CN1877805A - 化合物半导体构件的损伤评价方法 - Google Patents

化合物半导体构件的损伤评价方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1877805A
CN1877805A CNA2006100887044A CN200610088704A CN1877805A CN 1877805 A CN1877805 A CN 1877805A CN A2006100887044 A CNA2006100887044 A CN A2006100887044A CN 200610088704 A CN200610088704 A CN 200610088704A CN 1877805 A CN1877805 A CN 1877805A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound semiconductor
semiconductor member
peak
damage
gallium nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100887044A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1877805B (zh
Inventor
八乡昭广
西浦隆幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN1877805A publication Critical patent/CN1877805A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1877805B publication Critical patent/CN1877805B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λ1)的峰P1的半高宽W1，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。

Description

化合物半导体构件的损伤评价方法
技术领域
本发明涉及化合物半导体构件的损伤评价方法、化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。
背景技术
化合物半导体与Si相比具有多种优点。例如，化合物半导体中，通过调整组成可以控制能带间隙。另外，化合物半导体由于具有直接跃迁、宽能带间隙等光学特性，因此适用于例如LED或LD等光设备中。另外，由于化合物半导体具有高的载流子迁移率，因此还可以适用于高速设备中。
在制造所述光设备或高速设备等化合物半导体设备时，使用化合物半导体基板或在玻璃基板等非晶体基板上形成化合物半导体膜的叠层基板。在化合物半导体基板或叠层基板的表面上，例如形成化合物半导体膜或电极。化合物半导体设备的设备特性受到化合物半导体基板或者叠层基板与化合物半导体膜的界面、化合物半导体基板或者叠层基板与电极的界面的很大的影响。所以，化合物半导体设备的界面评价十分重要。
另外，在制造化合物半导体设备时，在几个制造程序中会在所述的界面上产生损伤。例如，由于化合物半导体基板或叠层基板的表面粗糙度对设备特性有影响，因此化合物半导体基板或叠层基板的表面被进行研磨处理或蚀刻处理。此时，因在表面产生划痕或变形而在该表面上产生损伤。另外，在化合物半导体基板或叠层基板的表面上，形成纳米尺寸的薄膜或微细图案时，例如使用干式蚀刻或湿式蚀刻等。此时，在化合物半导体基板或叠层基板的表面或薄膜、微细图案的表面就会产生损伤。
当在如上所述的在表面存在有损伤的化合物半导体基板或化合物半导体膜的表面上，例如通过生长外延膜而制造化合物半导体设备时，则由于存在于化合物半导体基板或化合物半导体膜与外延膜的界面上的损伤，使得设备特性恶化。
所以，作为评价化合物半导体基板或化合物半导体膜的表面的损伤的方法，通常来说使用利用了X射线衍射、扫描型电子射线显微镜(SEM)或阴极发光等的方法。
另一方面，在特开平9-246341号公报中，公布有使用光致发光法来评价在半导体晶片中产生的损伤的方法。
但是，所述特开平9-246341号公报中所公布的方法中，不一定能够充分地进行损伤的程度的详细的评价。
发明内容
所以，本发明的目的在于，提供可以详细地评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。
为了解决所述问题，本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的半高宽，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法，通过使用与能带间隙对应的波长的峰(以下称作「第1峰」。)的半高宽，可以进行详细的损伤评价。
构成化合物半导体构件的原子的原子间距离根据损伤的程度不同而变化。当该原子间距离变化时，能带的展宽也变化。另外，当能带的展宽变化时，则第1峰的半高宽即变化。所以，通过使用第1峰的半高宽，就可以详细地评价损伤的程度。例如，第1峰的半高宽有随着损伤的程度变大而增大的倾向。
本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的强度，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法，通过使用位于比与能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰(以下称作「第2峰」。)的强度，就可以进行详细的损伤评价。
第2峰起因于在化合物半导体构件的能带间产生的能级。由于第2峰的强度根据能够产生发光的损伤的程度而变化，因此通过使用第2峰的强度，就可以详细地评价损伤的程度。例如，第2峰的强度有随着损伤的程度变大而增大的倾向。
本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的半高宽，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法，通过使用第2峰的半高宽，就可以进行详细的损伤评价。
由于第2峰的半高宽根据能够产生发光的损伤的程度而变化，因此通过使用第2峰的半高宽，就可以详细地评价损伤的程度。例如，第2峰的半高宽有随着损伤的程度变大而增大的倾向。
本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度和位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的比，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的损伤评价方法，通过使用第1峰的强度和第2峰的强度的强度比，就可以进行详细的损伤评价。
通过使用该强度比，就可以详细地评价能够改变构成化合物半导体构件的原子的排列的损伤的程度与能够产生发光的损伤的程度之间的关联性。例如，所述强度比有随着损伤的强度变大而减小的倾向。
另外，所述化合物半导体构件优选化合物半导体基板。该情况下，可以评价化合物半导体基板表面的损伤的程度。另外，即使在光致发光测定中光深入到例如化合物半导体构件的内部，化合物半导体构件的背面的影响或固定化合物半导体构件的夹具的影响等其他构件的影响也很小。
另外，所述化合物半导体构件优选是设于基板上的化合物半导体膜。该情况下，通过预先进行基板的表面的光致发光测定，就可以评价设于该基板上的化合物半导体膜表面的损伤的程度。另外，即使在损伤的程度很小时，由于损伤对化合物半导体膜造成的相对的影响变大，因此也可以容易地检测出损伤。
另外，所述化合物半导体构件优选由单晶材料或多晶材料构成。该情况下，由于受到损伤的区域的单晶材料或多晶材料变为无定形，因此容易区别受到了损伤的区域和未受到损伤的区域。由此，就容易检测出损伤，可以提高损伤评价的精度。
另外，所述能带间隙优选1.6×10-19J以上。该情况下，在光致发光测定时，化合物半导体构件就难以受到由热造成的影响。由此，光致发光测定就变得更为容易。
另外，所述化合物半导体构件优选由含有B、Al及Ga当中的至少一个的氮化物类化合物半导体构成。另外，所述化合物半导体构件优选由含有Be及Zn当中的至少一个的氧化物类化合物半导体构成。另外，所述化合物半导体构件优选由ZnSe类化合物半导体构成。
本发明的化合物半导体构件的制造方法的特征是，包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的半高宽，在给定的阈值以下的情况下判断为优良品的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的制造方法，通过使用第1峰的半高宽，就可以详细地评价损伤的程度。由此，通过使用本发明的化合物半导体构件的制造方法，就可以制造损伤的程度小的化合物半导体构件。
本发明的化合物半导体构件的制造方法的特征是，包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，相对于除去了损伤的化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰强度，在给定的阈值以上的情况下判断为优良品的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的制造方法，通过比较与能带间隙对应的波长的峰的强度，就可以评价损伤的程度。由此，通过使用本发明的化合物半导体构件的制造方法，就可以制造损伤的程度小的化合物半导体构件。
本发明的化合物半导体构件的制造方法的特征是，包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的半高宽，在给定的阈值以下的情况下判断为优良品的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的制造方法，通过使用第2峰的强度，就可以详细地评价损伤的程度。由此，通过使用本发明的化合物半导体构件的制造方法，就可以制造损伤的程度小的化合物半导体构件。
本发明的化合物半导体构件的制造方法的特征是，包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，相对于位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的强度的与所述能带间隙对应的所述波长的峰的强度的比，在给定的阈值以上的情况下判断为优良品的工序。
根据本发明的化合物半导体构件的制造方法，通过使用第1峰的强度和第2峰的强度的强度比，就可以详细地评价损伤的程度。由此，通过使用本发明的化合物半导体构件的制造方法，就可以制造损伤的程度小的化合物半导体构件。
另外，所述化合物半导体构件优选是化合物半导体基板。该情况下，可以制造损伤的程度小的化合物半导体基板。
另外，所述化合物半导体构件优选是设于基板上的化合物半导体膜。该情况下，可以在基板上形成损伤的程度小的化合物半导体膜。
另外，所述化合物半导体构件的制造方法最好在所述判断为优良品的工序后，还包括在所述化合物半导体构件的所述表面上形成薄膜的工序。该情况下，由于在损伤的程度小的化合物半导体构件的表面上形成薄膜，因此该薄膜的结晶性及表面粗糙度改善。
另外，所述化合物半导体构件的制造方法，最好在所述判断为优良品的工序后，还包括在所述化合物半导体构件的所述表面上形成电极的工序。该情况下，可以在损伤的程度小的化合物半导体构件的表面上形成电极。
本发明的氮化镓类化合物半导体构件的特征是，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的2倍以上。
本发明的氮化镓类化合物半导体构件的特征是，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰的强度的1/10以上。
本发明的氮化镓类化合物半导体构件中，表面的损伤的程度小。
另外，该氮化镓类化合物半导体构件优选是氮化镓类化合物半导体基板。该氮化镓类化合物半导体基板中，表面的损伤的程度小。
另外，该氮化镓类化合物半导体构件，优选是设于基板上的氮化镓类化合物半导体膜。该氮化镓类化合物半导体膜中，表面的损伤的程度小。
本发明的氮化镓类化合物半导体膜的特征是，它被形成于如下的氮化镓类化合物半导体构件上，即，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的2倍以上。
本发明的氮化镓类化合物半导体膜的特征是，它被形成于如下的氮化镓类化合物半导体构件上，即，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰的强度的1/10以上。
本发明的氮化镓类化合物半导体膜被形成于表面的损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体构件上。由此，氮化镓类化合物半导体膜的结晶性及表面粗糙度改善。
附图说明
图1是表示实施方式的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法的工序的流程图。
图2是示意性地表示光致发光测定工序的图。
图3是示意性地表示设于基板上的化合物半导体膜的剖面图。
图4是示意性地表示利用光致发光测定得到的发光光谱的图。
图5(a)是示意性地表示薄膜形成工序中的化合物半导体基板的剖面图，图5(b)是示意性地表示薄膜形成工序中的化合物半导体膜的剖面图。
图6(a)是示意性地表示电极形成工序中的化合物半导体基板的剖面图，图6(b)是示意性地表示电极形成工序中的化合物半导体膜的剖面图。
图7是表示由实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的图表。
图8是表示光致发光测定和阴极发光测定的相关关系的图表。
图9分别表示了由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的365nm附近的峰的强度。
具体实施方式
以下，将在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行详细说明。而且，在附图的说明中，对于相同或等同的要素使用相同符号，省略重复的说明。
图1是表示实施方式的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法的工序的流程图。实施方式的化合物半导体构件的损伤评价方法包括光致发光测定工序S1及损伤评价工序S2。实施方式的化合物半导体构件的制造方法包括光致发光测定工序S1及损伤评价工序S2，最好还包括薄膜形成工序S3及电极形成工序S4。
(光致发光测定工序)
图2是示意性地表示光致发光测定工序的图。光致发光测定工序S1中，进行化合物半导体基板10(化合物半导体构件)的表面10a的光致发光测定。光致发光测定最好使用光致发光测定装置16来进行。
光致发光测定装置16具有向化合物半导体基板10的表面10a射出光L1的光源12。光L1的能量被设定为高于化合物半导体基板10的能带间隙。当光L1被向表面10a照射时，因从价电子带向传导带激发的电子回到价电子带，而从化合物半导体基板10中射出光L2。光L2射入光检测部14，从而得到发光光谱。
光L1虽然优选单色的激光，然而也可以包含多个波长成分。为了得到包含多个波长成分的光L1，优选使用染料激光器作为光源12。另外，光L1也可以是包含具有高于化合物半导体基板10的能带间隙的能量的波长成分的白色光。
由于化合物半导体基板10为体材(bulk)，因此在光致发光测定中，即使光L1例如深入到化合物半导体基板10的内部时，化合物半导体基板10的背面的影响或固定化合物半导体基板10的夹具的影响等其他的构件的影响也很少。
化合物半导体基板10的能带间隙优选1.6×10-19J(1eV)以上。该情况下，即使在光致发光测定之时化合物半导体基板10被光L1加热的情况下，化合物半导体基板10也难以受到由热造成的影响。由此，就可以容易并且高精度地进行光致发光测定。
化合物半导体基板10优选由含有B、Al及Ga当中至少一个的氮化物类化合物半导体构成。另外，化合物半导体基板10优选由含有Be、Zn当中的至少一个的氧化物类化合物半导体构成。另外，化合物半导体基板10优选由ZnSe类化合物半导体构成。无论在哪一种情况下，由于都可以增大化合物半导体基板10的能带间隙，因此在光致发光测定中，难以受到由热造成的影响。
更具体来说，化合物半导体基板10例如由GaAs或InP等III-V族化合物半导体、BN、GaN、AlN或InN等氮化物类化合物半导体、ZnO或ZnS等II-VI族化合物半导体、BexOy、ZnO、Ga2O3或Al2O3等氧化物类化合物半导体、ZnSe等ZnSe类化合物半导体、GaAlN或InGaN等三元类化合物半导体构成。另外，也可以在这些化合物半导体中掺杂杂质。
例如当化合物半导体基板10由氮化镓类化合物半导体构成时，可以优选使用纤维锌矿型构造或闪锌矿型(立方晶)构造的氮化镓类化合物半导体。对于纤维锌矿型构造的情况，表面10a无论是被称作C面的(0001)面、被称作M面的(10-10)面、被称作A面的(11-20)面、被称作R面的(01-12)面及被称作S面的(10-11)面当中的哪一个面都可以。而且，在C面中，有由Ga构成的Ga面和由N构成的N面。通常来说，由于Ga面一方难以被蚀刻，因此优选将表面10a设为Ga面，然而也可以将表面10a设为N面。
另外，在进行光致发光测定时，也可以取代化合物半导体基板10，使用图3所示的化合物半导体膜20(化合物半导体构件)。
图3是示意性地表示设于基板上的化合物半导体膜的剖面图。图3所示的基板22例如是玻璃基板等非晶体基板、蓝宝石基板或Si基板等单晶基板。作为化合物半导体膜20的构成材料，可以举出与化合物半导体基板10相同的材料。
该情况下，光致发光测定是通过将光L1向化合物半导体膜20的表面20a照射而进行的。而且，当使光L1从与表面20a正交的方向射入时，根据化合物半导体膜20的膜厚，有时在光L2中会包含较多的基板22的信息。随着使光L1的入射方向偏离与表面20a正交的方向，光L2中所含的基板22的信息就有相对地变少的倾向。
(损伤评价工序)
图4是示意性地表示利用光致发光测定得到的发光光谱的图。损伤评价工序S2中，使用利用光致发光测定得到的发光光谱来评价化合物半导体基板10的表面10a的损伤。作为此种损伤，可以举出由研磨或蚀刻等造成的损伤、划痕或变形等。
图4所示的发光光谱具有与化合物半导体基板10的能带间隙对应的波长λ1的峰P1。波长λ1具有与能带间隙相同的能量。而且，峰P1在波长λ1中也可以不一定达到最大值。另外，该发光光谱具有位于比波长λ1长的长波长侧的波长λ2的峰P2。峰P2在波长λ2中也可以不一定达到最大值。使用该发光光谱，就可以通过使用后述的方法1～方法4，详细地评价表面10a的损伤。
在化合物半导体基板10例如由单晶材料或多晶材料构成的情况下，由于受到了损伤的区域的单晶材料或多晶材料变为无定形，因此就容易区别受到了损伤的区域和未受到损伤的区域。由此，由于容易检测出损伤，因此可以提高损伤评价的精度。
<方法1>
方法1中，使用峰P1的半高宽W1来进行损伤的评价。根据方法1，通过使用峰P1的半高宽W1，就可以如下所述地进行详细的损伤评价。
峰P1的半高宽W1当化合物半导体基板10的能带的展宽变化时即变化。这里，能带的展宽当构成化合物半导体基板10的原子的原子间距离变化时即变化。另外，原子间距离根据表面10a的损伤的程度而变化。所以，通过使用峰P1的半高宽W1，就可以详细地评价损伤的程度。例如，峰P1的半高宽W1随着损伤的程度变大而有增大的倾向。
方法1在制造化合物半导体基板10时可以被适宜地使用。通过在峰P1的半高宽W1为给定的阈值以下的情况下判断为优良品，就可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体基板10。
<方法2>
方法2中，使用峰P2的强度I2来进行损伤的评价。根据方法2，通过使用峰P2的强度I2，就可以如下所述地进行详细的损伤评价。
峰P2起因于在化合物半导体基板10的能带间产生的能级。这样，当能够产生发光的损伤存在于化合物半导体基板10中时，就会出现峰P2。由于峰P2的强度I2根据能够产生发光的损伤的程度而变化，因此可以通过使用峰P2的强度I2来详细地评价损伤的程度。例如，峰P2的强度I2随着损伤的程度变大而有增大的倾向。
方法2在制造化合物半导体基板10时可以被适宜地使用。通过在以下的情况下，即，峰P2的强度I2相对于在预先除去了损伤的化合物半导体基板的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱中位于波长λ2的峰的强度，在给定的阈值以下的情况下，判断为优良品，就可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体基板10。
<方法3>
方法3中，使用峰P2的半高宽W2来进行损伤的评价。根据方法3，通过使用峰P2的半高宽W2，就可以如下所述地进行详细的损伤评价。
由于峰P2的半高宽W2根据能够产生发光的损伤的程度而变化，因此可以通过使用峰P2的半高宽W2来详细地评价损伤的程度。例如，峰P2的半高宽W2随着损伤的程度变大而有增大的倾向。
方法3在制造化合物半导体基板10时可以被适宜地使用。通过在峰P2的半高宽W2为给定的阈值以下的情况下判断为优良品，就可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体基板10。
<方法4>
方法4中，使用峰P1的强度I1和峰P2的强度I2的强度比(I1/I2)来进行损伤的评价。根据方法4，通过使用强度比(I1/I2)，就可以如下所述地进行详细的损伤评价。
强度比(I1/I2)成为能够改变构成化合物半导体基板10的原子的排列的损伤的程度与能够产生发光的损伤的程度之间的关联性的指标。这样，通过使用强度比(I1/I2)，就可以详细地评价所述关联性。例如，强度比(I1/I2)随着损伤的程度变大而有减小的倾向。
方法4在制造化合物半导体基板10时可以被适宜地使用。通过在强度比(I1/I2)为给定的阈值以上的情况下判断为优良品，就可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体基板10。
<方法5>
方法5中，使用峰P1的强度I1来进行损伤的评价。例如，峰P1的强度I1随着损伤的程度变大而变小。方法5在制造化合物半导体基板10时可以被适宜地使用。通过在以下的情况下，即，峰P1的强度I1相对于在预先除去了损伤的化合物半导体基板的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱中位于波长λ1的峰的强度，在给定的阈值以上的情况下判断为优良品，就可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体基板10。
当化合物半导体基板10例如由氮化镓类化合物半导体构成时，强度比(I1/I2)优选2以上。该情况下，可以获得表面的损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体基板。
另外，在化合物半导体基板10例如由氮化镓类化合物半导体构成的情况下，波长λ1(365nm附近)的峰P1的强度I1优选是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体基板(除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件)的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的波长λ1(365nm附近)的峰的强度的1/10以上。该情况下，可以获得表面的损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体基板。
而且，也可以不是评价化合物半导体基板10，而是评价化合物半导体膜20的损伤。该情况下，预先进行基板22的表面22a的光致发光测定，通过使用方法1～方法4，就可以详细地评价设于基板22上的化合物半导体膜20的表面20a的损伤的程度。另外，由于损伤对化合物半导体膜20造成的相对的影响变大，因此即使损伤的程度很小时，也会容易地检测出损伤。
另外，通过使用方法1～方法5，可以用高成品率制造损伤的程度小的化合物半导体膜20。另外，当化合物半导体膜20例如由氮化镓类化合物半导体构成时，强度比(I1/I2)优选2以上。该情况下，可以获得表面的损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体膜。
另外，在化合物半导体膜20例如由氮化镓类化合物半导体构成的情况下，波长λ1(365nm附近)的峰P1的强度I1优选是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体膜(除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件)的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的波长λ1(365nm附近)的峰的强度的1/10以上。该情况下，可以获得表面的损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体膜。
(薄膜形成工序)
图5(a)是示意性地表示薄膜形成工序中的化合物半导体基板的剖面图。图5(b)是示意性地表示薄膜形成工序中的化合物半导体膜的剖面图。薄膜形成工序S3优选在损伤评价工序S2之后实施。
薄膜形成工序S3中，如图5(a)所示，在化合物半导体基板10的表面10a上形成薄膜30。薄膜30例如被使用外延生长法形成。作为薄膜30，例如可以举出化合物半导体膜、氧化膜、ZnO膜、无定形膜等。当在损伤的程度小的化合物半导体基板10的表面10a上形成薄膜30时，薄膜30的结晶性及表面粗糙度即改善。例如，当化合物半导体基板10由氮化镓类化合物半导体构成，强度比(I1/I2)在2以上时，则由氮化镓类化合物半导体构成的薄膜30的结晶性及表面粗糙度即改善。
另外，例如当化合物半导体基板10由氮化镓类化合物半导体构成，波长λ1(365nm附近)的峰P1的强度I1为除去了损伤的氮化镓类化合物半导体基板(除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件)的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的波长λ1(365nm附近)的峰的强度的1/10以上时，由氮化镓类化合物半导体构成的薄膜30的结晶性及表面粗糙度即改善。
另外，薄膜形成工序S3中，也可以如图5(b)所示，在化合物半导体膜20的表面20a上形成薄膜32。薄膜32例如被使用外延生长法形成。作为薄膜32，可以举出与薄膜30相同的膜。当在损伤的程度小的化合物半导体膜20的表面20a上形成薄膜32时，则薄膜32的结晶性及表面粗糙度即改善。例如当化合物半导体膜20由氮化镓类化合物半导体构成，强度比(I1/I2)在2以上时，则由氮化镓类化合物半导体构成的薄膜32的结晶性及表面粗糙度即改善。
另外，例如当化合物半导体膜20由氮化镓类化合物半导体构成，波长λ1(365nm附近)的峰P1的强度I1为除去了损伤的氮化镓类化合物半导体膜(除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件)的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的波长λ1(365nm附近)的峰的强度的1/10以上时，则由氮化镓类化合物半导体构成的薄膜32的结晶性及表面粗糙度即改善。
(电极形成工序)
图6(a)是示意性地表示电极形成工序中的化合物半导体基板的剖面图。图6(b)是示意性地表示电极形成工序中的化合物半导体膜的剖面图。电极形成工序S4优选在损伤评价工序S2之后实施，更优选在薄膜形成工序S3之后实施。
电极形成工序S4中，如图6(a)所示，在薄膜30上，例如形成金属膜等的电极40。该情况下，薄膜30由于具有优良的结晶性，并且表面粗糙度也被降低，因此就可以抑制薄膜30与电极40的界面的损伤的产生。
而且，也可以在化合物半导体基板10的表面10a上直接形成电极40。该情况下，通过使用损伤的强度小的化合物半导体基板10，就可以抑制化合物半导体基板10与电极40的界面的损伤。
另外，电极形成工序S4中，也可以如图6(b)所示，在薄膜32上形成电极42。该情况下，由于薄膜32具有优良的结晶性，并且表面粗糙度也被降低，因此就可以抑制薄膜32与电极42的界面的损伤的产生。
而且，也可以在化合物半导体膜20的表面20a上直接形成电极40。该情况下，通过使用损伤的强度小的化合物半导体膜20，就可以抑制化合物半导体膜20与电极42的界面的损伤的产生。
经过所述各工序，就可以制造化合物半导体设备。
以上虽然对本发明的优选的实施方式进行了详细说明，然而本发明并不限定于所述实施方式。
接下来，对所述实施方式的实验例进行说明。
(实验例1)
首先，通过将GaN单晶锭材切片，准备了2英寸Φ的GaN单晶基板。在研磨了所准备的GaN单晶基板的表面后，使用反应性离子蚀刻法(RIE)，对表面实施了干式蚀刻。将干式蚀刻的条件表示如下。
·蚀刻气体：Ar气
·供给电能：200W
·小室内压力：1.3Pa(10mTorr)
·蚀刻时间：10分钟
其后，为了除去表面的损伤，通过将GaN单晶基板在40℃的5％NH4OH溶液中浸渍15分钟而进行了湿式蚀刻。像这样就得到了实验例1的GaN单晶基板。
(实验例2)
首先，通过将GaN单晶锭材切片，准备了2英寸Φ的GaN单晶基板。在粗研磨了所准备的GaN单晶基板的表面后，使用粒径0.5μm的金刚石磨粒将表面进一步研磨。其后，使用异丙醇将表面洗净。像这样就得到了实验例2的GaN单晶基板。
(实验例3)
除了取代粒径0.5μm的金刚石磨粒，使用了粒径0.1μm的金刚石磨粒以外，与实验例2相同地得到了实验例3的GaN单晶基板。
(实验例4)
对与实验例3相同地得到的GaN单晶基板，实施实验例1的干式蚀刻，得到了实验例4的GaN单晶基板。
(实验例5)
对与实验例4相同地得到的GaN单晶基板，使用稀释了的H3PO4溶液实施湿式蚀刻，得到了实验例5的GaN单晶基板。
(光致发光测定)
光致发光测定中，作为光源12，使用了能够射出波长325nm的激光的He-Cd激光器。通过使激光垂直地射入实验例1～实验例5的GaN单晶基板的表面，得到了各自的发光光谱。将发光光谱的一个例子表示于图7中。
图7是表示由实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的图表。纵轴表示PL强度(光致发光强度)，横轴表示波长。而且，图7的PL强度是以365nm附近的峰P1的强度I1作为1的相对值。另外，在比365nm长的长波长侧的470～640nm附近可以看到宽的峰P2。
光致发光测定是以波长0.5nm的间隔实施的，以正态分布内插了峰P1附近的值。另外，本底(background)设置是通过将峰P1的坡底的部分直线近似而进行的。
(损伤评价)
图8是表示光致发光测定和阴极发光测定的相关关系的图表。纵轴表示PL强度，横轴表示CL强度(阴极发光强度)。图8中，标示D1～标示D5分别表示由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的365nm附近的峰P1的强度I1。而且，PL强度是以由实验例2的GaN单晶基板得到的发光光谱的365nm附近的峰P1的强度I1作为1的相对值。另外，CL强度也是以实验例2的GaN单晶基板的CL强度作为1的相对值。
从图8中看到，光致发光测定和阴极发光测定具有相关关系。另外，一般来说，由于CL强度随着损伤的程度变大而变小，因此PL强度也随着损伤的程度变大而变小。
图9分别表示由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的365nm附近的峰P1的强度I1。从图9中看到，依照实验例1、实验例4、实验例5、实验例3、实验例2的顺序，表面的损伤程度变大。
表1中，分别表示由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的365nm附近的峰P1的半高宽W1。从表1中看到，随着损伤的程度变大，峰P1的半高宽W1变大。
[表1]
  峰P1的半高宽W1[nm]
  实验例2   10.6
  实验例3   9.7
  实验例5   8.4
  实验例4   8.1
  实验例1   7.1
表2中，分别表示由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的峰P2的强度I2及半高宽W2。从表2中看到，随着损伤的程度变大，峰P2的强度I2及半高宽W2都变大。
[表2]
  峰P2的强度I2   峰P2的半高宽W2[nm]
  实验例2   1   142
  实验例3   0.86   137
  实验例5   0.31   134
  实验例4   0.25   105
  实验例1   0.11   101
表3中，分别表示由实验例1～实验例5的GaN单晶基板得到的发光光谱的强度比(I1/I2)。从表3中看到，随着损伤的程度变大，强度比(I1/I2)变小。
[表3]
  强度比(I1/I2)
  实验例2   1
  实验例3   4
  实验例5   19
  实验例4   28
  实验例1   100
(实验例6)
除了使用20mm见方的GaN单晶基板以外，与实验例1相同地得到了除去了损伤的实验例6的GaN单晶基板。
(实验例7)
将GaN单晶锭材切片，准备了20mm见方的GaN单晶基板。在将所准备的GaN单晶基板的表面粗研磨后，通过使用粒径0.3μm的金刚石磨粒将表面进一步研磨，得到了实验例7的GaN单晶基板。
(实验例8)
除了取代粒径0.3μm的金刚石磨粒，使用了粒径0.8μm的金刚石磨粒以外，与实验例7相同地得到了实验例8的GaN单晶基板。
(光致发光测定)
实施了实验例6～实验例8的GaN单晶基板的表面的光致发光测定。表4中，分别表示由实验例6～实验例8的GaN单晶基板得到的发光光谱的峰P1的强度I1及强度比(I1/I2)。从峰P1的强度I1发现，依照实验例6、实验例7、实验例8的顺序，表面的损伤程度变大。这样即说明，随着损伤的程度变大，强度比(I1/I2)变小。
[表4]
  峰P1的强度I1   强度比(I1/I2)
  实验例6   1   102
  实验例7   0.31   2.4
  实验例8   0.09   1
然后，在实验例6～实验例8的GaN单晶基板的表面上，使用HVPE法形成了膜厚1μm的GaN薄膜。将GaN薄膜的形成条件表示如下。而且，GaCl气体是通过使Ga金属与HCl气体在880℃下反应而得到的。
·GaN单晶基板的温度：1000℃
·反应气体：NH3气体、GaCl气体
·NH3气体压力：10kPa
·GaCl气体压力：0.6Pa
在形成了GaN薄膜后，利用AFM测定了GaN薄膜的表面粗糙度(Ra：算术平均粗糙度)。另外，利用X射线衍射测定了相对于体材的晶格变形的比例。将这些测定结果表示于表5中。从表5中看到，实验例6及实验例7的GaN单晶基板作为化合物半导体设备中所使用的基板具有足够的性能。
[表5]
  算术平均粗糙度[nm]   晶格变形的比例[％]
  实验例6   0.82   0.01
  实验例7   0.99   0.05
  实验例8   1.61   0.17
根据本发明，可以提供能够详细地评价表面的损伤的程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。

Claims (25)

1.一种化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的半高宽，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
2.一种化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的强度，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
3.一种化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的半高宽，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
4.一种化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度和位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的比，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件是化合物半导体基板。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件是设于基板上的化合物半导体膜。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件由单晶材料或多晶材料构成。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述能带间隙在1.6×10-19J以上。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件由含有B、Al及Ga中的至少一者的氮化物类化合物半导体构成。
10.根据权利要求1～8中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件由含有Be及Zn中的至少一者的氧化物类化合物半导体构成。
11.根据权利要求1～8中任意一项所述的化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，所述化合物半导体构件由ZnSe类化合物半导体构成。
12.一种化合物半导体构件的制造方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的半高宽，在给定的阈值以下的情况下判断为优良品的工序。
13.一种化合物半导体构件的制造方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，相对于除去了损伤的化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰强度，在给定的阈值以上的情况下判断为优良品的工序。
14.一种化合物半导体构件的制造方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的半高宽，在给定的阈值以下的情况下判断为优良品的工序。
15.一种化合物半导体构件的制造方法，其特征是，包括：
进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；
在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，与所述能带间隙对应的所述波长的峰的强度，相对于位于比与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长长的长波长侧的峰的强度的比，在给定的阈值以上的情况下判断为优良品的工序。
16.根据权利要求12～15中任意一项所述的化合物半导体构件的制造方法，其特征是，所述化合物半导体构件是化合物半导体基板。
17.根据权利要求12～15中任意一项所述的化合物半导体构件的制造方法，其特征是，所述化合物半导体构件是设于基板上的化合物半导体膜。
18.根据权利要求12～17中任意一项所述的化合物半导体构件的制造方法，其特征是，在所述判断为优良品的工序后，还包括在所述化合物半导体构件的所述表面上形成薄膜的工序。
19.根据权利要求12～18中任意一项所述的化合物半导体构件的制造方法，其特征是，在所述判断为优良品的工序后，还包括在所述化合物半导体构件的所述表面上形成电极的工序。
20.一种氮化镓类化合物半导体构件，其特征是，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的2倍以上。
21.一种氮化镓类化合物半导体构件，其特征是，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰的强度的1/10以上。
22.根据权利要求20或21所述的氮化镓类化合物半导体构件，其特征是，该氮化镓类化合物半导体构件是氮化镓类化合物半导体基板。
23.根据权利要求20或21所述的氮化镓类化合物半导体构件，其特征是，该氮化镓类化合物半导体构件是设于基板上的氮化镓类化合物半导体膜。
24.一种氮化镓类化合物半导体膜，其特征是，形成于如下的氮化镓类化合物半导体构件上，即，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是位于比与所述能带间隙对应的所述波长长的长波长侧的峰的强度的2倍以上。
25.一种氮化镓类化合物半导体膜，其特征是，形成于如下的氮化镓类化合物半导体构件上，即，在利用表面的光致发光测定得到的发光光谱中，与该氮化镓类化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的强度，是除去了损伤的氮化镓类化合物半导体构件的表面的利用光致发光测定得到的发光光谱的所述波长的峰的强度的1/10以上。
CN2006100887044A 2005-06-06 2006-06-01 化合物半导体构件的损伤评价方法 Expired - Fee Related CN1877805B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005165957A JP2006339605A (ja) 2005-06-06 2005-06-06 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜
JP2005165957 2005-06-06
JP2005-165957 2005-06-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1877805A true CN1877805A (zh) 2006-12-13
CN1877805B CN1877805B (zh) 2010-04-21

Family

ID=36930361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006100887044A Expired - Fee Related CN1877805B (zh) 2005-06-06 2006-06-01 化合物半导体构件的损伤评价方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20060272573A1 (zh)
EP (1) EP1731897A3 (zh)
JP (1) JP2006339605A (zh)
KR (1) KR20060127752A (zh)
CN (1) CN1877805B (zh)
TW (1) TW200707613A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102687293A (zh) * 2009-11-11 2012-09-19 住友电气工业株式会社 化合物半导体器件
CN103512867A (zh) * 2012-06-27 2014-01-15 三星康宁精密素材株式会社 用于测量氮化镓的质量的设备
CN107251210A (zh) * 2015-03-18 2017-10-13 胜高股份有限公司 半导体基板的评价方法及半导体基板的制造方法
CN110544643A (zh) * 2019-09-11 2019-12-06 东方日升（常州）新能源有限公司 无损伤快速判断金属浆料烧穿深度的方法
CN111355118A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 一种用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构及制备方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339605A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜
KR101172364B1 (ko) * 2006-11-02 2012-08-08 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 단결정 기판 및 표면 가공방법
CN101689523B (zh) * 2007-07-17 2012-02-22 住友电气工业株式会社 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
JP4935591B2 (ja) * 2007-09-11 2012-05-23 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体光素子を作製する方法、およびフォトルミネッセンススペクトルを測定する方法
JP5575372B2 (ja) * 2008-03-04 2014-08-20 日立金属株式会社 窒化ガリウム基板
JP5416650B2 (ja) * 2010-05-10 2014-02-12 日立金属株式会社 窒化ガリウム基板
JP2013010681A (ja) * 2011-05-31 2013-01-17 Hitachi Cable Ltd 窒化ガリウム基板、発光素子、電界効果トランジスタ及びエピタキシャル膜の製造方法
JP6204036B2 (ja) * 2012-03-16 2017-09-27 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
JP7232074B2 (ja) * 2019-02-19 2023-03-02 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体装置およびエッチング装置
WO2024042777A1 (ja) * 2022-08-26 2024-02-29 日本碍子株式会社 Ｉｉｉ族元素窒化物基板の検査方法、ｉｉｉ族元素窒化物基板の製造方法および半導体素子の製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5860550A (ja) * 1981-10-07 1983-04-11 Agency Of Ind Science & Technol エピタキシヤル・シリコン結晶中の不純物濃度測定法
JP2654454B2 (ja) * 1988-04-29 1997-09-17 豊田合成株式会社 半導体のドライエッチング方法
JPH031553A (ja) * 1989-05-30 1991-01-08 Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk 半導体の測定方法及び測定装置
US5602418A (en) * 1992-08-07 1997-02-11 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JP3124209B2 (ja) * 1994-06-30 2001-01-15 シャープ株式会社 化合物半導体結晶層の製造方法
JPH098356A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Sumitomo Chem Co Ltd ３−５族化合物半導体用電極の製造方法
GB2306640B (en) * 1995-10-17 1998-01-14 Toshiba Cambridge Res Center Method of characterising a semiconductor material
JP2003133246A (ja) * 1996-01-19 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JPH09246341A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Nippon Steel Corp 半導体ウェーハの損傷評価用試料およびこの試料を用いた損傷評価方法
JP2001085737A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
US7189358B2 (en) * 2000-08-08 2007-03-13 California Institute Of Technology Integrated micropump analysis chip and method of making the same
US6579068B2 (en) * 2000-08-09 2003-06-17 California Institute Of Technology Method of manufacture of a suspended nitride membrane and a microperistaltic pump using the same
US6647796B2 (en) * 2000-08-11 2003-11-18 California Institue Of Technology Semiconductor nitride pressure microsensor and method of making and using the same
US6780239B2 (en) * 2000-10-19 2004-08-24 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
KR100632760B1 (ko) * 2001-03-21 2006-10-11 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
CN101420004B (zh) * 2002-02-15 2012-07-04 三菱化学株式会社 光发射器件及使用其的照明器
JP3878868B2 (ja) * 2002-03-01 2007-02-07 シャープ株式会社 ＧａＮ系レーザ素子
AU2003211723A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser and method for fabricating the same
JP4206086B2 (ja) * 2004-08-03 2009-01-07 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法
JP2006339605A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体部材のダメージ評価方法、化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102687293A (zh) * 2009-11-11 2012-09-19 住友电气工业株式会社 化合物半导体器件
CN103512867A (zh) * 2012-06-27 2014-01-15 三星康宁精密素材株式会社 用于测量氮化镓的质量的设备
CN107251210A (zh) * 2015-03-18 2017-10-13 胜高股份有限公司 半导体基板的评价方法及半导体基板的制造方法
US10641708B2 (en) 2015-03-18 2020-05-05 Sumco Corporation Method of evaluating semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor substrate
CN111355118A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 一种用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构及制备方法
CN111355118B (zh) * 2018-12-20 2021-07-20 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 一种用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构及制备方法
CN110544643A (zh) * 2019-09-11 2019-12-06 东方日升（常州）新能源有限公司 无损伤快速判断金属浆料烧穿深度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060127752A (ko) 2006-12-13
JP2006339605A (ja) 2006-12-14
US20080044338A1 (en) 2008-02-21
US20060272573A1 (en) 2006-12-07
EP1731897A3 (en) 2009-07-22
TW200707613A (en) 2007-02-16
EP1731897A2 (en) 2006-12-13
CN1877805B (zh) 2010-04-21
US8177911B2 (en) 2012-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1877805A (zh) 化合物半导体构件的损伤评价方法
CN1268046C (zh) 用于形成第ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
CN1274008C (zh) Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
CN1196176C (zh) GaN单晶衬底
CN1225032C (zh) Ⅲ族类氮化物半导体器件及其制造方法
CN1259734C (zh) 氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
CN1249780C (zh) 生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底
CN1734247A (zh) Ⅲ－ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和ⅲ－ⅴ族氮化物系半导体
KR101621998B1 (ko) Ⅲ족 질화물 반도체 기판, 에피택셜 기판 및 반도체 디바이스
CN1894446A (zh) 大面积、均匀低位错密度GaN衬底及其制造工艺
CN100338733C (zh) Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及ⅲ族氮化物半导体外延晶片
CN1894093A (zh) 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
CN1896343A (zh) 氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法
CN1918717A (zh) 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
CN1303131A (zh) 用于晶体生长的基底衬底和用其制造衬底的方法
CN1776927A (zh) 半导体发光元件
CN1961432A (zh) 氮化物半导体元件及其制造方法
CN1638220A (zh) 氮化物半导体激光器件及其制造方法
CN1525532A (zh) 第三族氮化物半导体器件和其生产方法
CN1670916A (zh) 第ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第ⅲ族氮化物半导体器件
CN1586015A (zh) 紫外光发射元件
CN101040368A (zh) 制造ⅲ族氮化物半导体的方法
JP4525309B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の評価方法
CN1581610A (zh) 氮化物半导体发光器件及其制造方法
CN1885572A (zh) 一种GaN基LED外延片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1095212

Country of ref document: HK

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1095212

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100421

Termination date: 20150601

EXPY Termination of patent right or utility model