A (zh) * 2010-11-02 2013-06-26 日本碍子株式会社 晶体制造方法
CN105442046A (zh) * 2016-01-11 2016-03-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种氮化物单晶生长装置及方法
CN105671639A (zh) * 2014-12-05 2016-06-15 丰田合成株式会社 用于制造第iii族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚
CN108301047A (zh) * 2018-01-11 2018-07-20 东莞理工学院 一种内腔调控钠流法材料生长反应釜
CN109680334A (zh) * 2019-03-07 2019-04-26 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置
CN110295390A (zh) * 2014-03-18 2019-10-01 赛奥科思有限公司 氮化镓晶体的制造方法
CN110735178A (zh) * 2018-07-19 2020-01-31 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于二元单晶生长的系统和方法
CN113046712A (zh) * 2021-03-10 2021-06-29 无锡吴越半导体有限公司 一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法
CN116536758A (zh) * 2023-05-04 2023-08-04 山东晶升电子科技有限公司 一种氮化镓晶体高压助熔剂外延生长的设备及方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8241422B2 (en) * 2004-03-31 2012-08-14 Ngk Insulators, Ltd. Gallium nitride single crystal growing method and gallium nitride single crystal
CN101370971A (zh) 2006-02-13 2009-02-18 日本碍子株式会社 从助熔剂中回收钠金属的方法
JP4968708B2 (ja) * 2006-03-06 2012-07-04 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
WO2007102610A1 (ja) 2006-03-06 2007-09-13 Ngk Insulators, Ltd. 単結晶の育成方法
WO2007108498A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造装置
JP5177557B2 (ja) * 2006-03-23 2013-04-03 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造装置
JP2007254201A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 単結晶の製造方法
WO2007108338A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
WO2007122866A1 (ja) * 2006-03-23 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 単結晶の製造方法
JP5078129B2 (ja) * 2007-03-14 2012-11-21 日本碍子株式会社 Ｉｉｉ族金属窒化物単結晶の育成方法
JP5235864B2 (ja) * 2007-03-27 2013-07-10 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP4624381B2 (ja) * 2007-07-12 2011-02-02 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶の製造方法
JP5261401B2 (ja) * 2007-12-21 2013-08-14 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の育成装置
JP4965465B2 (ja) * 2008-01-07 2012-07-04 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP5607548B2 (ja) * 2009-01-21 2014-10-15 日本碍子株式会社 ３ｂ族窒化物結晶板製造装置
JP2010077022A (ja) * 2009-11-30 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
JP5365616B2 (ja) * 2010-12-14 2013-12-11 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2014520752A (ja) * 2011-07-13 2014-08-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア バルクｉｉｉ族窒化物結晶の成長
CN104246027B (zh) 2012-08-06 2015-11-25 日本碍子株式会社 复合基板及功能元件

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5868837A (en) * 1997-01-17 1999-02-09 Cornell Research Foundation, Inc. Low temperature method of preparing GaN single crystals
TW519551B (en) * 1997-06-11 2003-02-01 Hitachi Cable Methods of fabricating nitride crystals and nitride crystals obtained therefrom
US6592663B1 (en) * 1999-06-09 2003-07-15 Ricoh Company Ltd. Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
US6780239B2 (en) * 2000-10-19 2004-08-24 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
EP1346085B1 (en) * 2000-11-30 2011-10-12 North Carolina State University Method for producing group iii metal nitride based materials
US20020158267A1 (en) * 2001-02-21 2002-10-31 Kelsey P. Victor Gallium containing luminescent powders and method of manufacturing same
JP2002293696A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Japan Science & Technology Corp ＧａＮ単結晶の製造方法
US7001457B2 (en) * 2001-05-01 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
JP4048476B2 (ja) * 2001-05-22 2008-02-20 株式会社リコー 観察機能付ｉｉｉ族窒化物結晶製造装置および窒化物結晶製造方法
US6861130B2 (en) * 2001-11-02 2005-03-01 General Electric Company Sintered polycrystalline gallium nitride and its production
US6949140B2 (en) * 2001-12-05 2005-09-27 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
JP4801315B2 (ja) 2002-01-29 2011-10-26 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
US7175704B2 (en) * 2002-06-27 2007-02-13 Diamond Innovations, Inc. Method for reducing defect concentrations in crystals
KR100989507B1 (ko) * 2002-07-31 2010-10-22 재단법인 오사카산업진흥기구 Ⅲ족 원소 질화물 단결정의 제조 방법 및 그것에 의하여얻어진 ⅲ족 원소 질화물 투명 단결정
US7220311B2 (en) * 2002-11-08 2007-05-22 Ricoh Company, Ltd. Group III nitride crystal, crystal growth process and crystal growth apparatus of group III nitride
US7221037B2 (en) * 2003-01-20 2007-05-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device
US7261775B2 (en) * 2003-01-29 2007-08-28 Ricoh Company, Ltd. Methods of growing a group III nitride crystal
US7309534B2 (en) * 2003-05-29 2007-12-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Group III nitride crystals usable as group III nitride substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device including the same
JP4433696B2 (ja) * 2003-06-17 2010-03-17 三菱化学株式会社 窒化物結晶の製造方法
US7227172B2 (en) * 2003-10-20 2007-06-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Group-III-element nitride crystal semiconductor device
CN100564616C (zh) * 2004-02-19 2009-12-02 松下电器产业株式会社 化合物单晶的制造方法和用于该制造方法的制造装置
US8241422B2 (en) * 2004-03-31 2012-08-14 Ngk Insulators, Ltd. Gallium nitride single crystal growing method and gallium nitride single crystal
JP2005298269A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
JP4780720B2 (ja) * 2004-09-16 2011-09-28 日本碍子株式会社 ＡｌＮ単結晶の製造方法およびＡｌＮ単結晶
CN101370971A (zh) * 2006-02-13 2009-02-18 日本碍子株式会社 从助熔剂中回收钠金属的方法
WO2007102610A1 (ja) * 2006-03-06 2007-09-13 Ngk Insulators, Ltd. 単結晶の育成方法
WO2007108338A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP4525743B2 (ja) * 2007-11-30 2010-08-18 住友電気工業株式会社 発光デバイス用ｉｉｉ族窒化物結晶基板ならびに発光デバイスおよびその製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1954101B (zh) * 2005-03-14 2010-05-19 株式会社理光 Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置
US9376763B2 (en) 2005-03-14 2016-06-28 Ricoh Company, Ltd. Manufacturing method and manufacturing apparatus of a group III nitride crystal, utilizing a melt containing a group III metal, an alkali metal, and nitrogen
US8337617B2 (en) 2005-03-14 2012-12-25 Ricoh Company, Ltd. Manufacturing method and manufacturing apparatus of a group III nitride crystal
CN102575384B (zh) * 2009-10-16 2015-10-14 日本碍子株式会社 基底基板、第13族氮化物结晶及其制法
US9290861B2 (en) 2009-10-16 2016-03-22 Ngk Insulators, Ltd. Group 13 nitride crystal with stepped surface
CN102575384A (zh) * 2009-10-16 2012-07-11 日本碍子株式会社 基底基板、3b族氮化物结晶及其制法
CN103180490A (zh) * 2010-11-02 2013-06-26 日本碍子株式会社 晶体制造方法
CN110295390A (zh) * 2014-03-18 2019-10-01 赛奥科思有限公司 氮化镓晶体的制造方法
CN105671639A (zh) * 2014-12-05 2016-06-15 丰田合成株式会社 用于制造第iii族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚
CN105671639B (zh) * 2014-12-05 2018-06-08 丰田合成株式会社 用于制造第iii族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚
CN105442046A (zh) * 2016-01-11 2016-03-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种氮化物单晶生长装置及方法
CN108301047A (zh) * 2018-01-11 2018-07-20 东莞理工学院 一种内腔调控钠流法材料生长反应釜
CN110735178A (zh) * 2018-07-19 2020-01-31 通用汽车环球科技运作有限责任公司 用于二元单晶生长的系统和方法
CN109680334A (zh) * 2019-03-07 2019-04-26 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置
CN113046712A (zh) * 2021-03-10 2021-06-29 无锡吴越半导体有限公司 一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法
CN116536758A (zh) * 2023-05-04 2023-08-04 山东晶升电子科技有限公司 一种氮化镓晶体高压助熔剂外延生长的设备及方法
CN116536758B (zh) * 2023-05-04 2024-01-23 山东晶升电子科技有限公司 一种氮化镓晶体高压助熔剂外延生长的设备及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2005095682A1 (ja) 2008-02-21
KR100894460B1 (ko) 2009-04-22
US20070209575A1 (en) 2007-09-13
CN1938457B (zh) 2011-11-30
US8241422B2 (en) 2012-08-14
EP1734158B1 (en) 2012-01-04
WO2005095682A1 (ja) 2005-10-13
EP1734158A1 (en) 2006-12-20
JP4753869B2 (ja) 2011-08-24
KR20070008583A (ko) 2007-01-17
EP1734158A4 (en) 2009-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1938457B (zh) 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
JP6614529B2 (ja) Ｉｉｉ族元素窒化物結晶の製造方法、ｉｉｉ族元素窒化物結晶、半導体装置、およびｉｉｉ族元素窒化物結晶製造装置
CN106460228B (zh) Iii族氮化物结晶的制造方法及iii族氮化物结晶制造装置
JP2002293696A (ja) ＧａＮ単結晶の製造方法
CN101370971A (zh) 从助熔剂中回收钠金属的方法
JPWO2007122865A1 (ja) 窒化物単結晶の製造方法
JP2003313098A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置
US7294199B2 (en) Nitride single crystal and producing method thereof
US20110259261A1 (en) Reaction vessel for growing single crystal and method for growing single crystal
CN101405439B (zh) 氮化物单晶的制造装置
CN102803583A (zh) Iii族金属氮化物单晶的培养方法以及用于该方法的反应容器
JP2006131454A (ja) Ｉｉｉ属窒化物単結晶およびその製造方法
Morishita et al. Growth of bulk GaN single crystals using Li-Na mixed flux system
CN101611178A (zh) 氮化物单晶的制造方法
EP1818430A1 (en) Iii group nitride single crystal and method for preparation thereof, and semiconductor device
JP5699493B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法
JP2002068896A (ja) 窒化物単結晶製造方法及び製造装置
JP4398762B2 (ja) Ｉｉｉ族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれに用いる反応容器
JP2003286098A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置
JP2003286099A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置およびｉｉｉ族窒化物結晶成長方法
US8657955B2 (en) Melt composition for gallium nitride single crystal growth and method for growing gallium nitride single crystal
EP3199670A1 (en) Method for producing group iii element nitride crystal, group iii element nitride crystal, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and apparatus for producing group iii element nitride crystal
Feigelson et al. Growth of GaN crystals from molten solution with Ga free solvent using a temperature gradient
JP4876002B2 (ja) 窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法
JP2007254206A (ja) 窒化物単結晶の育成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111130

Termination date: 20210330