CN1892524A - 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置 - Google Patents

控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1892524A
CN1892524A CNA2006101011244A CN200610101124A CN1892524A CN 1892524 A CN1892524 A CN 1892524A CN A2006101011244 A CNA2006101011244 A CN A2006101011244A CN 200610101124 A CN200610101124 A CN 200610101124A CN 1892524 A CN1892524 A CN 1892524A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
treated
instrumentation
target temperature
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101011244A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1892524B (zh
Inventor
南野郁夫
山田隆章
田中政仁
岩井洋介
若林武志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Publication of CN1892524A publication Critical patent/CN1892524A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1892524B publication Critical patent/CN1892524B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1917—Control of temperature characterised by the use of electric means using digital means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Control Of Heat Treatment Processes (AREA)

Abstract

一种控制方法，抑制过渡时或稳定期间的温度等的物理状态的偏差。在将工件装载在热板上开始进行热处理时，根据预先给予的调整值数据来形成目标温度的相加波形，将该相加波形加到目标温度(SP)上来进行温度控制，使用表示目标温度(SP)与工件温度的关系的干涉矩阵，将所述调整值的数据作为抑制工件的温度偏差的数据。

Description

控制方法、温度控制方法、调整装置、 温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置
技术领域
本发明涉及对控制对象的温度或压力等物理状态进行控制的控制方法、对控制对象的温度进行控制的温度控制方法、以及适于该温度控制方法的调整装置、温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置，特别是涉及适于抑制过渡时的温度等物理状态的偏差的技术。
背景技术
以往，作为半导体晶片或液晶用玻璃基板等工件的加热处理，例如采用如下方式，在内部设置加热器和温度传感器并进行温度控制到目标温度的热板上装载工件来进行热处理(例如参照专利文献1)。
专利文献1：特开平11-067619号公报
以往，例如为了无偏差而均匀地进行利用圆盘状工件的热板热处理，将热板的温度控制得均匀，但在将工件装载到热板上而开始进行热处理的过渡时等，即使将热板的温度控制得均匀，工件的温度与热板的温度也不相同，此外，由于工件其面内的位置的不同，例如比中央位置靠外周的位置就容易散热，所以在工件的面内产生温度偏差。
这样，在现有技术中，即使将热板的温度控制到期望的状态，使工件的温度变成期望的温度状态也是困难的。
发明内容
本发明就是鉴于这点而开发的，其目的在于能够将工件等的被处理物控制到期望的状态。
本发明为了达到上述目的而如下地构成。
即，本发明的控制方法，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的物理状态的各检测信息与多个的各目标信息一致的方式控制所述处理机构的物理状态的控制方法，其使用表示所述目标信息与所述被处理物的物理状态的关系的关系信息调整所述目标信息以使所述被处理物的物理状态成为期望的状态。
其中，所谓被处理物是指用处理机构处理的物体，例如指进行加热、冷却、加压等的处理的物体。
所谓处理机构是指热板或加热炉等得加热装置、冷却装置、成型装置、反应装置等对被处理物实施处理的装置。
所谓物理状态是指温度、压力、流量、速度或液位等各种物理量的状态。
所谓检测信息是指检测出的物理状态的信息，例如指检测温度、检测压力、检测流量等。
此外，所谓目标信息是指物理状态的控制目标的信息，例如指目标温度、目标压力、目标流量等。
所谓关系信息是指表示目标信息与被处理物的物理状态的关系的信息，优选其是根据被处理物的物理状态或目标信息的一方能预测另一方的信息。
优选该关系信息是表示从目标信息向被处理物的物理状态过渡的输入输出关系的信息，例如优选是表示干涉情况的矩阵、传递函数、或状态空间表现等。
另外，目标信息的调整并不限定于过渡状态，即使是稳定状态也能适用。
所谓期望的状态例如是指被处理物的物理状态为均匀的状态、或是物理状态呈现所期望的分布的状态等，是指至少比目标信息的调整前是所期望的状态。
根据本发明，由于根据表示目标信息与被处理物的物理状态的关系的关系信息来预测用于使被处理物的物理状态变成期望的状态的目标信息，并调整成预测的目标信息，因此为了成为调整了的目标信息而控制处理机构的物理状态的结果是，用该处理机构处理的被处理物的物理状态被控制到期望的状态进行处理。
本发明的温度控制方法，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度的控制方法，其使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息，调整所述目标温度以使所述被处理物的温度成为期望的温度状态。
其中，所谓被处理物是指用处理机构进行加热和/或冷却的物体，例如指用加热装置进行热处理的半导体晶片或玻璃基板等。
所谓关系信息是指表示目标信息与被处理物的温度的关系的信息，优选该关系信息是根据被处理物的温度或目标信息的一方能预测另一方的信息。
优选该关系信息是表示从目标信息向被处理物的温度过渡的输入输出关系的信息，例如优选是表示干涉情况的矩阵、传递函数、或状态空间表现等。
另外，目标温度的调整对过渡状态、稳定状态中的任何状态都能适用。
所谓期望的温度状态例如是指抑制由于被处理物的位置而引起的温度偏差的均匀的温度状态、或是呈现所期望的温度分布的状态等。
优选地目标温度的调整仅在需要时例如仅在变更了目标温度的设定时或过渡时进行。
根据本发明，由于根据关系信息来预测用于使被处理物变成期望的温度状态的目标温度，并调整到目标温度，因此将处理机构的温度控制成调整的目标温度的结果是，用该处理机构处理的被处理物在期望的温度状态下被处理。
在优选的实施方式中，根据所述关系信息和所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息来求出调整信息，并根据该调整信息来调整所述目标温度。
所谓调整前，是指在进行使用关系信息的目标温度的调整之前，即，进行本发明的调整之前，是指与以往相同的控制状态。
所谓被处理物的温度分布信息，是指表示被处理物的温度分布的信息，是指被处理物的各位置的温度或是各位置与基准温度的温度差等的信息。根据该温度分布信息能够掌握调整前的被处理物的温度分布，例如掌握被处理物的温度偏差。
目标温度的调整前的所述被处理物的温度分布信息能够作为预先计测的过去的处理中的被处理物的温度而求出。
所谓调整信息是指目标温度的调整所使用的信息，例如可以是调整后的目标温度值本身，也可以是将调整前的目标温度作为基准并应在其上相加或减去的温度的值，该调整信息可以是目标温度的调整所需要的期间的多个时刻的温度值、或是所述期间的时序的温度数据，进而也可以是与时序的温度数据对应的传递函数等。
根据该实施方式，由于能够从调整前的被处理物的温度分布信息了解到温度与期望的温度状态例如均匀的温度状态的偏移，所以能够调整目标温度而使被处理物变成期望的温度状态地进行处理以消除该温度的偏移。
在一种实施方式中，包括：第一工序，其根据在多个计测点计测当使所述目标温度变化时的所述被处理物的温度变化的计测温度，求出表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息；第二工序，其根据在所述多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，求出所述温度分布信息；第三工序，其根据在所述第一工序和所述第二工序分别求出的所述关系信息和所述温度分布信息，求出所述调整信息；以及第四工序，其根据在所述第三工序求出的所述调整信息，调整所述目标温度。
其中，优选地所述被处理物的多个计测点是，在被处理物上，要将温度控制成期望的温度的位置(部位)，例如是要抑制温度偏差的位置。
所谓偏差例如是指与在多个计测点计测出的平均温度的偏差、或与在作为基准的计测点检测出的基准温度的偏差等。
根据该实施方式，由于在第一工序求出表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度关系的关系信息，在第二工序求出所述温度分布信息，在第三工序根据所述关系信息和所述温度分布信息求出为了使被处理物变成期望的温度所需要的目标温度的调整信息，并在第四工序根据调整信息来调整目标温度，所以能够将被处理物的多个计测点的温度变成期望的温度，例如变成抑制了多个计测点的温度偏差的状态。
在另一实施方式中，求所述关系信息的所述第一工序，计测当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，并使用计测出的所述阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
其中，所谓将响应波形进行合成，是指根据实际计测的阶梯响应波形，利用叠加理论等来运算脉冲响应波形或三角波响应波形等。通过该合成能求出相对各种目标温度的输入波形的响应波形。
根据该实施方式，由于仅计测使各目标温度阶梯状个别变化时的被处理物的多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，就能够合成使目标温度脉冲状或三角波状变化时的多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形，所以利用该响应波形能够获得表示目标温度与被处理物的多个计测点温度之间的详细关系的关系信息。
进而，在另一实施方式中，求所述关系信息的所述第一工序，计测使所述各目标温度脉冲状或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的脉冲响应波形或三角波响应波形。
根据该实施方式，由于直接计测脉冲响应波形或三角波响应波形，所以不需要计测阶梯响应波形而来合成脉冲响应波形或三角波响应波形。此外，能够利用计测的脉冲响应波形或三角波响应波形进一步合成响应波形。
在优选的实施方式中，在求所述关系信息的所述第一工序中，合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来求作为所述关系信息的矩阵。
其中，所谓在时间上不同的多个响应波形，是指与具有时间差的多个目标温度变化分别对应的被处理物的多个计测点的多个响应波形。
此外，优选地，矩阵表示相对多个各目标温度变化的被处理物的多个计测点的温度变化。
根据该实施方式，由于使用在时间上不同的多个响应波形来求作为表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度的关系的关系信息的矩阵，所以成为考虑了时间上的影响的矩阵，通过使用该矩阵能够将被处理物的温度以高精度控制成期望的温度状态。
在另一实施方式中，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，在所述第三工序中，根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息计算所述调整值。
其中，预先设定的时刻优选为要将被处理物控制成期望的温度的时刻，优选是多个时刻，并优选地各时刻以成为基准的时刻例如开始进行被处理物的处理的时刻作为基准来设定。
逆矩阵也可以是伪逆矩阵。
另外，也可以不使用逆矩阵，而通过解联立方程式来计算调整值。
根据该实施方式，能够根据与从期望的温度状态的温度偏移对应的温度分布信息，使用逆矩阵与预先设定的时刻对应地计算出为了消除所述温度偏移所需要的调整值，并通过根据该调整值来调整目标温度，能够消除预先设定的时刻的被处理物的温度偏移而控制成期望的温度状态。
在优选的实施方式中，在所述第三工序中，至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
作为搜索方法例如有遗传算法(优化设计算法)、模拟退火(SA)法等。
另外，在第三工序中，也可以将计算出的调整值作为初始值，通过使用包含矩阵的评价式的遗传算法来搜索调整值的最佳值。
根据该实施方式，由于通过遗传算法等的搜索方法来搜索调整值的最佳值，所以通过使用搜索到的调整值来调整目标温度，就能够将被处理物的温度以更高的精度控制成期望的温度状态。
本发明的调整装置是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息的调整装置，其具有：运算单元，其使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息，运算用于将所述被处理物的温度调整到期望的温度状态的所述调整信息。
其中，所述关系信息可以存入该调整装置的存储部，也可以将存入外部存储装置的关系信息读出而使用，或者也可以根据计测数据来运算出关系信息。
优选地将该调整装置与温度控制装置用无线或有线进行连接，将由运算单元运算的调整信息用通信向温度控制装置发送。
根据本发明，由于使用关系信息来运算用于将被处理物变成期望的温度状态的目标温度的调整信息，所以通过将该调整信息给予温度控制装置，温度控制装置根据调整信息来调整目标温度而控制处理机构的温度，将被处理物控制为期望的温度状态进行处理。
在优选的实施方式中，所述运算单元根据所述关系信息和所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息，来运算所述调整信息。
根据该实施方式，是根据调整前的被处理物的温度分布信息来运算与期望的温度状态的温度偏移，从而能够运算出为了消除该温度偏移所需要的调整信息。
在一实施方式中，所述运算单元具备：第一计算部，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，计算出表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息；以及第二计算部，其根据在所述多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，计算出所述温度分布信息。
其中，使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度或者在多个计测点计测所述目标温度的调整前的所述被处理物的温度的计测温度的数据，可以使用预先预测并存入文件等中的数据，也可以将温度记录器等的计测装置连接在该调整装置上，而使用计测得到的计测温度的数据本身。
根据该实施方式，第一计算部，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，计算出表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息，第二计算部，第二计算部，根据在多个计测点计测所述调整前的被处理物的温度的计测温度来计算出所述温度分布信息，运算单元能够根据计算出的关系信息和温度分布信息来运算调整信息。
在另一实施方式中，所述第一计算部，使用当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
根据该实施方式，由于仅计测使各目标温度阶梯状地个别变化时的被处理物的多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，就能合成使目标温度脉冲状或三角波状地变化时的多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形，所以利用该响应波形能得到表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度之间的详细关系的关系信息。
进而，在另一实施方式中，所述第一计算部，计测当使所述各目标温度阶梯状地或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形。
根据该实施方式，由于直接计测脉冲响应波形或三角波响应波形，所以不需要计测阶梯响应波形而来合成脉冲响应波形或三角波响应波形。此外，能利用计测的脉冲响应波形或三角波响应波形进一步合成响应波形。
在优选的实施方式中，所述第一计算部，合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来计算作为所述关系信息的矩阵。
根据该实施方式，由于使用在时间上不同的多个响应波形来求作为表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度的关系的关系信息的矩阵，所以成为考虑了时间上的影响的矩阵，从而能够使用该矩阵计算精度高的调整信息。
在另一实施方式中，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，所述运算单元，根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息计算出所述调整值。
根据该实施方式，能够根据与从期望的温度状态的温度偏移对应的温度分布信息，使用逆矩阵与预先设定的时刻对应地计算出为了消除所述温度偏移所需要的调整值。
在优选的实施方式中，所述运算单元至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
根据该实施方式，由于是通过遗传算法等的搜索方法来搜索调整值的最佳值，所以能得到精度高的调整值。
此外，本发明的调整装置，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息的调整装置，其具有：运算单元，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物多个计测点的计测温度和所述目标温度调整前的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度，运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
根据本发明，由于根据使目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度和目标温度调整前的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算用于将被处理物变成期望的温度状态的目标温度的调整信息，所以通过将该调整信息给予温度控制装置，温度控制装置根据调整信息来调整目标温度而控制处理机构的温度，能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
在优选的实施方式中，所述期望的温度状态是抑制所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的偏差的状态，所述被处理物是被装载在所述处理机构上进行热处理的物体。
其中，所谓抑制了偏差的状态，是指与进行目标温度的调整之前即以往相比，抑制了偏差的状态。
根据该实施方式，被处理物在抑制了偏差的均匀的温度状态下进行热处理。
在另一实施方式中，所述温度分布信息作为对应的设定信息而被设定，所述运算单元根据所述关系信息和所述设定信息来运算所述调整信息。
其中，所述温度分布信息是所述调整前的被处理物的温度分布信息，所述调整前，是指进行与调整信息对应的目标温度的调整之前，即进行本发明的调整之前，所谓被处理物的温度分布信息，是指表示被处理物的温度分布的信息。
所谓设定信息，是指与所述温度分布信息对应的信息，指由用户对于该调整装置设定的信息。优选该设定信息是被处理物的各位置(各部位)的温度或是各位置与期望的温度的温度差的信息。
根据该实施方式，运算单元不需要计算温度分布信息，而是使用与温度分布信息对应地设定的设定信息，能够运算调整信息以消除与期望的温度状态的温度偏移。
进而，在另一实施方式中，所述温度控制装置根据所述各目标温度与所述各检测温度的偏差来进行温度控制，并根据所述调整信息来调整所述各目标温度和所述各检测温度的至少任何一个温度。
由于温度控制装置按照使目标温度与检测温度的偏差变小的方式进行控制，所以根据该实施方式，能够起到与替代目标温度而调整检测温度进而调整目标温度的情况相同的作用效果，或者能够起到与调整目标温度和检测温度这两者相同的作用效果。
此外，本发明的调整装置，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式向操作单元给予操作量来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述操作量以使所述被处理物的温度变成期望的温度状态的温度控制装置的所述调整信息的调整装置，其具有：运算单元，其使用表示所述操作量与所述被处理物的温度的关系的关系信息来运算所述调整信息。
其中，所谓操作单元，是指根据来自温度控制装置的操作量来对处理机构施加操作的单元，例如是指对处理机构进行加热和/或冷却的单元。
调整温度控制装置的目标温度与调整对应于目标温度而变化的操作量是等效的，在上述各实施方式中，也可以是替代目标温度而使用操作量的结构。
根据该实施方式，使用表示操作量与被处理物的温度的关系的关系信息来运算调整信息，温度控制装置通过根据调整信息调整操作量，能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
本发明的温度调节器，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度的温度调节器，其根据利用本发明的调整装置所求出的所述调整信息来调整所述各目标温度。
优选地该温度调节器利用通信接收来自调整装置的调整信息并将其存入该温度调节器的存储部。
根据本发明，通过根据调整信息来调整目标温度，能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
此外，本发明的温度调节器，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且根据调整信息来调整所述各目标温度的温度调节器，其具有：运算单元，其使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息，来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
根据本发明，由于使用关系信息来运算用于将被处理物变成期望的温度状态的目标温度的调整信息，并根据该调整信息调整目标温度来控制处理机构的温度，所以能够将被处理物控制在期望的温度状态。
本发明的程序，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息来调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息的程序，其在计算机中执行如下步骤：第一步骤，其运算表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息；以及第二步骤，其根据所述关系信息和所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息，来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
根据本发明，由于通过在计算机中执行该程序，在第一步骤，运算表示目标温度与被处理物的温度的关系的关系信息，在第二步骤，根据所述关系信息和调整前的所述被处理物的温度分布信息来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息，所以通过将该调整信息给予温度控制装置，温度控制装置根据调整信息调整目标温度来控制处理机构的温度，就能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
在优选的实施方式中，所述温度分布信息作为对应的设定信息而被设定，在所述第二步骤中，根据所述关系信息和所述设定信息来运算所述调整信息。
根据该实施方式，不需要计算温度分布信息，而使用被设定输入到计算机上的设定信息就能够运算调整信息。
在另一实施方式中，所述第一步骤，根据使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息，所述第二步骤，根据在多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，来运算所述温度分布信息。
根据该实施方式，在第一步骤，根据使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息，在第二步骤，根据在多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，来运算所述温度分布信息，并能够根据运算出的关系信息和温度分布信息来运算调整信息。
在优选的实施方式中，在所述第一步骤中，使用当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
根据该实施方式，由于通过仅计测使各目标温度阶梯状地个别变化时的被处理物的多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，就能合成使目标温度脉冲状或三角波状地变化时的多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形，所以能够利用该响应波形得到表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度之间的详细关系的关系信息。
进而，在另一实施方式中，在所述第一步骤中，计测当使所述各目标温度脉冲状或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形。
根据该实施方式，由于直接计测脉冲响应波形或三角波响应波形，所以就不需要计测阶梯响应波形而合成脉冲响应波形或三角波响应波形。此外，能利用计测的脉冲响应波形或三角波响应波形进一步合成响应波形。
在另一实施方式中，在所述第一步骤中，合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来计算作为所述关系信息的矩阵。
根据该实施方式，由于使用在时间上不同的多个响应波形来求作为表示目标温度与被处理物的多个计测点的温度的关系的关系信息的矩阵，所以成为考虑了时间上的影响的矩阵，通过使用该矩阵，能以高精度将被处理物的温度控制在期望的温度状态。
进而，在另一实施方式中，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，在所述第二步骤中，根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息来计算所述调整值。
在该实施方式中，能够根据与从期望的温度状态的温度偏移对应的温度分布信息，使用逆矩阵与预先设定的时刻对应地计算出为了消除所述温度偏移所需要的调整值。
在另一实施方式中，在所述第二步骤中，至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
根据该实施方式，由于是通过遗传算法等的搜索方法来搜索调整值的最佳值，所以能得到精度高的调整值。
此外，本发明的程序，是按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息来调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息的程序，其在计算机中执行如下的步骤，该步骤根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度和所述目标温度调整前的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
根据本发明，由于是根据使目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度和所述目标温度调整前的被处理物的所述多个计测点的计测温度，来运算用于将被处理物变成期望的温度状态的目标温度的调整信息，所以通过将该调整信息给予温度控制装置，而温度控制装置根据调整信息调整目标温度来控制处理机构的温度，就能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
在优选的实施方式中，所述期望的温度状态是抑制所述被处理物的多个计测点的计测温度的偏差的状态，所述被处理物是被装载在所述处理机构上进行热处理的物体。
根据该实施方式，被处理物是在抑制了偏差的均匀的温度状态下进行热处理的。
本发明的记录媒体是记录了本发明的程序的在计算机中能够读取的记录媒体。
其中，作为记录媒体可以使用例如软盘、硬盘、光盘、光磁盘、CD-ROM、磁带、非易失性存储器卡、ROM等。
根据本发明，由于通过用计算机读取并执行被记录在记录媒体中的程序来运算调整信息，所以通过将该调整信息给予温度控制装置，就能够将被处理物控制为期望的温度状态而进行处理。
本发明的热处理装置，其具备：本发明的温度调节器；所述处理机构；利用所述温度调节器的输出对所述处理机构进行加热和/或冷却的操作单元；以及在多个检测点检测所述处理机构的温度的温度检测单元。
根据该实施方式，能够将被处理物的温度控制为期望的温度状态而进行处理。
如上所述，根据本发明，由于根据表示目标信息与被处理物的物理状态的关系的关系信息，来预测用于将被处理物的物理状态变成期望的状态的目标信息，并调整目标信息以成为预测的目标信息，所以控制处理机构的物理状态以成为调整了的目标信息的结果是，能够使由该处理机构处理的被处理物的物理状态变成期望的状态而进行处理。
附图说明
图1是本发明一实施例的热处理系统的结构图；
图2是表示根据工件1的各计测点的计测温度平均值表示偏差的图；
图3是表示用于计测工件1温度的系统结构的图；
图4(a)、(b)表示阶梯输入和阶梯响应波形；
图5(a)、(b)是表示脉冲输入和脉冲响应波形的图；
图6(a)、(b)、(c)是用于说明脉冲输入的合成的波形图；
图7(a)、(b)、(c)用于说明脉冲响应波形的合成的波形图；
图8是表示干涉矩阵的一例的图；
图9表示三角波状的输入；
图10(a)、(b)是用于说明图9的三角状输入的合成的图；
图11是表示干涉矩阵的详细结构的图；
图12是表示干涉矩阵的结构的图；
图13是表示图12的干涉矩阵的部分矩阵的图；
图14(a)、(b)是表示目标温度的输入及作为其响应波形的输出的图；
图15(a)、(b)是表示目标温度的输入及作为其响应波形的输出的图；
图16是温度调节器的方框图；
图17是表示目标温度的相加波形的一例的图；
图18是表示各通道的目标温度的相加波形的图；
图19是表示抑制了偏差的工件各计测点的计测温度的图；
图20是用于动作说明的流程图；
图21(a)、(b)是表示假定预备加热的阶梯输入及其响应波形的图；
图22(a)、(b)是表示与预备加热对应的输入及其响应波形的图。
标记说明
1工件；2热板；3温度调节器；4个人计算机；5温度记录器。
具体实施方式
以下根据附图详细说明本发明的实施例。
(第一实施例)
如图1所示，该实施例的热处理系统是将作为被处理物的玻璃基板等的工件1利用作为处理机构的热板2进行热处理。温度调节器3根据设定的目标温度与来自设置在热板2上的多个温度传感器(未图示)的检测温度的偏差，进行PID运算等并将操作量向未图示的SSR(固体继电器)或电磁开关等输出，控制对设置在热板2上多个加热器(未图示)的通电，以将热板2的温度控制成目标温度。在该例中，表示在热板2中配置多个温度传感器和加热器的多个通道的例子，以每个通道的方式进行温度控制。
由热板2进行热处理的工件1，例如是长方形的玻璃基板，通过未图示的运送供给机构自动地依次被装载在热板2上进行热处理。在该工件1的热处理工序中，并不是对依次被热处理的多个工件1自身的温度进行计测，而是通过温度调节器3控制热板2的温度。
在所述工件1的热处理中，当将工件1装载在调节成目标温度的热板2上并开始进行热处理时，因为由工件1的面内位置的不同而导致散热难易度的不同等，使圆盘状工件1的面内的温度产生偏差。
图2表示将安装有温度传感器的实验用工件1装载在被调节成目标温度的热板2上进行热处理时的、实验用工件1的多个计测点的计测温度的变化。在该图中，横轴表示时间，纵轴将多个计测点的各计测温度作为多个相对计测温度平均值的温度差来表示。该图2代表性地表示三点的计测温度。
如该图2所示，在将实验用工件1装载在热板2上开始进行热处理的时刻t＝0之后，各点的计测温度产生偏差，在达到最大的偏差后逐渐地偏差变小而变均匀。
为了将工件1均匀地进行热处理，需要抑制所述工件1的面内温度的偏差，而使各计测点的计测温度接近平均值，最好是在抑制了工件1的温度偏差的期望状态下进行热处理。
在该实施例中，为了抑制工件1面内的温度偏差，控制图1所示的热板2的温度，具体说，在工件1被装载在热板2上进行热处理的过渡时，对控制热板2的温度的温度调节器3的目标温度进行调整。通过该目标温度的调整而在热板2上形成抑制工件1的温度偏差的温度分布，并通过在该热板2上形成的温度分布来抑制工件1的温度偏差。即，调整目标温度使在热板2上产生温度偏差而抑制工件1的温度偏差。
为此，如图1所示，用于调整目标温度的调整信息，如后述那样从作为调整装置的个人计算机4利用通信而给予温度调节器3，温度调节器3根据该调整信息来调整目标温度。调整装置并不限于个人计算机，也可以使用PLC(可编程序逻辑控制器)等。
为了调整温度调节器3的目标温度来抑制工件1的温度偏差，需要掌握温度调节器3的目标温度与工件1的温度之间的关系。
例如如果能够预测当使目标温度如何变化时工件1的温度如何变化，反之，预测如何调整目标温度是可以的，以使工件1的温度按照抑制其偏差的方式进行变化。
于是，按照如下的方式来求表示目标温度与工件1的温度的关系的关系信息。
具体说，计测相对于各通道的目标温度变化而对工件1的温度变化的影响，将目标温度的变化给于工件1的温度的影响作为矩阵来求。
在此，当使各通道的目标温度变化而控制加热器对热板2的加热时，产生各通道的由于加热器而引起的热干涉，所述矩阵表示该干涉的影响，在以下的说明中将该矩阵称为干涉矩阵。
图3是表示用于计测相对于目标温度的变化而对工件1的温度变化的影响的结构一例的图，对于与图1对应的部分附加相同的参照标记。
在该图3中，1是在多个计测点安装有温度传感器(未图示)的实验用工件，5是计测实验用工件1温度的温度记录器，个人计算机4与温度记录器5和温度调节器3连接。该个人计算机4通过与温度记录器5和温度调节器3通信而能变更温度调节器3的目标温度并且能同步地计测该目标温度和实验用工件1的各计测点的计测温度。作为工件1的多个计测点选择要抑制温度的偏差的多个位置(部位)。
该个人计算机4设置有存入了本发明的程序的CD-ROM等记录媒体，通过从该记录媒体读出程序并执行而具有如后述的作为运算干涉矩阵和调整信息的运算单元的功能。
首先，预先将实验用工件1装载在热板2上，如图4(a)所示，对于温度调节器3将所有通道的目标温度SP设定成进行热处理的规定温度T而开始进行温度控制。
在热板2的温度达到规定温度T而成为调节好的状态下，如图4(a)所示，使第一通道ch1的目标温度SP阶梯状地例如变化1℃而成为T+1，并如图4(b)所示，对此时的实验用工件1的温度用多个计测点分别进行计测。在该图4(b)中，代表性地表示三个计测点的计测温度的温度变化波形，将变化前设定为0℃进行表示。
同样，在装载有实验用工件1的热板2调节成规定温度T的状态下，使第二通道ch2的目标温度阶梯状地变化1℃，对此时的实验用工件1的温度用所述多个计测点分别进行计测。
以下同样地，对每个通道依次地使目标温度SP阶梯状地变化1℃，对此时的实验用工件1的温度用所述多个计测点分别进行计测。
由此，在使各通道的目标温度分别阶梯状地变化1℃时，得到工件1的多个计测点的计测温度是如何变化的阶梯响应波形。
利用这样计测到的阶梯响应波形来运算并合成相对各种目标温度的变化例如脉冲状或三角波状的目标温度变化的工件1的多个计测点的响应波形。
如图5(a)所示，例如在使目标温度SP从规定温度T脉冲状地变化1℃时，即，能够相对于脉冲状的目标温度的输入而将作为输出的工件1各计测点的如图5(b)所示的脉冲响应波形如下地进行合成。
图6和图7是用于说明脉冲响应波形的合成的图，图6表示目标温度的输入(变化)，图7表示作为与目标温度的输入对应的输出的工件1各计测点的响应波形。
使图6(a)、图7(a)分别表示的阶梯状的1℃的输入及作为其输出的阶梯响应波形如图6(b)、图7(b)分别所示的那样分别延迟Δt例如1秒，通过将该延迟的阶梯状的输入和阶梯响应波形从图6(a)、图7(a)分别表示的延迟前的阶梯状的输入和阶梯响应波形中分别减去，就能将图6(c)所示的1℃、1秒脉冲状的输入和作为相对该输入的输出的脉冲响应波形如图7(c)所示那样计算出。该图6(c)、图7(c)是与图5(a)、图5(b)相同的波形。
通过这样地计测相对图4(a)所示的目标温度的阶梯输入的图4(b)所示的阶梯响应波形，能够通过运算来合成相对图5(a)所示的目标温度的脉冲输入的图5(b)所示的脉冲响应波形。
上述的延迟时间Δt要适当选择以得到阶梯响应波形所需要的温度变化。
通过对于各通道进行该脉冲响应波形的合成，能够对于每个通道求出相对脉冲状的目标温度变化的工件1的多个计测点的脉冲响应波形。
根据该脉冲响应波形就能够得到表示相对于目标温度的变化对工件1的多个计测点的温度影响的干涉矩阵。
图8是表示干涉矩阵的一例的图，各行与工件1的多个计测点1～k(k是大于或等于2的整数)对应，各列与1～p(p是大于或等于2的整数)的各通道ch1～chp对应。
该图8是如图5(a)所示，将使目标温度1秒脉冲状地变化1℃的时刻作为基准时刻t＝t0时的、从预先确定的经过时刻t＝t1的工件1多个计测点的图5(b)所示的脉冲响应波形求干涉矩阵的一例。该预先确定的经过时刻t＝t1，是当将使目标温度变化的基准时刻t＝t0例如作为将工件1装载在热板2上开始进行热处理的时刻时，按照与要抑制工件1的温度偏差的时刻对应的方式进行选择的。
如图5(a)、图5(b)，例如当使第一通道ch1的目标温度如图5(a)所示那样脉冲状地变化时，则如图5(b)所示，当将经过时刻t＝t1的第一～第三各计测点1～3的温度变化设为a11、a21、a31时，该温度变化a11、a21、a31则构成图8的干涉矩阵的一部分。
这样，图8的干涉矩阵就能够根据使各通道ch1～chp的目标温度脉冲状地变化时的经过时刻t＝t1的各计测点1～k的响应波形进行计算。
根据图8的干涉矩阵能够预测工件1各计测点的温度变化。如图8所示，例如当使第一通道ch1的目标温度1秒脉冲状地变化1℃时，在经过时刻t＝t1处，例如工件1的计测点1变化0.12℃(a11)，计测点2变化0.21℃(a21)，此外，例如当使第二通道ch2的目标温度1秒脉冲状地变化1℃时，在经过时刻t＝t1处，例如工件1的计测点1变化0.03℃(a12)，计测点2变化0.08℃(a22)。
与该图8同样，根据图5(b)所示的脉冲响应波形能够同样地求出从使目标温度1秒脉冲状地变化1℃的基准时刻t＝t0到任意的经过时刻的干涉矩阵。即，预先设定要抑制工件1的温度偏差的多个时刻，并能够求出与各时刻对应的干涉矩阵。
在该实施例中，为了能够有效地抑制工件1的温度偏差，使用如下的干涉矩阵。
以下详细说明该实施例所使用的干涉矩阵。
如上所述，干涉矩阵是根据相对目标温度变化的工件计测点的响应波形求出的，但目标温度的急剧变化有时会导致操作量的饱和，使控制困难。
因此，在该实施例中，不是使目标温度脉冲状地变化，而是如图9所示，根据使目标温度大致三角波状地变化时的响应波形来求出干涉矩阵。
图10(a)、10(b)是用于说明该三角波状的波形的合成的图，图10(a)利用上述图5的脉冲状波形，图10(b)利用上述图4的阶梯状波形。
图9所示的大致三角波状的波形，能够如图10(a)所示那样将高度(温度变化)不同的微小时间宽度的多个脉冲状的输入相乘来得出。该微小的脉冲状输入及其脉冲响应波形，能够对于图5的脉冲状输入及其脉冲响应波形，通过其高度(温度变化)利用比例关系而其时间宽度与上述图6同样利用将延迟时间Δt与时间宽度对应地减去而进行合成。
微小的脉冲状输入，例如高度为0.1℃、时间宽度为0.1秒的微小的脉冲状输入及其脉冲响应波形，能够通过使上述图5的高度1℃、时间宽度1秒的脉冲状输入及其脉冲响应波形的高度分别变成0.1倍，进而，将分别将其延迟0.1秒的脉冲状输入及其脉冲响应波形分别从延迟前的脉冲状输入及其脉冲响应波形中减去来进行合成。
此外，图9所示的大致三角波状的波形，能够如图10(b)所示那样将高度(温度变化)减小且时间宽度逐渐变小的多个矩形层叠来进行合成。层叠的各矩形能够通过如下的方式计算出，即，先按比例关系计算出图4的阶梯状输入及其响应波形的高度，进而，使其延迟相当于所述时间宽度的量，并将该延迟的波形从延迟前的阶梯状输入及其响应波形中减去。
该大致三角波状的波形能够通过利用更微小的脉冲输入或阶梯输入合成为光滑的三角波状，在以下的说明和图中，作为三角波状进行说明。该三角波的高度与上述同样，例如是1℃，其时间宽度被选定为将要抑制上述图2的工件1的温度偏差的期间分割成多个的时间宽度。分割成多个的数量可以考虑运算处理的负担和抑制偏差的效果等来确定。
这样，通过根据目标温度的三角波状输入及其响应波形来运算干涉矩阵，就能够得到避免产生操作量饱和的干涉矩阵。
图11是表示该实施例的干涉矩阵A的详细情况的图，在该实施例中，为了高精度地抑制工件1的温度偏差，是考虑了时间和空间干涉的矩阵。图11将作为构成各矩阵A11～Amn的各要素的温度变化共同地以a11～akp统一进行表示，但表示的是计测点1～k与通道ch1～chp的对应，而不是表示具体的温度变化数值相同。
即，图11的干涉矩阵A由图12所示的考虑了时间的干涉关系的矩阵所构成，图12的各矩阵例如是由图13所示的考虑了空间(位置)关系的矩阵所构成，是矩阵中包含矩阵的双重结构。
首先说明图12所示的考虑了时间关系的矩阵。
图14(a)、图14(b)是用于说明图12的干涉矩阵的波形图，是表示其一例的图，其中，图14(a)将目标温度的三角波状的变化作为输入，而图14(b)将其响应波形作为输出。
在上述图8的干涉矩阵中，各通道ch1～chp的目标温度的脉冲状输入仅是同一定时的输入，但在本实施例中，与具有一定时间差的第一～第n(n是大于或等于2的整数)的多个定时的目标温度输入对应。
即，根据在第一定时将三角波状的输入分别给予各通道ch1～chp时的各响应波形来计算对应的矩阵，接着，根据在延迟一定时间的第二定时将三角波状的输入分别给予各通道ch1～chp时的各响应波形来计算对应的矩阵，以下同样，根据在第n定时将三角波状的输入分别给予各通道ch1～chp时的各响应波形来计算相应的矩阵。
这时，不依赖于目标温度的输入的第一～第n定时，图14所示的响应波形的各经过时刻t＝t1～tm(m是大于或等于2的整数)都是以第一定时的目标温度的输入，即，使第一定时的目标温度三角波状地变化的时刻t＝t0作为基准，并根据该基准时刻t＝t0来规定各经过时刻t＝t1～tm。即，虽然由于目标温度的输入的定时的滞后而使响应波形的定时也滞后，但使基准时刻t＝t0和各经过时刻t＝t1～tm不滞后而固定在第一定时，根据相对于该固定的各经过时刻t＝t1～tm滞后的响应波形来计算干涉矩阵。
图12的干涉矩阵A的各行，分别与从图14(b)的响应波形的第一定时的目标温度输入的基准时刻t＝t0开始的各经过时刻t＝t1、t2、t3、…tm对应，例如，最上段的第一行的矩阵A11～A1n是表示经过时刻t＝t1的关系的矩阵，下一行的矩阵A21～A2n是表示经过时刻t＝t2的关系的矩阵，同样，最下段的行的矩阵Am1～Amn是表示经过时刻t＝tm时刻的关系的矩阵。
其中，各经过时刻t＝t1、t2、t3、…tm，是在上述图2所示的工件1产生温度偏差的期间，与要抑制偏差的各时刻对应地预先确定的。这时，将使第一定时的目标温度三角波状地变化的基准时刻t＝t0，与例如将工件1装载在热板2上而开始进行热处理的时刻对应。
如图14(a)所示，图12的干涉矩阵A的各列分别与具有一定时间差的多个三角波状的目标温度输入对应，例如左端第一列的矩阵A11～Am1是表示相对最早的第一定时的目标温度的三角波状输入的关系的矩阵，与图14对应。下一列的矩阵A12～Am2是表示相对比第一定时滞后一定时间的第二定时的目标温度的三角波状输入的关系的矩阵，同样，右端的列的矩阵A1n～Amn是表示相对最迟的第n定时的目标温度的三角波状输入的关系的矩阵。
其中，优选地图14(a)所示的多个三角波状的目标温度的输入按照如下的方式进行设定，即，设定成使下一个定时的三角波的一部分重叠在定时早的三角波上，以至少使目标温度的变化是连续的，在该实施例中，延迟相当于三角波的底边的1/2的一定时间。虽然通过使延迟时间一定而能够使运算处理变得容易，但并不一定必须使延迟时间一定。
如上所述，如图12所示的干涉矩阵A，由于各行与三角波响应波形的各经过时刻t＝t1、t2、t3、…tm对应，各列与具有时间差的多个目标温度的各输入对应，所以行与列交叉的位置的矩阵，例如矩阵A21是如下的矩阵，即，由于是第一列，所以三角波状的目标温度的输入是第一定时，并且由于是第二行，所以其是与三角波响应波形的经过时刻t2对应的矩阵，此外，例如矩阵A12是如下的矩阵，即，由于是第二列，所以三角波状的目标温度的输入是第二定时，并且由于是第一行，所以与三角波响应波形的经过时刻t1对应。
这样，如图12所示的干涉矩阵A，由于各行与三角波响应波形的各经过时刻t＝t1、t2、t3、…tm对应，各列与具有时间差的多个目标温度的各输入对应，所以成为表示目标温度输入和三角波响应波形的时间影响的干涉矩阵。
在第一～第n的各定时的每一个中，有第一～第p的每个通道ch1～chp的三角波状的目标温度的输入，并有与各目标温度的输入分别对应的每个计测点1～k的三角波响应波形，图14(a)代表性地用一个三角波表示各定时的各通道的目标温度的输入，图14(b)代表性地用一个响应波形表示与各通道和各计测点分别对应的多个响应波形。
下面根据图13说明干涉矩阵A的空间(位置)关系。
该图13是代表性地表示图12的干涉矩阵A内的矩阵A21的图。
如上所述，矩阵A21是如下的矩阵，即，由于是干涉矩阵A的第一列，所以三角波状的目标温度的输入是第一定时，并且由于是第二行，所以与三角波响应波形的经过时刻t2对应。
如图13所示，该矩阵A21，其各列与第一～第p各通道ch1～chp对应，各行与工件1的第1～第k的各计测点s1～sk分别对应。
例如，左端的第一列、最上段的第一行表示的是，相对图15(a)所示的第一定时的第一通道ch1的三角波状的目标温度的输入的、图15(b)所示的三角波响应波形的第一计测点s1的经过时刻t＝t2的温度变化a11，第一列、第二行表示的是，相对第一通道ch1的三角波状的目标温度的输入的、三角波响应波形的第二计测点s2的经过时刻t＝t2的温度变化a21，同样，第一列、最下段的行表示的是，相对第一通道的三角波状的目标温度的输入的、三角波响应波形的第k计测点sk的经过时刻t＝t2的温度变化ak1。另外，图15(b)代表性地表示三个计测点s1～s3的三角波响应波形，此外，图15(a)表示第一定时的三角波状的输入，虽然第一通道ch1以外的通道的三角波为了容易理解是降低了高度来表示的，但实际上各通道都是相同高度的三角波。
此外，矩阵A21的例如第二列、第一行表示的是，相对第二通道ch2的三角波状的目标温度的输入的、第一计测点s1的三角波响应波形的经过时刻t＝t2的温度变化a12，第二列、第二行表示的是，相对第二通道ch2的三角波状的目标温度的输入的、第二计测点s2的三角波响应波形的经过时刻t＝t2的温度变化a22，同样，第二列、最下段的行表示的是，相对第二通道ch2的三角波状的目标温度的输入的、第k计测点sk的响应波形的经过时刻t＝t2的温度变化ak2。
同样，例如右端的第p列、第一行表示的是，相对第p通道chp的三角波状的目标温度的输入的、第一计测点s1的三角波响应波形的经过时刻t＝t2的温度变化a1p，第p列、第二行表示的是，相对第p通道chp的三角波状的目标温度的输入的、第二计测点s2的三角波响应波形的经过时刻t＝t2的温度变化a2p，同样，第p列、最下段的行表示的是，相对第p通道chp的三角波状的目标温度的输入的、响应波形的第k计测点sk的经过时刻t＝t2的温度变化akp。
这样，在矩阵A21中，由于各行与响应波形的各计测点s1～sk对应，各列与各通道ch1～chp对应，所以成为表示工件1上的位置、与各通道ch1～chp分别对应的加热器或温度传感器的配置等空间位置的影响的干涉矩阵，这并不限定于矩阵A21，构成图12的干涉矩阵的各矩阵也是同样的。
因此，图12成为表示其详细的图11的干涉矩阵A考虑了时间、空间影响的矩阵。
以上对该实施例中所使用的干涉矩阵A进行了说明，在图3的个人计算机4中，如上述那样，根据计测的阶梯响应波形通过运算处理而计算出该干涉矩阵A，并将其存入例如干涉矩阵用的文件中。
进而，个人计算机4还使用实验用的工件1来计测在进行上述图2所示的热处理时的工件1多个计测点1～k的计测温度的数据，并将其存入数据文件中。即，在该实施例的进行目标温度调整前的状态下，计测进行了工件1的热处理时的工件1多个计测点1～k的温度，并将其存入数据文件中。
个人计算机4根据干涉矩阵A和工件1的多个计测点1～k的温度的计测数据，如下地计算作为用于抑制偏差的调整目标温度的调整信息的调整值。
在此，当将目标温度的第一～第n各定时的各通道ch1～chp的三角波状的目标温度的温度变化(三角波的高度)设为c1～cn，将工件1的各经过时刻t＝t1～tm的各计测点的温度变化设为b1～bm时，则能够使用干涉矩阵A用下式表示各经过时刻t＝t1～tm中的工件1的各计测点1～k的温度变化b1～bm。
(式1)
b 1 b 2 · · · b m = A 11 A 12 · · · A 1 n A 21 A 22 · · · A 2 n · · · · · · · · · A m 1 A m 2 · · · A mn C 1 C 2 · · · C n · · · ( 1 )
在该式(1)中，b1是表示经过时刻t＝t1的各计测点1～k的温度变化的向量(ベクトル)，b2是表示经过时刻t＝t2的各计测点1～k温度变化的向量，同样，bm是表示经过时刻t＝tm的各计测点1～k温度变化的向量。
此外，c1是表示第一定时的各通道ch1～chp三角波状目标温度的温度变化(三角波的高度)的向量，c2是表示第二定时的各通道ch1～chp的三角波状的目标温度的温度变化(三角波的高度)的向量，同样，cn是表示第n定时的各通道ch1～chp的三角波状目标温度的温度变化(三角波的高度)的向量。
该式(1)表示的是，相对第一～第n各定时的各通道的目标温度的温度变化c1～cn的、各经过时刻t＝t1～tm的工件1的各计测点1～k的温度变化b1～bm。
即，式(1)表示的是，如果将第一～第n各定时的三角波状的目标温度的三角波高度设为c1～cn，则工件1的各经过时刻t＝t1～tm的计测点的温度变化成为b1～bm。
因此，反之只要将各经过时刻t＝t1～tm的工件1的各计测点的温度变化b1～bm选择成是抑制偏差的温度变化，就能够使用干涉矩阵A的逆矩阵A-1用下式计算出产生这样的温度变化所需要的目标温度的温度变化(三角波的高度)c1～cn，即目标温度的调整值c1～cn。
(式2)
C 1 C 2 · · · C n = A 11 A 12 · · · A 1 n A 21 A 22 · · · A 2 n · · · · · · · · · A m 1 A m 2 · · · A mn - 1 b 1 b 2 · · · b m · · · ( 2 )
在由干涉矩阵A的逆矩阵A-1来求时，利用式(2)能够计算出目标温度的调整值c1～cn，但通常与能够控制的通道数ch1～chp相比，工件1的计测点1～k数量多，所以求逆矩阵A-1是困难的。为此，在本实施例中，代替逆矩阵A-1而使用伪逆矩阵(AT*A)-1*AT。AT是干涉矩阵A的转置矩阵。
个人计算机4根据在进行上述图2所示的热处理时的工件1多个计测点1～k的计测温度的数据，将抑制偏差的温度变化作为温度分布信息来计算。
例如在图2中，当经过时刻t＝t1的计测点1的计测温度b11比平均值高0.08℃时，为了抑制其偏差而将-0.08℃作为经过时刻t＝t1的计测点1的温度分布信息计算出，当经过时刻t＝t1的计测点2的计测温度b21比平均值低0.04℃时，为了抑制其偏差而将+0.04℃作为经过时刻t＝t1的计测点2的温度分布信息计算出，当经过时刻t＝t1的计测点3的计测温度b31比平均值低0.08℃时，为了抑制其偏差而将+0.08℃作为经过时刻t＝t1的计测点3的温度分布信息计算出，以下同样，计算出到经过时刻t＝t1的计测点k的温度分布信息。进而，同样地计算出各经过时刻t＝t2～tm的各计测点1～k的温度分布信息。
该计算出的用于抑制温度偏差的各经过时刻t＝t2～tm的温度分布信息作为上述式(2)中的b1～bm使用。
个人计算机4根据该提取的温度分布信息b1～bm和代替干涉矩阵A的逆矩阵A-1而使用的伪逆矩阵(AT*A)-1*AT并按照式(2)计算目标温度的调整值c1～cn。
该调整值c1～cn对于作为用于由热板2进行的工件1的热处理的目标温度的规定温度T是正或负的温度值的向量，如果将该调整值c1～cn(以下简称为“c”)作为目标温度的相加值而加在目标温度上，则能够调整目标温度。
如上所述，由于该调整值c不是使用干涉矩阵A的逆矩阵A-1而是使用基于干涉矩阵A的伪逆矩阵(AT*A)-1*AT计算出的，所以虽然产生误差，但当判断通过计算出的调整值c来抑制温度偏差的效果充分时，则使用该计算出的调整值c即可。
在该实施例中，为了进一步提高温度偏差的抑制效果，将计算出的调整值c作为初始值之一，并且将其与随机产生的调整值的初始值作为初始群(集団)，通过使用包含干涉矩阵A的评价式的遗传算法来搜索调整值c的最佳值。
在此，评价式使用下式。
b′＝b-Ac
A是上述的干涉矩阵，c是调整值，b是为了抑制温度偏差而计算出的上述的温度分布信息的向量，与上述的b1～bm对应。
如上述的式(1)所示，在使用逆矩阵A-1能够计算调整值c的情况下，b与Ac变为相等，评价值b′为0，但在本实施例中，由于不是使用逆矩阵A-1而是使用伪逆矩阵(AT*A)-1*AT计算出的调整值c，所以评价值b′不是0。
因此，在本实施例中，搜索偏差幅度小的，即评价值b′的最大值与最小值的差是最小的调整值c来作为最终的调整值c。
即，作为初始值准备由使用伪逆矩阵如上述那样计算出的调整值c和随机产生的调整值构成的例如100种左右的调整值的初始群，进行如下的处理：第一处理，该处理针对各调整值，利用上述的评价式计算出评价值b′，进而，计算作为该评价值b′的最大值与最小值的差的最大的偏差幅度；第二处理，该处理以使该偏差幅度减小且良好为中心选择调整值；以及第三处理，该处理使得在该选择的调整值之中产生交叉或突然变异而将调整值增加到100种左右，将该第一、第二、第三处理作为一个世代的处理，在以下同样地反复进行，在由第一处理计算出的评价值b′的偏差幅度接近于0时停止处理，将该世代中差最小的偏差幅度的调整值c作为最终的调整值c。
个人计算机4将如上那样地搜索到的目标温度的调整值c利用通信对于温度调节器3发送。
图16是温度调节器3的内部结构的方框图，其中包括：SP相加波形生成部6，其根据由个人计算机4给予的包含调整值c的调整数据生成在设定的规定温度T的目标温度SP上相加的相加波形；以及PID控制器7，其根据加有相加波形的调整后的目标温度与来自热板2的检测温度PV的偏差，进行PID运算并输出操作量。SP相加波形生成部6和PID控制器7由微型计算机构成。
图17是表示一个通道的相加波形的一例的图，从个人计算机4将与第一～第n的各定时的三角波的高度对应的调整值c(c1～cn)分别与各通道对应地给予SP相加波形生成部6。如图17所示，SP相加波形生成部6生成连接各三角波顶点的相加波形。这时，开始生成SP相加波形的时刻，例如是将工件1装载在热板2上开始进行热处理的时刻，与上述的基准时刻t＝t0对应。该将工件1向热板2上装载的时刻，例如能够通过来自对将工件1向热板2上装载的运送供给机构进行控制的上位装置的未图示的定时信号、或者根据热板2的检测温度变化而进行检测。
在工件1的通常的热处理工序中，温度调节器3将该相加波形加在被设定成规定温度T的目标温度SP上而作为内部的目标温度，并使热板2的检测温度PV与该内部的目标温度一致地来进行控制。
因此，通过对各通道的目标温度加上例如图18所示那样的相加波形来调整目标温度，而使例如图2的工件1的温度偏差如图19所示那样被抑制而进行均匀的热处理。
图20是表示以上的个人计算机4整体处理的流程图。
首先，对热板2的每个通道ch1～chp使目标温度阶梯状变化来计测工件1的各计测点1～k的响应波形，并根据该响应波形利用运算处理来计算出干涉矩阵A(第一步骤)，并保存在文件中(步骤n1)。
取得将工件1装载在调节为目标温度的热板2上而进行热处理时的工件1各计测点1～k的计测温度的时序数据，并保存在文件中(步骤n2)。
根据从干涉矩阵和时序数据中提取的用于抑制温度偏差的温度分布信息来计算目标温度的调整值(第二步骤)，并利用遗传算法(GA)确定最佳的调整值(步骤n3)。
将确定的调整值的数据向温度调节器3传送(步骤n4)。
当开始工件1的通常的热处理时，温度调节器3根据传送来的调整值来调整目标温度而进行温度控制。
在变更要抑制被处理物的温度偏差的时刻t＝t0～tm时，通过在个人计算机4设定输入变更的时刻t＝t0～tm，计算出与该时刻对应的干涉矩阵A，并且计算出温度分布信息，并根据这些计算出调整值。
(第二实施例)
下面说明本发明的另一实施例。在本实施例中，为了更有效地抑制将工件1装载在热板2上开始进行热处理的最初时的温度偏差，假定将热板2预先预备加热到比规定温度T例如高1℃的温度，如下地求出与之相当的干涉矩阵，用求出的矩阵来置换与上述图12所示干涉矩阵A的第一定时对应的矩阵A11～Am1。
首先，将热板2的所有通道ch1～chp的目标温度SP设定成进行热处理的规定温度T并开始进行温度控制，在热板2的温度达到规定温度T而被调节好的状态下，计测装载了实验用工件1时的工件1的多个计测点1～k的温度。
接着，将第一通道ch1的目标温度SP设定成比进行热处理的规定温度T高1℃的温度并开始进行温度控制，在热板2的温度达到设定温度T+1℃而被调节好的状态下，计测装载了实验用工件1时的工件1的多个计测点1～k的温度。
接着，通过从比规定温度T高1℃时的响应波形中减去规定温度T时的响应波形，将目标温度看作是在装载了工件1的瞬间t＝t0阶梯状地产生1℃的温度变化，如图21所示，能够得到相当于预备加热1℃的阶梯响应波形。
对于各通道同样地计测该相当于预备加热1℃的阶梯响应波形。
接着，通过从该阶梯响应波形中与上述图10(b)同样地将微小的阶梯状的响应波形如图22(a)所示那样减去，就能够合成图22(b)所示的与大致直角三角形的目标温度变化对应的响应波形。
对各通道ch2～chp进行这样的合成，与上述同样，根据这些响应波形能够对于各通道ch1～chp，求出分别表示各经过时刻t＝t1～tm的各计测点1～k的温度变化的矩阵，将这些矩阵和与上述干涉矩阵A的第一定时对应的矩阵A11～Am1置换。
在本实施例中，由于使用了如下的矩阵，即，是考虑了与在将工件1装载在热板2上之前进行1℃的预备加热相当的目标温度的变化的矩阵，所以在将工件1装载在热板2上开始进行热处理的最初，就能够进行精度更高的调整。
(其它实施例)
在上述实施例中，个人计算机4根据表示工件1的温度偏差的计测数据来计算用于抑制温度偏差的温度分布信息b1～bm，但作为本发明的另一实施例，例如也可以是用户根据预先计测的计测数据将用于抑制偏差的温度分布信息作为设定值来设定，这时，利用该设定值和上述的干涉矩阵A来计算调整值。
在上述实施例中，使用三角波状的目标温度输入及其响应波形来求干涉矩阵A，但在饱和不成问题的情况下，也可以使用脉冲状的目标温度输入及其响应波形来求干涉矩阵。
在上述实施例中，虽然调整了目标温度，但作为另一实施例，也可以通过使用调整值来校正来自热板2的检测温度，来实质性地调整目标温度。
由于当调整目标温度时，调整来自上述图16的PID控制器7的操作量，所以作为本发明的另一实施例也可以代替目标温度的调整而调整操作量。
即，也可以代替目标温度而求出表示操作量与工件1的温度的关系的干涉矩阵，使用该干涉矩阵求出为抑制温度偏差所需要的操作量的调整值，并使用该调整值来调整操作量。
在上述实施例中，是从个人计算机4对于温度调节器3，以每个通道ch1～chp的方式发送与第一～第n的各定时对应的相加值的数据，但作为另一实施例，也可以在个人计算机4将相加值的波形数据合成并作为相加值的时序数据向温度调节器3发送。
此外，为了减少向温度调节器3发送的数据量，例如也可以将与相加值的波形对应的传递函数的系数值向温度调节器3发送，而在温度调节器3中使用传递函数来再现相加值的波形。
例如，相加值的波形根据下面的理由能够看作是脉冲响应。即，由于目标温度SP的相加值ΔSP的波形是补偿过渡紊乱的波形，所以在t＝0是ΔSP(t)＝0，在t＝∞是ΔSP(t)＝0，两端是0。在其之间以某种程度的大小膨起地进行变化。
另一方面，当设脉冲响应为g(t)时，则脉冲响应g(t)也是在t＝0是g(t)＝0，在t＝∞是g(t)＝0，两端是0，在其之间以某种程度的大小膨起地进行变化。
因此，当比较两者时，在不需要使中间的波形变化微小部分等细小波形一致的情况下，即满足要求精度的情况下，能够将SP的相加值ΔSP看作与脉冲响应一致。
脉冲响应波形与传递函数是一对一的关系，通过仅将传递函数的系数向温度调节器3发送，就能够以少的信息传送响应波形。
当将脉冲响应设为g(t)时，将它进行拉普拉斯变换就成为传递函数G(s)＝Y(s)/U(s)。当设输入U(s)和输出Y(s)是2次函数时，则传递函数由下式表示。
(式3)
G ( s ) = K 1 + b 1 s + b 2 s 2 1 + a 1 s + a 2 s 2
因此，只要将传递函数G(s)的五个系数a1、a2、b1、b2、K向温度调节器3传送即可。
于是，从由个人计算机4生成的SP相加波形求出五个系数a1、a2、b1、b2、K，并将该五个系数a1、a2、b1、b2、K向温度调节器3传送。温度调节器3使用由该五个系数a1、a2、b1、b2、K规定的传递函数来再现SP的相加波形。
这样就能够减少从个人计算机4向温度调节器3传送的数据量。
在上述实施例中，是使用遗传算法来搜索最佳的调整值，但也可以使用登山法、模拟退火法(シミュレ一テッド·アニ一リング)(SA)等，或将可能的范围分成细小的量(桝目)并从一端到另一端一个不漏地进行搜索的全搜索等其它的搜索方法。
在上述实施例中，是计测阶梯响应波形，并根据该阶梯响应波形来合成三角波响应波形，但作为其它实施例，也可以使目标温度三角波状地变化并计测工件各计测点的温度，即，可以直接计测三角波响应波形，或直接计测脉冲响应波形。
在上述实施例中，是适用于使用加热器等的加热处理来进行说明，但也可以适用于使用珀尔帖元件或冷却器等的冷却处理，进而，也可以适用于加热和冷却并用的温度控制。
此外，本发明并不限定于温度控制，也可以适用于压力、流量、速度或液位等其它物理状态的控制。
本发明例如在工件等被处理物的热处理中的温度控制等方面是很有用的。

Claims (36)

1、一种控制方法，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的物理状态的各检测信息与多个的各目标信息一致的方式，控制所述处理机构的物理状态，其特征在于，
使用表示所述目标信息与所述被处理物的物理状态的关系的关系信息，调整所述目标信息以使所述被处理物的物理状态成为期望的状态。
2、一种温度控制方法，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式，控制所述处理机构的温度，其特征在于，
使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息，调整所述目标温度以使所述被处理物的温度成为期望的温度状态。
3、如权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，根据所述关系信息和所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息求出调整信息，并根据该调整信息来调整所述目标温度。
4、如权利要求3所述的温度控制方法，其特征在于，包括：
第一工序，其根据在多个计测点计测当使所述目标温度变化时的所述被处理物的温度变化的计测温度，求出表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息；
第二工序，其根据在所述多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，求出所述温度分布信息；
第三工序，其根据在所述第一工序和所述第二工序分别求出的所述关系信息和所述温度分布信息，求出所述调整信息；以及
第四工序，其根据在所述第三工序求出的所述调整信息，调整所述目标温度。
5、如权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，在求所述关系信息的所述第一工序中，计测当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，并使用计测出的所述阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
6、如权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，在求所述关系信息的所述第一工序中，计测当使所述各目标温度脉冲状或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的脉冲响应波形或三角波响应波形。
7、如权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，在求所述关系信息的所述第一工序中，合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来求作为所述关系信息的矩阵。
8、如权利要求7所述的温度控制方法，其特征在于，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，在所述第三工序中，根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息计算出所述调整值。
9、如权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，在所述第三工序中，至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
10、一种调整装置，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息，其特征在于，
具有：运算单元，其使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息，运算用于将所述被处理物的温度调整到期望的温度状态的所述调整信息。
11、如权利要求10所述的调整装置，其特征在于，所述运算单元，根据所述关系信息以及所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息，运算所述调整信息。
12、如权利要求11所述的调整装置，其特征在于，所述运算单元具备：第一计算部，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，计算出表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息；以及第二计算部，其根据在所述多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，计算出所述温度分布信息。
13、如权利要求12所述的调整装置，其特征在于，所述第一计算部，其使用当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
14、如权利要求12所述的调整装置，其特征在于，所述第一计算部，其计测当使所述各目标温度阶梯状地或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形。
15、如权利要求13所述的调整装置，其特征在于，所述第一计算部，其合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来计算作为所述关系信息的矩阵。
16、如权利要求15所述的调整装置，其特征在于，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，所述运算单元，其根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息计算出所述调整值。
17、如权利要求16所述的调整装置，其特征在于，所述运算单元至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
18、一种调整装置，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息，其特征在于，
具有：运算单元，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物多个计测点的计测温度和所述目标温度调整前的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度，运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
19、如权利要求12所述的调整装置，其特征在于，所述期望的温度状态是抑制所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的偏差的状态，所述被处理物是被装载在所述处理机构上进行热处理的物体。
20、如权利要求11所述的调整装置，其特征在于，所述温度分布信息作为对应的设定信息而被设定，所述运算单元根据所述关系信息和所述设定信息来运算所述调整信息。
21、如权利要求10～20的任一项所述的调整装置，其特征在于，所述温度控制装置根据所述各目标温度与所述各检测温度的偏差来进行温度控制，并根据所述调整信息来调整所述各目标温度和所述各检测温度的至少任何一个温度。
22、一种调整装置，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式向操作单元给予操作量来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息调整所述操作量以使所述被处理物的温度变成期望的温度状态的温度控制装置的所述调整信息，其特征在于，
具有：运算单元，其使用表示所述操作量与所述被处理物的温度的关系的关系信息来运算所述调整信息。
23、一种温度调节器，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式，控制所述处理机构的温度，其特征在于，
根据利用所述权利要求10～20的任一项所述的调整装置所求出的所述调整信息来调整所述各目标温度。
24、一种温度调节器，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式控制所述处理机构的温度，并且根据调整信息来调整所述各目标温度，其特征在于，
具有：运算单元，其使用表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
25、一种程序，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息来调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息，其特征在于，
在计算机中执行如下步骤：第一步骤，其运算表示所述目标温度与所述被处理物的温度的关系的关系信息；以及
第二步骤，其根据所述关系信息和所述目标温度调整前的所述被处理物的温度分布信息，来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
26、如权利要求25所述的程序，其特征在于，所述温度分布信息作为对应的设定信息而被设定，在所述第二步骤中，根据所述关系信息和所述设定信息来运算所述调整信息。
27、如权利要求25所述的程序，其特征在于，
所述第一步骤，其根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算表示所述目标温度与所述被处理物的所述多个计测点的温度的关系的所述关系信息，
所述第二步骤，其根据在多个计测点计测所述目标温度调整前的所述被处理物的温度的计测温度，来运算所述温度分布信息。
28、如权利要求27所述的程序，其特征在于，在所述第一步骤中，使用当使所述各目标温度阶梯状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的计测温度的阶梯响应波形，合成相对脉冲状的目标温度变化的脉冲响应波形和相对三角波状的目标温度变化的三角波响应波形的至少任何一个响应波形。
29、如权利要求27所述的程序，其特征在于，在所述第一步骤中，计测当使所述各目标温度脉冲状或三角波状地个别变化时的所述被处理物的所述多个计测点的脉冲响应波形或三角波响应波形。
30、如权利要求28所述的程序，其特征在于，在所述第一步骤中，合成在时间上不同的多个所述脉冲响应波形和在时间上不同的多个所述三角波响应波形的至少任何一个响应波形，并根据合成的响应波形来计算作为所述关系信息的矩阵。
31、如权利要求30所述的程序，其特征在于，所述调整信息是针对所述多个的各目标温度的预先设定的时刻的调整值，在所述第二步骤中，根据所述矩阵的逆矩阵和所述温度分布信息计算所述调整值。
32、如权利要求31所述的程序，其特征在于，在所述第二步骤中，至少使调整值随机地变化，并且通过使用包含所述矩阵的评价式的搜索方法来搜索调整值的最佳值。
33、一种程序，其按照使在多个检测点检测对被处理物进行处理的处理机构的温度的各检测温度与多个的各目标温度一致的方式来控制所述处理机构的温度，并且求根据调整信息来调整所述各目标温度的温度控制装置的所述调整信息，其特征在于，
在计算机中执行如下的步骤，该步骤根据当使所述目标温度变化时的所述被处理物的多个计测点的计测温度和所述目标温度调整前的所述被处理物的多个计测点的计测温度，来运算用于将所述被处理物的温度调整成期望的温度状态的所述调整信息。
34、如权利要求27～33的任一项所述的程序，其特征在于，所述期望的温度状态是抑制所述被处理物的多个计测点的计测温度的偏差的状态，所述被处理物是被装载在所述处理机构上进行热处理的物体。
35、一种记录媒体，其特征在于，其将所述权利要求27～33的任一项所述的程序可读取地记录在计算机中。
36、一种热处理装置，其具备：所述权利要求23所述的温度调节器；所述处理机构；利用所述温度调节器的输出对所述处理机构进行加热和/或冷却的操作单元；以及在多个检测点检测所述处理机构的温度的温度检测单元。
CN2006101011244A 2005-07-04 2006-07-04 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器和热处理装置 Expired - Fee Related CN1892524B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP195293/05 2005-07-04
JP2005195293A JP4839702B2 (ja) 2005-07-04 2005-07-04 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1892524A true CN1892524A (zh) 2007-01-10
CN1892524B CN1892524B (zh) 2010-05-12

Family

ID=37207467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101011244A Expired - Fee Related CN1892524B (zh) 2005-07-04 2006-07-04 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器和热处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7536230B2 (zh)
EP (1) EP1742133A3 (zh)
JP (1) JP4839702B2 (zh)
KR (1) KR100777558B1 (zh)
CN (1) CN1892524B (zh)
TW (1) TWI323835B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107848864A (zh) * 2015-08-06 2018-03-27 Ppg工业俄亥俄公司 微波加热玻璃弯曲方法和装置
CN108427453A (zh) * 2018-05-22 2018-08-21 南京大学 一种超高真空下样品热处理工艺的自动化温度控制系统及方法
CN110970324A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 细美事有限公司 基板的热处理方法及热处理装置
CN114200976A (zh) * 2020-09-17 2022-03-18 欧姆龙株式会社 控制方法、控制装置以及记录介质

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5395329B2 (ja) 2006-06-12 2014-01-22 株式会社 資生堂 ゲル状組成物
JP4391518B2 (ja) * 2006-12-28 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および加熱処理装置
JP4531778B2 (ja) 2007-02-09 2010-08-25 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法、温度調節器および加熱処理装置
US10526232B2 (en) * 2013-05-30 2020-01-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Microwave heating glass bending process
CN104571221B (zh) * 2015-01-12 2017-08-22 小米科技有限责任公司 温度控制方法及装置
JP6368686B2 (ja) * 2015-06-10 2018-08-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理装置の調整方法、及び、プログラム
CN110622095B (zh) * 2017-02-28 2022-04-01 日本先锋公司 温度控制设备、温度控制方法、计算机程序和记录介质
WO2018220690A1 (ja) 2017-05-29 2018-12-06 理化工業株式会社 制御系設計装置及び制御システム
JP6933286B1 (ja) * 2020-09-17 2021-09-08 オムロン株式会社 温度制御方法、温度制御装置およびプログラム
TWI769702B (zh) * 2021-02-09 2022-07-01 柳振堯 雙極性高精度電流感測溫控裝置
TWI807507B (zh) * 2021-12-02 2023-07-01 財團法人金屬工業研究發展中心 加熱爐之溫度控制方法
CN114466136B (zh) * 2022-01-10 2023-08-08 浙江大华技术股份有限公司 聚焦方法、装置、摄像机和存储介质

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3820442A1 (de) * 1988-06-15 1989-12-21 Eberspaecher J In mehreren leistungsstufen betreibbares heizgeraet fuer kraftfahrzeuge
KR100486158B1 (ko) * 1996-01-31 2005-11-08 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 열처리의모델베이스예측제어
JP3274095B2 (ja) 1997-07-18 2002-04-15 富士通株式会社 加熱炉内の被加熱物の熱解析装置及びそれを用いたリフロー炉の制御装置並びにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4551515B2 (ja) * 1998-10-07 2010-09-29 株式会社日立国際電気 半導体製造装置およびその温度制御方法
KR200240059Y1 (ko) * 1998-12-31 2001-12-01 김영환 반도체장치의열처리장치에서의온도조절장치
JP4536214B2 (ja) * 2000-06-01 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置，および熱処理装置の制御方法
JP4493192B2 (ja) * 2000-09-13 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置及びその制御方法
JP3834216B2 (ja) * 2000-09-29 2006-10-18 株式会社日立国際電気 温度制御方法
JP4506030B2 (ja) * 2001-05-18 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び成膜方法
JP2003115440A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Canon Inc 温度調節装置および非干渉化温調制御装置並びにこれらの装置を備えた露光装置
JP3824959B2 (ja) * 2002-03-29 2006-09-20 本田技研工業株式会社 排ガスセンサの温度制御装置
JP3451554B1 (ja) * 2002-06-12 2003-09-29 オムロン株式会社 異常検出方法、異常検出装置および温度調節器
CN2674499Y (zh) * 2002-12-19 2005-01-26 北京中科创新园高新技术有限公司 一种水冷却壁在线监测控制装置
JP3802889B2 (ja) 2003-07-01 2006-07-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその校正方法
JP4639821B2 (ja) * 2004-02-24 2011-02-23 オムロン株式会社 目標値加工装置、温度調節器および制御プロセス実行システム
US20050247266A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Patel Nital S Simultaneous control of deposition time and temperature of multi-zone furnaces
US7415312B2 (en) * 2004-05-25 2008-08-19 Barnett Jr James R Process module tuning
JP4397836B2 (ja) * 2005-03-02 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定方法，フォトリソグラフィー工程における処理条件の設定装置，プログラム及びプログラムを読み取り可能な記録媒体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107848864A (zh) * 2015-08-06 2018-03-27 Ppg工业俄亥俄公司 微波加热玻璃弯曲方法和装置
CN107848864B (zh) * 2015-08-06 2021-01-01 Ppg工业俄亥俄公司 微波加热玻璃弯曲方法和装置
CN108427453A (zh) * 2018-05-22 2018-08-21 南京大学 一种超高真空下样品热处理工艺的自动化温度控制系统及方法
CN110970324A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 细美事有限公司 基板的热处理方法及热处理装置
CN110970324B (zh) * 2018-09-28 2024-04-12 细美事有限公司 基板的热处理方法及热处理装置
CN114200976A (zh) * 2020-09-17 2022-03-18 欧姆龙株式会社 控制方法、控制装置以及记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN1892524B (zh) 2010-05-12
US7536230B2 (en) 2009-05-19
TWI323835B (en) 2010-04-21
EP1742133A2 (en) 2007-01-10
KR100777558B1 (ko) 2007-11-16
TW200710622A (en) 2007-03-16
JP4839702B2 (ja) 2011-12-21
EP1742133A3 (en) 2013-07-03
US20070010403A1 (en) 2007-01-11
JP2007011982A (ja) 2007-01-18
KR20070004421A (ko) 2007-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1892524A (zh) 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置
CN1292081C (zh) 热处理装置、热处理方法及记录热处理程序的记录介质
CN1186700C (zh) 半导体制造中用来改进控制的自调适取样方法
CN1066831C (zh) 控制器和自适应修改参数的方法
CN1096329C (zh) 激光加工设备及其控制方法
CN1077000C (zh) 机床热位移的修正方法及其装置
CN101040235A (zh) 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法
CN1169031C (zh) 使用非线性预测控制来控制化学反应器的方法
CN1242308C (zh) 定位伺服控制器
CN1745347A (zh) 使用模块化模型预测控制器的集成优化和控制
CN1225679C (zh) 最速地实现自抗扰反馈控制的方法及其装置
CN1954931A (zh) 卷绕温度控制装置和控制方法
CN1661642A (zh) 目标值加工装置、温度调节器、控制过程执行系统和方法
CN1154903C (zh) 接收时钟作为输入信号并提供电压作为输出信号的频压转换电路
CN1695138A (zh) 从mpc(模型预测控制器)的模型中移除pid动态值的方法
CN1173787C (zh) 带材的中心凸厚测量方法及控制轧机的方法
CN1845021A (zh) 指令生成装置
CN1688948A (zh) 在质量流动控制器中用于压力补偿的方法和装置
CN101046682A (zh) 一种预测热轧含Nb带钢组织及力学性能的方法
CN1449511A (zh) 多变量矩阵处理控制
CN1501248A (zh) 数据输入存贮器并对存储器内存入的数据进行运算输出并能高速操作的数据输入输出装置
CN1058204C (zh) 轧机中控制形状的方法
CN1723447A (zh) 存储器控制装置
CN1319275A (zh) 用于控制电动机的设备
CN1267795C (zh) 控制器的设计装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100512

Termination date: 20140704

EXPY Termination of patent right or utility model