CN1914598A - 半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法 - Google Patents

半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1914598A
CN1914598A CNA200580003324XA CN200580003324A CN1914598A CN 1914598 A CN1914598 A CN 1914598A CN A200580003324X A CNA200580003324X A CN A200580003324XA CN 200580003324 A CN200580003324 A CN 200580003324A CN 1914598 A CN1914598 A CN 1914598A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
piece
fault
flash memory
boot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200580003324XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1914598B (zh
Inventor
片野由人
吉田正
迫和彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1914598A publication Critical patent/CN1914598A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1914598B publication Critical patent/CN1914598B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F8/00—Arrangements for software engineering
    • G06F8/40—Transformation of program code
    • G06F8/54—Link editing before load time
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1417—Boot up procedures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/16—Protection against loss of memory contents
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
    • G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
    • G06F9/22—Microcontrol or microprogram arrangements
    • G06F9/24—Loading of the microprogram
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1666—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware where the redundant component is memory or memory area
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Stored Programmes (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Retry When Errors Occur (AREA)

Abstract

一种半导体装置，其中，使用诸如NAND型的每比特成本较低的快闪存储器作为引导装置，并将相同的引导程序存储在快闪存储器中的多个块的每一个中。当从CPU接收到对引导程序存储区的访问时，快闪存储器控制器仅在它根据基于该数据中的ECC的确定、以及根据基于块信息的确定而确定对应的块无缺陷时，才向CPU输出从对应的页读取的数据。否则，快闪存储器控制器读取存储在下一块中的引导程序，并再次进行对于该块是否有缺陷的确定。

Description

半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法，该半导体装置被适配为通过从数据可重写(data-rewritable)的非易失性存储器读出引导程序来开始操作。更具体地，本发明涉及一种半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法，该半导体装置被适配为通过从不能在制造过程中消除坏块的大容量非易失性存储器(例如NAND型快闪存储器)读出引导程序来启动操作。
此申请要求于2004年1月28日提交的日本专利申请第2004-019278号的优先权，其全部内容通过引用而被合并于此。
背景技术
近年来，已在例如家用便携式设备的各类设备中使用了具有将大量功能部件(feature)集成在单个芯片上的结构的系统LSI(大规模集成电路)。系统LSI在内部或外部配备有与数据一起存储引导程序和其它各种处理程序的非易失性存储器。这种非易失性存储器经常是允许电重写其存储的数据的快闪存储器。
通常，使用NOR型快闪存储器来存储引导程序。然而，近来已经产生了对于在每比特成本方面较不昂贵的NAND型快闪存储器的需求。
利用NAND型快闪存储器的已知的引导系统包括这样的引导系统，所述引导系统包括CPU(中央处理单元)核、系统存储器、NAND型快闪存储器、以及用于每个存储器和CPU核之间的数据通信的接口，并且被适配为：通过在CPU核的控制下利用所述接口将来自NAND型快闪存储器的引导代码暂时存储在RAM(随机存取存储器)中、并从该RAM读出所述引导代码来操作以进行系统引导，以便提高系统的性能。在日本专利申请公开第2003-271391号中公开了所述种类的已知引导系统。
同时，在快闪存储器中，在逐块的基础上进行写入或读取数据的操作。然而，已知在NAND型快闪存储器中，在制造过程中随机出现坏块。另一方面，使用NAND型快闪存储器的引导需要确保存储引导程序的块没有故障、并且正确地存储了程序。然而，确保NAND型快闪存储器没有任何特定的坏块存在问题，因为在出货之前为了该目的而需要进行的测试的成本是巨大的。
发明内容
因此，考虑到上面指出的情形，本发明的一个目的是提供一种半导体装置，其能够在使用诸如NAND型快闪存储器的每比特成本比较低的快闪存储器作为引导装置时，持续稳定地开始操作。
本发明的另一目的是提供一种用于启动半导体装置的处理方法，所述半导体装置能够在使用诸如NAND型快闪存储器的每比特成本比较低的快闪存储器作为引导装置时，持续稳定地启动半导体装置。
在本发明的一个方面，通过提供一种半导体装置来实现第一目的，所述半导体装置被适配为通过从数据可重写的非易失性存储器读出引导程序而启动，该引导程序被并行地存储在非易失性存储器中的多个块中，所述半导体装置包括：CPU，其被适配为指定用于在启动时读出存储在非易失性存储器中的引导程序的读取位置，并根据所读出的程序来执行启动过程；以及读取控制电路，其被适配为根据从与读取位置相对应的块读出的数据来确定该块是否有故障，如果该块被确定为没有故障，则向CPU输出该数据，而如果该块被确定为有故障，则从存储引导程序的另一块中读取数据，并且再次确定所述另一块是否有故障。
因此，在根据本发明的半导体装置中，读取控制电路从与其它块并行地存储相同的引导程序的非易失性存储器的块中的一个读出数据。随后，典型地，读取控制电路根据所读出的数据、在包含在所读出的数据中的纠错信息或块状态信息的基础上，确定从中读出所述数据的块是有故障还是无故障的。
如果确定该块是无故障的，则读取控制电路将所读出的数据输出到CPU。然后，结果，引导程序被依序输入CPU并由CPU执行，以使半导体装置开始操作。另一方面，如果确定该块是有故障的，则读取控制电路从也存储了引导程序的非易失性存储器中的某个其它块读出数据，并且再次确定从中读出所述数据的块是否有故障。
由于在半导体装置中安装了这样的读取控制电路，因此如果使用大容量非易失性存储器、并且该非易失性存储器随机地包含坏块，则避免了由CPU执行存储在坏块中的不正确的引导代码的情形。由此，可以在使用制造成本比较低的非易失性存储器时持续稳定地执行启动过程。
在本发明的另一方面，通过提供一种用于启动半导体装置的处理方法来实现第二目的，所述半导体装置包括CPU，其被适配为通过从数据可重写的非易失性存储器读出引导程序而启动，所述引导程序被并行存储在非易失性存储器中的多个块中，所述处理方法包括以下步骤：通过非易失性存储器的读取控制电路，在启动时从与由CPU指定的读取位置相对应的非易失性存储器中的块读出数据；以及根据从该块读出的数据来确定该块是否有故障，如果该块被确定为无故障，则将该数据输出到CPU，而如果该块被确定为有故障，则从存储引导程序的另一块读取数据，并且再次确定所述另一块是否有故障。
因此，通过根据本发明的用于启动半导体装置的处理方法，由读取控制电路从与其它块并行地预先存储相同的引导程序的非易失性存储器的块中的一个读出数据。随后，典型地，根据所读出的数据、在包含在所读出的数据中的纠错信息或块状态信息的基础上，确定从中读出所述数据的块是有故障还是无故障的。
如果确定该块是无故障的，则将所读出的数据输出到CPU。然后，结果，引导程序被依序输入CPU并由CPU执行，以使半导体装置开始操作。另一方面，如果确定该块是有故障的，则从也存储引导程序的非易失性存储器中的某个其它块读出数据，以便再次确定从中读出所述数据的块是否有故障。
由于由读取控制电路执行这样的处理操作，因此如果使用大容量非易失性存储器、并且该非易失性存储器随机地包含坏块，则避免了由CPU执行存储在坏块中的不正确的引导代码的情形。因此，可以在使用制造成本比较低的非易失性存储器时持续稳定地执行启动过程。
因而，根据本发明，可以在不依赖于装运前的测试的情况下，确保非易失性存储器不具有任何存储引导程序的特定的坏块。因此，可以根据存储在低制造成本的大容量非易失性存储器中的引导代码来持续稳定地启动半导体装置。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的半导体装置的配置的示意框图；
图2是快闪存储器的示例数据结构的示意图解；
图3是快闪存储器中的引导程序的存储的状态的示意图解；以及
图4是根据本发明实施例的用于启动半导体装置的快闪存储器控制器的处理操作的流程图。
具体实施方式
现在，将通过参照图解本发明的优选实施例的附图来更详细地描述本发明。
图1是根据本发明的半导体装置的实施例的示意框图。
在图1中图解的半导体装置包括通过将各种电路集成地安装在单个半导体芯片上而形成的系统LSI10、以及被布置在系统LSI10外部的NAND型快闪存储器20。
系统LSI10依次包括CPU11、eDRAM(嵌入动态随机存取存储器)12和13、快闪存储器控制器14、输入/输出(I·O)I/F(接口)15、其它外围电路16和内部总线17。
CPU11通过内部总线17连接到eDRAM12和13、快闪存储器控制器14以及外围电路16。CPU11通过执行存储在快闪存储器20中的处理程序来全面地控制整个半导体装置的操作。eDRAM12和13临时存储要由CPU11执行的处理程序以及要用于处理操作的数据。
快闪存储器控制器14是用于控制读取在外部布置的快闪存储器20的操作的电路。它在其内部配备有RAM14a。当由CPU11指定了读取地址时，快闪存储器控制器14从快闪存储器20读出数据，并且在它将该数据提供给CPU11之前将该数据暂时存储在RAM14a中。快闪存储器控制器14还具有根据在存储在RAM14a中的数据中包含的ECC(纠错码)来执行纠错处理的功能。
另外，当由CPU11访问存储在快闪存储器20中的引导程序时，快闪存储器控制器14暂时存储从快闪存储器20读出的数据，然后确定从中读出所述数据的快闪存储器20中的块是有故障还是无故障。随后，它仅在确定该块无故障时才将所述数据提供给CPU。
输入/输出I/F15是用于在快闪存储器控制器14和快闪存储器20之间交换数据的I/F电路。
快闪存储器20存储包括用于启动半导体装置的引导程序的各种处理程序、以及数据。由CPU11来执行所述处理程序。
内部总线17包括用于传送指示内部总线17是否准备好用于访问的总线状态信号READY的总线。例如，当CPU11请求快闪存储器控制器14从快闪存储器20读取数据时，如果总线状态信号READY被快闪存储器控制器14置非(negate)，则阻止主机系统访问内部总线17。
快闪存储器20预先存储用于半导体装置的引导程序。在启动半导体装置时，CPU 11向快闪存储器控制器14指定存储引导程序的块的起始(leading)地址，并执行从快闪存储器20读出的引导程序。结果，半导体装置的各个部件被初始化。
同时，已知坏块随机出现在NAND型快闪存储器中。如果与NOR型快闪存储器相比的话，这样的快闪存储器具有大存储容量但较不昂贵。另一方面，为了持续稳定地启动半导体装置，有必要始终在正常状态下将存储在快闪存储器20中的引导程序提供给CPU并由CPU执行。
为此目的，在本发明的这一实施例中，将相同的引导程序并行存储在快闪存储器20的多个块中。随后，快闪存储器控制器14根据所读出的数据来确定从快闪存储器20中、从中读出所述数据的块是有故障还是无故障，并且，如果确定该块有故障，则从也存储引导程序的某个其它块再次读出该引导程序。通过此过程，CPU11可以始终执行存储在正常的块中的引导程序。
在此实施例中，快闪存储器控制器14根据在从快闪存储器20读出的数据中包含的ECC或块信息来确定该块是有故障还是无故障。
图2是快闪存储器20的示例数据结构的示意图解。
如图2所示，快闪存储器20的内部被划分为多个块，并在逐块的基础上读出数据。每个块被进一步划分为多页。在此实施例中，将块划分为64页。典型地，将从顶部起总共2048字节的存储区域分配为用于用户数据的存储区，并在该存储区域之后布置64字节的扩展数据(额外(extra)数据)区域。
将ECC划分为4个3字节的部分，并且将其从扩展数据区域的顶部起存储在该扩展数据区域的4个区域中。将“00”插入到每个区域的底部。在每个块的起始页中、在接下来的4字节的区域中存储块信息。块信息是用来指示块是否有故障的标志。当该标志的值示出特定值时，可以说该块是正常的。
图3是快闪存储器20中的引导程序的存储的状态的示意图解。
如图3所示，在此实施例中，将相同的引导程序存储在快闪存储器20的起始的4个块中，并将其它处理程序和数据存储在随后的块中。在起始的4个块中，在复位之后立即由CPU11指定第一起始块。如果确定此块有故障，则快闪存储器控制器14依序指定第二块、第三块和第四块以读取引导程序。
图4是用于启动上述半导体装置的快闪存储器控制器14的处理操作的流程图。
[步骤S101]当输入了系统复位信号时，CPU11通过内部总线17访问存储引导程序的快闪存储器20的存储区域。快闪存储器控制器14等待来自CPU11的访问命令，并且当它实际接收到访问命令时，它访问所述存储区域(更具体地说，起始块的起始页)，快闪存储器控制器14前进到步骤S102。
[步骤S102]快闪存储器控制器14将总线状态信号READY置非。结果，试图访问内部总线17的主机系统的任何尝试都被阻止。
[步骤S103]快闪存储器控制器14通过输入/输出I/F15访问快闪存储器20，并从由CPU11指定的存储区域读取一页的数据。随后，它将它已经读出的数据暂时存储在RAM14a中。如果此时一些数据已经被存储在RAM14a中，则快闪存储器控制器14覆写该数据。
[步骤S104]快闪存储器控制器14依序读出存储在RAM 14a中的数据。首先，它检查ECC，并且如将在下面描述的那样进行步骤S105的确定、然后进行步骤S107的确定。
[步骤S105]如果快闪存储器控制器14确定该页的数据包含不可校正的错误(UCE)，则它前进到步骤S106。否则，它前进到步骤S107。
[步骤S106]快闪存储器控制器14指定要从中读取数据的快闪存储器20中的下一块，并返回步骤S103。结果，再次从所述下一块的起始页读出所述块中的数据。
由于在此实施例中将引导程序存储在快闪存储器20的4个块中，因此当该处理操作前进到步骤S106四次时，该处理操作终止。
[步骤S107]另一方面，如果快闪存储器控制器14确定该页的数据包含一个或多于一个的可校正的错误(CE)，则其前进到步骤S108。否则、或者当它确定该页的数据不包含任何错误，则它前进到步骤S109。
[步骤S108]快闪存储器控制器14对该页的数据执行纠错处理，并将校正后的数据写入在RAM14a上。
[步骤S109]快闪存储器控制器14从RAM14a的数据中提取块信息。如果该块信息未示出预定值，则它确定该块是坏块，并且前进到步骤S106。结果，从下一块的起始页再次读出数据。另一方面，如果该块信息示出预定值，则它确定该块是正常块，并且前进到步骤S110。
[步骤S110]快闪存储器控制器14断言(assert)总线状态信号READY。
[步骤S111]快闪存储器控制器14通过内部总线17将RAM14a中的数据输出到CPU11。结果，CPU11执行从快闪存储器20读出的引导程序，并启动半导体装置。
注意，上面的流程图适用于当引导程序的量(volume)不大于一页的数据存储区域的容量时的处理。如果引导程序被存储在多页上，则仅在从块的起始页读出引导程序时才进行步骤S109的处理操作。如果作为以上处理的结果、快闪存储器控制器14确定所述块是正常的，则它通过步骤S110和S111而将RAM14a中的数据输出到CPU11，然后返回步骤S102，以将总线状态信号READY置非。随后，在步骤S103中，快闪存储器控制器14读取下一页的数据。
作为通过参照图4的流程图而在上面描述的处理的结果，快闪存储器控制器14仅在其从快闪存储器20读出的数据包含一个或多于一个可校正的错误时、或者在该数据不包含任何错误并且根据块信息而将从中读出该数据的块检测为不是坏块时，才将该数据输出到CPU11。由此，当启动半导体装置时，CPU11始终可以执行正常的引导程序。换句话说，可以持续稳定地启动半导体装置。
因此，由于快闪存储器控制器14所执行的所述处理，可以确保存储引导程序的快闪存储器20的特定块无故障。传统上，确保NAND型快闪存储器没有任何特定的坏块已经成为问题，因为在出货之前为了该目的而需要进行的测试的成本是巨大的，并且该测试不可避免地减小制造这种快闪存储器的产量。然而，根据本发明，可以在其中随机地存在坏块的情况下使用低成本高容量的快闪存储器作为引导装置。由此，可以在降低制造整个半导体装置的成本的同时持续稳定地启动这样的存储器。
如果要从中读取引导程序的块被确定为有故障，则快闪存储器控制器14再次从某个其它块读出该引导程序，并且仅在确定该块不是坏块时才将该引导程序输出到CPU11。由此，CPU11可在复位之后执行完全相同的启动过程，并且，不需要变更除了快闪存储器控制器14之外的组件的配置。换句话说，本发明使被适配为通过CPU来执行各种处理的计算机系统找到广泛的应用范围，而不会提高制造成本。
尽管在上述实施例中快闪存储器被布置在系统LSI外部，但是本发明也适用于快闪存储器被布置在系统LSI内部的配置。
用作引导装置的快闪存储器不限于NAND型快闪存储器，并且，在出货时难以从中完全消除坏块的、具有比较大的容量以及允许它被依序访问的配置的任意其它类型的快闪存储器也可用于本发明的目的。典型地，这样的快闪存储器包括那些所谓的AND型。

Claims (8)

1、一种被适配为通过从数据可重写的非易失性存储器读出引导程序而启动的半导体装置，所述引导程序被并行存储在非易失性存储器中的多个块中，所述半导体装置包括：
CPU，其被适配为指定用于在启动时读出存储在非易失性存储器中的引导程序的读取位置，并根据所读出的程序来执行启动过程；以及
读取控制电路，其被适配为根据从与读取位置相对应的块读出的数据来确定该块是否有故障，如果该块被确定为无故障，则向CPU输出该数据，而如果该块被确定为有故障，则从存储引导程序的另一块中读取所述数据，并且再次确定所述另一块是否有故障。
2、如权利要求1所述的装置，其中，读取控制电路被适配为至少根据在从非易失性存储器读出的数据中包含的纠错码来确定该块是有故障还是无故障。
3、如权利要求2所述的装置，其中，当读取控制电路根据纠错码确定所述数据是可校正的数据时，读取控制电路校正该数据，并且将其提供给CPU，而当读取控制电路确定该数据是不可校正的数据时，读取控制电路确定该块是有故障的。
4、如权利要求1所述的装置，其中，读取控制电路被适配为至少根据在从非易失性存储器读出的数据中包含的块状态信息来确定该块是有故障还是无故障。
5、如权利要求4所述的装置，其中，当块状态信息未示出预定值时，读取控制电路确定该块是有故障的。
6、如权利要求4所述的装置，其中，块状态信息被存储在存储引导程序的每个块的起始页中。
7、如权利要求1所述的装置，其中，非易失性存储器是NAND型快闪存储器。
8、一种用于启动半导体装置的处理方法，该半导体装置包括CPU，其被适配为通过从数据可重写的非易失性存储器读出引导程序而启动，该引导程序被并行存储在非易失性存储器中的多个块中，所述处理方法包括以下步骤：
通过非易失性存储器的读取控制电路、在启动时从与由CPU指定的读取位置相对应的非易失性存储器中的块读出数据；以及
根据从该块读出的数据来确定该块是否有故障，如果该块被确定为无故障，则将所述数据输出到CPU，而如果该块被确定为有故障，则从存储引导程序的另一块中读取数据，并且再次确定所述另一块是否有故障。
CN200580003324XA 2004-01-28 2005-01-27 半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法 Active CN1914598B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004019278A JP4534498B2 (ja) 2004-01-28 2004-01-28 半導体装置およびその起動処理方法
JP019278/2004 2004-01-28
PCT/JP2005/001105 WO2005073850A1 (ja) 2004-01-28 2005-01-27 半導体装置及びその起動処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1914598A true CN1914598A (zh) 2007-02-14
CN1914598B CN1914598B (zh) 2011-02-02

Family

ID=34823709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200580003324XA Active CN1914598B (zh) 2004-01-28 2005-01-27 半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8135991B2 (zh)
EP (1) EP1710696B8 (zh)
JP (1) JP4534498B2 (zh)
KR (1) KR101106351B1 (zh)
CN (1) CN1914598B (zh)
HK (1) HK1096473A1 (zh)
MY (1) MY149790A (zh)
TW (1) TWI279727B (zh)
WO (1) WO2005073850A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101848000A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 联发科技股份有限公司 解码方法、编码方法及启动控制系统
CN102135927A (zh) * 2011-04-29 2011-07-27 杭州华三通信技术有限公司 一种基于nand flash的系统引导方法和装置
CN102460383A (zh) * 2009-06-30 2012-05-16 松下电器产业株式会社 数据处理方法、半导体集成电路
CN101526907B (zh) * 2008-03-04 2012-06-20 深圳市爱国者嵌入式系统科技有限公司 避免电子产品开机错误的闪存管理方法
WO2012106897A1 (zh) * 2011-07-18 2012-08-16 华为技术有限公司 数据处理方法及设备
CN102135891B (zh) * 2010-01-21 2013-06-26 杭州华三通信技术有限公司 可实现引导启动的系统及引导启动控制装置和方法
CN103279399A (zh) * 2013-06-27 2013-09-04 北京汉邦高科数字技术股份有限公司 一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法
CN101520735B (zh) * 2008-12-18 2013-09-18 康佳集团股份有限公司 一种启动闪存内引导程序的方法及其网络电视和机顶盒
CN101329632B (zh) * 2008-04-30 2014-02-19 中兴通讯股份有限公司 一种使用boot启动cpu的方法与装置
CN104750617A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 慧荣科技股份有限公司 电子装置及其数据维护方法
CN105700901A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 华为技术有限公司 一种启动方法、装置和计算机系统
CN109634674A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 深圳忆联信息系统有限公司 芯片boot启动方法、装置、计算机设备和存储介质

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4598711B2 (ja) 2006-03-30 2010-12-15 富士通株式会社 誤り訂正装置
JP4840859B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、及び起動方法
JP5066894B2 (ja) * 2006-11-07 2012-11-07 富士ゼロックス株式会社 記憶媒体制御装置
JP5125099B2 (ja) * 2006-12-28 2013-01-23 日本電気株式会社 情報記憶装置、情報記憶方法及びプログラム
JP5021404B2 (ja) * 2007-09-14 2012-09-05 株式会社リコー 電子機器、電子機器の起動制御方法及び画像形成装置
US8683213B2 (en) * 2007-10-26 2014-03-25 Qualcomm Incorporated Progressive boot for a wireless device
JP2009157632A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Toshiba Corp 情報処理装置
US7996736B2 (en) * 2008-10-26 2011-08-09 Sandisk 3D Llc Bad page marking strategy for fast readout in memory
US8726087B2 (en) 2011-03-18 2014-05-13 Denso International America, Inc. System and method for curing a read inability state in a memory device
WO2012140710A1 (ja) * 2011-04-14 2012-10-18 パナソニック株式会社 ブート制御装置、ブートシステム及びブート制御方法
JP5077726B1 (ja) * 2011-05-23 2012-11-21 Ｎｅｃインフロンティア株式会社 コンピュータ、その制御方法及びプログラム
JP2012252557A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Mega Chips Corp メモリコントローラ
JP2011210277A (ja) * 2011-06-20 2011-10-20 Toshiba Corp 情報処理装置および情報処理方法
JP2015046088A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 半導体装置
CN103473098A (zh) * 2013-09-10 2013-12-25 华为技术有限公司 一种boot程序的启动方法和相关装置
KR20160006482A (ko) * 2014-07-09 2016-01-19 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
KR102189780B1 (ko) 2014-08-11 2020-12-11 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
JP2017045405A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 株式会社東芝 メモリシステム
TWI634561B (zh) * 2017-03-24 2018-09-01 群聯電子股份有限公司 資料保護方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元
JP2020087293A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 キヤノン株式会社 情報処理装置および情報処理装置の制御方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5771508A (en) 1980-10-20 1982-05-04 Nec Corp Magnetic storage control device
IT1254937B (it) * 1991-05-06 1995-10-11 Aggiornamento dinamico di memoria non volatile in un sistema informatico
JPH05151093A (ja) * 1991-11-27 1993-06-18 Nec Corp マイクロコントローラのプログラミング方式
JPH05265767A (ja) 1992-03-17 1993-10-15 Nec Corp プログラム起動方法
JP3296520B2 (ja) 1993-09-29 2002-07-02 東芝テック株式会社 ダウンロード・ブートストラップ方法
JPH0877066A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Tdk Corp フラッシュメモリコントローラ
US6018806A (en) * 1995-10-16 2000-01-25 Packard Bell Nec Method and system for rebooting a computer having corrupted memory using an external jumper
JPH1011293A (ja) 1996-06-27 1998-01-16 Nec Corp 情報処理装置
US5793943A (en) 1996-07-29 1998-08-11 Micron Electronics, Inc. System for a primary BIOS ROM recovery in a dual BIOS ROM computer system
JPH10333913A (ja) 1997-06-02 1998-12-18 Hitachi Telecom Technol Ltd ソフトウェアブート制御方式
JP2914360B2 (ja) * 1997-09-30 1999-06-28 ソニー株式会社 外部記憶装置及びデータ処理方法
TW436675B (en) * 1998-01-07 2001-05-28 Hitachi Ltd Memory reproduction device, error correciton method, and portable information terminal and digital camera using the same
US6032248A (en) * 1998-04-29 2000-02-29 Atmel Corporation Microcontroller including a single memory module having a data memory sector and a code memory sector and supporting simultaneous read/write access to both sectors
US6311213B2 (en) * 1998-10-27 2001-10-30 International Business Machines Corporation System and method for server-to-server data storage in a network environment
US6892323B2 (en) * 1999-05-05 2005-05-10 Giga-Byte Technology Co., Ltd. Dual basic input/output system for a computer
TW446864B (en) * 1999-05-11 2001-07-21 Micro Star Int Co Ltd Automatic BIOS backup method
KR20000073693A (ko) * 1999-05-13 2000-12-05 윤종용 마이크로프로세서 응용시스템에서 부트-롬 구조 및 부트-롬 교체방법
JP2001027953A (ja) 1999-07-15 2001-01-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6415348B1 (en) * 1999-08-23 2002-07-02 Advanced Micro Devices, Inc. Flexible microcontroller architecture
KR100577380B1 (ko) * 1999-09-29 2006-05-09 삼성전자주식회사 플래시 메모리와 그 제어 방법
JP2002074983A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Nec Microsystems Ltd 半導体集積回路
JP4095767B2 (ja) * 2000-11-13 2008-06-04 株式会社ルネサステクノロジ ディスクドライブ装置
US6694451B2 (en) * 2000-12-07 2004-02-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for redundant suspend to RAM
US6591352B2 (en) 2001-05-31 2003-07-08 Intel Corporation Method and apparatus for executing firmware from a valid startup block
US6651188B2 (en) * 2001-06-29 2003-11-18 Intel Corporation Automatic replacement of corrupted BIOS image
EP1300762A1 (de) 2001-08-21 2003-04-09 Alcatel Integrierte Schaltung mit externem Speicher
JP3822081B2 (ja) * 2001-09-28 2006-09-13 東京エレクトロンデバイス株式会社 データ書込装置、データ書込制御方法及びプログラム
JP4162401B2 (ja) 2001-12-18 2008-10-08 富士通株式会社 携帯端末装置および間欠受信方法
US7533214B2 (en) * 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
TWI228220B (en) * 2002-03-08 2005-02-21 Samsung Electronics Co Ltd System boot using NAND flash memory and method thereof
US7143275B2 (en) * 2002-08-01 2006-11-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System firmware back-up using a BIOS-accessible pre-boot partition
JP2004110086A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Seiko Epson Corp 半導体装置
US20040139307A1 (en) 2003-01-09 2004-07-15 Barnett Philip C. Method and apparatus for initializing a semiconductor circuit from an external interface
JP2004318330A (ja) 2003-04-14 2004-11-11 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置およびデータ処理システム

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101526907B (zh) * 2008-03-04 2012-06-20 深圳市爱国者嵌入式系统科技有限公司 避免电子产品开机错误的闪存管理方法
CN101329632B (zh) * 2008-04-30 2014-02-19 中兴通讯股份有限公司 一种使用boot启动cpu的方法与装置
CN101520735B (zh) * 2008-12-18 2013-09-18 康佳集团股份有限公司 一种启动闪存内引导程序的方法及其网络电视和机顶盒
CN101848000B (zh) * 2009-03-26 2013-03-13 联发科技股份有限公司 解码方法、编码方法及启动控制系统
CN101848000A (zh) * 2009-03-26 2010-09-29 联发科技股份有限公司 解码方法、编码方法及启动控制系统
CN102460383A (zh) * 2009-06-30 2012-05-16 松下电器产业株式会社 数据处理方法、半导体集成电路
CN102135891B (zh) * 2010-01-21 2013-06-26 杭州华三通信技术有限公司 可实现引导启动的系统及引导启动控制装置和方法
CN102135927A (zh) * 2011-04-29 2011-07-27 杭州华三通信技术有限公司 一种基于nand flash的系统引导方法和装置
CN102135927B (zh) * 2011-04-29 2013-02-13 杭州华三通信技术有限公司 一种基于nand flash的系统引导方法和装置
WO2012106897A1 (zh) * 2011-07-18 2012-08-16 华为技术有限公司 数据处理方法及设备
CN103279399A (zh) * 2013-06-27 2013-09-04 北京汉邦高科数字技术股份有限公司 一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法
CN104750617A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 慧荣科技股份有限公司 电子装置及其数据维护方法
CN105700901A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 华为技术有限公司 一种启动方法、装置和计算机系统
CN105700901B (zh) * 2014-11-28 2020-05-08 华为技术有限公司 一种启动方法、装置和计算机系统
CN109634674A (zh) * 2018-12-06 2019-04-16 深圳忆联信息系统有限公司 芯片boot启动方法、装置、计算机设备和存储介质
CN109634674B (zh) * 2018-12-06 2022-03-29 深圳忆联信息系统有限公司 芯片boot启动方法、装置、计算机设备和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
MY149790A (en) 2013-10-14
US20080046637A1 (en) 2008-02-21
CN1914598B (zh) 2011-02-02
TWI279727B (en) 2007-04-21
JP2005215824A (ja) 2005-08-11
EP1710696A4 (en) 2012-07-04
US8135991B2 (en) 2012-03-13
EP1710696B1 (en) 2013-11-27
EP1710696A1 (en) 2006-10-11
EP1710696B8 (en) 2014-03-05
KR101106351B1 (ko) 2012-01-18
TW200537565A (en) 2005-11-16
JP4534498B2 (ja) 2010-09-01
KR20060127093A (ko) 2006-12-11
HK1096473A1 (en) 2007-06-01
WO2005073850A1 (ja) 2005-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1914598A (zh) 半导体装置和用于启动该半导体装置的处理方法
US7526599B2 (en) Method and apparatus for effectively enabling an out of sequence write process within a non-volatile memory system
US9075740B2 (en) Memory system
US7702880B2 (en) Hybrid mapping implementation within a non-volatile memory system
US7779226B2 (en) Memory controller, flash memory system, and method of controlling operation for data exchange between host system and flash memory
EP1416380A2 (en) Method and apparatus for managing the integrity of data in a non-volatile memory system
US20110131366A1 (en) Memory management unit and memory management method
US20080016267A1 (en) Memory controller, flash memory system having memory controller, and method for controlling flash memory
US20090012976A1 (en) Data Tree Storage Methods, Systems and Computer Program Products Using Page Structure of Flash Memory
CN1821971A (zh) 半导体存储设备和伪sram
CN1525391A (zh) 非易失性存储卡
EP1576478A2 (en) Method and apparatus for grouping pages within a block
US10229052B2 (en) Reverse map logging in physical media
CN1922588A (zh) 半导体存储装置
US20010012222A1 (en) Memory controller for flash memory system and method for accessing flash memory device
CN110489052B (zh) 数据储存装置
US20100011158A1 (en) Memory controller, memory system, and control method for memory system
CN111399751B (zh) 闪存控制器、管理闪存模块的方法及相关的电子装置
CN101063949A (zh) 执行存储器维护操作的方法和装置
US7234036B1 (en) Method and apparatus for resolving physical blocks associated with a common logical block
WO2007137013A2 (en) Error correction coding for multiple-sector pages in flash memory devices
CN111488118B (zh) 管理闪存模块的方法及相关的闪存控制器与电子装置
CN1447243A (zh) 快闪存储器中快速且能防止不正常断电的演算法及其控制系统
US8065468B2 (en) Data storing methods and apparatus thereof
CN113094306B (zh) 有效数据管理方法、存储器存储装置及存储器控制器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1096473

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1096473

Country of ref document: HK