CN1862320A - 断线修复方法、用其制造有源矩阵基片的方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

在制造用于液晶显示装置和有机电致发光显示装置的有源矩阵基片时，通过激光CVD方法修复布线断线的部分。通过激光CVD方法，在布线断线的部分中选择性地形成导电膜。在这之后，至少在导电膜的周围区域上照射激光，并因而残留在导电膜周围区域中的导电微粒被从那里去除。结果，能够防止泄漏电流和寄生电容在断线已被修复的部分和另一个布线之间发生。

Description

断线修复方法、用其制造有源矩阵基片的方法和显示装置
技术领域
本发明涉及修复基片上形成的布线的断线的方法。具体地，本发明涉及使用所述修复断线方法来制造有源矩阵基片的方法，并且涉及包括同样方法的显示装置。
背景技术
将薄膜晶体管(在下文中被称作“TFT”)作为开关元件的液晶显示装置已被广泛使用。非晶硅(在下文中被称作“a-Si”)主要用于TFT的半导体膜。另外，使用多晶硅用于TFT的半导体膜的液晶显示装置已被商业化。进而，象素电路由多晶硅TFT组成的有机电致发光显示装置已被开发。
在TFT制造过程中，如果由于布线断线而发生导线缺陷，则诸如液晶显示(LCD)装置和有机电致发光(EL)显示装置之类的有源矩阵显示装置同样变成有缺陷的。激光化学气相沉积(激光CVD)方法已用于修复断线的布线。激光CVD方法是这样的方法：在原料气体中用激光照射修复部分，并且分解原料气体，而且在修复部分上沉积原料气体，以通过与激光能量起反应而形成金属布线。
例如，日本专利公开官方公报号H08-114819(在下文中被称作“专利文件1”)已披露了漏极布线(数据信号布线)和栅极布线(扫描信号布线)之间的交叉点中生成的断线的修复方法。参考图1A和图1B，解释专利文件1的布线修复方法。首先，借助于用于切割的激光，在漏极布线7A中断线部分11A的两侧、同时在交迭的两个外侧，分别打用于修复的两个通孔12D和12E。随后，通过激光CVD方法形成金属布线13A(导电膜)，作为两个通孔12D和12E之间的连接布线。顺便提及，在专利文件1披露的这个例子的情况下，每个具有低反射率的覆层17A和17B被提供以减少激光的反射。布线断线的缺陷被修复，如图1A和1B所示。在图1B中，参考数字28A和28B指示损伤膜。
另外，日本专利公开官方公报号2002-182246(在下文中被称作“专利文件2”)已披露了使用辅助TFT的布线修复方法的另一个例子。参考图2A和图2B到2D，将提供对于专利文件2披露的布线修复方法的说明。例如，在TFT的漏电极7A和源电极7B被外来物质18短路的情况下，在漏电极7A上照射激光脉冲。由此，漏电极7A沿着图2A中的长划双点线被切断。图2B是沿着图2A的I-I线取得的修复之前的短路区域及其附近的截面图。随后，如图2C所示，在漏电极7A和辅助TFT的漏电极终端19上的钝化膜8中打用于修复的接触孔12A和12B。漏电极7A和漏电极终端19连接到漏极布线(数据信号布线)7。通过照射具有钇铝石榴石(YAG)激光的三次高谐波(355nm)或四次高谐波(266nm)的激光脉冲，打出用于修复的接触孔12A和12B。在这之后，通过激光CVD方法形成导电膜13，如图2D所示。包含钨有机金属的氩气用作用于形成导电膜13的原料。这种导电膜13使漏电极7A和辅助TFT的漏电极终端19相互电连接。图2A显示了导电膜13是如何使漏电极7A和辅助TFT的漏电极终端19相互电连接的。在象素电极10重叠辅助TFT的源电极终端20的部分上照射YAG激光，并因而在钝化膜8中打出用于修复的接触孔12C，如图2A所示。同时，象素电极10和辅助TFT的源电极终端20被YAG激光照射熔化，并因而连接在一起。因此，象素电极10和源电极终端20相互电连接。顺便提及，在图2A中，参考数字7B指示源电极，并且参考数字9指示用于使源电极7B和象素电极10相互连接的接触孔。另外，在图2A中，参考数字29指示电容性电极布线。
形成用于修复的接触孔和导电膜以修复布线的方法的使用，其已由专利文件1和2披露，使得可以修复数据信号布线的断线。在修复数据信号布线的断线的情况下，为了减少布线修复部分的电阻，用于修复布线的导电膜的宽度应当较宽并且其膜厚度应当较厚是所希望的。然而，如果用于修复的导电膜的厚度太厚，那么这就增加了应力，并因此减少了膜的附着力。结果，很可能形成以修复布线的膜会剥落。因为这个原因，限制用于修复布线的膜的厚度。另外，如果用于修复布线的膜的宽度形成得较宽，那么这就在修复的布线和象素电极之间造成了泄漏电流。因为这个原因，用于修复布线的膜的宽度通常近似等于数据信号布线的宽度。然而，即使在以这些条件的方式修复布线断线部分的情况下，修复也造成了修复的布线和象素电极之间的泄漏电流。这是因为，在通过激光CVD方法修复断线布线的情况下，通过激光CVD形成的导电微粒残留在断线布线已被修复的部分附近。这些导电微粒密集并连接的区域是导电的。因此，这带来了在修复的布线和象素电极之间造成泄漏电流的问题。结果，这带来了造成显示缺陷的问题，因为象素电极不能保持适当的电压，亦即，数据保持特性退化。
此外，在例如数据信号布线断线的情况下，通过在形成钝化膜8之前通过激光CVD方法选择性地形成导电膜，能够修复断线。在断线修复之后，再形成钝化膜8。在这之后，选择性地去除开关元件的终端上的钝化膜8。随后，形成象素电极。这种方法排除了泄漏电流在象素电极和断线布线已被修复的部分之间发生。然而，即使在这种情况下，当通过激光CVD方法修复断线的布线时，通过激光CVD形成的导电微粒也残留在布线已被修复的部分附近。由于通过激光CVD形成的这些导电微粒密集并连接的区域是导电的，所以在象素电极和断线布线已被修复的部分之间造成了另外的寄生电容。因此，这带来了造成显示缺陷的问题，因为修复的数据信号布线影响了象素电极电压。
发明内容
考虑到前述问题，进行了本发明。本发明提供了使用激光CVD方法的断线修复方法，其控制了断线布线已被修复的部分和象素电极中的每一个以及另一个布线之间的泄漏电流或寄生电容的生成，并且能够减少显示装置上的显示缺陷。使用断线修复方法，本发明提供了制造有源矩阵基片的方法以及包括所述有源矩阵基片的显示装置。
进而，在借助于激光CVD方法修复显示装置上的断线布线的情况下，本发明提供了断线修复方法、制造有源矩阵基片的方法以及包括所述有源矩阵基片的显示装置，由此增强了修复的布线对底膜的附着力。
本发明的第一方面是在包括布线的基片中修复已在第一绝缘膜上形成的布线的断线的方法。修复断线的方法特征在于包括：借助于激光CVD方法，在断线缺陷部分中布线断线部分各自两端要被相互连接的区域中，选择性地形成导电膜；以及在这之后，至少去除当形成导电膜时在包围导电膜的区域中通过激光CVD已制造的导电微粒。通过在包围导电膜的区域上照射激光，能够去除激光CVD形成的导电微粒。
关于根据本发明第一方面的修复断线的方法，在包括断线缺陷部分的布线上存在第二绝缘膜的情况下，在布线上的第二绝缘膜的部分中做开口。第二绝缘膜的部分分别接近于断线缺陷部分的两端。形成导电膜，以便导电膜能够填充在开口中，并且以便导电膜能够连接布线中断线缺陷部分两侧处各自断线部分的末端。
在根据本发明第一方面的修复断线的方法的情况下，在形成导电膜之前，在至少导电膜要形成在其上的基片的表面区域上照射激光。因此，这使得可以增强导电膜的附着力，因为激光照射去除了污物并且清洁了基片的表面。
本发明的第二方面是制造有源矩阵基片的方法。在根据本发明第二方面的制造有源矩阵基片的方法的情况下，首先，多个第一布线和多个第二布线以第一绝缘膜夹在其间的方式形成在绝缘基片上。所述多个第二布线交叉所述多个第一布线。随后，在多个第一布线和多个第二布线之间的交叉点附近分别形成开关元件。在这之后，在第二布线中搜出断线缺陷部分的位置。在第二布线中的一个中确定了断线缺陷部分的位置的情况下，借助于激光CVD方法，在已定位的第二布线中断线缺陷部分的两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中，选择性地形成导电膜。在这之后，当形成导电膜时在包围导电膜的区域中先前已产生的通过激光CVD形成的导电微粒，通过在其上照射激光或其类似物至少被去除。在这之后，在由第一布线和第二布线规定的第二绝缘膜上的区域中分别形成象素电极。
在根据本发明的制造有源矩阵基片的方法的情况下，第二布线中的断线缺陷部分能够在象素电极形成在第二绝缘膜上之后再定位。在这种情况下，分别在第二绝缘膜的部分中做开口，其将穿透第二绝缘膜以到达第二布线的顶面。第二绝缘膜的部分分别接近于断线缺陷部分的两侧。随后，借助于激光CVD方法，在开口中填充导电膜，并且在第二布线中断线缺陷部分两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中的第二绝缘膜的表面上，选择性地形成导电膜。同样在导电膜通过激光CVD方法形成在第二绝缘膜的表面上的情况下，如果第二绝缘膜的表面事先经过激光照射处理的话，那么这就使得可以增强导电膜对第二绝缘膜的附着力。
在本发明的情况下，通过修复断线的方法、制造有源矩阵基片的方法以及每个都包括借助于有源矩阵的方法中的任何一种制造的有源矩阵基片的显示装置，带来了以下有利效果。
效果在于，本发明使得可以减少每个都使用有源矩阵基片的显示装置的显示缺陷，并因此可以改善布线修复的产出(结存率)。
那是因为，在通过激光CVD方法在断线缺陷部分中选择性地形成导电膜之后，通过在导电膜附近照射激光，残留在导电膜附近的通过激光CVD形成的导电微粒从那里被去除。导电微粒的去除使得可以防止泄漏电流和寄生电容在断线布线已被修复的部分和象素电极中的每一个、另一个布线以及/或者另一个电极之间发生。
附图说明
从结合附图的以下详细说明中，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将会变得更加明显，其中：
图1A是显示制造有源矩阵基片的第一传统方法的平面图；
图1B是显示制造有源矩阵基片的第一传统方法的过程截面图，并且是沿着图1A中的I-I线取得的有源矩阵基片的截面图；
图2A是显示制造有源矩阵基片的第二传统方法的平面图；
图2B到2D是显示制造有源矩阵基片的第二传统方法的过程截面图，并且是沿着图2A中的I-I线取得的有源矩阵基片的截面图；
图3是根据本发明第一例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图4是根据本发明第一例子的有源矩阵基片的后来的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图5A到5C是根据本发明第一例子的制造有源矩阵基片的方法的过程截面图，并且是沿着图3和4中的I-I线取得的有源矩阵基片的截面图；
图6A到6D是根据本发明第一例子的制造有源矩阵基片的方法的其他过程截面图，并且是沿着图3和4中的II-II线取得的有源矩阵基片的截面图；
图7是根据本发明第二例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图8A到8C是根据本发明第二例子的制造有源矩阵基片的方法的过程截面图，并且是沿着图7中的I-I线取得的有源矩阵基片的截面图；
图9A到9C是根据本发明第二例子的制造有源矩阵基片的方法的其他过程截面图，并且是沿着图7中的II-II线取得的有源矩阵基片的截面图；
图10是根据本发明第三例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图11是根据本发明第四例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图12是根据本发明第五例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图13是根据本发明第六例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图14A是根据本发明第七例子的有源矩阵基片的结构的平面图，其处于正在被制造当中；
图14B是完成的有机EL显示装置的截面图，其对应于沿着图14A中的I-I线取得的有源矩阵基片的截面图；
图15A到15D是显示制造液晶显示装置的方法的例子的过程截面图，除了修复断线缺陷部分的步骤之外；以及
图16A到16C是显示制造液晶显示装置的方法的例子的后来的过程截面图，除了修复断线缺陷部分的步骤之外。
具体实施方式
参考附图，将对本发明的优选实施例提供详细的说明。为了使得易于理解本发明起见，首先，将参考图15A到15D和16A到16C，对除了修复断线缺陷部分的步骤之外的制造有源矩阵液晶显示装置的方法提供说明。图15A到15D和16A到16C显示了制造有源矩阵液晶显示装置的方法的例子，所述有源矩阵液晶显示装置包括有源矩阵基片(TFT基片)，其具有被称为背后通道蚀刻(back channel etch)型反相交错(inverted staggered)TFT的TFT。
首先，在如玻璃基片的透明绝缘基片1上形成具有近似200nm到300nm的厚度的金属膜，如图15A所示。这个金属膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。由此，形成扫描信号布线2(未显示)。通过由溅射方法沉积以下三种膜中的任何一种来形成这个金属膜。第一种是层压膜，其通过将钼(Mo)膜层压到由金属制成的金属膜而获得，所述金属是从由钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和铝(Al)组成的组中选择的。第二种是合金膜，其主要包含钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和铝(Al)中的任何一种。第三种是钼钨(MoW)合金膜。这些扫描信号布线2还组成TFT的栅电极2A。随后，通过等离子体CVD方法，具有近似350nm到500nm的厚度的栅极绝缘膜3由氮化硅(SiN)膜或通过将SiN膜层压到二氧化硅(SiO2)膜而获得的层压膜形成，如图15B所示。在这之后，形成半导体膜4和半导体膜5。半导体膜4具有近似100nm到250nm的厚度，并且由非晶硅(在下文中被称作“a-Si”)制成。半导体膜5具有近似20nm到50nm的厚度，并且由通过用磷(P)掺杂非晶硅而获得的n+非晶硅(在下文中被称作“n+a-Si”)制成。这两个膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。由此，形成硅岛6。
在这之后，通过溅射方法形成具有近似200nm到300nm的厚度的金属膜，如图15C所示。这个金属膜是由金属制成的单层膜，所述金属是从由Mo、Cr、Ta、钛(Ti)和MoW合金组成的组中选择的。否则，这个金属膜就是Mo/Al/Mo层压膜。这个金属膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。由此，形成TFT的漏电极7A和源电极7B。通过操纵电势确定TFT的漏电极7A和源电极7B的布置。然而，在这个实施例的情况下，更接近象素电极的电极被称为源电极。这些漏电极7A组成数据信号布线7(未显示)。在这之后，通过使用源电极7B中的相应一个和漏电极7A中的相应一个作为掩模，蚀刻并去除半导体膜5中每一个的暴露部分，如图15D所示。
随后，如图16A所示，通过等离子体CVD方法形成钝化膜8。钝化膜8是SiN膜，并且具有近似300nm到400nm的厚度。在这之后，通过光刻技术和蚀刻技术，在TFT中每一个附近的钝化膜8中打接触孔9。随后，形成具有近似40nm到140nm的厚度的氧化铟锡(ITO)膜，如图16B所示。在这之后，ITO膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。由此，形成象素电极10。这些象素电极分别连接到源电极7B。
以前述方式形成的TFT基片30和滤色器基片40彼此面对，如图16C所示。在TFT基片30和滤色器基片40之间的间隙中插入液晶层21。由此，就制造了液晶面板50。例如，在扭转向列(TN)液晶显示装置的情况下，在TFT基片30的象素电极10之上形成聚酰亚胺的配向膜23。向配向膜23施加摩擦处理。关于滤色器基片40，在诸如玻璃基片之类的透明绝缘基片22上形成黑矩阵24、滤色器25和保护层26。黑矩阵24中的每一个都由Cr膜制成。保护层26由丙烯酸树脂或环氧树脂形成。在这之后，在保护层26上形成公共电极27和配向层23。公共电极27由ITO膜制成。随后，为了保持TFT基片30和滤色器基片40之间的间隙恒定起见，在TFT基片30和滤色器基片40之间布置隔板(未显示)。在这之后，在TFT基片30和滤色器基片40之间的间隙中插入液晶层21。在这之后，借助于密封材料(未显示)，使TFT基片30和滤色器基片40相互粘合。另外，偏光器(未显示)分别粘附到TFT基片30的底部和滤色器基片40的顶部。
在下文中，将对根据本发明例子中每一个的制造有源矩阵基片的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供详细的说明。
(第一例子)
参考图3、4、5A到5C以及6A到6D，将对根据本发明第一例子的制造有源矩阵基片的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。
首先，借助于制造有源矩阵液晶显示装置的前述方法，形成TFT基片的象素电极10。在这之后，检查布线中的每一个是否断线。在预定布线(在这个例子中为数据信号布线7)断线的情况下，断线的缺陷部分11被定位(见图6A)。随后，在其上照射具有351nm的波长的脉冲Nd：YLF(钕：氟化钇锂)激光。由此，在断线缺陷部分11两端处的钝化膜8中打出用于修复的接触孔12A和12B，如图6B所示。在这之后，借助于由羰基钨W(CO)6制成的膜形成气体，通过激光CVD方法在已打出的用于修复的接触孔12A和12B中分别选择性地形成导电膜13A和13B。在这种情况下，使用具有349nm的波长的Nd：YLF激光。导电膜13A和13B形成具有近似250nm的厚度。随后，通过激光CVD方法，在已选择性地分别形成在用于修复的接触孔12A和12B中的导电膜13A和13B之间，选择性地形成导电膜13。这样一来，导电膜13A和13B就通过导电膜13相互连接。导电膜13在20％的激光透射率和5μm/sec的扫描速度的条件下形成具有近似300nm的厚度。图3、5B和6C显示了在形成导电膜13之后获得的断线缺陷部分11及其附近的状况。顺便提及，激光透射率被定义为透射的激光强度对入射的激光强度的比率(％)。
如图5B所示，在导电膜13的形成期间先前产生的导电微粒14A残留在导电膜13的周围区域14中。在前述传统例子的情况下，这种类型的微粒14A带来了在象素电极10和断线已被修复的部分之间造成泄漏电流的问题，以及因此造成显示缺陷的问题。考虑到这些问题，在这个例子的情况下，导电膜周围区域14中的导电微粒14A被去除而不破坏钝化膜8。具体地，借助于透射率比用于打出用于修复的接触孔12A和12B的Nd：YLF激光的透射率低的Nd：YLF激光，执行扫描照射。由此，微粒14A被从那里去除。例如，在5％的激光透射率、10μm/sec的扫描速度以及3μm×3μm的缝隙的条件下，在已选择性地形成的导电膜13和象素电极10中每一个之间的用于激光照射的区域15上，以扫描的方式照射激光。因此，这使得可以从导电膜周围区域14的顶部去除导电微粒14A而不破坏钝化膜8，如图4和5C所示。
在数据信号布线7断线的情况下，导电膜13不以这样的方式形成：导电膜13简单地连接断线缺陷部分11的两端。代替地，在前述方式中，在形成导电膜13之后，在预定条件下以扫描的方式在导电膜13和它的相邻的布线或电极(在这个例子中为象素电极10)之间的区域上照射激光。因此，这使得可以从导电膜周围区域14的顶部去除导电微粒14A，因而可以防止由导电微粒造成的泄漏电流。结果，能够减少显示缺陷。
对于导电膜13的周围区域14上的导电微粒14A通过激光照射从那里被去除的情况已提供了前述说明。然而，应当注意的是，从那里去除导电微粒14A的方法并不限于激光照射。能够使用任何其他方法，只要所述方法使得可以从那里去除微粒14A。进而，在上面已说明的这个例子的情况下，以在钝化膜8中打出用于修复的接触孔12A和12B的方式，形成用于修复的接触孔12A和12B。然而，如图6D所示，能够以在钝化膜8和各个数据信号布线7中打出接触孔的方式形成用于修复的接触孔12。在这种情况下，导电膜13和数据信号布线7能够分别通过用于修复的接触孔12的侧壁相互电连接。
在修复数据信号布线7的断线之后，通过参考图16C在上面已说明的步骤，制造有源矩阵液晶显示装置。
对于修复断线的方法已提供了前述说明，所述方法是针对数据信号布线7断线的情况而采用的。这种修复断线的方法能够类似地应用于以下任意情况：布线以绝缘膜夹在上布线和下布线之间的方式形成在另一个布线上，并且在这之后修复下布线的断线。
(第二例子)
参考图7、8A到8C以及9A到9C，将对根据本发明第二例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。
在第一例子的情况下，在形成象素电极10之后修复数据信号布线7的断线。在第二例子的情况下，在形成数据信号布线7之后并且在形成钝化膜8之前修复数据信号布线7的断线。
首先，在形成数据信号布线7之后进行检查。在数据信号布线7断线的情况下，断线的缺陷部分11被定位(见图9A)。随后，如图7、8A和9B所示，通过激光CVD方法在断线缺陷部分11中选择性地形成导电膜13。在这之后，如图7和8B所示，在已选择性地形成的导电膜13的周围区域14中的用于激光照射的区域15上照射激光，而不破坏栅极绝缘膜3。由此，导电膜13的周围区域14上的导电微粒14A被从那里去除。随后，如图8C和9C所示，通过等离子体CVD方法形成由SiN膜或其类似物制成的钝化膜8。在这之后，通过光刻技术和蚀刻技术在钝化膜8中打出接触孔9(未显示)。随后，如图8C所示，形成由ITO膜制成的象素电极10。通过制造参考图16C已说明的象素电极10，就制造了有源矩阵液晶显示装置。
即使在形成钝化膜8之前修复布线的情况下，也在形成导电膜13之后，在预定条件下以扫描的方式在导电膜13的周围区域14上照射激光。因此，这使得可以从导电膜13的周围区域14的顶部去除导电微粒14A，而不破坏栅极绝缘膜3。结果，导电微粒的去除防止了断线已被修复的部分和另一个布线之间或者断线已被修复的部分和电极(在这个例子中为象素电极10)之间的寄生电容的出现，因而减少了显示缺陷。
对于修复断线的方法已提供了前述说明，所述方法是针对数据信号布线7断线的情况而采用的。然而，应当注意的是，修复断线的方法能够类似地应用于诸如扫描信号布线2之类的任意布线断线的情况。另外，从那里去除导电微粒14A的方法并不限于如第一例子的情况下那样的激光照射。能够使用任何其他方法，只要所述方法使得可以从那里去除导电微粒14A。
(第三例子)
在下文中，参考图10，将对根据本发明第三例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。
在第一例子的情况下，在导电膜13和象素电极10中的每一个之间的区域上照射激光，而不破坏导电膜13、数据信号布线7和象素电极10。通过减少激光的功率，导电膜13的周围区域14上的导电微粒14A能够从那里被去除，同时防止导电膜13、数据信号布线7和象素电极10被破坏。
例如，如图10所示，在3％的激光透射率、10μm/sec的扫描速度以及10μm×5μm的缝隙的条件下，在包括已选择性地形成的导电膜13的用于激光照射的区域15上，以扫描的方式照射Nd：YLF激光。这样的激光照射使得可以从导电膜13的周围区域14的顶部去除导电微粒14A，同时防止导电膜13、数据信号布线7和象素电极10被破坏。这种方法放松了对激光应当被照射在其上的位置的准确性的要求，并因此使得可以改善可加工性。应当注意的是，在第三例子的情况下，从那里去除导电微粒14A的方法并不限于激光照射。能够使用任何其他方法，只要所述方法使得可以从那里去除导电微粒14A。
(第四例子)
在下文中，参考图11，将对根据本发明第四例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。图11是显示处于正在被制造当中的根据第四例子的有源矩阵基片的构造的平面图。
在第二例子的情况下，激光照射在导电膜13的周围而没有破坏导电膜13和数据信号布线7。在第四例子的情况下，如第三例子的情况下那样减少激光的功率。因此，这使得可以从导电膜周围区域14的顶部去除导电微粒，同时防止导电膜13和数据信号布线7被破坏。
例如，如果在如应用于前述例子的那样的相同条件下，在包括已选择性地形成的导电膜13的用于激光照射的区域15上照射激光，如图11所示，那么这就使得可以从导电膜13的周围区域14的顶部去除导电微粒14A，同时防止导电膜13和数据信号布线7被破坏。这种方法同样放松了对激光应当被照射在其上的位置的准确性的要求，并因此使得可以改善可加工性。
应当注意的是，在这个例子的情况下，从那里去除导电微粒14A的方法同样并不限于激光照射。能够使用任何其他方法，只要所述方法使得可以从那里去除导电微粒14A。例如，通过向其整个表面轻微施加的干蚀刻过程而不是激光照射，导电膜13的周围区域14上的导电微粒14A同样能够从那里被去除。顺便提及，包含氯气(Cl2)的气体，例如通过混合氯气(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、三氟甲烷(CHF3)和氮气(N2)获得的混合气体，用作用于干蚀刻过程的气体。
(第五例子)
在下文中，参考图12，将对根据本发明第五例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。图12是显示处于正在被制造当中的根据第五例子的有源矩阵基片的构造的平面图。
在第一例子的情况下，在断线缺陷部分11两端处的钝化膜8中打用于修复的接触孔12A和12B。随后，以下面的方式执行导电膜13的第一次形成。以导电膜13覆盖已形成的用于修复的接触孔12A和12B的方式，通过激光CVD方法选择性地形成导电膜13。很有可能的是，通过激光CVD方法形成的导电膜13可能具有这样的对底层的附着力，所述附着力弱于通过溅射方法或类似方法形成的导电膜13的附着力。结果，很有可能的是，钝化膜8和导电膜13之间的附着力可能不均匀。因此，这带来了下述问题：导电膜13易于从钝化膜8分离，并且可靠性因此降低。考虑到这些问题，在第五例子的情况下，在打出用于修复的接触孔12A和12B之后，并且在通过激光CVD方法选择性地形成导电膜13之前，在包括导电膜13将要形成在其中的区域的用于激光照射的区域16上照射激光，如图12所示。在这之后，以如制造根据第一例子的有源矩阵基片那样的相同方式，制造根据第五例子的有源矩阵基片。受激准分子激光器、氩激光器和He-Cd激光器能够在第五例子的情况下用于激光照射。
以这种方式在导电膜13的选择性形成之前的激光照射使得可以减少导电膜13和底膜(在这个例子中为钝化膜8)之间的附着力的不均匀性。结果，这使得可以防止导电膜13从底膜分离，并因此可以改善可靠性，因为激光照射去除了污物并清洁了底膜的表面。
(第六例子)
在下文中，参考图13，将对根据本发明第六例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。图13是显示处于正在被制造当中的根据第六例子的有源矩阵基片的构造的平面图。
在第二例子的情况下，通过激光CVD方法直接在断线缺陷部分11中选择性地形成导电膜13。和第五例子一样，第二例子具有下述问题：栅极绝缘膜3、数据信号布线7和导电膜13之间的附着力趋于不均匀，并且可靠性因此降低。考虑到这些问题，在第六例子的情况下，在通过激光CVD方法选择性地形成导电膜13之前，在包括导电膜13将要形成在其中的区域的用于激光照射的区域16上照射激光，如图13所示。在这之后，以如制造根据第二例子的有源矩阵基片那样的相同方式，制造根据第六例子的有源矩阵基片。
以这种方式在导电膜13的选择性形成之前的激光照射使得可以减少导电膜13和它的底膜(在这个例子中为栅极绝缘膜3和数据信号布线7)之间的附着力的不均匀性。结果，这使得可以防止导电膜13从底膜分离，并因此可以改善可靠性。
(第七例子)
在下文中，参考图14A，将对根据本发明第七例子的制造有源矩阵基片(TFT基片)的方法和包括所述有源矩阵基片的显示装置提供说明。关于第七例子，将对修复有机EL显示装置中布线(电源布线)中断线缺陷部分的方法提供说明。
将对制造用于有机EL显示装置的TFT基片的方法提供简短说明。首先，由通过使用四乙氧基甲硅烷(TEOS)的等离子体CVD方法，在如玻璃基片的透明绝缘基片1上形成基底钝化膜60。基底钝化膜60由SiO2或其类似物制成，并且具有近似200nm到500nm的厚度。随后，通过等离子体CVD方法在基底钝化膜60上形成具有近似30nm到70nm的厚度的a-Si膜。a-Si膜通过激光退火被做成多晶的。在这之后，作为结果的多晶Si膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。这样一来，就形成了Si岛6A和6B。在这之后，通过等离子体CVD方法在作为结果的基片的整个表面上形成栅极绝缘膜3。栅极绝缘膜3由SiO2膜、通过层压SiO2膜和SiN膜而获得的层压膜或类似物制成。栅极绝缘膜3的厚度近似为60nm到150nm。
随后，通过溅射方法在栅极绝缘膜3上形成金属膜或硅化物膜。金属膜由Mo、Ta、Ti、Cr或类似物制成。硅化物膜由WSi或其类似物制成。在这之后，金属膜或硅化物膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。这样一来，就形成了栅电极2A、扫描信号布线2和电容性电极101。通过光刻技术并且通过离子掺杂，向栅电极2A未覆盖的每个TFT102的Si岛6A中的区域掺杂低浓度的磷(P)，并且向位于从栅电极2A有距离的Si岛6A中的区域掺杂高浓度的磷(P)。这样一来，就形成了每个都具有LDD(轻微掺杂漏极)结构的源极/漏极。另外，通过光刻技术并且通过离子掺杂，用硼(B)离子掺杂栅电极2A未覆盖的每个TFT 103的Si岛6B的区域。这样一来，就形成了源极/漏极(未显示)。
在这之后，通过等离子体CVD方法在作为结果的基片的整个表面上沉积第一层间介电膜61。第一层间介电膜61由SiO2膜、SiN膜、SiON膜或类似物制成。随后，通过光刻技术和蚀刻技术在第一层间介电膜61中打接触孔9。通过溅射技术在作为结果的第一层间介电膜61上形成由Al或其类似物制成的金属膜。金属膜通过光刻技术和蚀刻技术形成图案。这样一来，就形成了数据信号布线7、上电容性电极104和电源布线100。
在这之后，在作为结果的基片的整个表面上形成第二层间介电膜62。第二层间介电膜62由SiO2膜、SiN膜、SiON膜、有机树脂膜或类似物构成。通过光刻技术和蚀刻技术在第二层间介电膜62中打第二接触孔105。在作为结果的第二层间介电膜62上形成ITO膜。通过向ITO膜应用光刻技术和蚀刻技术，形成分别连接到TFT 103的电极的象素电极10。
用于有机EL显示装置的具有前述构造的TFT基片中的电源布线100中的断线缺陷部分，能够以如在第一例子的情况下修复断线缺陷部分那样的相同方式修复。在形成导电膜13之后，在预定条件下，在导电膜13和象素电极10中每一个之间的用于激光照射的区域15上，以扫描的方式照射激光。因此，这使得可以从导电膜13的周围区域14的顶部去除导电微粒14A，而不破坏第二层间介电膜。在这种情况下，能够防止泄漏电流在象素电极10和断线已被修复的电源布线100的部分之间发生。
进而，能够在形成第二层间介电膜之前修复断线缺陷部分，如第二例子的情况下那样。在这种情况下，能够防止泄漏电流在断线已被修复的电源布线100的部分和相邻的数据信号布线7之间发生。
在这之后，构造有机EL显示装置的公知结构。例如，通过真空蒸发在作为结果的基片上形成有机EL层63(未显示)。有机EL层63由空穴注入层、空穴转移层、发光层和电子转移层构成。通过真空蒸发在有机EL层63上形成由锂化合物和Al制成的阴极64(未显示)。在阴极64上形成密封膜65。通过相互层压有机树脂膜、吸湿层以及氧化铝(Al2O3)膜、SiN膜、SiON膜和类似物中的任何一种，获得密封膜65。吸湿层由氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)或类似物制成。通过等离子体CVD方法和/或溅射方法形成氧化铝(Al2O3)膜、SiN膜、SiON膜和类似物。图14B是完成的有机EL显示装置的主要部分的截面图。
应当注意的是，在这个例子的情况下，从那里去除导电微粒14A的方法并不限于激光照射。能够使用任何其他方法，只要所述方法使得可以从那里去除导电微粒14A。对在电源布线100断线的情况下修复电源布线100的方法已提供了前述说明。然而，借助于同样的方法，在任意布线断线的情况下，能够修复任意布线，诸如数据信号布线7、扫描信号布线2和电容性电极布线101之类。另外，如果如第三和第四例子的情况下那样减少激光的功率，那么就能够在更广阔的区域上照射激光。此外，如果如第五和第六例子的情况下那样，在形成导电膜13之前在其上照射激光，那么这就使得可以增强导电膜13和底膜之间的附着力。
在第一到第六例子中的每一个的情况下，TFT都由a-Si形成。然而，TFT可以由多晶硅形成。进而，在第一到第七例子中的每一个的情况下，都可以形成另一种类型的开关元件。此外，尽管引用反相交错(底部栅极)结构TFT说明了第一到第六例子，但是本发明同样能够应用于交错(顶部栅极)结构TFT。在交错(顶部栅极)TFT的情况下，以a-Si膜处于其间的方式分别在源/漏电极之上布置栅电极。在反相交错(底部栅极)结构TFT的情况下，以a-Si膜处于其间的方式分别在栅电极之上布置源/漏电极。
本发明能够应用于任意包括下述布线的基片，所述布线具有布线及其相邻布线之间的泄漏电流和寄生电容的问题，并且能够应用于使用所述任意基片的任意装置。
尽管结合确定的优选实施例已说明了本发明，但是要理解的是，借助于本发明包含的主旨并不限于那些特定实施例。相反，本发明的主旨打算包括如能够包括在后面权利要求的精神和范围之内那样的所有替换、修改和等同物。

Claims (17)

1.一种修复布线断线的方法，所述布线形成在具有所述布线的基片中的第一绝缘膜上，所述方法包括：
借助于激光CVD方法，在所述布线中断线缺陷部分两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中，选择性地形成导电膜；以及
至少去除导电微粒，所述导电微粒是在形成所述导电膜的同时，在包围所述导电膜的区域中先前产生的。
2.根据权利要求1所述的修复布线断线的方法，其中，通过从在包围所述导电膜的所述区域上照射激光的方法以及使包围所述导电膜的所述区域经历干蚀刻过程的方法中选择的任何一种，去除在包围所述导电膜的所述区域中先前产生的所述导电微粒。
3.根据权利要求1所述的修复布线断线的方法，
其中第二绝缘膜存在于包括所述断线缺陷部分的所述布线之上，并且
其中形成所述导电膜，以便通过在所述布线上的所述第二绝缘膜上形成所述导电膜，并且通过在已在所述第二绝缘膜的部分中做的开口中填充所述导电膜，所述部分分别接近于所述断线缺陷部分的所述两侧，所述导电膜能够相互连接所述布线中的所述断线缺陷部分的所述两侧处的所述各自断线部分的所述末端。
4.根据权利要求1所述的修复布线断线的方法，进一步包括以下步骤：在所述导电膜形成步骤之前，通过激光照射，至少处理所述导电膜将要形成在其上的所述基片的表面区域。
5.一种制造有源矩阵基片的方法，包括：
在绝缘基片上形成多个第一布线；
以下述方式在所述作为结果的绝缘基片上形成第一绝缘膜：所述第一绝缘膜覆盖所述多个第一布线；
在所述第一绝缘膜上形成交叉所述多个第一布线的多个第二布线，并且在所述多个第一布线和所述多个第二布线之间的交叉点附近分别形成开关元件；
在所述第二布线中的一个中定位断线缺陷部分；
借助于激光CVD方法，在所述第二布线中的所述已定位的断线缺陷部分的两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中，选择性地形成导电膜；
至少去除导电微粒，所述导电微粒是在形成所述导电膜的同时，在包围所述导电膜的区域中先前产生的；
在包括所述开关元件和所述数据信号布线的所述作为结果的绝缘基片的整个表面上形成第二绝缘膜；以及
在由所述第一布线和所述第二布线规定的所述第二绝缘膜上的区域中分别形成象素电极。
6.根据权利要求5所述的制造有源矩阵基片的方法，其中，通过在其上照射激光来去除所述导电微粒。
7.根据权利要求5所述的制造有源矩阵基片的方法，进一步包括：
在所述导电膜形成步骤之前，通过激光照射，至少处理所述断线缺陷部分的表面。
8.根据权利要求5所述的制造有源矩阵基片的方法，其中，所述开关元件是每个都包括半导体膜的薄膜晶体管，所述半导体膜由从非晶硅和多晶硅组成的组中选择的任何一种制成。
9.一种液晶显示装置，包括：
借助于根据权利要求5的制造有源矩阵基片的所述方法制造的有源矩阵基片。
10.一种有机电致发光显示装置，包括：
借助于根据权利要求5的制造有源矩阵基片的所述方法制造的有源矩阵基片。
11.一种制造有源矩阵基片的方法，包括：
在绝缘基片上形成多个第一布线；
以下述方式在所述作为结果的绝缘基片上形成第一绝缘膜：所述第一绝缘膜覆盖所述多个第一布线；
在所述第一绝缘膜上形成交叉所述多个第一布线的多个第二布线，并且在所述多个第一布线和所述多个第二布线之间的交叉点附近分别形成开关元件；
在包括所述开关元件和所述第二布线的所述作为结果的绝缘基片的整个表面上形成第二绝缘膜；
在由所述第一布线和所述第二布线规定的所述第二绝缘膜中的区域上分别形成象素电极；
在所述第二布线中的一个中定位断线缺陷部分；
分别在所述第二绝缘膜的部分中，所述部分分别接近于所述断线缺陷部分的两侧，做开口，其将穿透所述第二布线上的所述第二绝缘膜以到达所述第二布线的顶面；
借助于激光CVD方法，在所述开口中填充导电膜，并且在所述第二布线中的所述断线缺陷部分的两侧处各自断线部分的末端要被相互连接的区域中的所述第二绝缘膜的表面上，选择性地形成导电膜；以及
至少去除导电微粒，所述导电微粒是在形成所述导电膜的同时，在包围所述导电膜的区域中的所述第二绝缘膜的所述表面上先前产生的。
12.根据权利要求11所述的制造有源矩阵基片的方法，其中，通过激光照射做所述开口。
13.根据权利要求11所述的制造有源矩阵基片的方法，其中，通过在其上照射激光来去除所述导电微粒。
14.根据权利要求11所述的制造有源矩阵基片的方法，进一步包括：
在所述导电膜形成步骤之前通过激光照射处理所述导电膜将要形成在其上的所述第二绝缘膜的表面区域的步骤。
15.根据权利要求11所述的制造有源矩阵基片的方法，其中，所述开关元件是每个都包括半导体膜的薄膜晶体管，所述半导体膜由从非晶硅和多晶硅组成的组中选择的任何一种制成。
16.一种液晶显示装置，包括：
借助于根据权利要求11的制造有源矩阵基片的所述方法制造的有源矩阵基片。
17.一种有机电致发光显示装置，包括：
借助于根据权利要求11的制造有源矩阵基片的所述方法制造的有源矩阵基片。
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