CN1840279B - 晶片的激光加工方法和激光加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够在晶片的加工面均匀地被覆保护覆膜进行激光加工的晶片的激光加工方法和激光加工装置。沿着格子状的分割道进行激光加工，上述分割道对在表面成矩阵状地形成了多个器件的晶片的该器件进行划分，其特征在于具有：保护覆膜被覆工序，用喷射装置在晶片的加工面喷涂液状的树脂来被覆保护覆膜；以及激光光线照射工序，通过该保护覆膜沿分割道将激光光线照射到形成了保护覆膜的晶片的加工面。

Description

晶片的激光加工方法和激光加工装置

技术领域

本发明涉及在半导体晶片和光器件晶片等晶片的加工面实施激光加工的晶片的激光加工方法和激光加工装置。

背景技术

正像本领域的技术人员公知的那样，在半导体器件制造工序中，形成一种半导体晶片，该晶片是在硅等半导体衬底的表面上叠层形成绝缘膜和功能膜，用这样的叠层体来使多个IC、LSI等半导体芯片形成为矩阵状。这样形成的半导体晶片由被称作分割道(street)的预定切割线划分，沿该分割道进行切断而制成单个的半导体芯片。并且，利用在蓝宝石衬底等表面形成格子状的分割道来划分成多个区域，在该被划分的区域内对氮化镓类化合物半导体等进行叠层，形成光器件的光器件晶片，沿预定分割线分割成单个的发光二极管、激光二极管等光器件，广泛应用于电气设备中。

这样的半导体晶片和光器件晶片等晶片沿分割道进行切断的方法，通常采用所谓划片机的切削装置。该切削装置具有：卡盘台，用于对作为被加工物的半导体晶片进行保持；切削机构，用于对保持在该卡盘台上的半导体晶片进行切削；以及移动机构，用于使卡盘台和切削机构相对地进行移动。切削机构包括进行高速旋转的旋转主轴以及安装在该主轴上的切削刀具。

另一方面，近几年，对半导体晶片等板状的被加工物进行分割的方法，已提出的方案(例如参见专利文献1)是沿被加工物上所形成的分割道来照射脉冲激光光线，形成激光加工槽，沿该激光加工槽用 机械断裂装置进行切断。

[专利文献1](日本)特开平10-305420号公报

激光加工与切削加工相比能够加快加工速度，而且对于像蓝宝石那样由莫氏硬度高的材料构成的晶片，也能够比较容易地进行加工。然而，新产生的问题是，若沿晶片的分割道来照射激光光线，则在被照射的区域内热能集中，产生碎屑，该碎屑附着到与电路相连接的压焊焊盘等上，使芯片质量降低。

为了解决上述碎屑问题，提出了激光加工方法(例如参见专利文献2)，即在晶片的加工面被覆聚乙烯醇等保护覆膜，穿过保护覆膜来将激光光线照射到晶片上。

[专利文献2](日本)特开2004-188475号公报

在上述公报中公开了一种旋转被覆方法，如图9(a)所示，从树脂供给喷咀N将规定量的液状的树脂L滴到旋转台T上所保持的晶片W的中心部上，使旋转台T按规定速度旋转，这样将液状的树脂被覆到晶片W的加工面。

然而，如图9(b)所示，在晶片W的表面形成电路等器件D，且具有凹凸，所以使保持晶片W的旋转台T进行旋转，在离心力作用下即使要让液状树脂L向外周部流动，也很难使液状树脂均匀地被覆到晶片W的表面。并且，像蓝宝石那样，直径较小的晶片在支承部件内布置多个的状态下，进行上述旋转被覆时，也很难在多个晶片表面均匀地被覆树脂保护覆膜。

发明内容

本发明是针对上述事实而提出的，其目的在于提供一种晶片的激光加工方法和激光加工装置，能够在晶片表面均匀被覆保护覆膜并进行激光加工。

为了解决上述主要技术课题，根据本发明的晶片的激光加工方 法，沿着格子状的分割道进行激光加工，上述分割道对在表面成矩阵状地形成了多个器件的晶片的该器件进行划分，其特征在于具有：

保护覆膜被覆工序，用喷射装置在晶片的加工面喷涂液状的树脂来被覆保护覆膜；以及

激光光线照射工序，通过该保护覆膜沿分割道将激光光线照射到形成了保护覆膜的晶片的加工面。

优选上述液状的树脂是水溶性树脂。

并且，根据本发明的激光加工装置，其中包括对被加工物进行保持的卡盘台、将激光光线照射到被保持在该卡盘台上的被加工物上的激光光线照射装置、以及使该卡盘台和该激光光线照射装置相对地加工进给的加工进给装置，其特征在于具有：

喷咀，沿该卡盘台的移动路线进行布置，将液状的树脂喷涂到被保持在该卡盘台上的被加工物的表面；以及

树脂供给装置，向该喷咀供给液状的树脂。

本发明具有如下效果：

若采用本发明，则由于用喷射装置向晶片的表面喷涂液状的树脂来被覆保护覆膜，所以，即使晶片的表面有凹凸，并且布置了多个晶片，也能够在整个晶片的表面均匀地形成保护覆膜。因此，通过保护覆膜来照射激光光线的激光加工也是均匀的。

附图说明

图1是按本发明构成的激光加工装置的斜视图。

图2是图1所示的激光加工装置的主要部分斜视图。

图3是表示由图1所示的激光加工装置进行加工的晶片的一实施方式的半导体晶片粘贴到安装在环状的框内的保护带上的状态的斜视图。

图4是表示由图1所示的激光加工装置进行加工的晶片的另一实 施方式的光器件晶片粘贴到安装在环状的框内的保护带上的状态的斜视图。

图5是本发明的晶片的激光加工方法中的保护覆膜被覆工序的说明图。

图6是用保护覆膜被覆工序来被覆保护覆膜的被加工物半导体晶片的主要部分放大断面图。

图7是表示本发明的晶片的激光加工方法中的激光光线照射工序的说明图。

图8是利用图7所示的激光光线照射工序来进行激光加工的半导体晶片的主要部分放大断面图。

图9是表示过去的保护覆膜的被覆方法的说明图。

具体实施方式

以下参照附图，详细说明采用本发明的晶片的激光加工方法和激光加工装置的最佳实施方式。

图1是由本发明构成的激光加工装置的斜视图，其中具有保护覆膜形成兼清洗机构，用于实施本发明的保护覆膜的被覆方法。

图1所示的激光加工装置具有大致直方体状的装置的外壳1。在该装置外壳1内布置了：图2所示的静止基台2；卡盘台机构3，其设置在该静止基台2上，并能够在作为加工进给方向的箭头X所示的方向上进行移动，具有对被加工物进行保持的卡盘台；激光光线照射单元支持机构4，其设置在静止基台2上，并能够在作为分度进给方向的箭头Y所示的方向(与作为加工进给方向的箭头X所示的方向相垂直的方向)上进行移动；以及激光光线照射单元5，它设置在该激光光线照射单元支持机构4上，并且能够在图中上下方向箭头Z所示的方向上移动。

上述卡盘台机构3具有：一对导轨31、31，其沿着箭头X所示 的加工进给方向平行地布置在静止基台2上；第1滑动块32，其设置在该导轨31、31上，并能够在箭头X所示的加工进给方向上移动；第2滑动块33，其设置在该第1滑动块32上，并能够在箭头Y所示的分度进给方向上移动；支承台35，其利用圆筒部件34而支承在该第2滑动块33上，以及卡盘台36，其用作被加工物保持机构。该卡盘台36具有由多孔性材料形成的吸附盘361，在吸附盘36 1上利用无图示的吸引机构来保持被加工物的晶片。这样构成的卡盘台36借助于设置在圆筒部件34内的无图示的脉冲电机而进行旋转。而且，在卡盘台36上设置用于固定下述环状框架的夹子362。

上述第1滑动块32，其下面设置与上述一对导轨31、31相嵌合的一对被导向槽321、321，而且其上面设置由箭头Y表示的分度进给方向平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第1滑动块32，由于被导向槽321、321与一对导轨31、31相嵌合，在结构上能够沿一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向上移动。图示的实施方式的卡盘台机构3具有加工进给机构37，用于使第1滑动块32沿一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向上移动。加工进给机构37包括在上述一对导轨31和31之间平行设置的阳螺纹杆371、以及用于旋转驱动该阳螺纹杆371的脉冲电机372等驱动源。阳螺纹杆371，其一端由固定在上述静止基台2上的轴承块373旋转自如地支承，其另一端与上述脉冲电机372的输出轴进行传动连结。而且，阳螺纹杆371与穿通阴螺纹孔进行螺纹接合，该螺纹孔形成在向第1滑动块32的中央部下面突出设置的无图示的阴螺纹块上。所以利用脉冲电机372来对阳螺纹杆371进行正转和反转驱动，第1滑动块32沿导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向上移动。

图示的实施方式中的激光加工装置具有加工进给量检测机构374，用于检测上述卡盘台36的加工进给量。加工进给量检测机构374包括：直线尺374a，其沿着导轨31进行设置；以及读出头374b， 其设置在第1滑动块32上，和第1滑动块32一起沿直线尺374a移动。该加工进给量检测机构374的读出头374b，在图示的实施方式中，每1μm向后述控制装置内发送1个脉冲的脉冲信号。并且，后述控制装置对输入的脉冲信号进行计数，以便检测卡盘台36的加工进给量。而且，在采用脉冲电机372作为上述加工进给机构37的驱动源的情况下，对于向脉冲电机372内输出驱动信号的后述控制装置的驱动脉冲进行计数，这样能够检测出卡盘台36的加工进给量。并且，在采用伺服电机作为上述加工进给机构37的驱动源的情况下，检测伺服电机的转速的旋转式编码器所输出的脉冲信号被发送到后述的控制装置内，由控制装置来对输入的脉冲信号进行计数，这样即可检测出卡盘台36的加工进给量。

上述第2滑动块33，其下面设置一对被导向槽331、331，用于和设置在上述第1滑动块32的上面的一对导轨322、322相嵌合。由于该被导向槽331、331和一对导轨322、322相嵌合，所以，从结构上能够使其在箭头Y所示的分度进给方向上移动。图示的实施方式中的卡盘台机构3具有第1分度进给机构38，用于使第2滑动块33沿着第1滑动块32上所设置的一对导轨322、322，在箭头Y所示的分度进给方向上移动。第1分度进给机构38包括：在上述一对导轨322和322之间平行设置的阳螺纹杆381、以及用于对该阳螺纹杆381进行旋转驱动的脉冲电机382等驱动源。阳螺纹杆381，其一端由固定在上述第1滑动块32的上面的轴承块383旋转自如地支承，其另一端与上述脉冲电机382的输出轴进行传动连结。而且，阳螺纹杆381与穿通阴螺纹孔进行螺纹接合，该穿通螺纹孔形成在向第2滑动块33的中央部下面突出设置的无图示的阴螺纹块上。所以利用脉冲电机382来对阳螺纹杆381进行正转和反转驱动，使第2滑动块33沿导轨322、322在箭头Y所示的分度进给方向上移动。

图示的实施方式中的激光加工装置具有分度进给量检测机构 384，用于检测上述第2滑动块33的分度进给量。分度进给量检测机构384包括：直线尺384a，其沿着导轨322进行设置；以及读出头384b，其设置在第2滑动块33上，沿直线尺384a移动。该分度进给量检测机构384的读出头384b，在图示的实施方式中，每1μm向后述控制装置内发送1个脉冲的脉冲信号。并且，后述控制装置对输入的脉冲信号进行计数，以便检测激光光线照射单元5的分度进给量。而且，在采用脉冲电机382作为上述第1分度进给机构38的驱动源的情况下，对于向脉冲电机382内输出驱动信号的后述控制装置的驱动脉冲进行计数，这样能够检测出激光光线照射单元5的分度进给量。并且，在采用伺服电机作为上述第2分度进给机构38的驱动源的情况下，检测伺服电机的转速的旋转式编码器所输出的脉冲信号被发送到后述的控制装置内，由控制装置来对输入的脉冲信号进行计数，这样即可检测出第2滑动块33，即卡盘台36的分度进给量。

上述激光光线照射单元支持机构4具有：一对导轨41、41，其沿着箭头Y所示的分度进给方向平行地设置在静止基台2上；以及可动支持基台42，其设置成能够在该导轨41、41上沿箭头Y所示的方向移动。该可动支持基台42包括：设置成能够在导轨41、41上移动的移动支持部421、以及安装在该移动支持部421上的安装部422。安装部422，在1个侧面在由箭头Z表示的方向上延伸的一对导轨423、423平行地进行设置。图示的实施方式中的激光光线照射单元支持机构4具有第2分度进给机构43，用于使可动支持基台42沿着1对导轨41、41在箭头Y所示的分度进给方向上移动。第2分度进给机构43包括：平行地设置在上述一对导轨41、41之间的阳螺纹杆431、以及用于对该阳螺纹杆431进行旋转驱动的脉冲电机432等驱动源。阳螺纹杆431，其一端由固定在上述静止基台2上的无图示的轴承块旋转自如地支承，其另一端与上述脉冲电机432的输出轴进行传动连结。而且，阳螺纹431与无图示的阴螺纹块上所形成的阴螺纹 孔进行螺纹结合，阴螺纹孔突出地设置在构成可动支持基台42的移动支持部421的中央部下面。因此，利用脉冲电机432来对阳螺纹杆431进行正转和反转驱动，即可使可动支持基台42沿导轨41、41在箭头Y所示的分度进给方向上移动。

图示的实施方式中的激光光线照射单元5具有：单元支架51、以及安装在该单元支架51上的激光光线照射机构52。单元支架51设有一对被导向槽511、511，一对被导向槽511、511与设置在上述安装部422上的一对导轨423、423相嵌合并能够滑动，使该被导向槽511、511与上述导轨423、423相嵌合，即可获得支持并能够在箭头Z所示的方向上移动。

图示的激光光线照射机构52从实质上水平布置的圆筒形状的外壳521前端上所安装的聚光器522中照射脉冲激光光线。并且，在构成激光光线照射机构52的外壳521的前端部上，设置对位机构6，用于检测被上述激光光线照射机构52进行激光加工的加工区域。该对位机构6具有：对被加工物进行照明的照明机构。对该照射机构进行照射的区域加以捕捉的光学系统、以及对该光学系统捕捉的像进行拍摄的摄像器件(CCD)等，将拍摄的图像信号发送到后述的控制装置内。

图示的实施方式中的激光光线照射单元5具有移动机构53，用于使单元支架51沿一对导轨423、423在箭头Z所示的方向上移动。移动机构53包括：布置在一对导轨423、423之间的阳螺纹杆(无图示)、以及用于对该阳螺纹杆进行旋转驱动的脉冲电机532等驱动源，利用脉冲电机532来对无图示的阳螺纹杆进行正转和反转驱动，使单元支架51和激光光线照射机构52沿导轨423、423在箭头Z所示的方向上移动。而且，在图示的实施方式中，对脉冲电机532进行正转驱动，使激光光线照射机构52向上移动；对脉冲电机532进行反转驱动，使激光光线照射机构52向下移动。

若返回到图1继续说明，则图示的激光加工装置具有片盒(架)放置部8a，用于放置内部装有作为被加工物的晶片的片盒。在片盒放置部8a上设置利用无图示的升降机构能够上下移动的片盒台8，在片盒台8上放置片盒9。放在片盒9内的晶片如图3所示，在图示的实施方式中，由半导体晶片10组成。半导体晶片10，在其表面10a上多个器件101形成矩阵状。并且，各个器件101由形成格子状的分割道102进行划分。该半导体晶片10，其背面粘贴到环状框11所安装的保护带12上，并使作为被加工面的表面10a朝向上侧(框架支持工序)。而且，在从背面来加工半导体晶片10的情况下，将半导体晶片10的表面10a粘贴到保护带12上。这样，半导体晶片10通过保护带12由环状框11进行支持的状态下，放入片盒9内。

而且，作为被加工物的晶片的另一实施方式示于图4。图4所示的晶片由光器件100构成，在蓝宝石基片表面多个光器件布置成矩阵状，该光器件100在环状框11内所安装的保护带12上粘贴多个。

在对上述装置外壳1的上面进行覆盖的主支持基板1a上设定临时放置区13a，在该临时放置区13a内设置了临时放置台13，用于临时放置被加工物，对通过保护带12由上述环状框11进行支持的半导体晶片10进行位置对准。图示的实施方式中的激光加工装置具有：送出机构14，用于将放置在上述片盒放置台8上的片盒9内所收纳的、由环状环11通过保护带12进行支持的半导体晶片10(以下称为半导体晶片10)，送出到临时放置台13上；传送机构15，用于将送出到临时放置台13上的半导体晶片10传送到上述卡盘台36上；清洗机构16，用于清洗在卡盘台36上进行激光加工的半导体晶片10；以及清洗传送机构17，用于将在卡盘台36上进行了激光加工的半导体晶片10传送到清洗机构16内。并且，图示的实施方式中的激光加工装置具有显示装置18，用于显示由摄像装置6拍摄的图像等。

参照图1，继续说明如下。图示的实施方式中的激光加工装置， 具有布置在上述临时放置台14的上方的轮廓摄像装置19。该轮廓摄像装置19能够由众所周知的CCD相机构成，对放置在临时放置台14上的半导体晶片10进行摄像，将其图像信息输出到后述的控制装置内。

并且，图示的实施方式中的激光加工装置，具有保护覆膜被覆装置20，用于将保护覆膜被覆到已传送到上述卡盘台36上的半导体晶片10的表面。该保护覆膜被覆装置20具有：喷咀(spray nozzle)21，它沿着卡盘台36的移动路线，即卡盘台机构3的导轨31、31进行布置，用于将液状的树脂喷涂到卡盘台36内所保持的作为被加工物的半导体晶片10的表面；以及树脂供给装置22，用于将液状的树脂供给到该喷咀21内。而且，喷咀21布置在图示的实施方式中图1内卡盘台36所在的被加工物接收位置上。上述树脂供给装置22包括：收纳液状的树脂的罐221、在对该罐221和喷咀21进行连接的管道222的中途所设置的供给泵223。而且，优选收纳在罐221内的液状的树脂例如是PVA(聚乙烯醇)、PEG(聚乙二醇)、PEO(聚乙烯氧化物)等水溶性抗蚀剂(resist)。

图示的实施方式中的激光加工装置，如图2所示具有控制装置25。控制装置25由计算机构成，其中包括：根据控制程序来进行运算处理的中央处理机(CPU)251、存储控制程序等的只读存储器(ROM)252、存储运算结果的能够读写的随机存取存储器(RAM)253、计算器254、输入接口255和输出接口256。向控制装置25的输入接口255内输入检测信号，这些信号来自上述加工进给量检测机构374、分度进给量检测机构384、维修机构6和轮廓摄像装置19等。并且，从控制装置25的输出接口256，向上述脉冲电机372、脉冲电机382、脉冲电机432、脉冲电机532、激光光线照射机构52和树脂供给机构22的供给泵223(参见图1)等内输出控制信号。

图示的实施方式中的激光加工装置按以上方法构成，以下说明其作用。而且，在以下的说明中，作为被加工物的晶片采用图3所示的半导体晶片10。

放置在片盒放置台8上的片盒9的规定位置上所收纳的半导体晶片10，利用无图示的升降机构来使片盒放置台8上下移动，使晶片位于送出位置。然后，由送出机构14进行进退动作，将被置于送出位置上的半导体晶片10送出到临时放置台13上。送出到临时放置台13的半导体晶片10，因为环状框11由构成临时放置台13的一对导轨131、131进行导向，所以，对环状框11的X方向的位置被限定。这样，如果将半导体晶片10送出到临时放置台13的规定位置上，那么由轮廓摄像装置19对半导体晶片10进行摄像。这时，优选从半导体晶片10的背面侧投射所谓背光。并且，轮廓识别机构19将摄像的图像信息发送到控制装置25内。控制装置25将从轮廓摄像装置19发送到的图像信息暂时存储到随机存取存储器(RAM)253内。并且，由控制装置25根据随机存取存储器(RAM)253内存储的图像信息，对半导体晶片10的形状和位置，即半导体晶片10的轮廓的X坐标值、Y坐标值进行识别，将该图像信息存储到随机存取存储器(RAM)253内。而且，若半导体晶片10被定位在临时放置台13的规定位置上，则定位状态是环状环11的中心P与卡盘台36的中心相一致。并且，半导体晶片10的轮廓的X坐标值、Y坐标值被置换成以卡盘台36的中心为原点的坐标。

而且，在将图4所示的多个光器件晶片100粘贴到环状框11内所安装的保护带12上的情况下，各光器件晶片100的形状和位置作为X坐标值、Y坐标值而存储到随机存取存储器(RAM)255内。

如上述那样，若求出与半导体晶片10的轮廓有关的图像信息，将其存储到随机存取存储器(RAM)253内，则半导体晶片10用传送机构15将其传送到图1所示的被加工物接收位置上所固定的卡盘台36上，吸附保持在卡盘台36上。然后，将保持半导体晶片10的卡盘台36移动到对位机构6的正下方，进行对位作业，将对位信息存储到随机存取存储器(RAM)253内。这时，半导体晶片10的轮廓X坐标值、Y坐标值如上述那样存储到随机存取存储器(RAM)253内，所以，能够根据该信息、使半导体晶片10的正确定位区定位在对位机构6的正下方。所以，不会产生对位误差，能够迅速而准确地进行对位作业。

而且，在图4所示的多个光器件晶片100粘贴在环状框11上的保护带12上的情况下，对各光器件晶片100进行对位。

然后，将保持半导体晶片10的卡盘台36固定在图1所示的被加工物接收位置上。并且用喷射装置(spray)将液状的树脂喷涂到卡盘台36内所保持的半导体晶片10的表面被覆保护覆膜，即进行保护覆膜被覆工序。

保护覆膜被覆工序，首先使图2所示的加工进给机构37和第1分度进给机构38动作，使卡盘台36内所保持的半导体晶片10的规定位置，例如图5所示使表示结晶方位的定位面103的一个端部(在图5中为左端部)，位于保护覆膜被覆机构20的喷咀21的正下方。然后，控制装置25使树脂供给机构22的供给泵223进行工作，而且，使加工进给机构37进行工作，使半导体晶片10在箭头X1所示的方向上按规定速度来移动。其结果，将液状的树脂从喷咀21向半导体晶片10的表面喷涂。并且，控制装置25在半导体晶片10的图5中，当右侧的轮廓部达到稍稍超过喷咀21的位置时，使加工进给机构37停止动作，而且，使第1分度进给机构38进行动作，使半导体晶片10在箭头Y1所示的方向上按规定量(例如在从喷咀21中喷出的液状的树脂的宽度为10mm时为10mm)进行移动。这样，当使半导体晶片10在箭头Y1方向上移动了规定量时，控制装置25使第1分度进给机构38停止动作，而且，使加工进给机构37进行动作，使半导体晶片10在箭头X2所示的方向上按规定速度移动。然后，控制装置 25在半导体晶片10的图5中，当左侧的轮廓部达到稍稍超过喷咀21的位置时，使加工进给机构37停止动作，而且使第1分度进给机构38进行动作，使半导体晶片10在箭头Y2所示的方向上按规定量(例如10mm)进行移动。控制装置25执行以上的周期，直到与半导体晶片10中的定位面103相反的一侧的端部为止。而且，上述半导体晶片10的移动根据从轮廓摄像装置19发送的图像信息进行识别，根据随机存取存储器(RAM)253内存储的半导体晶片10的轮廓的X坐标值、Y坐标值，以及从加工进给量检测机构374和分度进给量检测机构384来的检测信号进行控制。如上所述，进行保护覆膜被覆工序，即可在半导体晶片10的表面10a上如图6所示形成保护覆膜104。该保护覆膜104如上述那样，从喷咀21中喷涂形成例如宽度为10mm的液状的树脂，所以在半导体晶片10的整个表面形成均匀的膜。

若利用上述保护覆膜被覆工序在半导体晶片10的加工面即表面10a上被覆保护覆膜104，则能够进行在形成了保护覆膜104的半导体晶片10的表面通过保护覆膜104沿分割道102照射激光光线的激光光线照射工序。也就是说，控制装置25使加工进给机构37进行动作，使保持半导体晶片10的卡盘台36移动到激光光线照射机构52的聚光器522的下方的加工区内。然后，根据上述对位信息使加工进给机构37和第1分度进给机构38进行动作，卡盘台36上所保持的半导体晶片10上形成的规定的分割道102位于聚光器522的正下方。这时，如图7(a)所示，半导体晶片10进行定位，使分割道102的一端(图7的(a)中左端)位于聚光器522的正下方。然后，一边从激光光线照射机构52的聚光器522中照射脉冲激光光线，一边使卡盘台36即半导体晶片10在图7的(a)中在箭头X1所示的方向上按规定的加工进给速度进行移动。并且，如图7(b)所示，在分割道102的另一端(在图7的(b)中右端)到达聚光器522的正下方位置上时，使脉冲激光光线的照射停止，而且，使卡盘台36即半导 体晶片10停止移动。在该激光光线照射工序中，将脉冲激光光线的聚光点P对准到分割道102的表面附近。

通过进行上述激光光线照射工序，在半导体晶片10的分割道102上，如图8所示形成激光加工槽105。这时，如图8所示，即使由于激光光线的照射，而发生碎屑106，也能够由保护覆膜104来遮挡该碎屑106，使其不会附着到器件101和压焊焊盘等上。并且，上述激光光线照射工序在半导体晶片10的所有分割道101上进行。而且，在上述激光光线照射工序中形成在半导体晶片10的表面的保护覆膜104在整个表面是均匀的，所以，能够进行均匀的激光加工。

而且，上述激光光线照射工序例如在以下加工条件下进行。

激光光线的光源：YV04激光或YAG激光

波长：355nm

重复频率：20kHz

脉冲宽度：30ns

输出：3.0W

聚光点径：Φ10μm

加工进给速度：100mm/秒

如果使上述激光光线照射工序沿半导体晶片10的所有分割道101进行，那么，对加工后的半导体晶片10进行保持的卡盘台36向与清洗机构16相对置的位置上移动。在此，解除对半导体晶片10的吸附保持。并且，加工后的半导体晶片10由清洗传送机构17将其传送到清洗机构16内，由清洗水来进行清洗。通过该清洗，使用半导体晶片10的表面10a上被覆的保护覆膜104如上所述由水溶性树脂来形成，所以，能够很容易洗掉保护覆膜104，而且，也能够除去激光加工时产生的碎屑106。

如上述那样，清洗工序结束后，加工后的半导体晶片10被清洗传送机构17将其传送到卡盘台36上。然后，对半导体晶片进行保持 的卡盘台36被固定在图1所示的被加工物接收位置上。然后，加工后的半导体晶片10由传送机构15将其传送到临时放置台13上。传送到临时放置台13上的加工后的半导体晶片10由送出机构14将其收放到片盒9的规定位置上。

而且，在上述实施方式中，表示在进行保护覆膜被覆工序之前进行对位作业的例子。但也可以在进行保护覆膜被覆工序之后进行对位作业。在此情况下，利用可见光线来拍摄对位机构6的图像的通常的摄像器件(CCD)以外，还有以下构成部分：照射红外线的红外线照射机构、对由该红外线照射机构进行照射的红外线进行捕捉的光学系统、以及由该光光学系统捕捉的红外线所对应的电气信号进行输出的摄像器件(红外线CCD)等，在进行保护覆膜被覆工序之后透射保护覆膜，拍摄晶片进行对位作业。

Claims (3)

1.一种晶片的激光加工方法，沿着格子状的分割道进行激光加工，上述分割道对在表面成矩阵状地形成了多个器件的晶片的该器件进行划分，其特征在于具有以下工序：

保护覆膜被覆工序，用喷射装置在该晶片的加工面喷涂液状的树脂来被覆保护覆膜；

激光光线照射工序，通过该保护覆膜沿分割道将激光光线照射到形成了该保护覆膜的晶片的加工面；以及

通过轮廓摄像装置拍摄晶片，将上述轮廓摄像装置拍摄的图像信息送到控制装置，控制装置将送来的图像信息暂时存储在随机存取存储器内，根据该图像信息来识别半导体晶片的形状和位置坐标，将这些形状和位置信息存储在随机存取存储器内，

根据从轮廓摄像装置送来的图像信息识别喷咀供给树脂时半导体晶片的移动，并根据存储在随机存取存储器中的半导体晶片的轮廓的位置坐标和来自加工进给量检测机构和分度进给量检测机构的检测信号来控制喷咀供给树脂时半导体晶片的移动。

2.如权利要求1所述的晶片的激光加工方法，其特征在于该液状的树脂是水溶性树脂。

3.一种激光加工装置，其中包括对被加工物进行保持的卡盘台、将激光光线照射到被保持在该卡盘台上的被加工物上的激光光线照射装置、以及使该卡盘台和该激光光线照射装置相对地加工进给的加工进给装置，其特征在于具有：

喷咀，沿该卡盘台的移动路线进行布置，将液状的树脂喷涂到被保持在该卡盘台上的被加工物的表面；

树脂供给装置，向该喷咀供给液状的树脂；

轮廓摄像装置，拍摄晶片；

加工进给量检测机构，用于检测上述卡盘的加工进给量；

控制装置，从拍摄上述半导体晶片的轮廓摄像装置将图像信息发送到该控制装置；及

随机存取存储器，暂时存储从上述控制装置送来的图像信息，而且存储上述控制装置根据上述图像信息识别的半导体晶片的形状和位置坐标；

由控制装置根据半导体晶片的轮廓的位置坐标和来自加工进给量检测机构以及分度进给量检测机构的检测信号来控制喷咀供给树脂时半导体晶片的移动。

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