JPS60108193A - レ−ザ−加工時の溶融物附着防止法 - Google Patents
レ−ザ−加工時の溶融物附着防止法Info
- Publication number
- JPS60108193A JPS60108193A JP58216956A JP21695683A JPS60108193A JP S60108193 A JPS60108193 A JP S60108193A JP 58216956 A JP58216956 A JP 58216956A JP 21695683 A JP21695683 A JP 21695683A JP S60108193 A JPS60108193 A JP S60108193A
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- JP
- Japan
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- solution
- during laser
- laser processing
- melt
- molten material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、材料のレーザー加工により飛散する溶融物の
耐着を容易に取り除くことの出来る防止法に関するもの
である。
耐着を容易に取り除くことの出来る防止法に関するもの
である。
従来セラミックスや金属材料等を外形切断や孔穿設又は
形状の切込みなどをレーザー加工する際、その材料の溶
融物が飛散して加工材料の加工近辺表面に耐着し、それ
を取り除（ためにバレル併産やサンドブラストにて表面
処理を行っていた。しかしこれらの方法では多（の処理
時間が掛るばかりでなく、耐着物を排除することか出来
ない場合も多々あった。また耐着・吻排除后の表面には
微少の疵や汚２１があるもので。
形状の切込みなどをレーザー加工する際、その材料の溶
融物が飛散して加工材料の加工近辺表面に耐着し、それ
を取り除（ためにバレル併産やサンドブラストにて表面
処理を行っていた。しかしこれらの方法では多（の処理
時間が掛るばかりでなく、耐着物を排除することか出来
ない場合も多々あった。また耐着・吻排除后の表面には
微少の疵や汚２１があるもので。
これらのためにＦ記に述べる様な問題点か発生した。
次工程での例えば電気回路配線形成等のための位置合せ
か困難であり、また位巨曾せが出来たものでも例えば精
密回路配線には、残存する微少疵や汚第１のために形成
した電気回路の抵抗値が大きくなったり、断線したりの
致命的欠陥に繋り１更用出来なかった。
か困難であり、また位巨曾せが出来たものでも例えば精
密回路配線には、残存する微少疵や汚第１のために形成
した電気回路の抵抗値が大きくなったり、断線したりの
致命的欠陥に繋り１更用出来なかった。
本発明は上記問題点を酢決するためになされたものであ
り、その要旨は力１ノエ利利の表面に溶液を耐着させ破
膜層を形成して、この表面をレーサーにより局１１Ｓ的
に加熱加工したときの溶融物の溶着を防止することを特
；六とするレーザーＪＪｔＪ工の溶融物耐着防止法によ
るものである。
り、その要旨は力１ノエ利利の表面に溶液を耐着させ破
膜層を形成して、この表面をレーサーにより局１１Ｓ的
に加熱加工したときの溶融物の溶着を防止することを特
；六とするレーザーＪＪｔＪ工の溶融物耐着防止法によ
るものである。
以下、添ｆ；」図面により詳細に説明する。
第１図は本発明のレーザー加工層の断面図であり１図中
１はセラミックＷ板又は金、４仮であり−この表面にコ
ンスターチ・水溶販、コンスターチ・アルコール液、コ
ンスターチ・アルコール・水溶液或いはエポキシ樹脂・
トリニトロン液、エポキシ樹脂・アセトン液等の混合溶
液のいずれかをスプレーで均一に散布し、乾燥して被膜
層２を５〜５０μフルの厚さに形成する。この混合溶液
のうちコンスターチを使用した水溶液又はアルコール液
或いはアルコールと水溶液のものが均一な被膜面やレー
ザー后の炭化や洗滌が最良であり、被膜層の厚さは５Ｉ
！ｎＬ以下ではレーザー加工層の洗滌により満足のい（
表面状態とならないものが発生し、５０−以上では均一
な散布面が得られないことや、洗滌后の表面状態が厚さ
ｌＯ〜５０μｍ以下品と変らず、溶液のムダとなるため
である。この被１模層２の形敢后、レーザー加工にて表
面に所望の切込み溝３を形成する際に、この熱により切
込み溝の近辺周りの被膜層が先つ炭化し、その上面に溶
融物４が飛散した。冷却層湿式サンドブラストで洗滌す
ると１．臭化膜と共に溶融物が洗い落されて、表面は拡
大鏡観察で加工前と変らない状態であつた。
１はセラミックＷ板又は金、４仮であり−この表面にコ
ンスターチ・水溶販、コンスターチ・アルコール液、コ
ンスターチ・アルコール・水溶液或いはエポキシ樹脂・
トリニトロン液、エポキシ樹脂・アセトン液等の混合溶
液のいずれかをスプレーで均一に散布し、乾燥して被膜
層２を５〜５０μフルの厚さに形成する。この混合溶液
のうちコンスターチを使用した水溶液又はアルコール液
或いはアルコールと水溶液のものが均一な被膜面やレー
ザー后の炭化や洗滌が最良であり、被膜層の厚さは５Ｉ
！ｎＬ以下ではレーザー加工層の洗滌により満足のい（
表面状態とならないものが発生し、５０−以上では均一
な散布面が得られないことや、洗滌后の表面状態が厚さ
ｌＯ〜５０μｍ以下品と変らず、溶液のムダとなるため
である。この被１模層２の形敢后、レーザー加工にて表
面に所望の切込み溝３を形成する際に、この熱により切
込み溝の近辺周りの被膜層が先つ炭化し、その上面に溶
融物４が飛散した。冷却層湿式サンドブラストで洗滌す
ると１．臭化膜と共に溶融物が洗い落されて、表面は拡
大鏡観察で加工前と変らない状態であつた。
以上の様な方法でセラミック基板を加工仕上げたものと
、従来方法による加工仕上げたセラミック基板とを次工
程の電気回路配形成及及び焼イ］け后の電気的結果を比
較してＦ表に示す。
、従来方法による加工仕上げたセラミック基板とを次工
程の電気回路配形成及及び焼イ］け后の電気的結果を比
較してＦ表に示す。
第 １ 表
上表より明らかな如く、従来比較品は半分以上が不良と
なるに刻し本発明品は目標電ヌを抵抗値・毎回をはずれ
るもの０．５％発生したにすぎず。
なるに刻し本発明品は目標電ヌを抵抗値・毎回をはずれ
るもの０．５％発生したにすぎず。
その効果は大きかった。
以下、実施例につき説明する。
実施例１
アルミナ含有ｆｆｉ ９６９６のセラミック基板１００
Ｘ １００ Ｘ １．Ｏｔ ｒｒｒｍ上面に、市販品の
コンスターチ溶液３Ｑｗｔ％に対し水７Ｑｗｔんを混合
し、よく撹拌した溶液をスプレーにて均一散布し、乾燥
層厚さ１０Ｂｍ、 ３０ｔｈｒｎ、 ５０μｍのそれぞ
れの破膜層を形成した。同様にしてコンスターチ溶液３
０ｗｔ９６にアルコール７Ｑｗｔ％、コンスターチ溶液
３０ｗｔ％にアルコール：水−１：１の混合７０ｗｔ％
、エポキシ樹脂粉３Ｑｗｔ％にトリニトロン７０ｗｔ％
、エポキシ桐脂扮３Ｑｗｔ％にアセトン７Ｑｗｔ％との
各混合溶液にて各々の被膜層厚さのものを形成した。こ
の被膜１表面にレーザーをあてｒｌｌ １．５０ ｕ、
ｍ課さ、１５０μｌ＋ｂ＋長さ５０ｒｍｎの６本の切込
み溝を加工形成し、冷却性湿式サンドブラストで洗滌し
、上記第１表で示した位置合せ６回路部判、電気的欠陥
の各工程での合格品を調査した。
Ｘ １００ Ｘ １．Ｏｔ ｒｒｒｍ上面に、市販品の
コンスターチ溶液３Ｑｗｔ％に対し水７Ｑｗｔんを混合
し、よく撹拌した溶液をスプレーにて均一散布し、乾燥
層厚さ１０Ｂｍ、 ３０ｔｈｒｎ、 ５０μｍのそれぞ
れの破膜層を形成した。同様にしてコンスターチ溶液３
０ｗｔ９６にアルコール７Ｑｗｔ％、コンスターチ溶液
３０ｗｔ％にアルコール：水−１：１の混合７０ｗｔ％
、エポキシ樹脂粉３Ｑｗｔ％にトリニトロン７０ｗｔ％
、エポキシ桐脂扮３Ｑｗｔ％にアセトン７Ｑｗｔ％との
各混合溶液にて各々の被膜層厚さのものを形成した。こ
の被膜１表面にレーザーをあてｒｌｌ １．５０ ｕ、
ｍ課さ、１５０μｌ＋ｂ＋長さ５０ｒｍｎの６本の切込
み溝を加工形成し、冷却性湿式サンドブラストで洗滌し
、上記第１表で示した位置合せ６回路部判、電気的欠陥
の各工程での合格品を調査した。
それによるとコンスターチと水、アルコールとの各混合
溶液の各被膜層厚さの総てのものが総合歩１Ｊ９９．０
％以上で良好であり、エポキシ樹脂との混合溶液のもの
は、総合歩留９６．０ｙ６であった。
溶液の各被膜層厚さの総てのものが総合歩１Ｊ９９．０
％以上で良好であり、エポキシ樹脂との混合溶液のもの
は、総合歩留９６．０ｙ６であった。
実施例２
合金工具鋼５ＫＤ−１１板１００Ｘ１００Ｘ１．Ｏｔｒ
ｔｒｍの全面に、コンスターチ溶、夜３Ｑｗｔ％に水７
Ｑｗｔ％及びエポキシｔＨ１ｌ１７ Ｂ） ３０ ｗｔ
％Ｉこアセトン７０Ｗｊ９６との各混合液にてスプレー
で均一散布して、乾燥後厚さ２０μフルの被膜層を形成
した。
ｔｒｍの全面に、コンスターチ溶、夜３Ｑｗｔ％に水７
Ｑｗｔ％及びエポキシｔＨ１ｌ１７ Ｂ） ３０ ｗｔ
％Ｉこアセトン７０Ｗｊ９６との各混合液にてスプレー
で均一散布して、乾燥後厚さ２０μフルの被膜層を形成
した。
この表面にレーザーをあて、■ｉ径１ ｒｒａｎで専間
隔に２５個の貫通孔を設けて、冷却姪湿式サンドブラス
トで洗滌した。これらの試ｔ・１を２０倍拡大鏡で観察
したところ、コンスターチと水との、昆合岐被膜層品は
レーザー加工１賀ｉ：！Ｊの表面と変りなく良ｊ仔であ
り、またエポキシわ（脂とアセトンとの混合液被膜同品
は上記破膜層重と劣らず良好であった。これにλ・１し
従来比較品は溶融物の雨着残存が多く、ダイヤモンドで
の仕上か必要であった。
隔に２５個の貫通孔を設けて、冷却姪湿式サンドブラス
トで洗滌した。これらの試ｔ・１を２０倍拡大鏡で観察
したところ、コンスターチと水との、昆合岐被膜層品は
レーザー加工１賀ｉ：！Ｊの表面と変りなく良ｊ仔であ
り、またエポキシわ（脂とアセトンとの混合液被膜同品
は上記破膜層重と劣らず良好であった。これにλ・１し
従来比較品は溶融物の雨着残存が多く、ダイヤモンドで
の仕上か必要であった。
第１図は本発明のレーザー加工１賀の断面図である。
１・・・セラミック基板又は金属板、２・・・ｌ見合溶
液被膜層、３・・・レーザー加工溝、４・・・飛散溶融
物。
液被膜層、３・・・レーザー加工溝、４・・・飛散溶融
物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加工材料の表面に溶液をＰｉ１着させ破膜層を形成
することによりこの表面をレーザーにより局部的に加熱
加工したときの溶融物の溶着を防止することを特徴とす
るレーザー加工時の溶融物雨着防止法。 ２、上記溶液は、コンスターチ・水溶液又はコンスター
チ・アルコール液、コンスターチ・アルコール・水溶液
、或いはエポキシ樹脂・トリニトロン液、エポキシ樹脂
・アセトン液等の１昆合溶液である特許請求の範囲第１
項記載のレーザー加工時の溶融物雨着防止法。 ３、上記溶液波膜層の厚さは５〜５０−である特許請求
の範囲第１項又は第２項記載のレーザー加工時の溶融物
雨着防止法。 ４、上記加工材料はセラミックス又は金属である特許請
求の範囲第１項記載のレーザー加工時の溶融物雨着防止
法。 ５、上記レーザー加工は、材料切断、孔穿設、外形や形
状の切込み加工等である特許請求の範囲第１項記載のレ
ーザーｊＪｌＩ工時の溶融物雨着防止法。 ６、上記ｒ＆ ｒＰＡＩｉは、レーザー加熱により炭化
し。 洗滌で容易に取り除くことの出来る特許請求の範囲第１
項又は第２項記載のレーザー加工時の溶融物雨着防止法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216956A JPS60108193A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | レ−ザ−加工時の溶融物附着防止法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216956A JPS60108193A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | レ−ザ−加工時の溶融物附着防止法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108193A true JPS60108193A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16696547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216956A Pending JPS60108193A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | レ−ザ−加工時の溶融物附着防止法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286763A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2007195310A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Advantest Corp | ノイズ除去装置、電源装置、及び試験装置 |
| JP2014049518A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116955A (ja) * | 1973-03-09 | 1974-11-08 | ||
| JPS58110190A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Toshiba Corp | レ−ザ加工方法 |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP58216956A patent/JPS60108193A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116955A (ja) * | 1973-03-09 | 1974-11-08 | ||
| JPS58110190A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Toshiba Corp | レ−ザ加工方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006286763A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP4648056B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| JP2007195310A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Advantest Corp | ノイズ除去装置、電源装置、及び試験装置 |
| JP2014049518A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
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