CN1878892A - 石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶 - Google Patents

石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶 Download PDF

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Abstract

在此公开了一种由含有碱金属氧化物或碳化物、石榴石单晶原料和作为熔剂的Bi2O3－B2O3－PbO的熔融体通过液相外延制备磁性石榴石单晶的方法，其中，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长，并且长成的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面，没有任何晶体缺陷。还公开了通过该方法制得的磁性石榴石单晶。

Description

石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶
技术领域
本发明是关于一种磁性石榴石单晶的制备方法以及由该方法制得的磁性石榴石单晶，尤其是关于一种使用含有石榴石单晶原料和作为熔剂的Bi2O3-B2O3-PbO的熔融体通过液相外延(LPE)制备磁性石榴石单晶的方法以及由该方法制得的磁性石榴石单晶，其中，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长，长成的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面(镜面)，且没有任何晶体缺陷。如此制得的磁性石榴石单晶可用于光电传感器(optical current transducers，CTs)。
背景技术
一般地，石榴石单晶由于其优异的磁光性能而广泛应用于磁光装置如光电传感器、光频隔离器、光开关和空间光调制器(spatial optical modulators)。取决于待取代的离子种类以及它们的位点，磁性石榴石单晶的磁、光和磁光性能不同，使用的波长也不一样。因此，根据磁光装置种类的不同，使用具有不同组成的各种石榴石单晶。
典型的石榴石单晶通过液相外延生长法(Liquid Phase Epitaxy GrowthProcess，以下简称“LPE”)制得。具体地，石榴石单晶根据下述步骤制得：用于石榴石单晶厚膜的原料和熔剂高温熔融后，将所得熔融体冷却至晶体生长温度。随后，将常规的Ca-Mg-Zr取代的Gd3Ga5O12(SGGG)基材(substrate)浸渍在冷却的熔融体中，以使磁性石榴石单晶膜生长。将长成的晶体膜从熔融体中取出，然后以300-500转/分钟旋转，以除去粘附在晶体膜表面的熔融体(旋除，spin-off)。最后，蚀刻晶体膜以除去存在于表面的残留熔剂成分。
熔剂选自常规用作磁性石榴石单晶原料的B2O3-Bi2O3、PbO-B2O3和Bi2O3-碱金属氧化物基熔剂。
在这些熔剂中，B2O3-Bi2O3基熔剂使得熔体粘度高，因而干扰熔体中的成膜材料的移动，使得晶体生长不均匀。PbO-B2O3基熔剂的缺点是熔剂中所含的高挥发性PbO会有少量被代替进入到晶体膜中，使晶体膜的吸光率升高。虽然Bi2O3-碱金属氧化物基熔剂能够解决B2O3-Bi2O3基熔剂的问题，即由于熔体粘度高导致的晶体生长不均匀问题，但在晶体生长时间方面有缺点。
为了解决常规熔剂的上述问题，已经开发了PbO-B2O3-Bi2O3基熔剂，并且目前已用于石榴石单晶生长。
然而，当使用PbO-B2O3-Bi2O3基熔剂生长石榴石单晶时，容易出现晶体缺陷。这些晶体缺陷需要高饱和磁场和低矫顽磁力。因此，PbO-B2O3-Bi2O3基熔剂不适合用于制备需要低反光率和高透光率的光电传感器所用的磁性石榴石单晶。
发明内容
本发明人认真地进行了大量集中研究，以改进使用PbO-B2O3-Bi2O3作为熔剂生长石榴石单晶的方法，结果发现了使用含有作为熔剂的PbO-B2O3-Bi2O3的熔融体制备用于光电传感器的磁性石榴石单晶的改进方法，其中，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长，长成的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面，没有任何晶体缺陷，由此完成了本发明。
因此，本发明的目的是提供一种使用含有石榴石单晶原料和作为熔剂的PbO-B2O3-Bi2O3的熔融体通过液相外延(LPE)制备磁性石榴石单晶的方法，其中，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长，并且长成的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面，没有任何晶体缺陷。
本发明的另一个目的是提供通过该方法制得的磁性石榴石单晶。
本发明的再一个目的是提供一种包括该磁性石榴石单晶的光学装置如光电传感器(CT)。
为了完成本发明的上述目的，提供了一种制备磁性石榴石单晶的方法，该方法包括下述步骤：将1-3重量％的碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和作为熔剂的PbO-B2O3-Bi2O3的混合物中，熔融所得混合物；通过液相外延从熔融体生长出石榴石单晶。
根据本发明，提供了一种由上述方法制得的磁性石榴石单晶，其中，磁性石榴石单晶的组成由化学式BiaPbbYcGd3-(a+b+c)PtdFe5-dO12(其中0.5≤a≤1.0，0≤b≤1.0，0.3≤c≤1.0，0≤d≤1.0)表示。
根据本发明，提供了一种包括上述磁性石榴石单晶的光电传感器(CT)。
具体实施方式
下面将详细描述本发明。
根据本发明，适合用于光电传感器(CTs)的石榴石单晶根据下述步骤制得：将1-3重量％的碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和作为熔剂的PbO-B2O3-Bi2O3的混合物中后，将所得混合物熔融。随后，通过常规液相外延生长法从熔融体生长出石榴石单晶。也就是说，本发明的特征在于含有碱金属氧化物或碳化物、石榴石单晶原料和作为熔剂的Bi2O3-B2O3-PbO的熔融体。
由于含有石榴石单晶原料和熔剂的熔融体粘度高，在旋除过程中，由于表面张力高，晶体生长后有些熔剂成分可能残留在单晶膜上，使得镜状表面的形成比较困难。熔融体中的熔解物向膜的表面移动，以生长单晶。然而，粘稠的熔融体干扰熔解物的移动，因而导致膜的厚度不均匀。
本发明人发现粘度更低的熔融体有利于成膜材料的供应，因而能够获得具有镜状表面且没有任何晶体缺陷的磁性单晶厚膜。基于此发现，本发明人进一步将碱金属氧化物或碳化物加入到常规用于晶体生长的熔融体中。
以熔融体的总重量为基准，当碱金属氧化物或碳化物的加入量小于1重量％时，熔融体的粘度仍然很高，因而仍有可能产生晶体缺陷。结果不能制得具有镜状表面的磁性石榴石单晶。当碱金属氧化物或碳化物的加入量超过3重量％时，晶体不生长或者不能制得石榴石单晶。
优选地，碱金属氧化物或碳化物选自锂、钠、钾和铷的氧化物和碳化物。
如上所述，由于将碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和熔剂的混合物中能够降低熔融体的粘度，并能够降低晶体生长温度，因此能够制得具有均匀厚度和镜状表面且没有任何晶体缺陷的磁性石榴石单晶。
此外，为了降低晶体生长温度而将碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和熔剂的混合物中还能提高单晶膜中Bi3+的取代量，从而提高磁光系数。这是因为降低晶体生长温度能够增加Bi3+的取代量。换句话说，由于熔融体中的晶体生长温度降低了，进入到石榴石单晶膜中的Bi3+取代度升高了。这样的晶体生长温度可以降低商业规模生产石榴石单晶时的生产成本。
此外，为了降低熔融体粘度而将碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和熔剂的混合物中能够用于适用于光学装置的石榴石单晶的所有石榴石单晶原料。
特别是，用于本发明的石榴石单晶原料包括制备磁性石榴石单晶所需的原料，所述磁性石榴石单晶的组成由化学式BiaPbbYcGd3-(a+b+c)PtdFe5-dO12(其中0.5≤a≤1.0，0≤b≤1.0，0.3≤c≤1.0，0≤d≤1.0)表示。
在上述组成中，Bi3+被取代进入十二面体石榴石晶体晶格中，起增强石榴石晶体磁光效应的作用。当Bi3+取代量增加时，磁光效应线性提高。然而，Bi3+的这种取代可能对温度特性有不良影响。因此，添加Gd3+以提高温度特性。Pb和Pt都是通过取代进入单晶中的离子种类。合适的Pb和Pt取代量有助于提高磁光或光学特性。当Bi3+的取代量为0.5或更低时，磁光性能变差。当Bi3+的取代量超过1.0或更高时，温度特性变差，甚至石榴石相可能不结晶。
石榴石单晶原料、作为熔剂的Bi2O3-B2O3-PbO和碱金属氧化物或碳化物的混合物熔融，然后通过液相外延由熔融体生长出晶体，以制得高质量的石榴石单晶。
可以使用常规LPE装置将混合物加热到1200℃或更高，以熔融该混合物。由于对外界杂质非常敏感，单晶生长在500级超净室(Class 500clean room)中进行。通常使用Ca-Mg-Zr取代的Gd3Ga5O12(SGGG)作为基材。
下面简单描述LPE法。首先，将石榴石单晶原料、熔剂和碱金属氧化物或碳化物混合并研磨，将研磨后的混合物装入到铂坩埚中之后，将坩埚放入LPE炉中，以使其中的混合物熔融。熔融后，将熔融体冷却到磁性石榴石膜生长的温度。用熔融体洗过的SGGG基材降低并保持至接近熔融体水平点，以达到基材与熔融体之间的热平衡状态。随后，将基材浸渍在熔融体中，以使晶体生长。此时，以75转/分钟旋转基材，并以2秒的间隔反向旋转。进行上述操作是为了对整个基材表面提供相同的生长环境，并使膜的生长速度保持均匀。生长完成后，将长成的磁性石榴石单晶从熔融体中取出。接着，将磁性石榴石单晶以300-500转/分钟旋转，以除去粘附在膜表面的某些熔融体成分(旋除，spin-off)。最后，将存在于长成的单晶膜表面上的残留的熔剂成分进行蚀刻，以制备最终的石榴石单晶。
由LPE法制备的石榴石单晶，尤其是根据本发明的方法由含有石榴石单晶原料、熔剂和碱金属氧化物或碳化物的熔融体制得的石榴石单晶具有均匀的厚度和镜状表面，没有任何晶体缺陷。因此，由此制得的磁性石榴石单晶能够用于光电传感器(CTs)。
下面参照实施例对本发明进行更详细的描述。然而，这些实施例是用于解释的目的而不是用于限制本发明的范围。
实施例1
将67.286克Bi203、72.035克PbO、3.5克B2O3、0.556克Y2O3、0.516克Gd2O3、6.107克Fe2O3和1.9757克Na2CO3装入铂坩埚中，然后在1000℃下熔融，之后将熔融体冷却至790℃，使用SGGG基材通过常规LPE法由熔融体制备石榴石单晶。
实施例2
根据与实施例1相同的方式制备单晶，不同的是加入4.0004克碳酸钠。
对比例1
根据与实施例1相同的方式制备单晶，不同的是不加碳酸钠。
对比例2
根据与实施例1相同的方式制备单晶，不同的是不加碳酸钠，并且熔融体冷却至820℃。
对比例3
根据与实施例1相同的方式制备单晶，不同的是熔融体冷却至820℃。
对比例4
根据与实施例1相同的方式制备单晶，不同的是加入6.0000克碳酸钠。
实验实施例1
计算实施例1和2以及对比例1-4所得石榴石单晶的缺陷。此外，旋除后测定残留熔剂的厚度，并计算厚度偏差值。结果如下表1所示。
表1
  实施例编号 组成   Na2CO3的量(克)   晶体生长温度(℃)   厚度(微米)   缺陷的数目(1厘米×1厘米) 残留熔剂的厚度(微米) 厚度偏差(微米)
  实施例1   Bi0.85Pb0.02Y0.60Gd1.53Pt0.02Fe4.98O12   1.9757   790   100   0～1   20   ±1
  实施例2   Bi0.82Pb0.02Y0.66Gd1.56Pt0.02Fe4.98O12   4.0004   790   70   0～1   20   ±1
  对比例1   Bi0.90Pb0.02Y0.51Gd1.57Pt0.02Fe4.98O12   0   790   130   20～30   100   ±5
  对比例2   Bi0.58Pb0.02Y1.00Gd1.40Pt0.02Fe4.98O12   0   820   100   8～12   50   ±2
  对比例3   Bi0.61Pb0.02Y1.10Gd1.27Pt0.02Fe4.98O12   1.9757   820   60   2～3   15   ±1
  对比例4   未生长   6.0000   790   0   -   15   0
从表1可以看出，碳酸钠的加入降低了晶体生长温度。特别是，随着碳酸钠加入量的增加，残留熔剂的厚度也减小。该结果基于熔融体粘度的降低。从表1还可以确认，残留熔剂的厚度越大，缺陷的数目也越多，与此相反，残留熔剂的厚度越小，缺陷的数目也越小。此外，熔融体的粘度越低，即残留熔剂的厚度越小，熔剂的厚度越均匀。
综上所述，由于熔融体的粘度低有利于晶体形成材料的供应，因此可以制得具有均匀厚度的石榴石单晶。此外，由于旋除后的残留熔剂的厚度的降低能够减少冷却过程中与晶体表面的反应，因此可以制得具有均匀厚度和镜状表面的石榴石单晶。
工业实用性
上述描述表明，根据本发明的方法，可以由含有石榴石单晶原料、作为熔剂的Bi2O3-B2O3-PbO和碱金属氧化物或碳化物的熔融体通过液相外延(LPE)制得具有均匀的厚度、镜状表面且没有任何晶体缺陷的石榴石单晶。此时，由于熔融体粘度降低，石榴石单晶在相对低的温度下生长。如此制得的磁性石榴石单晶可以用于光学装置如光电传感器(CTs)。
虽然为了阐述目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域技术人员应该理解的是，在不背离本发明权利要求所述的范围和精神情况下可以对本发明作出各种修改、添加和替换。

Claims (5)

1、一种制备磁性石榴石单晶的方法，该方法包括如下步骤：
将1-3重量％的碱金属氧化物或碳化物加入到石榴石单晶原料和作为熔剂的Bi2O3-B2O3-PbO的混合物中，熔融所得混合物；
通过液相外延从熔融体生长出石榴石单晶。
2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述碱金属氧化物或碳化物为选自锂、钠、钾和铷的氧化物和碳化物。
3、根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述磁性石榴石单晶具有由化学式BiaPbbYcGd3-(a+b+c)PtdFe5-dO12所表示的组成，其中0.5≤a≤1.0、0≤b≤1.0、0.3≤c≤1.0、0≤d≤1.0。
4、一种具有由化学式BiaPbbYcGd3-(a+b+c)PtdFe5-dO12所表示的组成的磁性石榴石单晶，其中0.5≤a≤1.0、0≤b≤1.0、0.3≤c≤1.0、0≤d≤1.0；其中该磁性石榴石单晶由权利要求1或2所述的方法制得。
5、一种光电传感器，其中，该传感器包括权利要求4所述的磁性石榴石单晶。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102140688A (zh) * 2011-03-12 2011-08-03 陕西科技大学 一种Bi2O3多晶的制备方法
CN103046113A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸铅和硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途
CN110904506A (zh) * 2019-12-04 2020-03-24 上海应用技术大学 一种稀土置换钇铁石榴石晶体的制备方法
CN114150365A (zh) * 2021-10-29 2022-03-08 中国科学院福建物质结构研究所 一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101061263B (zh) 2004-11-19 2011-03-23 Tdk株式会社 磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法
JP4720730B2 (ja) * 2006-01-27 2011-07-13 Ｔｄｋ株式会社 光学素子の製造方法
JP4702090B2 (ja) 2006-02-20 2011-06-15 Ｔｄｋ株式会社 磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子
US7758766B2 (en) 2007-09-17 2010-07-20 Tdk Corporation Magnetic garnet single crystal and Faraday rotator using the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2989654B2 (ja) * 1990-09-27 1999-12-13 株式会社トーキン ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法
JP3197383B2 (ja) * 1992-03-02 2001-08-13 ティーディーケイ株式会社 エピタキシャル成長による薄膜の製造法
KR0143799B1 (ko) * 1995-03-21 1998-07-15 한송엽 비정상 입성장을 이용한 티탄산 바륨 단결정 육성법
JP2001044026A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Tdk Corp 磁性ガーネット単結晶およびそれを用いたファラデー回転子
JP2001044027A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Tdk Corp 磁性ガーネット単結晶およびそれを用いたファラデー回転子
JP3539322B2 (ja) * 1999-12-09 2004-07-07 株式会社村田製作所 静磁波素子
JP3753920B2 (ja) * 2000-03-22 2006-03-08 Ｔｄｋ株式会社 磁性ガーネット単結晶膜及びその製造方法、及びそれを用いたファラデー回転子

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102140688A (zh) * 2011-03-12 2011-08-03 陕西科技大学 一种Bi2O3多晶的制备方法
CN102140688B (zh) * 2011-03-12 2012-06-27 陕西科技大学 一种Bi2O3多晶的制备方法
CN103046113A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸铅和硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途
CN103046113B (zh) * 2011-10-11 2015-04-15 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸铅和硼酸铅非线性光学晶体及制备方法和用途
CN110904506A (zh) * 2019-12-04 2020-03-24 上海应用技术大学 一种稀土置换钇铁石榴石晶体的制备方法
CN114150365A (zh) * 2021-10-29 2022-03-08 中国科学院福建物质结构研究所 一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法

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Publication number Publication date
AU2003304599A1 (en) 2005-06-29
US20070104639A1 (en) 2007-05-10
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