CN1783639A - 电力供给控制电路及其控制方法、电子设备及其控制方法、半导体装置 - Google Patents

电力供给控制电路及其控制方法、电子设备及其控制方法、半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种与发电装置的种类无关，而具有低充电损失、低漏泄电流的电力供给控制电路，进而提高具有发电装置或蓄电装置的电子设备的充电效率，并实现可驱动时间的长时间化。电力供给控制电路(10)被插入在电力供给装置(11)与由电力供给装置(11)所蓄电的蓄电装置(12)之间，具有：充电电流检测部(13)，其检测从电力供给装置(11)流向蓄电装置(12)的充电电流(IC)；逆流防止部(15)，其根据所输入的逆流防止控制信号(SH)，阻断从蓄电装置流向所述发电装置的逆流电流(IR)；以及逆流监视部(14)，其在检测出充电电流(IC)为止，抽样性地对充电电流(IC)的有无进行监视，在检测出充电电流(IC)之后，一直监视充电电流(IC)的有无，在没有充电电流(IC)流动的情况下，输出用于阻断逆流电流(IR)的逆流防止控制信号(SH)。

Description

电力供给控制电路及其控制方法、电子设备及其控制方法、 半导体装置
技术领域
本发明涉及电力供给控制电路、电子设备、半导体装置、电力供给控制电路的控制方法以及电子设备的控制方法，具体涉及把由发电装置所生成的电力蓄积到蓄电装置内的类型的电力供给控制电路、电子设备、半导体装置、电力供给控制电路的控制方法以及电子设备的控制方法。
背景技术
一直以来，公知的有如下的技术：在设置于带发电装置的电子时钟中的电力供给控制电路中，把由发电装置所生成的电能通过所谓的逆流防止二极管充入到蓄电装置内(例如，参照专利文献1～3)。
[专利文献1]特开平9-264971号公报
[专利文献2]特开平10-201128号公报
[专利文献3]特开平10-210681号公报
[专利文献4]国际公开WO98/21815号公报
另外，在使用太阳电池作为发电装置的情况下，太阳电池的充电电流具有如下特性：在蓄电装置的蓄电电压达到规定电压X(V)之前，流过恒定的充电电流，当蓄电电压达到规定电压X(V)时，不再流过充电电流。
在此情况下，在构成不使用逆流防止二极管的理想电力供给控制电路的情况下，电压X＝蓄电装置的充电电压。然而，在使用逆流防止二极管的实际电力供给控制电路中，电压X＝蓄电装置的充电电压+逆流防止二极管的正向电压，发生在蓄电装置的充电电压比理想状态低的状态下不能进行充电的问题。即，逆流防止二极管的正向电压实际表现为充电损失。
特别是在以低照度对太阳电池充电的情况下，由于电压X与高照度的情况相比下降，因而存在充电损失比例进一步变大的问题。
而且，在要把该逆流防止二极管内置于半导体装置(例如，LSI：大规模集成电路)内的情况下，一般使杂质在硅基板内扩散，形成P型扩散层和N型扩散层，通过PN结将它们构成二极管。然而，由于在硅基板上通过PN结所形成的二极管的正向电压大，因而充电损失变大，充电效率下降。
为了消除上述问题，提出了以下技术：使逆流防止二极管和逆流防止二极管并联连接场效应晶体管，使由发电装置所生成的电能最初经由逆流防止二极管充入到蓄电装置内，一旦逆流防止二极管的正向电压大于等于规定电压，就使场效应晶体管导通，使逆流防止二极管形成旁路，在充电损失小的状态下对蓄电装置充电(参照专利文献4)。
然而，作为发电装置，如电磁感应发电装置等那样，在使用产生与发电装置的发电电压和蓄电装置的充电电压的电位差对应的充电电流的恒压型发电装置的情况下，不存在问题，然而在如太阳电池那样使用恒流型发电装置的情况下，在检测出逆流防止二极管的正向电压而使场效应晶体管导通的情况下，逆流防止二极管因场效应晶体管的原因而成为短路状态，正向电压为零，因而场效应晶体管再次成为截止状态。
因此，在使用恒流型发电装置作为发电装置的情况下，由于在反复导通/截止场效应晶体管的同时对蓄电装置进行充电，因而存在着充电损失大的问题。
而且，如果采用将场效应晶体管的导通时间维持规定时间的结构，则产生的新问题是，如果在该期间发电装置不进行发电，则电流从蓄电装置逆流向发电装置，白白消耗了电力。
发明内容
因此，本发明的目的是提供与电力供给装置(发电装置)的种类无关，而具有低充电损失、低漏泄电流的电力供给控制电路，进而提供可提高具有电力供给装置或蓄电装置的电子设备的充电效率，并能够使可驱动时间实现长时间化的电力供给控制电路、电子设备、半导体装置、电力供给控制电路的控制方法以及电子设备的控制方法。
为了解决上述课题，本发明提供一种电力供给控制电路，该电力供给控制电路被插入在电力供给装置与蓄积由所述电力供给装置所供给的电力的蓄电装置之间，并对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，其特征在于，具有：充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行抽样监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
根据上述结构，充电电流检测部检测从电力供给装置流向蓄电装置的充电电流。
根据充电电流检测部的检测结果，逆流监视部在检测出充电电流之前，抽样性地对充电电流的有无进行监视，在检测出充电电流之后，一直监视充电电流的有无，在没有充电电流流动的情况下，输出用于阻断逆流电流的逆流防止控制信号。
结果，逆流防止部根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从蓄电装置流向电力供给装置的逆流电流。
在此情况下，所述充电电流检测部具有第1场效应晶体管，其漏极端子或源极端子中的任何一方与栅极端子连接，而且直接或间接地与所述蓄电装置的一个端子连接，并且漏极端子或源极端子中的另一方与所述电力供给装置的一个端子连接，所述逆流防止部可以具有第2场效应晶体管，其漏极端子或源极端子中的任何一方与所述电力供给装置的另一个端子连接，漏极端子或源极端子中的另一方直接或间接地与所述蓄电装置的另一个端子连接。
并且，所述第2场效应晶体管可以构成为具有比所述第1场效应晶体管的阈值大的阈值。
而且，所述第1场效应晶体管可以由本征半导体形成，所述第2场效应晶体管可以构成为通过控制基板的杂质浓度来设定阈值。
而且，一种电力供给控制电路，其特征在于，具有寄生二极管，其分别与所述第1场效应晶体管和所述第2场效应晶体管并联，把所述充电电流的流动方向作为正向。
并且，所述第1场效应晶体管和所述第2场效应晶体管可以是增强型。
而且，所述第1场效应晶体管可以是耗尽型，所述第2场效应晶体管可以是增强型。
而且，所述逆流监视部可以具有比较器，其检测在所述第1场效应晶体管的漏极端子-源极端子间所发生的电位差，所述比较器可以形成为，根据所述电位差，在所述逆流电流可流动的可能性存在的状态下，抽样性地进行动作，在有所述充电电流流动的状态下，一直进行动作。
并且，可以将用于使所述电力供给装置的一个端子的电位稳定的电阻负荷元件与所述第1场效应晶体管并联连接。
而且，可以连接一发电装置作为所述电力供给装置。
而且，可以连接一恒流型发电装置作为所述发电装置，该恒流型发电装置在规定的发电条件下，直至所述蓄电装置的蓄电电压达到规定的电压值为止，不依赖于所述蓄电电压，可使具有大致恒定的电流值的充电电流流动。
并且，为了防止所述蓄电装置的过充电，可以具有开关元件，其用于使通过所述第1场效应晶体管供给的来自所述电力供给装置的充电电流流向所述电力供给装置侧，所述逆流监视部可以具有检测所述蓄电装置的蓄电电压的蓄电电压检测部，在所述蓄电装置的蓄电电压大于等于规定基准电压的情况下，把所述第2场效应晶体管控制到强制截止状态之后，使所述开关元件成为导通状态，在所述第2场效应晶体管为强制截止状态，而且所述开关元件为导通状态的情况下，当所述蓄电电压小于所述基准电压时，使所述开关元件成为截止状态，之后解除所述第2场效应晶体管的强制截止状态。
并且，一种电子设备，具有：蓄电装置，其蓄积从外部电力供给装置所供给的电力；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，其特征在于，所述电力供给控制电路具有：充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
根据上述结构，电力供给控制电路的充电电流检测部检测从外部的电力供给装置流向蓄电装置的充电电流。
根据充电电流检测部的检测结果，逆流监视部在检测出充电电流之前，抽样性地对充电电流的有无进行监视，在检测出充电电流之后，一直监视充电电流的有无，在没有充电电流流动的情况下，向逆流防止部输出用于阻断逆流电流的逆流防止控制信号。
结果，逆流防止部根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从蓄电装置流向电力供给装置的逆流电流。
并且，一种电子设备，具有：电力供给装置；蓄电装置，其蓄积从所述电力供给装置所供给的电力；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，其特征在于，所述电力供给控制电路具有：充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
根据上述结构，电力供给控制电路的充电电流检测部检测从电力供给装置流向蓄电装置的充电电流。
根据充电电流检测部的检测结果，逆流监视部在检测出充电电流之前，抽样性地对充电电流的有无进行监视，在检测出充电电流之后，一直监视充电电流的有无，在没有充电电流流动的情况下，向逆流防止部输出用于阻断逆流电流的逆流防止控制信号。
结果，逆流防止部根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从蓄电装置流向电力供给装置的逆流电流。
在这些情况下，所述被控制装置可以构成为微计算机。
并且，所述微计算机可以具有中央运算处理装置，所述电力供给控制电路的控制可以独立于所述中央运算处理装置的控制来进行。
而且，所述被控制装置也可以构成为具有计时功能和时间显示功能的计时装置。
而且，所述电力供给装置可以是发电装置。
并且，一种半导体装置，其特征在于，具有：与电力供给装置连接的端子；与所述蓄电装置连接的端子；与由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动的被控制装置连接的端子；以及上述任何一种电力供给控制电路。
一种电力供给控制电路的控制方法，其特征在于，具有：充电电流检测步骤，检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；监视步骤，在检测出所述充电电流以前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无；以及逆流防止步骤，在没有所述充电电流流动的情况下，阻断逆流电流。
一种电子设备的控制方法，该电子设备可内置有电力供给装置，或者可与外部的电力供给装置连接，该电子设备具有：蓄电装置，其通过所述电力供给装置被蓄电；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，其特征在于，该电子设备的控制方法具有：充电电流检测步骤，检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；监视步骤，在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无；以及逆流防止步骤，在没有所述充电电流流动的情况下，阻断逆流电流。
根据本发明，可提供与电力供给装置的种类无关，而具有低充电损失、低漏泄电流的电力供给控制电路，进而可提高具有电力供给装置或蓄电装置的电子设备的充电效率，使可驱动时间实现长时间化。
附图说明
图1是本发明的原理说明图。
图2是具体实施方式的电子设备的概要结构框图。
图3是电力供给控制部26的概要结构框图。
图4是充电电流检测晶体管和具有相同功能的元件的正向电压-正向电流特性的说明图。
图5是在充电电流从发电装置流向蓄电装置的情况下的动作流程图(之1)。
图6是在充电电流从发电装置流向蓄电装置的情况下的动作流程图(之2)。
图7是在发电结束，存在有逆流电流从蓄电装置朝发电装置流动的可能性的情况下的动作流程图。
符号说明
10电力供给控制电路；11电力供给装置(发电装置、电源适配器等)；12蓄电装置；13充电电流检测部；14逆流监视部；15逆流防止部；20电子时钟；21发电装置；22蓄电装置；23微计算机；24时间显示部；25辅助电容器；26电力供给控制部(电力供给控制电路)；27控制部；31恒压电路；32振荡电路；33分频电路；34MPU；35功能逻辑部；41充电电流检测晶体管(第1场效应晶体管)；42二极管(寄生二极管)；43上拉电阻；44快速起动部；45防止过充电晶体管；46比较部；47动作控制部；48充电控制用晶体管(第2场效应晶体管)；49二极管(寄生二极管)。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。
首先，在进行具体说明之前，对本发明的原理进行说明。
图1是本发明的原理说明图。
电力供给控制电路10被插入在电力供给装置11与通过电力供给装置11被蓄电的蓄电装置12之间。
在此情况下，电力供给控制电路10大致具有：充电电流检测部13、逆流监视部14和逆流防止部15。
充电电流检测部13检测从电力供给装置11流向蓄电装置12侧的充电电流IC，并使充电电流IC流到蓄电装置12侧。
逆流监视部14在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC之前，抽样性地对充电电流IC的有无进行监视，在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC之后，一直监视充电电流IC的有无，在没有充电电流IC流动的情况下，输出用于阻断从蓄电装置12流向电力供给装置11侧的逆流电流IR的逆流防止控制信号SH。
逆流防止部15根据所输入的逆流防止控制信号SH，阻断从蓄电装置12流向电力供给装置11的逆流电流IR。
根据上述结构，逆流监视部14在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC之前，抽样性地对充电电流IC的有无进行监视。
之后，在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC的情况下，逆流监视部14一直监视充电电流IC的有无，在没有充电电流IC流动的情况下，向逆流防止部15输出用于阻断从蓄电装置12流向电力供给装置11侧的逆流电流IR的逆流防止控制信号SH。
结果，逆流防止部15根据所输入的逆流防止控制信号SH，阻断从蓄电装置12流向电力供给装置11的逆流电流IR。
如以上说明那样，根据电力供给控制电路10，由于逆流监视部14在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC之前，抽样性地对充电电流IC的有无进行监视，因而可实现监视所需要的消耗电力的降低。
而且，逆流监视部14在通过充电电流检测部13检测出充电电流IC的情况下，一直监视充电电流IC的有无，在如电力供给装置11不进行发电，或者发电电压比蓄电装置12的蓄电电压低的情况等那样，有可能产生从蓄电装置12流向电力供给装置11侧的逆流电流IR的状况下，可迅速且可靠地阻断逆流电流IR。在此情况下，虽然与抽样性地对充电电流IC进行监视的情况相比消耗电力增加，然而由于蓄电装置22正在充电中，所以可以不考虑消耗电力的增加。
下面对具体实施方式作进一步说明。
图2是具体实施方式的电子设备的概要结构框图。
在图2中，作为电子设备，以进行时间显示的电子时钟为例。
电子时钟20具有：构成为太阳电池的作为电力供给装置的发电装置21，其将多个电池21A串联连接，接收太阳光进行发电；蓄电装置22，其蓄积由发电装置21所生成(发电)的电力；微计算机23，其通过电源端子SLRA、SLRC与发电装置21连接，并通过低电位侧电源端子TVSS和充电端子TVTKP与蓄电装置22连接，进行充电控制和时间显示控制；时间显示部24，其在微计算机的控制下进行各种时间显示；以及辅助电容器25，其通过高电位侧电源端子TVDD和低电位侧电源端子TVSS与微计算机23连接，当时间显示部24成为重负荷动作时，作为蓄电装置22的辅助电源来发挥功能。
在此情况下，微计算机23具有：电力供给控制部26，其通过低电位侧电源端子TVSS和充电端子TVTKP与蓄电装置22连接，从发电装置21把充电电流供给蓄电装置22侧，并防止从蓄电装置22流向发电装置21侧的逆流电流；以及控制部27，其独立于电力供给控制部26地进行动作，进行电子时钟20整体的控制。
控制部27具有：恒压电路31，其通过高电位侧电源端子TVDD和低电位侧电源端子TVSS被供给动作电力，向控制部27的各部供给恒压VREG1或恒压VREG 2；振荡电路32，其被供给恒压VREG 1，具有未图示的晶体振荡器等，输出具有规定频率(例如，32KHz)的基准振荡信号fREF；分频电路33，其被供给恒压VREG 2和基准振荡信号fREF，对基准振荡信号fREF进行分频，输出具有各种频率的分频信号fD(图2中，为了简化图示，仅描述了1种)；MPU(微处理器)34，其被供给恒压VREG 2，具有控制控制部27整体的未图示的ROM、RAM、CPU；以及功能逻辑部35，其被供给恒压VREG 2和分频信号fD，与MPU协作来控制振荡电路32和分频电路33，同时进行时间显示部24的时间显示控制。
这里，对电力供给控制部26的结构进行说明。
图3是电力供给控制部26的概要结构框图。在图3中，与图2相同的部分附有相同符号。
电力供给控制部26大致具有：作为充电电流检测部来发挥功能的充电电流检测晶体管41；与充电电流检测晶体管41并联连接的二极管(寄生二极管)42和上拉电阻43；用于实现后述的快速起动功能的快速起动部44；用于防止蓄电装置22的过充电的防止过充电晶体管45；构成逆流监视部的比较部46和动作控制部47；作为逆流防止部来发挥功能的充电控制用晶体管48；以及与充电控制用晶体管48并联连接的二极管(寄生二极管)49。另外，可以根据需要设置对蓄电装置22的蓄电电压VTKP进行升压或降压的升降压电路50。
以下，对电力供给控制部26的各部进行详细说明。
充电电流检测晶体管41由P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)构成，为了不产生成为充电损失的漏极-源极间的大电位VDS，优选使充电电流检测晶体管41的尺寸大且阈值电压低。因此，在本实施方式中，P沟道MOSFET采用的结构是：本来的基板杂质浓度低、不需要混入用于降低阈值电压的杂质。把这样不需要用于降低阈值电压的特别工序的半导体定义为本征半导体。采用这种结构的原因在于，虽然即使在使用在本来基板中杂质浓度高至某种程度的基板的情况下，也能通过把杂质混入基板内，或者使氧化膜变薄来降低阈值电压，然而这需要专用的半导体制造工序，使得成本大大上升。而且，如果在批量生产时使用在本来基板中杂质浓度高至某种程度的基板，除了要防止杂质浓度的偏差变大之外，还要防止由于杂质的混入偏差、氧化膜的厚度偏差等主要原因而使阈值电压，即充电损失在批量生产时的偏差变大。
图4是充电电流检测晶体管41和具有相同功能的元件的正向电压-正向电流特性的说明图。
图4中，作为充电电流IC，示出了当流过电流值为IFO的电流时充电电流检测晶体管41的漏极端子D-源极端子S间的电压VDS、现有的硅型二极管的阳极-阴极间电压VFsi和肖特基势垒型(Schottkybarrier)二极管的阳极-阴极间电压VFsb。
可以知道，与现有的硅型二极管的阳极-阴极间电压VFsi和肖特基势垒型二极管的阳极-阴极间电压VFsb相比，实施方式的充电电流检测晶体管41的漏极端子D-源极端子S间电压VDS为30～60％左右的正向电压，充电损失显著降低。这样由于充电电流检测晶体管41可采用充电损失低的结构，因而不必设计用于使充电电流检测晶体管形成旁路的结构(旁路电路等)，而可以总是插入到蓄电装置22的充电电流路径内。因此，不依赖于发电装置的种类(例如，恒压型发电装置、恒流型发电装置等)，可稳定地检测当有充电电流或逆流电流流动时的漏极-源极间电压VDS。
快速起动部44具有：第1快速起动用二极管51，其阳极端子与充电电流检测晶体管41的漏极端子D连接；第2快速起动用二极管52，其与第1快速起动用二极管51串联连接；第1快速起动用晶体管53，其由P沟道MOSFET构成，源极端子S与充电电流检测晶体管41的漏极端子D连接，漏极端子D与第1快速起动用二极管51和第2快速起动用二极管52的中间连接点连接，栅极端子G与动作控制部47连接；以及第2快速起动用晶体管54，其由P沟道MOSFET构成，源极端子S与充电电流检测晶体管41的漏极端子D连接，漏极端子D与第2快速起动用二极管52的阴极端子连接，栅极端子G与动作控制部47连接。
这里，快速起动功能是指如下功能：即使在蓄电装置22的蓄电电压被放电至微计算机23不能进行动作的低电压区域的情况下，通过使来自发电装置21的充电电流IC流经快速起动用二极管51、52，将此时在快速起动用二极管51、52中产生的正向电压加到蓄电装置22的充电电压上，从而使高电位侧电源VDD的电压上升至微计算机23能够进行动作的电压区域。
具体地说，利用由动作控制部47所生成的第1快速起动控制信号SC和第2快速起动控制信号SD对快速起动控制用晶体管53、54进行导通/截止控制，使快速起动功能发挥作用。
在此情况下，将2个快速起动用二极管51、52串联连接，可通过快速起动控制用晶体管53、54分别单独地形成旁路的原因在于：即使在蓄电装置22的蓄电电压上加上1个快速起动用二极管的充电电压，电压也不会上升至微计算机23的可动作电压区域，并且在从通过快速起动功能而在蓄电装置22的蓄电电压上加上2个快速起动用二极管51、52中所产生的正向电压的状态变成解除了快速起动功能的情况下，则当一旦使两个快速起动用二极管51、52形成旁路时，施加给微计算机23的高电位侧电源VDD的电压急剧下降，存在微计算机23进行误动作的可能性。因此，在解除快速起动功能时，按照第1快速起动用二极管51→第2快速起动用二极管52的顺序形成旁路。
防止过充电晶体管45由P沟道MOSFET构成，源极端子S与充电电流检测晶体管41的漏极端子D连接，漏极端子D通过电源端子SLRC与发电装置21连接，栅极端子G与动作控制部47连接。
比较部46具有：比较器61，其反相端子(-)通过高电位侧电源端子TVDD与作为基准电压电源的高电位侧电源VDD连接(作为基准电压信号SB输入)，同相端子(+)与电源端子SLRA连接(作为发电电压信号SA输入)，使能(Enable)端子EN与动作控制部47连接；以及“与”电路62，其一个输入端子与比较器61的输出端子连接，另一个输入端子与动作控制部47连接，被输入来自动作控制部47的强制阻断信号SF，输出逆流防止控制信号SH。
动作控制部47具有：比较器71，其反相端子(-)被输入基准电压VREF，同相端子(+)与充电端子TVTKP连接，被输入与蓄电装置22的蓄电电压相当的蓄电电压信号SJ；以及逻辑电路72，其被输入来自分频电路33的时钟信号SN，并被输入来自“与”电路62的逆流防止控制信号SH，从比较器71向其输入充电电压检测结果信号SI，输出第1快速起动控制信号SC、第2快速起动控制信号SD、防止过充电控制信号SE、强制阻断信号SF、使能信号SL、以及抽样定时信号SM。
充电控制用晶体管48由N沟道MOS晶体管构成，漏极端子D与电源端子SLRC连接，源极端子S与低电位侧电源端子TVSS连接，栅极端子G与“与”电路62的输出端子连接，逆流防止控制信号SH被输入到栅极端子G。该充电控制用晶体管48如后所述，阈值电压被设定得较高，然而在发电装置21处于发电状态的情况下，在非饱和条件下成为导通状态，因而漏极-源极间电压VDS被设定成几乎成为零，因此几乎没有充电损失。
这里，对设置充电控制用晶体管48的理由进行说明。
上述充电电流检测晶体管41为了使成为充电损失的漏极-源极间电压VDS下降，降低了阈值电压，因而漏泄电流变大。该漏泄电流作为发电装置21不发电时的逆流电流而流动。因此，在本实施方式中，为了阻断该漏泄电流而设置了充电控制用晶体管48。而且，由于该充电控制用晶体管48的阈值电压比充电电流检测晶体管41高，因而漏泄电流小至几nA左右，因此能可靠地阻断逆流电流。
下面对具体动作进行说明。
首先对充电电流从发电装置21流向蓄电装置22的情况下的动作进行说明。
图5是充电电流从发电装置流向蓄电装置的情况下的动作流程图(之1)。图6是充电电流从发电装置流向蓄电装置的情况下的动作流程图(之2)。
假设在初始状态下，微计算机23处于动作停止状态，蓄电装置22的蓄电电压比微计算机23能够进行动作的电压低。
在该状态下，充电电压检测结果信号SI成为“低(L)”电平。动作控制部47的第1快速起动控制信号SC和第2快速起动控制信号SD成为“高(H)”电平。即，快速起动用晶体管53、54双方都成为截止状态。并且，充电控制用晶体管48也成为截止状态，防止过充电晶体管45也成为截止状态(步骤S1)。
结果，两个快速起动用二极管51、52与蓄电装置22串联连接。
在该状态下，当在发电装置21中进行发电时(步骤S2)，从发电装置21向充电电流检测晶体管41的源极端子S流入发电电流，栅极端子G被施加高电位侧电源VDD的电压，同样漏极端子D被施加高电位侧电源VDD的电压，因而在源极端子S以高电位侧电源VDD的电压为基准产生高电位电压，产生栅极-源极间电位(＝漏极-源极间电位VDS)，因而充电电流检测晶体管41成为导通状态(步骤S3)。
因此，快速起动功能起动(步骤S4)，两个快速起动用二极管51、52的正向电压与此时的蓄电装置22的蓄电电压重叠，微计算机23(实际上，控制部27)起动。
在该状态下，判断抽样定时信号SM是否从动作控制部47的逻辑电路72被输入到比较部46的比较器61的使能端子EN(步骤S5)，在抽样定时信号SM未被输入到比较部46的比较器61的使能端子EN的情况下(步骤S5：否)，充电控制用晶体管48被维持在截止状态(步骤S6)。
另一方面，在抽样定时信号SM被输入到比较部46的比较器61的使能端子EN的情况下(步骤S5：是)，比较器61判断发电电压信号SA的电压是否大于等于在高电位侧电源VDD的电压上加上充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压VDS后的电压(SLRA≥VDD+α)(步骤S7)。
另外，比较器61由于输入信号SA端与作为发电装置21的太阳电池的一端连接，基准电压信号SB是高电位侧电源VDD的电压，因而在充电电流IC流动的情况下，与充电电流检测晶体管41的漏极-源极间产生的电压VDS对应，使得检测电压成为高电位侧电源VDD的电压与充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压VDS(＝α)之和。
在发电装置21中，在不进行发电、没有充电电流IC流动的情况下，通过上拉电阻43把发电电压信号SA的电压上拉至高电位侧电源VDD的电压，由于不产生与基准电压信号SB的电压差，因而成为充电电流非检测状态(步骤S7：否)。因此，充电控制用晶体管48被维持在截止状态(步骤S6)。在此情况下，上拉电阻43发挥功能，使得逆流电流被阻断，防止电源端子SLRA的电位变得不稳定，在比较器61中不能稳定地检测充电电流非检测状态。
在该状态下，比较器61根据来自逻辑电路72的抽样定时信号SM，在每个规定的抽样定时变成使能状态。这样，可抑制比较器61的消耗电力，实现消耗电力的降低。
在上述抽样定时中，比较部46把基准电压信号SB的电压(＝高电位侧电源VDD的电压)与发电电压信号SA的电压进行比较，在发电电压信号SA的电压大于等于在高电位侧电源VDD的电压上加上充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压VDS后的电压的情况下(SLRA≥VDD+α)，认为检测到了充电电流(步骤S7：是)，把其输出信号设定为“高”电平。
此时，由于强制阻断信号SF是“高”电平，因而从“与”电路62所输出的逆流防止控制信号SH也成为“高”电平。这样，充电控制用晶体管48成为导通状态(步骤S8)，充电电流IC按照电源端子SLRA→充电电流检测晶体管41→第1快速起动用二极管51→第2快速起动用二极管52→蓄电装置22→充电控制用晶体管48→电源端子SLRC的顺序流动。
另一方面，从“与”电路62输出的“高”电平的逆流防止控制信号SH也被输出到逻辑电路72。
这样，逻辑电路72如果检测出充电电流则使抽样定时信号SM处于时常使能状态，比较器61一直动作(步骤S9)。
这是为了在从充电电流检测状态转移到充电电流非检测状态的情况下，立即使充电控制晶体管48处于截止状态，迅速且可靠地防止从蓄电装置22流向发电装置21侧的逆流电流IR。
并且，在防止过充电状态下，强制阻断信号SF成为“低”电平，成为强制充电电流非检测状态，输出用于使充电控制晶体管48成为强制截止状态的逆流防止控制信号SH。结果，在防止过充电状态下，可防止电流经由防止过充电晶体管45和充电控制用晶体管48流动，使蓄电装置22短路的情况。
并且，逻辑电路72在到达规定的使能定时时(步骤S10：是)，把使能信号SL输出到比较器71中，比较器71把与蓄电装置22的蓄电电压相当的蓄电电压信号SJ的电压(实际上，是将蓄电电压信号SJ的电压以第1规定比率进行了分压后的快速起动控制用电压VQ)与基准电压VREF进行比较(步骤S11)，在快速起动控制用电压VQ大于等于基准电压VREF的情况下，使充电电压检测结果信号SI为“高”电平。
这样，逻辑电路72把第1快速起动控制信号SC设定为“低”电平。结果，第1快速起动控制用晶体管53成为导通状态(步骤S12)，第1快速起动用二极管51被形成旁路。
即，充电电流IC按照电源端子SLRA→充电电流检测晶体管41→第1快速起动用晶体管53→第2快速起动用二极管52→蓄电装置22→充电控制用晶体管48→电源端子SLRC的顺序流动。
之后，逻辑电路72按照规定的定时把使能信号SL输出到比较器71(步骤S13：是)中，比较器71对快速起动控制用电压VQ与基准电压VREF进行比较(步骤S14)，在快速起动控制用电压VQ小于基准电压VREF的情况下(步骤S14：否)，逻辑电路72把第1快速起动控制信号SC再次设定为“高”电平，将处理再次转到步骤S10。结果，第1快速起动控制用晶体管53和第2快速起动控制用晶体管54成为截止状态(步骤S15)。
并且，在步骤S14的判别中，在快速起动控制用电压VQ大于等于基准电压VREF的情况下(步骤S14：是)，把充电电压检测结果信号SI设定为“高”电平。
这样，逻辑电路72把第1快速起动控制信号SC和第2快速起动控制信号SD设定为“低”电平。结果，第1快速起动控制用晶体管53和第2快速起动控制用晶体管54成为导通状态(步骤S16)，第1快速起动用二极管51和第2快速起动用二极管52被形成旁路。
即，快速起动功能被解除(步骤S17)，充电电流IC按照电源端子SLRA→充电电流检测晶体管41→第1快速起动用晶体管53→第2快速起动用晶体管54→蓄电装置22→充电控制用晶体管48→电源端子SLRC的顺序流动。
此时，充电控制用晶体管48被维持在导通状态，防止过充电晶体管45被维持在截止状态(步骤S18)。
之后，逻辑电路72在到达规定的使能定时的时候(步骤S19：是)，向比较器71输出使能信号SL，比较器71把与蓄电装置22的蓄电电压相当的蓄电电压信号SJ的电压(实际上，是将蓄电电压信号SJ的电压以第2规定比率进行了分压后的防止过充电用电压VL)与基准电压VREF进行比较(步骤S20)，在防止过充电用电压VL大于等于基准电压VREF的情况下(步骤S20：是)，把充电电压检测结果信号SI设定为“高”电平。
结果，逻辑电路72把强制阻断信号SF设定为“低”电平，把作为“与”电路62的输出的逆流防止控制信号SH设定为“低”电平。结果，充电控制用晶体管48成为强制截止状态(步骤S21)。
之后，逻辑电路72把防止过充电控制信号SE设定为“低”电平。这样，防止过充电晶体管45成为导通状态(步骤S22)。
即，成为防止过充电状态(步骤S23)，充电电流IC按照电源端子SLRA→充电电流检测晶体管41→防止过充电晶体管45→电源端子SLRC的顺序流动，防止了蓄电装置22的过充电。
之后，逻辑电路72在再次到达规定的使能定时的时候(步骤S24：是)，向比较器71输出使能信号SL，比较器71把与蓄电装置22的蓄电电压相当的蓄电电压信号SJ的电压(实际上，是将蓄电电压信号SJ的电压以第2规定比率进行了分压后的防止过充电用电压VL)与基准电压VREF进行比较(步骤S25)，在防止过充电用电压VL大于等于基准电压VREF的期间(步骤S25：否)，把充电电压检测结果信号SI设定为“高”电平，维持防止过充电状态。
然而，当防止过充电用电压VL小于基准电压VREF时(步骤S25：是)，比较器71把充电电压检测结果信号SI设定为“低”电平。这样，逻辑电路72把防止过充电控制信号SE设定为“高”电平。这样，防止过充电晶体管45成为截止状态(步骤S26)。
之后，逻辑电路72把强制阻断信号SF设定为“高”电平，把作为“与”电路62的输出的逆流防止控制信号SH设定为“高”电平。因此，充电控制用晶体管48的强制截止状态被解除(步骤S27)。
然后，防止过充电状态也被解除(步骤S28)，之后，根据充电电流IC的有无，即，根据比较器61的输出信号电平，控制充电控制用晶体管48的导通/截止。在此情况下，根据防止过充电控制分阶段地进行防止过充电晶体管45和充电控制用晶体管48的导通/截止控制，这是因为，当两个晶体管45、48同时成为导通状态时，逆流电流从蓄电装置22流向两个晶体管45、48，从而导致充电效率下降。
下面对在发电装置21的发电结束，存在有逆流电流从蓄电装置22朝发电装置21流动的可能性的情况下的动作进行说明。
图7是在发电结束，存在有逆流电流从蓄电装置朝发电装置流动的可能性的情况下的动作流程图。
这里，假定在发电装置21发电，使充电电流IC流动的状态下，第1快速起动用晶体管53和第2快速起动用晶体管54双方都处于导通状态，充电控制用晶体管48处于导通状态，防止过充电晶体管45处于截止状态(步骤S31)。
在此情况下，由于有充电电流IC流动，因而抽样定时信号SM使比较部46的比较器61处于时常使能状态(步骤S32)。
之后，当发电装置21结束发电时(步骤S33)，充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压通过上拉电阻43变得与高电位侧电源VDD的电压相等，充电电流检测晶体管41成为截止状态(步骤S34)。
在该状态下，逆电流IR按照蓄电装置→第2快速起动用晶体管54→上拉电阻43→电源端子SLRA→发电装置21→电源端子SLRC→充电控制用晶体管48的路径流动。
此时，比较部46的比较器61把基准电压信号SB的电压(＝高电位侧电源VDD的电压)与发电电压信号SA的电压进行比较(步骤S35)，由于发电电压信号SA的电压小于在高电位侧电源VDD的电压上加上充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压VDS后的电压，因而认为未检测到充电电流，把其输出信号设定为“低”电平。
结果，作为“与”电路62的输出的逆流防止控制信号SH成为“低”电平，充电控制用晶体管48成为截止状态(步骤S36)。
结果，逆流电流IR被完全阻断。并且，电源端子SLRA通过上拉电阻43被上拉至高电位侧电源VDD的电压(步骤S37)。而且，逆流防止控制信号SH成为“低”电平，使得逻辑电路72检测出没有充电电流流动的情况，解除比较器61的一直的使能状态，按照各规定的抽样定时变更抽样定时信号SM，以使比较器61成为使能状态(步骤S38)。
并且，在抽样定时信号SM使比较器61成为使能状态的时刻(步骤S39)，只要作为电源端子SLRA的电压的发电电压信号SA小于在高电位侧电源VDD的电压上加上充电电流检测晶体管41的漏极-源极间电压VDS后的电压(步骤S40)，“与”电路62就继续输出“低”电平的逆流防止控制信号SH，继续作为逆流防止状态(步骤S41)。
如以上说明那样，根据本实施方式，可大幅削减电力供给控制电路的充电损失和漏泄电流。结果，可提高发电装置或具有发电装置的电子设备的充电效率，可延长电子设备的可驱动时间。
在以上说明中，构成为：使2个快速起动用二极管在串联连接的状态下动作直至快速起动即将被解除，在快速起动解除状态下顺次使第1快速起动用二极管形成旁路→使第2快速起动用二极管形成旁路，然而为了提高快速起动状态下的充电效率，也可以构成为：根据快速起动状态下的蓄电装置的充电电压或者高电位侧电源VDD的电压，顺次使第1快速起动用二极管形成旁路→使第2快速起动用二极管形成旁路。
在以上说明中，虽然对构成充电电流检测晶体管41的MOSFET的类型和构成充电控制用晶体管48的MOSFET的类型未作详细描述，然而也可以构成为：使双方的MOSFET均为增强型，或者使构成充电电流检测晶体管41的MOSFET为耗尽型，使构成充电控制用晶体管48的MOSFET为增强型。
在以上说明中，对电子设备具有作为电力供给装置的发电装置和蓄电装置双方的情况作了说明，然而即使是仅具有蓄电装置的电子设备，只要能连接外带的电力供给装置(发电装置)，也能应用本发明。
在以上说明中，对组合多个部件来行使电力供给控制部26作了说明，然而也能一体地构成为半导体集成电路(半导体装置)。并且，对分别构成电力供给控制部26和控制部27进行了说明，然而也能在半导体基板上一体地形成来构成为半导体集成电路(例如，LSI)。
在以上说明中，构成逻辑电路来实现各种控制，然而也能构成为：把控制程序存储在EEPROM(电可擦写只读存储器)等内，通过微计算机来进行控制。在此情况下，可以把控制程序预先记录在各种磁盘、光盘、存储卡等记录介质内，从这些记录介质读入程序来进行安装。并且，也可以设置通信接口，通过互联网、LAN等网络下载控制程序并安装来执行。
在以上说明中，假设控制部27的MPU 34正常地动作来进行了说明，然而优选即使在蓄电装置22的蓄电电压较低而使得MPU 34误动作的情况下，电力供给控制部26的控制也完全独立于控制部27的控制。通过采用这种结构，即使在MPU 34误动作的情况下，也不会发生如下问题，即：逆流电流误从蓄电装置22流向发电装置21侧，或者成为防止过充电状态，使得发电装置21不能对蓄电装置22进行充电。
在以上说明中，充电电流检测晶体管41由P沟道MOSFET构成，充电控制晶体管48由N沟道MOSFET构成，然而只要变更逻辑，也能使充电电流检测晶体管41由N沟道MOSFET构成，使充电控制晶体管48由P沟道MOSFET构成等。并且，在其他晶体管中也同样。
在以上说明中，作为充电电流检测晶体管41，使用阈值低的P沟道MOSFET，然而由于设置了能可靠防止逆流电流的使用充电控制晶体管48的逆流防止部，因而对于肖特基势垒二极管等正向电压低、漏泄电流大而不能采用的二极管，无论是通过外带或是内置，都能取代充电电流检测晶体管41而被使用。
在以上说明中，对作为电力供给装置(发电装置)使用太阳电池的情况作了说明，然而也可以使用如下装置作为电力供给装置，即：把动能(例如，旋转锤的旋转动能)转换成电能的电磁发电装置等电磁感应发电装置；把热能(例如，由体温和周围空气温度的差引起的热能)转换成电能的热发电装置；通过把由外部或激励引起的振动或位移施加给压电体，通过压电效应而产生电力的压电效应发电装置；以及接收广播、通信电波等浮游电磁波(浮遊電磁波)，利用其能量(相当于第1能量)的电磁感应型发电装置。
在以上说明中，作为电力供给装置，对发电装置的情况作了说明，然而如电源适配器等或便携电话等的充电装置那样，即使不具有发电功能，只要是供给电力的装置，就能应用本发明。

Claims (21)

1.一种电力供给控制电路，该电力供给控制电路被插入在电力供给装置与蓄积由所述电力供给装置所供给的电力的蓄电装置之间，并对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，其特征在于，具有：
充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；
逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及
逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
2.根据权利要求1所述的电力供给控制电路，其特征在于，
所述充电电流检测部具有第1场效应晶体管，其漏极端子或源极端子中的任何一方与栅极端子连接，而且直接或间接地与所述蓄电装置的一个端子连接，并且漏极端子或源极端子中的另一方与所述电力供给装置的一个端子连接，
所述逆流防止部具有第2场效应晶体管，其漏极端子或源极端子中的任何一方与所述电力供给装置的另一个端子连接，漏极端子或源极端子中的另一方直接或间接地与所述蓄电装置的另一个端子连接。
3.根据权利要求2所述的电力供给控制电路，其特征在于，
所述第2场效应晶体管具有比所述第1场效应晶体管的阈值大的阈值。
4.根据权利要求3所述的电力供给控制电路，其特征在于，
所述第1场效应晶体管由本征半导体形成，
所述第2场效应晶体管通过控制基板的杂质浓度来设定阈值。
5.根据权利要求2至权利要求4中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，具有寄生二极管，其分别与所述第1场效应晶体管和所述第2场效应晶体管并联，把所述充电电流的流动方向作为正向。
6.根据权利要求2至权利要求5中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，所述第1场效应晶体管和所述第2场效应晶体管是增强型。
7.根据权利要求2至权利要求5中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，所述第1场效应晶体管是耗尽型，所述第2场效应晶体管是增强型。
8.根据权利要求2至权利要求7中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，
所述逆流监视部具有比较器，其检测在所述第1场效应晶体管的漏极端子一源极端子间所产生的电位差，
所述比较器根据所述电位差，在所述逆流电流可流动的可能性存在的状态下，抽样性地进行动作，在有所述充电电流流动的状态下，一直进行动作。
9.根据权利要求8所述的电力供给控制电路，其特征在于，用于使所述电力供给装置的一个端子的电位稳定的电阻负荷元件与所述第1场效应晶体管并联连接。
10.根据权利要求1至权利要求9中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，连接一发电装置作为所述电力供给装置。
11.根据权利要求10所述的电力供给控制电路，其特征在于，
连接一恒流型发电装置作为所述发电装置，该恒流型发电装置在规定的发电条件下，直至所述蓄电装置的蓄电电压达到规定的电压值为止，不依赖于所述蓄电电压，可使具有大致恒定的电流值的充电电流流动。
12.根据权利要求2至权利要求11中的任何一项所述的电力供给控制电路，其特征在于，
为了防止所述蓄电装置的过充电，配备开关元件，其用于使通过所述第1场效应晶体管被供给的来自所述电力供给装置的充电电流流向所述电力供给装置侧，
所述逆流监视部具有检测所述蓄电装置的蓄电电压的蓄电电压检测部，在所述蓄电装置的蓄电电压大于等于规定基准电压的情况下，把所述第2场效应晶体管控制到强制截止状态之后，使所述开关元件成为导通状态，
在所述第2场效应晶体管为强制截止状态，而且所述开关元件为导通状态的情况下，当所述蓄电电压小于所述基准电压时，使所述开关元件成为截止状态，之后解除所述第2场效应晶体管的强制截止状态。
13.一种电子设备，具有：蓄电装置，其蓄积从外部电力供给装置所供给的电力；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，
其特征在于，所述电力供给控制电路具有：
充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；
逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及
逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
14.一种电子设备，具有：电力供给装置；蓄电装置，其蓄积从所述电力供给装置所供给的电力；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，
其特征在于，所述电力供给控制电路具有：
充电电流检测部，其检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；
逆流防止部，其根据所输入的逆流防止控制信号，阻断从所述蓄电装置流向所述电力供给装置的逆流电流；以及
逆流监视部，其在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无，在没有所述充电电流流动的情况下，输出用于阻断所述逆流电流的所述逆流防止控制信号。
15.根据权利要求13或权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述被控制装置构成为微计算机。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，
所述微计算机具有中央运算处理装置，
所述电力供给控制电路的控制独立于所述中央运算处理装置的控制来进行。
17.根据权利要求13至权利要求16中的任何一项所述的电子设备，其特征在于，所述被控制装置构成为具有计时功能和时间显示功能的计时装置。
18.根据权利要求13至权利要求17中的任何一项所述的电子设备，其特征在于，所述电力供给装置是发电装置。
19.一种半导体装置，其特征在于，具有：
与电力供给装置连接的端子；
与蓄电装置连接的端子；
与由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动的被控制装置连接的端子；以及
权利要求1至12的任一项所述的电力供给控制电路。
20.一种电力供给控制电路的控制方法，其特征在于，具有：
充电电流检测步骤，检测从所述电力供给装置流向蓄电装置的充电电流；
监视步骤，在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无；以及
逆流防止步骤，在没有所述充电电流流动的情况下，阻断逆流电流。
21.一种电子设备的控制方法，该电子设备可内置有电力供给装置，或者可与外部的电力供给装置连接，该电子设备具有：蓄电装置，其通过所述电力供给装置被蓄电；被控制装置，其由所述蓄电装置的蓄电电力所驱动；以及电力供给控制电路，其被插入在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间，对在所述电力供给装置与所述蓄电装置之间流经的电流进行控制，
其特征在于，该电子设备的控制方法具有：
充电电流检测步骤，检测从所述电力供给装置流向所述蓄电装置的充电电流；
监视步骤，在检测出所述充电电流之前，抽样性地对所述充电电流的有无进行监视，在检测出所述充电电流之后，一直监视所述充电电流的有无；以及
逆流防止步骤，在没有所述充电电流流动的情况下，阻断逆流电流。
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