CN1733578A - 工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的工件输送收容装置具有收容多个工件的第1工件收容部(110)，配置于第1工件收容部(110)的下部或下部的第2工件收容部(120)，使第1工件收容部(110)和第2工件收容部(120)同时升降的升降机构(130)，大体水平地将工件输送到第1工件收容部(110)或第2工件收容部(120)的工件输送机构(140、150)，及检测从第2工件收容部(120)的送入口突出的工件的工件检测机构(170)。这样，可提供一种新型的工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置，该工件输送收容装置通过将成为检查对象的工件完全收容于检查用工件收容部内，从而防止工件的破损和工件输送收容装置的停止，同时，可迅速确认完全收容工件的状态。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于将半导体晶片分割成一个一个的半导体芯片的切削装置，特别是涉及用于输送和收容多片半导体晶片(工件)的工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置。
背景技术
例如，在半导体器件制造工序中，将IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等电路形成到在半导体晶片(为大体圆板状的板状物)的表面以格子状进行排列的多个区域，由切片装置沿切断预定线对形成电路的各区域进行分割，从而制造一个一个的半导体芯片。这样的半导体晶片的分割一般由作为切片装置的切削装置进行。该切削装置具有盒载置机构、送出送入机构、夹持台、及切削机构；该盒载置机构具有用于载置对半导体晶片进行收容的盒的盒载置台；该送出送入机构送出收容于载置到盒载置台上的盒的半导体晶片，同时，将半导体晶片送入到盒；该夹持台保持由该送出送入机构送出的半导体晶片；该切削机构对保持于夹持台的半导体晶片进行切削。
适用于过去的切片装置的盒为可收容多片半导体晶片的大型的盒。该盒通常收容着相同型号的半导体晶片进行运送，所以，对连续处理多片相同型号的半导体晶片的场合有利。
可是，在希望抽取多片半导体晶片中的1片检查切削状态的场合，在切片装置中，出于危险防止等原因，在装置侧限制连续运行中的盒的交换和设置，所以，必须一时停止切片装置，非常费功夫，效率也差。
根据这些情况，考虑了在上述大型盒之外为了抽样检查设置收容半导体晶片的检查用晶片收容部的场合。该构成使得朝检查用晶片收容部输送从大型的盒取出、由切削机构切削的半导体晶片，从检查用晶片收容部取出，所以，可不停止切片装置地进行抽样检查。这样的检查用晶片收容部例如设置于大型盒的下部，通过使升降机构上下移动，从而可相对晶片输送机构切换大型盒与检查用晶片收容部(例如参照专利文献1和专利文献2)。
(专利文献1)日本特开平11-162888号公报
(专利文献2)日本专利第2951628号公报
然而，由于相对晶片输送机构从检查用晶片收容部切换到大型盒，所以，当使升降机构下降时，如不将半导体晶片完全地收容于检查用晶片收容部，则半导体晶片夹入到晶片输送路径与检查用晶片收容部之间而产生破损。另外，工件输送收容装置自身也停止，必须设法恢复。
另一方面，检查用晶片收容部大多位于大型盒的下侧，所以，即使半导体晶片从检查用晶片收容部伸出，操作者也难以确认。另外，当考虑切片装置的生产率时，大型盒与检查用晶片收容部的切换在为了检查而相对晶片输送机构切换到检查用晶片收容部后，一旦将成为检查对象的半导体晶片收容于检查用晶片收容部，则可立即切换到大型盒。
根据这样的情况，要求将成为检查对象的半导体晶片完全地收容于检查用晶片收容部内，同时，迅速确认该状态。
发明内容
因此，本发明就是鉴于这样的问题而作出的，其目的在于提供一种新型的、经过改进的工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置，该工件输送收容装置通过将例如成为检查对象的工件完全收容于检查用工件收容部那样的第2工件收容部内，从而防止工件的破损和工件输送收容装置的停止，同时，可迅速确认完全收容工件的状态。
为了解决上述问题，按照本发明的第1观点，提供一种工件输送收容装置，该工件输送收容装置具有收容多个工件的第1工件收容部、配置于第1工件收容部的下部的第2工件收容部、使第1工件收容部和第2工件收容部同时升降的升降机构、将工件大体水平地输送到第1工件收容部或第2工件收容部的工件输送机构、及检测从第2工件收容部的送入口突出的工件的工件检测机构。
在这里，本发明的工件输送收容装置可在由检测机构检测到从第2工件收容部的送入口突出的工件的场合不驱动升降机构地进行控制。
即，在上述发明中，当从第2工件收容部切换到第1工件收容部时，可检测出从第2工件收容部突出的工件，所以，可消除工件被夹入到工件输送路径与第2工件收容部间而破损、工件输送收容装置自身也停止这样的问题。
另外，在工件检测机构可检测到从第2工件收容部的送入口突出预定距离以上的工件的场合，本发明的工件输送收容装置也可还具有导向机构，该导向机构在升降机构使第1工件收容部和第2工件收容部进行下降动作时，将突出不到该预定距离，即突出了不足上述预定距离的工件引导至第2工件收容部。
在该场合，导向机构也可具有与第2工件收容部的送入口相对地设置、朝第2工件收容部的送入口侧倾斜的倾斜面。
通过设置这样的导向机构，突出不到上述预定距离，即突出了不足上述预定距离的工件在第1工件收容部和第2工件收容部的升降动作时，可通过与导向机构的倾斜面接触而被推入到第2工件收容部内。即，在工件检测机构与第2工件收容部的工件送入口间设置朝第2工件收容部的送入口侧倾斜的倾斜面，在存在从第2工件收容部突出不能由工件检测机构检测的程度的工件的场合，工件可一边由升降机构的升降而接触于导向机构的倾斜面一边被推入到第2工件收容部内。因此，即使存在按不能由工件检测机构检测到的范围突出的工件的场合，也可避免工件被夹入到工件输送路径与第2工件收容部间而破损，或工件输送收容装置自身也停止的事态。
另外，第2工件收容部也可具有用于载置工件的载置部，该载置部具有与载置的工件的外周部接合的台阶部。
即使工件完全收容于第2工件收容部，也存在由升降机构升降时的振动使收容于第2工件收容部的工件伸出的场合。在这样的场合，通过在工件载置部形成与工件的外周部接合的台阶(台阶部)，从而由升降机构的升降时的振动可防止一时收容的工件从第2工件收容部的送入口伸出。
另外，为了解决上述问题，按照本发明的从第2观点，提供具有上述工件输送收容装置的切削装置。
按照本发明切削装置，在由工件检测机构检测到从第2工件收容部的送入口突出的工件的场合，使第1工件收容部和第2工件收容部的升降停止，所以，可事先防止工件夹入到工件输送机构与第2工件收容部之间而破损。
另外，为了解决上述问题，按照本发明的第3观点，提供一种工件输送收容装置的工件输送收容方法，该工件输送收容装置具有收容多个工件的第1工件收容部、配置于第1工件收容部的下部的第2工件收容部、使第1工件收容部和第2工件收容部同时升降的升降机构、将工件大体水平地输送到第1工件收容部或第2工件收容部的工件输送机构、及检测从第2工件收容部的送入口突出的工件的工件检测机构；其中：包含由工件输送机构将工件送入到第2工件收容部的步骤，由工件检测机构检测送入的工件是否从第2工件收容部的送入口突出的步骤，在检测到送入的工件从第2工件收容部的送入口突出的场合不驱动升降机构地控制的步骤。
按照本发明的工件输送收容方法，在由工件检测机构检测到送入第2工件收容部的工件从第2工件收容部的送入口突出这一情况的场合，不驱动升降机构地进行控制，从而不从第2工件收容部切换到第1工件收容部，所以，可事先防止工件夹入到工件输送机构与第2工件收容部之间而使工件破损。
按照本发明，可提供一种工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置，该工件输送收容装置例如通过将成为检查对象的工件完全收容于检查用工件收容部那样的第2工件收容部内，从而防止工件的破损和工件输送收容装置的停止，同时，可迅速确认完全收容工件的状态。
附图说明
图1为示出本发明一实施形式的切片装置的外观构成的透视图。
图2为示出该实施形式的第1晶片收容部、第2晶片收容部、及升降机构的外观构成的透视图。
图3为示出该实施形式的第2晶片收容部的内部构成的透视图。
图4为示出过去和该实施形式的设于第2晶片收容部的晶片载置部的构成和功能的说明图。
图5A为示出该实施形式的切片装置的动作的说明图，是示出从第1晶片收容部送出半导体晶片后、切削之前的动作的图。
图5B为示出该实施形式的切片装置的动作的说明图，是示出清洗半导体晶片后、送入到第1晶片收容部之前的动作的图。
图6为示出本实施形式的晶片输送收容方法的处理的示意流程图。
图7为示出该实施形式的第1晶片收容部、第2晶片收容部、升降机构、光学传感器和晶片导轨的构成的截面图，示出半导体晶片从第2晶片收容机构伸出可由光学传感器检测到的程度的状态。
图8A为示出该实施形式的第1晶片收容部、第2晶片收容部、升降机构、光学传感器和晶片导轨的构成的截面图，示出半导体晶片从第2晶片收容机构仅伸出不能由光学传感器检测到的程度的状态。
图8B为示出第2晶片收容部从图7A的状态下降、半导体晶片位于倾斜面的最上部的状态的截面图。
图8C为示出第2晶片收容部从图7B的状态进一步下降、半导体晶片位于倾斜面的中间部的状态的截面图。
图8D为示出第2晶片收容部从图7B的状态进一步下降、半导体晶片位于倾斜面的最下部的状态的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的优选实施形式。在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能构成的构成要素，采用相同符号，省略重复说明。
(切片装置10的构成)
下面，说明作为具有本发明一实施形式的工件(晶片)输送收容装置的切削装置构成的切片装置。首先，参照图1说明本实施形式的切片装置10。图1为示出本实施形式的切片装置的外观构成的透视图(省略外装饰壳体)。
如图1所示那样，切片装置10具有作为后述的第1工件收容部的第1晶片收容部110、作为第2工件收容部的第2晶片收容部120、升降机构130、作为第1工件输送机构的第1晶片输送机构140、作为第2工件输送机构的第2晶片输送机构150、作为后述的工件检测机构的光学传感器170、晶片导轨180、夹持台190、切削机构200、及清洗机构210。
如后述的那样，在本实施形式中，图2所示第2晶片收容部120设于第1晶片收容部110的下部，具有晶片载置部122、顶板124、及被接合部126。在晶片载置部122例如载置作为被加工物(工件)的半导体晶片。被接合部126配置于顶板124的上面，通过该被接合部126可接合第1晶片收容部110和第2晶片收容部120。
作为第2晶片收容部120，例如可考虑收容用于检测半导体晶片的切削状态的检查用晶片的检查用晶片收容部等。
升降机构130例如为电梯那样的装置，可使第1晶片收容部110和第2晶片收容部120同时升降。在这里，升降机构130主要具有滚珠螺杆131和支承构件132。详细情况在后面说明。
第1晶片输送机构140主要从第1晶片收容部110或第2晶片收容部120送出晶片，在对送出的晶片进行切削和清洗后，再次将晶片送入到第1晶片收容部110或第2晶片收容部120。在第1晶片输送机构140具有晶片支承主体部141、输送辅助构件142、吸附部143、垂直移动构件144、水平移动构件145、杆146、滚珠螺杆147、及电动机148。
输送辅助构件142具有夹持推压支承构件142a和晶片夹持推压构件142b，主要用于由夹持推压支承构件142a和晶片夹持推压构件142b夹入半导体晶片，从而从第1晶片收容部110或第2晶片收容部120送出半导体晶片，载置到从第1晶片收容部110或第2晶片收容部120的送入口附近朝Y轴的负方向延伸的1对晶片导轨180。输送辅助构件142还起到推压构件的作用，当将载置于晶片导轨180的半导体送入到第1晶片收容部110或第2晶片收容部120时，晶片夹持推压构件142b回转90度，平坦面来到前面，接触着半导体晶片推压到上述晶片收容部内。另外，吸附部143例如可由真空吸附等吸附晶片进行保持，吸附着的晶片由晶片支承主体部141支承。
另外，在外装饰壳内的预定位置具有1对导轨(图中未示出)、滚珠螺杆147、及电动机148；该1对导轨设于支承构件160的预定位置，朝Y轴方向延伸；该滚珠螺杆147在1对导轨间与导轨大体平行地配置；该电动机148设于滚珠螺杆147的一端部，对滚珠螺杆147进行回转驱动。在1对导轨可朝Y轴向自由滑动地安装水平移动构件145。另外，在水平移动构件145的一端部(未安装于导轨的端部)形成朝Z轴方向贯通的2个贯通孔(图中未示出)，2根圆柱状的杆146贯通。在杆146的下端部配置垂直移动构件144，垂直移动构件144的下面接合于晶片支承主体部141的大体中心部。
第2晶片输送机构150主要用于将切削后的晶片从夹持台190输送到清洗机构210。在第2晶片输送机构150具有晶片支承主体部151、吸附部153、垂直移动构件154、水平移动构件155、及杆156。从夹持台190将切削后的晶片朝清洗机构210输送时，为了避免与第1晶片输送机构140的冲撞，使晶片支承主体部151上升到比第1晶片输送机构140高的位置，然后，使支承切削后的晶片的晶片支承主体部151朝Y轴方向移动。关于构成第2晶片输送机构150的构成，由于与第1晶片输送机构140的场合相同，所以，省略详细说明。
晶片导轨180由大体平行配置的2个支承构件构成，该2个支承构件朝Y轴方向延伸。另外，2个支承构件相面对，截面大体形成为L字状，可朝左右扩大其间隔地移动，可朝Y轴方向引导晶片并夹持着其进行定位，另外，当将晶片载置于处在下侧的夹持台190时，朝左右扩大，以不妨碍构成第1晶片输送机构140的晶片支承主体部141的下降。另外，在晶片导轨180的下侧配置后述的导向机构220，导向机构220在第1晶片收容部和第2晶片收容部侧的侧面具有朝第1晶片收容部和第2晶片收容部侧倾斜的倾斜面220a。
夹持台190例如在其上面具有真空夹持机构，可真空吸附晶片进行保持。另外，夹持台190例如也可在保持晶片的状态下由电动机(图中未示出)朝水平方向回转。
在该夹持台190的下方设置夹持台移动机构。该夹持台移动机构例如包括夹持台支承构件192、1对导轨194、及滚珠螺杆196；该夹持台支承构件192大体水平地支承夹持台190；该1对导轨194朝X轴方向延长地配置于基台199上，对夹持台支承构件192的X轴方向的移动进行引导；该滚珠螺杆196朝X轴方向延长地配置，与夹持台支承构件192的下部接合，由电动机198驱动回转。该夹持台移动机构通过使滚珠螺杆196回转，沿导轨194使夹持台支承构件192朝X轴方向移动，从而可使夹持台190和半导体晶片朝X轴方向移动。
另一方面，切削机构200例如位于夹持台190的上方地配置。该切削机构200例如由极薄的切削刀片202和主轴204等构成；该切削刀片202具有大体环状；该主轴204为朝Y轴方向延长地配置的回转轴，在前端部安装切削刀片202。切削机构200由悬挂部206悬挂，通过沿由支承构件209支承的导轨208使该悬挂部206朝Y轴方向移动，从而可使切削机构200在夹持台190上朝Y轴方向移动。
清洗机构210用于清洗由夹持台190进行了切削加工的半导体晶片。
下面，参照图2和图3说明第1晶片收容部110、第2晶片收容部120、及升降机构130的更详细的构成。图2为示出该实施形式的第1晶片收容部、第2晶片收容部、及升降机构的外观构成的透视图，图3为示出该实施形式的第2晶片收容部的内部构成的透视图。
如图2所示那样，第1晶片收容部110包括晶片盒112和盒载置台114，在盒载置台114的下面配置作为凹部的接合部116。在接合部116嵌入设于第2晶片收容部的突起状的被接合部126，从而使接合部116与被接合部126接合，这样，第1晶片收容部被固定于第2晶片收容部上。
另外，在晶片盒112的左右两内侧面形成1个或多个用于载置半导体晶片的晶片载置用槽112a。在图2中，示出形成6个晶片载置用槽112a的场合，但晶片载置用槽112a的数量不限于此。这样，本实施形式的晶片盒112具有收容多个晶片的功能。
升降机构130除了上述滚珠螺杆131和支承构件132外，还具有用于使滚珠螺杆131回转驱动的驱动电动机133和连接驱动电动机133与驱动皮带轮135的驱动皮带134。
另外，如图3所示那样，第2晶片收容部120的晶片载置部122具有与载置的半导体晶片的外周部接合的台阶部122a。台阶部122a形成为大体梯形。
下面参照图4说明台阶部122a的功能。图4是表示本实施例涉及的晶片载置部122的结构及功能的说明图。另外，在图4中，Y轴负方向成为半导体晶片W的送入口侧。
如图4(a)所示那样，过去的晶片载置部122′与本实施形式不同，没有台阶部。因此，载置于晶片载置部122′的半导体晶片W即使完全收容于第2晶片收容部，也由使第2晶片收容部升降时的升降机构的驱动产生的振动，如图4(b)所示那样使半导体晶片W伸出。
因此，在本实施形式中，为了防止这样的半导体晶片W的伸出，如图4(c)所示那样，在晶片载置部122形成与半导体晶片W的外周部接合的台阶部122a。如图4(d)所示那样，通过在该台阶部122a设置半导体晶片W，这样，即使由升降机构130的驱动产生振动，也由台阶部122a保持于一定的位置，所以，可防止半导体晶片W从第2晶片收容部120伸出。
(切片装置10的通常动作)
下面，参照图5A和图5B说明切片装置10的通常的动作。图5A为示出本实施形式的切片装置的动作的说明图，示出从第1晶片收容部送出半导体晶片后、切削之前的动作，图5B为示出本实施形式的切片装置的动作的说明图，示出清洗半导体晶片后、送入到第1晶片收容部之前的动作的图。
如图5A的左侧的图所示那样，首先，由上述输送辅助构件142送出收容于第1晶片收容部110的半导体晶片W((1))。然后，由第1晶片输送机构140的吸附部143将载置于晶片导轨180的半导体晶片W((2)提起((3))，在晶片导轨180朝左右移动而扩大到比晶片直径大的间隔后，载置于夹持台190上((4))。
然后，如图5A的右侧的图所示那样，在将半导体晶片W载置于夹持台190后((4))，由上述夹持台移动机构使半导体晶片W移动到切削位置((5))。由切削机构200将移动到切削位置的半导体晶片W切削成小方块状((6))。然后，由夹持台移动机构将切削后的半导体晶片W返回到原来的位置((4)的位置)(7)。
然后，如图5B的左侧的图所示那样，由第2晶片输送机构150的吸附部153将切削后的半导体晶片W((7))提起((8))，使其朝水平方向(Y轴负方向)移动到清洗机构210上((9))。然后，由吸附部153将半导体晶片W送入到清洗机构210内((10))。此时，不碰到第1晶片输送机构140地使晶片支承主体部151上升。
另外，如图5B的右侧的图所示那样，由吸附部143将清洗后的半导体晶片W((10))提起((11))，进一步使其朝水平方向(Y轴方向)移动((12))。此时，晶片支承主体部151不碰到第1晶片输送机构140地上升。接着，吸附部143将半导体晶片W载置到晶片导轨180((13))，此时的晶片导轨180已从朝左右扩大的状态相互接近而恢复为原来的状态，然后，由输送辅助构件142将半导体晶片W送入到第1晶片收容部110((14))。
(切片装置10的晶片输送收容方法)
以上说明了切片装置10的通常的动作，下面参照图6～图8D详细说明本实施形式的晶片输送收容方法。图6为示出本实施形式的晶片输送收容方法的处理的示意流程图，图7为示出第1晶片收容部110、第2晶片收容部120、升降机构130、光学传感器170、及晶片导轨180的构成的截面图，示出半导体晶片WA从第2晶片收容部120伸出可由光学传感器170检测到的程度的状态。另外，图8A为示出第1晶片收容部110、第2晶片收容部120、升降机构130、光学传感器170、及晶片导轨180的构成的截面图，示出半导体晶片WB从第2晶片收容部120伸出不能由光学传感器170检测到的程度的状态。
首先，参照图6说明本实施形式的晶片输送收容方法的梗概。如图6所示那样，本实施形式的晶片输送收容方法包括由第1晶片输送机构140将半导体晶片W送入到第2晶片收容部120的步骤(S102)，由光学传感器170检测半导体晶片W是否从第2晶片收容部120的送入口突出预定距离Ls以上的步骤(S104)，以及在由光学传感器170检测到半导体晶片W从第2晶片收容部120的送入口突出预定距离Ls以上的场合不驱动升降机构130地控制的步骤(S106)。
即，在本实施形式的切片装置10中，如上述那样，送出收容于晶片盒112的的作为被加工物(工件)的半导体晶片W，该晶片盒112载置于盒载置台114上；同时，将半导体晶片W送入到晶片盒112。在盒载置台114的下部例如设置检查用晶片收容部那样的第2晶片收容部120，可在第2晶片收容部120收容从晶片盒112取出、由切削机构200切削的任意的半导体晶片W。另外，切片装置10具有使这些晶片盒112(第1晶片收容部110)和第2晶片收容部120同时升降的升降机构130，由该升降机构130进行在第1晶片收容部110与第2晶片收容部120间的送出入对象的切换。
在通常状态下，从第1晶片收容部110送出半导体晶片W，进行切削加工后，再次将半导体晶片W送入到第1晶片收容部110。此时，例如在为了确认切削状态而进行抽样检查的场合，使升降机构130上升，按照使作为检查用晶片收容部的第2晶片收容部120位于第1晶片收容部110所处位置的方式使其移动。通过该移动，第1晶片输送机构140可将成为对象的半导体晶片送入到第2晶片收容部120。为了不停止切片装置10，最好在将半导体晶片收容于第2晶片收容部120后，立即使升降机构130下降，将第1晶片收容部110返回到原来的位置(切换第2晶片收容部120与第1晶片收容部110)。
此时，如半导体晶片未安全收容于第2晶片收容部120，则半导体晶片夹入到晶片输送路径与第2晶片收容部120之间而发生破损。在有的场合，为了恢复，必须使工件输送收容装置自身也停止。
为了防止出现这样的状态，在本实施形式中，如图7所示那样，在第2晶片收容部120的晶片送入口附近的下部设置光学传感器170，使得可检测从第2晶片收容部120突出的半导体晶片。光学传感器170由配置于导向机构220的倾斜面220a的内面(Y轴正方向侧的面)侧的保持构件172固定。另外，在导向机构220的光学传感器170的上部形成开口部220b。
光学传感器170例如为具有发光元件和受光元件的反射型的LED(发光二极管)传感器，当半导体晶片WA从第2晶片收容部120的送入口突出时，通过读取在半导体晶片WA的表面反射的光，从而可进行检测。从光学传感器170的发光元件发出的光通过开口部220b到达半导体晶片WA。
当切换第1晶片收容部110与第2晶片收容部120时，在光学传感器170检测到从第2晶片收容部120的送入口突出的半导体晶片WA的场合，如就这样驱动升降机构130，则半导体晶片WA破损，所以，可不驱动升降机构130地进行控制。结果，可使得升降机构130不使第1晶片收容部110和第2晶片收容部120下降。
在这里，光学传感器170最好配置到尽可能接近第2晶片收容部120的送入口的位置，但由于升降机构130使第2晶片收容部120移动，所以，需要某种程度的间隔。为此，如图7所示那样，光学传感器170可检测到从第2晶片收容部120的送入口突出预定距离Ls以上的半导体晶片WA。
另一方面，在光学传感器170与第2晶片收容部120的送入口之间，存在即使半导体晶片伸出也不能检测的范围。即，例如图8A所示那样的半导体晶片WB那样，光学传感器170不能检测到仅突出不到预定距离Ls的半导体晶片。这样，对于仅突出不到预定距离Ls的半导体晶片WB，在光学传感器170与第2晶片收容部120的送入口间的下部设置朝第2晶片收容部120的送入口侧下降地那样倾斜的倾斜面220a，即使半导体晶片WB从第2晶片收容部120的送入口突出，当由升降机构130使第2晶片收容部120下降时，半导体晶片WB的外周部也接触于该倾斜面220a，从而被推入到第2晶片收容部120，所以，半导体晶片WB不会被夹入。
换言之，导向机构220在由升降机构130使第1晶片收容部110和第2晶片收容部120进行升降动作时，可将仅突出不到预定距离Ls的半导体晶片WB引导至第2晶片收容部120。
另外，导向机构220具有与第2晶片收容部120的送入口相对地设置、朝第2晶片收容部120的送入口侧倾斜的倾斜面220a。通过导向机构220具有这样的构成，从而使突出不到预定距离Ls的半导体晶片WB在第1晶片收容部110和第2晶片收容部120的升降动作时与导向机构220的倾斜面220a接触，从而被推入到第2晶片收容部120内。
下面，参照图8B～图8D说明半导体晶片WB如何被推入到第2晶片收容部120。图8B为示出第2晶片收容部120从图8A的状态下降、半导体晶片W1位于倾斜面220a的最上部的状态的截面图，图8C为示出第2晶片收容部120从图8B的状态进一步下降、半导体晶片W2位于倾斜面220a的中间部的状态的截面图，图8D为示出第2晶片收容部120从图8C的状态进一步下降、半导体晶片W3位于倾斜面220a的最下部的状态的截面图。
如图8B所示那样，第2晶片收容部120在由升降机构130降低到图8A所示位置以下而位于倾斜面220a的最上部时，半导体晶片接触于倾斜面220a，从而被按预定的长度推入到第2晶片收容部120内。此时，半导体晶片W1的突出部分按与第2晶片收容部120的送入口与倾斜面220a的最上部的距离L1相同长度突出。
然后，如图8C所示那样，第2晶片收容部120由升降机构130进一步降低而位于倾斜面220a的中间部时，半导体晶片接触着倾斜面220a被进一步推入到第2晶片收容部120内。此时，半导体晶片W2的突出部分按与第2晶片收容部120的送入口与倾斜面220a的中间部的距离L2(L2＜L1)相同的长度突出。
然后，如图8D所示那样，第2晶片收容部120由升降机构130进一步降低而位于倾斜面220a的最下部时，半导体晶片接触着倾斜面220a被比图8C的状态更推入到第2晶片收容部120内。此时，半导体晶片W3的突出部分按与第2晶片收容部120的送入口与倾斜面220a的最下部的距离L3(L3＜L2)相同的长度突出。
这样，从第2晶片收容部120突出不到预定距离Ls的半导体晶片WB接触着倾斜面220a被逐渐推入到第2晶片收容部120内，所以，即使在半导体晶片按不能由光学传感器170检测到的范围突出的场合，也可防止半导体晶片夹入到晶片输送路径与第2晶片收容部120之间而发生破损的事态。
以上参照附图说明了本发明的优选实施形式，但本发明当然不限于该例。对于本领域的技术人员，很容易在记载于权利要求的范畴内想到各种变型例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围。
例如，在上述实施形式中，说明了第1晶片收容部110配置于第2晶片收容部120的上部的场合，但也可将第1晶片收容部110配置于第2晶片收容部120的下部。
本发明可在将半导体晶片分割成一个一个的半导体晶片的切削装置中得到利用，特别是可在具有工件输送收容装置和具有该工件输送收容装置的切削装置中使用，该工件输送收容装置用于输送和收容多片半导体晶片(工件)。
Claims (7)
1.一种工件输送收容装置，具有
收容多个工件的第1工件收容部、
配置于上述第1工件收容部的下部的第2工件收容部、
使上述第1工件收容部和上述第2工件收容部同时升降的升降机构、
将工件大体水平地输送到上述第1工件收容部或上述第2工件收容部的工件输送机构、及
检测从上述第2工件收容部的送入口突出的工件的工件检测机构。
2.根据权利要求1所述的工件输送收容装置，其特征在于：
上述工件检测机构可检测到从上述第2工件收容部的送入口突出预定距离以上的工件，
还具有导向机构，该导向机构在上述升降机构使上述第1工件收容部和上述第2工件收容部进行下降动作时，将突出了不足上述预定距离的工件引导至上述第2工件收容部。
3.根据权利要求2所述的工件输送收容装置，其特征在于：上述导向机构具有与上述第2工件收容部的送入口相对地设置、朝上述第2工件收容部的送入口侧倾斜的倾斜面。
4.根据权利要求3所述的工件输送收容装置，其特征在于：突出了不足上述预定距离的工件在上述第1工件收容部和上述第2工件收容部进行下降动作时，通过与上述导向机构的上述倾斜面接触而被推入到上述第2工件收容部内。
5.根据权利要求1所述的工件输送收容装置，其特征在于：
上述第2工件收容部具有用于载置工件的载置部，
上述载置部具有与上述载置的工件的外周部接合的台阶部。
6.一种切削装置，其特征在于：具有权利要求1～5中任何一项所述的工件输送收容装置。
7.一种工件输送收容方法，是具有收容多个工件的第1工件收容部、配置于上述第1工件收容部的下部的第2工件收容部、使上述第1工件收容部和上述第2工件收容部同时升降的升降机构、将工件大体水平地输送到上述第1工件收容部或上述第2工件收容部的工件输送机构、及检测从上述第2工件收容部的送入口突出的工件的工件检测机构的工件输送收容装置的工件输送收容方法；其特征在于，包含：
由工件输送机构将工件送入到上述第2工件收容部的步骤，
由上述工件检测机构检测上述送入的工件是否从上述第2工件收容部的送入口突出的步骤，
在检测到上述送入的工件从上述第2工件收容部的送入口突出的场合，不驱动上述升降机构地进行控制的步骤。
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